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型号：GP2D006A065C-HXY 编号：C53468010

封装：TO-252-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为6A，最大反向重复电压达650V，正向压降典型值为1.3V，反向漏电流低至50μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流能力为48A，适用于对效率和热性能要求较高的高频开关场景。器件利用碳化硅材料优势，在保持低导通损耗的同时，有效抑制反向恢复电荷，提升系统整体能效与稳定性。

1+
￥16.758 ￥17.64
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￥14.2405 ￥14.99
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￥12.673 ￥13.34
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￥11.0675 ￥11.65
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￥10.336 ￥10.88
1000+
￥10.0225 ￥10.55

有货

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型号：GP3D008A065A-HXY 编号：C53468049

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向重复电压达650V，正向压降典型值为1.38V，在浪涌条件下可承受高达88A的非重复峰值正向电流。凭借碳化硅材料的特性，器件在高频、高温环境下仍能保持稳定的电气性能，适用于对效率和热管理要求较高的电源转换场景。其低导通损耗与快速恢复特性有助于提升系统整体能效与响应速度。

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￥7.0015 ￥7.37
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￥6.84 ￥7.2
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￥6.7355 ￥7.09
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￥6.631 ￥6.98

有货

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型号：GP2D006A065A-HXY 编号：C53468026

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为6A，最大反向重复电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.68V，非重复峰值正向浪涌电流（IFSM）可达32A。器件利用碳化硅材料的高击穿电场与热导率优势，在高频开关和高温运行条件下保持稳定性能，适用于对效率、体积和热管理有较高要求的电源转换系统，如服务器电源、通信设备及可再生能源相关电路。

1+
￥7.239 ￥7.62
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￥7.0775 ￥7.45
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￥6.973 ￥7.34
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￥6.859 ￥7.22

有货

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型号：GP3D010A065D-HXY 编号：C53468041

封装：TO-263

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流（IF）为10A，反向重复峰值电压（VR）为650V，正向压降（VF）典型值为1.3V，反向漏电流（IR）为50μA，非重复浪涌正向电流（IFSM）可达80A。器件利用碳化硅材料的物理特性，在高频工作条件下保持较低的导通损耗和优异的热稳定性，适用于高效率电源转换、开关模式电源及对体积与散热有较高要求的电力电子应用。

1+
￥8.4455 ￥8.89
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￥8.2555 ￥8.69
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￥8.132 ￥8.56
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￥7.999 ￥8.42

有货

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型号：GP3D010A065A-HXY 编号：C53468097

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为10A，反向重复峰值电压达650V，正向压降典型值为1.5V，反向漏电流仅为60μA，具备优异的导通与阻断特性。其最大正向浪涌电流能力为90A，适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景。器件凭借碳化硅材料优势，在高开关频率下仍能保持较低损耗，适合用于各类高效、紧凑型电力电子系统中。

1+
￥8.4455 ￥8.89
10+
￥8.2555 ￥8.69
50+
￥8.132 ￥8.56
100+
￥7.999 ￥8.42

有货

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型号：GP2D010A065A-HXY 编号：C53468099

封装：TO-220C-2L

品牌：HXY MOSFET(华轩阳电子)

该碳化硅二极管采用独立式结构，额定正向电流（IF）为10A，最大反向重复电压（VR）达650V，正向压降（VF）典型值为1.5V，反向漏电流（IR）低至60μA，具备优异的导通与阻断特性。其非重复浪涌正向电流（IFSM）可达90A，适用于对效率和热性能要求较高的高频电源转换场景，如开关电源、光伏逆变器及高密度电力电子系统，能够有效降低开关损耗并提升整体能效。