HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：50N04 编号：C7543827

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

Tphtei o50N04是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50N04符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过雪崩耐量（EAS）测试，具备完整的可靠性认证。

5+
￥0.5753
50+
￥0.4499
150+
￥0.3872
500+
￥0.3402
2500+
￥0.2868
5000+
￥0.268

有货

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型号：40P03 编号：C20071218

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有环保产品可供选择。出色的Cdv/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。 100% EAS保证。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥0.615
50+
￥0.4902
150+
￥0.4278
500+
￥0.381
2500+
￥0.3218
5000+
￥0.3031

有货

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型号：1P15L 编号：C42461027

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。提供环保器件。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。负载开关

5+
￥0.63118 ￥0.6644
50+
￥0.49894 ￥0.5252
150+
￥0.43282 ￥0.4556
500+
￥0.38323 ￥0.4034
3000+
￥0.343615 ￥0.3617
6000+
￥0.32376 ￥0.3408

有货

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型号：30N06F 编号：C7543821

封装：PDFN-8-EP(5x6)

品牌：HL(富海微)

特性：100% EAS保证。有绿色环保器件。超低栅极电荷。出色的CdV/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。电源管理功能

5+
￥0.641
50+
￥0.5162
150+
￥0.4538
500+
￥0.407
2500+
￥0.3566
5000+
￥0.3379

有货

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型号：15P06 编号：C22379655

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

15P06是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。15P06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.65303 ￥0.6874
50+
￥0.51623 ￥0.5434
150+
￥0.44783 ￥0.4714
500+
￥0.39653 ￥0.4174
2500+
￥0.35549 ￥0.3742
5000+
￥0.334875 ￥0.3525

有货

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型号：30N04 编号：C7499840

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

Tphtei o2n 0N04是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30N04符合RoHS和绿色产品要求，100%通过了雪崩能量耐量（EAS）测试，并经过了全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.65303 ￥0.6874
50+
￥0.51623 ￥0.5434
150+
￥0.44783 ￥0.4714
500+
￥0.39653 ￥0.4174
2500+
￥0.35549 ￥0.3742
5000+
￥0.334875 ￥0.3525

有货

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型号：80N02 编号：C7437083

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

80N02是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.674785 ￥0.7103
50+
￥0.533425 ￥0.5615
150+
￥0.462745 ￥0.4871
500+
￥0.409735 ￥0.4313
2500+
￥0.36727 ￥0.3866
5000+
￥0.346085 ￥0.3643

有货

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型号：4N50 编号：C7499838

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

特性：绿色环保器件。出色的CdV/dt效应抑制能力。 100% EAS保证。先进的VD MOSFET。应用：同步降压转换器

5+
￥0.761805 ￥0.8019
50+
￥0.602205 ￥0.6339
150+
￥0.522405 ￥0.5499
500+
￥0.462555 ￥0.4869
2500+
￥0.414675 ￥0.4365
5000+
￥0.390735 ￥0.4113

有货

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型号：50P03 编号：C22379652

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

50P03是高单元密度的沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50P03符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.9883
50+
￥0.7867
150+
￥0.7003
500+
￥0.5925
2500+
￥0.5445
5000+
￥0.5156

有货

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型号：S30P06F 编号：C41406795

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):31，连续漏极电流ID(A):-30A

5+
￥1.024575 ￥1.0785
50+
￥0.809115 ￥0.8517
150+
￥0.716775 ￥0.7545
500+
￥0.60154 ￥0.6332
2500+
￥0.528865 ￥0.5567
5000+
￥0.498085 ￥0.5243

有货

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型号：90N06 编号：C53134301

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

沟槽；N沟道；耐压:60V；电流:90A

5+
￥1.10561 ￥1.1638
50+
￥0.875805 ￥0.9219
150+
￥0.77729 ￥0.8182
500+
￥0.65436 ￥0.6888
2500+
￥0.59964 ￥0.6312
5000+
￥0.566865 ￥0.5967

有货

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型号：7P20 编号：C47665720

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-200，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-2～-4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):645，连续漏极电流ID(A):-7A

5+
￥1.10561 ￥1.1638
50+
￥0.875805 ￥0.9219
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￥0.77729 ￥0.8182
500+
￥0.65436 ￥0.6888
2500+
￥0.59964 ￥0.6312
5000+
￥0.566865 ￥0.5967

有货

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型号：HL12N65RF 编号：C50331953

封装：TO-220F

品牌：HL(富海微)

平面,N管,Vdss 650V,Id 12A,Rds 0.65Ω,Vth 2.9V,Ciss 2124pF

5+
￥1.957855 ￥2.0609
50+
￥1.550875 ￥1.6325
150+
￥1.376455 ￥1.4489
500+
￥1.15881 ￥1.2198
2500+
￥1.06191 ￥1.1178
5000+
￥1.00377 ￥1.0566

有货

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型号：S150N10T 编号：C42372067

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N，漏源电压(Vdss) (V):100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):2～4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.3/3.8，连续漏极电流ID(A):150A

1+
￥3.287 ￥3.46
10+
￥2.622 ￥2.76
50+
￥2.166 ￥2.28
100+
￥1.805 ￥1.9
500+
￥1.653 ￥1.74
1000+
￥1.558 ￥1.64

有货

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型号：S150P06H 编号：C41406933

封装：TO-247

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-2～-2.8，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.5，连续漏极电流ID(A):-150A

1+
￥6.03
10+
￥5.43
30+
￥4.9
90+
￥4.53
510+
￥4.36
990+
￥4.29

有货

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型号：3139 编号：C42441703

封装：SOT-523-3L

品牌：HL(富海微)

特性：有环保型产品。超低栅极电荷。出色的Cdv/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。 ESD等级：2000V HBM。应用：电池保护。负载开关

20+
￥0.1466
200+
￥0.1142
600+
￥0.0962
3000+
￥0.0854
9000+
￥0.0761
21000+
￥0.071

有货

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型号：78L06 编号：C22458781

封装：SOT-89-3

品牌：HL(富海微)

35V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±5%，固定输出电压 6V

20+
￥0.1788
200+
￥0.1367
600+
￥0.1133
4000+
￥0.1032
8000+
￥0.091
20000+
￥0.0844

有货

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型号：30P09L 编号：C42441701

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。提供环保器件。出色的Cdv/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。负载开关

10+
￥0.283005 ￥0.2979
100+
￥0.223725 ￥0.2355
300+
￥0.194085 ￥0.2043
3000+
￥0.171855 ￥0.1809
6000+
￥0.15409 ￥0.1622
9000+
￥0.14516 ￥0.1528

有货

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型号：4953A 编号：C42461018

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。提供环保器件。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池开关。负载开关

10+
￥0.283005 ￥0.2979
100+
￥0.223725 ￥0.2355
300+
￥0.194085 ￥0.2043
3000+
￥0.171855 ￥0.1809
6000+
￥0.15409 ￥0.1622
9000+
￥0.14516 ￥0.1528

有货

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型号：20P07 编号：C7471108

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

20P07 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。20P07 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性验证。

10+
￥0.293835 ￥0.3093
100+
￥0.232275 ￥0.2445
300+
￥0.201495 ￥0.2121
3000+
￥0.17841 ￥0.1878
6000+
￥0.15998 ￥0.1684
9000+
￥0.150765 ￥0.1587

有货

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型号：3P06L 编号：C39673592

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -60阈值电压VGS:±20V th(V):-1～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):115 连续漏极电流ID(A):-3A

10+
￥0.30476 ￥0.3208
100+
￥0.24092 ￥0.2536
300+
￥0.209 ￥0.22
3000+
￥0.18506 ￥0.1948
6000+
￥0.16587 ￥0.1746
9000+
￥0.156275 ￥0.1645

有货

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型号：20N02 编号：C7437087

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

20N02 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20N02 符合 RoHS 标准和绿色产品要求。100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证

10+
￥0.389215 ￥0.4097
100+
￥0.30761 ￥0.3238
300+
￥0.266855 ￥0.2809
2500+
￥0.236265 ￥0.2487
5000+
￥0.21185 ￥0.223
10000+
￥0.199595 ￥0.2101

有货

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型号：S12N10 编号：C19100370

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

Tphtei S12N10是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。S12N10符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.4696
50+
￥0.3733
150+
￥0.3252
500+
￥0.2891
2500+
￥0.2502
5000+
￥0.2357

有货

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型号：40N02D 编号：C7437079

封装：PDFN3x3-8L

品牌：HL(富海微)

40N02D 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N02D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.478895 ￥0.5041
50+
￥0.378575 ￥0.3985
150+
￥0.328415 ￥0.3457
500+
￥0.290795 ￥0.3061
2500+
￥0.26068 ￥0.2744
5000+
￥0.245575 ￥0.2585

有货

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型号：120N03 编号：C19271468

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

120N03是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。120N03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，且具备完整功能可靠性认证。

5+
￥0.5643
50+
￥0.4903
150+
￥0.4533
500+
￥0.4255
2500+
￥0.4033
5000+
￥0.3922

有货

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型号：10G04S 编号：C20071215

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有绿色环保器件可供选择。 100%保证 EAS。出色的 CdV/dt 效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池开关。负载开关

5+
￥0.6093
50+
￥0.4749
150+
￥0.4077
500+
￥0.3573
3000+
￥0.317
6000+
￥0.2968

有货

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型号：50N04F 编号：C7543823

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HL(富海微)

Tphtei o50N04F是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50N04F符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.63118 ￥0.6644
50+
￥0.49894 ￥0.5252
150+
￥0.43282 ￥0.4556
500+
￥0.38323 ￥0.4034
2500+
￥0.343615 ￥0.3617
5000+
￥0.32376 ￥0.3408

有货

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型号：5N20 编号：C39673585

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 200阈值电压VGS:±20V th(V):1～3导通电阻RDS(ON) (mΩ):450 连续漏极电流ID(A):5.5A

5+
￥0.65303 ￥0.6874
50+
￥0.51623 ￥0.5434
150+
￥0.44783 ￥0.4714
500+
￥0.39653 ￥0.4174
2500+
￥0.35549 ￥0.3742
5000+
￥0.334875 ￥0.3525

有货

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型号：S4866D 编号：C7543829

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

绿色器件；超低栅极电荷；先进的沟槽MOS技术

5+
￥0.6755
50+
￥0.5276
150+
￥0.4536
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￥0.3981
2500+
￥0.3537
5000+
￥0.3315

有货

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型号：4616 编号：C21882493

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4616是具备极高单元密度的高性能沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4616符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），且通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.71307 ￥0.7506
50+
￥0.563635 ￥0.5933
150+
￥0.488965 ￥0.5147
500+
￥0.432915 ￥0.4557
3000+
￥0.38817 ￥0.4086
6000+
￥0.36575 ￥0.385

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