HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：11N65RT 编号：C42441706

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

1+
￥2.47
10+
￥2.18
50+
￥2.04
100+
￥1.89
500+
￥1.81

有货

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型号：BSS84 编号：C53134295

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

沟槽；P沟道；耐压:-60V；电流:-170mA

50+
￥0.0525
500+
￥0.0513
3000+
￥0.0505

有货

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型号：2310 编号：C39673591

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1～2导通电阻RDS(ON) (mΩ):75-85 连续漏极电流ID(A):3A

20+
￥0.1344
200+
￥0.1047
600+
￥0.0882

有货

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型号：2305A 编号：C20071223

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

2305A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2305A符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。

20+
￥0.1626
200+
￥0.1222
600+
￥0.0998
3000+
￥0.0968
9000+
￥0.0851
21000+
￥0.0788

有货

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型号：3415A 编号：C20539233

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3415A是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。3415A符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面功能可靠性认证。

20+
￥0.2244
200+
￥0.1758
600+
￥0.1488
3000+
￥0.1281
9000+
￥0.1141
21000+
￥0.1065

有货

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型号：4953A 编号：C42461018

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。提供环保器件。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池开关。负载开关

10+
￥0.2979
100+
￥0.2355
300+
￥0.2043

有货

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型号：20P07 编号：C7471108

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

20P07 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。20P07 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性验证。

10+
￥0.3056
100+
￥0.2408
300+
￥0.2084
3000+
￥0.1841
6000+
￥0.1646
9000+
￥0.1549

有货

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型号：4953B 编号：C42461019

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。提供绿色环保器件。出色的CdV/dt效应抑制能力。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池开关。负载开关

10+
￥0.3208
100+
￥0.2536
300+
￥0.22
3000+
￥0.1948
6000+
￥0.1746
9000+
￥0.1645

有货

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型号：4606A 编号：C7431452

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4606A是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4606A符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具备抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

10+
￥0.3373
100+
￥0.2659
300+
￥0.2302
3000+
￥0.1959
6000+
￥0.1745
9000+
￥0.1638

有货

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型号：2012S 编号：C7437076

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

2012S 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。2012S 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

10+
￥0.4005
100+
￥0.3142
300+
￥0.271
3000+
￥0.2296
6000+
￥0.2037
9000+
￥0.1907

有货

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型号：5N50 编号：C7499839

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

特性：绿色环保器件。出色的dV/dt效应抑制能力。 100%保证EAS。先进的VD MOSFET。应用：大多数同步降压转换器应用

5+
￥0.527
50+
￥0.4166
150+
￥0.3614
500+
￥0.32
2500+
￥0.2869
5000+
￥0.2703

有货

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型号：100N02 编号：C7437082

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

100N02是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。100N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整功能且可靠性通过认证。

5+
￥0.5975
50+
￥0.4723
150+
￥0.4097
500+
￥0.3628
2500+
￥0.3253
5000+
￥0.3065

有货

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型号：80N03D 编号：C7471103

封装：PDFN3x3-8L

品牌：HL(富海微)

80N03D是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N03D符合RoHS标准，属于绿色产品，100%保证具有雪崩耐量（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.6529
50+
￥0.5089
150+
￥0.4369
500+
￥0.3829
2500+
￥0.3397
5000+
￥0.318

有货

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型号：25P04 编号：C22379654

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

25P04是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。25P04符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证电气自动测试（EAS）合格。

5+
￥0.6543
50+
￥0.5142
150+
￥0.4441
500+
￥0.3916

有货

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型号：1P15L 编号：C42461027

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。提供环保器件。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。负载开关

5+
￥0.6644
50+
￥0.5252
150+
￥0.4556
500+
￥0.4034

有货

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型号：302 编号：C7499835

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：HL(富海微)

302 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。302 符合 RoHS 标准且为绿色产品，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.7399
50+
￥0.5767
150+
￥0.4951
500+
￥0.4339
2500+
￥0.3849
5000+
￥0.3604

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型号：2P15S 编号：C47665721

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-150，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-2～-4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):650/700，连续漏极电流ID(A):-1.6A

5+
￥0.7549
50+
￥0.6013
150+
￥0.5245
500+
￥0.4669
3000+
￥0.4208

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型号：9N20 编号：C39673596

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 200阈值电压VGS:±20V th(V):1～3导通电阻RDS(ON) (mΩ):225 连续漏极电流ID(A):9A

5+
￥0.8287
50+
￥0.7237
150+
￥0.6787
500+
￥0.6225

有货

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型号：60P03D 编号：C7471112

封装：PDFN3.3x3.3-8L

品牌：HL(富海微)

5+
￥0.9223
50+
￥0.7157
150+
￥0.6271
500+
￥0.5166
2500+
￥0.4674
5000+
￥0.4379

有货

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型号：90N06 编号：C53134301

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

沟槽；N沟道；耐压:60V；电流:90A

5+
￥1.1638
50+
￥0.9219
150+
￥0.8182
500+
￥0.6888
2500+
￥0.6312

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型号：150N03 编号：C39673593

封装：TO-252-4R

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 30阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.4导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.5-2.2连续漏极电流ID(A):150A

5+
￥1.303
50+
￥1.0107
150+
￥0.8854
500+
￥0.7291

有货

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型号：21N65RT 编号：C42441708

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

1+
￥3.86
10+
￥3.41
50+
￥3.19
100+
￥2.96

有货

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型号：S400N08TL 编号：C19100372

封装：TOLL-8L

品牌：HL(富海微)

特性：分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。用于低导通电阻的高密度单元设计。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

1+
￥4.79
10+
￥4.68
30+
￥4.61
100+
￥4.54

有货

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型号：3139 编号：C42441703

封装：SOT-523-3L

品牌：HL(富海微)

特性：有环保型产品。超低栅极电荷。出色的Cdv/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。 ESD等级：2000V HBM。应用：电池保护。负载开关

20+
￥0.0751
200+
￥0.0733
600+
￥0.0722

有货

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型号：2301D 编号：C7499855

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

2301D是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2301D符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

50+
￥0.1055
500+
￥0.0807
3000+
￥0.0738
6000+
￥0.0655
24000+
￥0.0583
51000+
￥0.0545

有货

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型号：78L05 编号：C22458780

封装：SOT-89-3

品牌：HL(富海微)

35V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±5%，固定输出电压 5V

20+
￥0.179
200+
￥0.1369
1000+
￥0.1174
2000+
￥0.1034
10000+
￥0.0912
20000+
￥0.0846

有货

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型号：78L06 编号：C22458781

封装：SOT-89-3

品牌：HL(富海微)

35V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±5%，固定输出电压 6V

20+
￥0.1793
200+
￥0.1372
600+
￥0.1138
4000+
￥0.1037
8000+
￥0.0915
20000+
￥0.0849

有货

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型号：7533 编号：C20071225

封装：SOT-89-3

品牌：HL(富海微)

30V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±2%，固定输出电压 3.3V

20+
￥0.1976
200+
￥0.1543
1000+
￥0.1279
2000+
￥0.1135
10000+
￥0.101
20000+
￥0.0942

有货

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型号：3400A 编号：C7431446

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3400A是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3400A符合RoHS标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。

20+
￥0.1992
200+
￥0.1533
600+
￥0.1278
3000+
￥0.121
9000+
￥0.1077
21000+
￥0.1006

有货

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型号：7550 编号：C20071226

封装：SOT-89-3

品牌：HL(富海微)

30V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±2%，固定输出电压 5V

20+
￥0.2203
200+
￥0.1716
1000+
￥0.1414
2000+
￥0.1252
10000+
￥0.1111
20000+
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