HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：S80P10T 编号：C53134299

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

SGT；P沟道；耐压:-100V；电流:-80A

1+
￥5.5
10+
￥4.46
50+
￥3.94
100+
￥3.43
500+
￥3.12
1000+
￥2.96

有货

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型号：S150P06H 编号：C41406933

封装：TO-247

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-2～-2.8，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.5，连续漏极电流ID(A):-150A

1+
￥6.13
10+
￥5.53
30+
￥5
90+
￥4.63

有货

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型号：HL8002 编号：C50331905

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

AB类功放，单声道，2.4W@4Ω，带关断模式

20+
￥0.1562
200+
￥0.1222
600+
￥0.1033

有货

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型号：2320A 编号：C7437078

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

2320A 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2320A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

20+
￥0.1749
200+
￥0.1371
600+
￥0.1161
3000+
￥0.0997
9000+
￥0.0887
21000+
￥0.0829

有货

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型号：78L12 编号：C22458783

封装：SOT-89-3

品牌：HL(富海微)

35V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±5%，固定输出电压 12V

20+
￥0.1907
200+
￥0.1486
1000+
￥0.119
2000+
￥0.1049
10000+
￥0.0928
20000+
￥0.0862

有货

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型号：2309 编号：C7431450

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

2309 是高单元密度沟槽型 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2309 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

20+
￥0.2242
200+
￥0.1762
600+
￥0.1522
3000+
￥0.1287
9000+
￥0.1143
21000+
￥0.107

有货

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型号：4056H 编号：C7431440

封装：ESOP-8

品牌：HL(富海微)

耐压：30V 功能：电池防反接、OVP、双灯

10+
￥0.3672
100+
￥0.2894
300+
￥0.2505
1000+
￥0.2213
4000+
￥0.1823
8000+
￥0.1706

有货

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型号：8810 编号：C21882486

封装：SOT-23-6L

品牌：HL(富海微)

8810 是一款低导通电阻 (RDSON) 沟槽 N 沟道 MOSFET，具有强大的 ESD 保护功能。该产品适用于锂离子电池组应用。8810 符合 RoHS 和绿色产品要求，并已获得全功能可靠性认证。

5+
￥0.372
50+
￥0.3266
150+
￥0.304
500+
￥0.287
3000+
￥0.2733

有货

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型号：90N03D 编号：C42441702

封装：PDFN3x3-8L

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。 100%保证EAS。有环保器件可供选择。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥0.4738
50+
￥0.373
150+
￥0.3226
500+
￥0.2848
2500+
￥0.2546

有货

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型号：40N02 编号：C7437085

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

40N02是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.4812
50+
￥0.3804
150+
￥0.33
500+
￥0.2922
2500+
￥0.2619
5000+
￥0.2468

有货

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型号：80N03 编号：C7471102

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

80N03是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.4895
50+
￥0.3887
150+
￥0.3382
500+
￥0.3004
2500+
￥0.2586
5000+
￥0.2435

有货

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型号：3419 编号：C19271470

封装：PDFN(3x3)

品牌：HL(富海微)

阈值电压VGS:±20

5+
￥0.5271
50+
￥0.4119
150+
￥0.3543
500+
￥0.3111
2500+
￥0.2766
5000+
￥0.2593

有货

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型号：20N06 编号：C18164385

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

5+
￥0.6024
50+
￥0.4728
150+
￥0.408
500+
￥0.3594
2500+
￥0.3057
5000+
￥0.2862

有货

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型号：306D 编号：C7499836

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

306D 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。306D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过易感性分析（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.7451
50+
￥0.6443
150+
￥0.6011
500+
￥0.5472
2500+
￥0.5232

有货

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型号：120N03 编号：C19271468

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

120N03是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。120N03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，且具备完整功能可靠性认证。

5+
￥0.8052
50+
￥0.6276
150+
￥0.5388
500+
￥0.4722
2500+
￥0.4189
5000+
￥0.3922

有货

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型号：50P04 编号：C18164393

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

50P04 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50P04 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备完整功能可靠性。

5+
￥1.0083
50+
￥0.7816
150+
￥0.6844
500+
￥0.5632
2500+
￥0.5092
5000+
￥0.4769

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型号：100P03 编号：C42372065

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-30，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.5/4.5，连续漏极电流ID(A):-100A

5+
￥1.1762
50+
￥1.0292
150+
￥0.9662
500+
￥0.8876

有货

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型号：S60J04F 编号：C7543832

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：HL(富海微)

S60J04F 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。S60J04F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥1.2518
50+
￥0.9948
150+
￥0.8846
500+
￥0.7472
2500+
￥0.6707
5000+
￥0.634

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型号：40P10 编号：C39673586

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -100阈值电压VGS:±20V th(V):-1.5～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):66-37 连续漏极电流ID(A):-40A

5+
￥1.3738
50+
￥1.2016
150+
￥1.1278
500+
￥1.0357

有货

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型号：13N65RT 编号：C42441707

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有环保型产品可供选择。出色的CdV/dt效应抑制能力。 100%保证EAS。采用先进的沟槽栅超级结技术。应用：功率因数校正（PFC）。开关电源（SMPS）

1+
￥2.63
10+
￥2.33
50+
￥2.17
100+
￥2.02
500+
￥1.93

有货

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型号：S80P06G 编号：C41406790

封装：TO-263

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):9，连续漏极电流ID(A):-80A

1+
￥3.26
10+
￥2.58
30+
￥2.29
100+
￥1.92
500+
￥1.76

有货

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型号：S150N10T 编号：C42372067

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N，漏源电压(Vdss) (V):100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):2～4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.3/3.8，连续漏极电流ID(A):150A

1+
￥3.46
10+
￥2.76
50+
￥2.28
100+
￥1.9
500+
￥1.74

有货

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型号：S120N15T 编号：C19271475

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

120N15T 是高单元密度沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻 (RDSON) 和栅极电荷。 120N15T 符合 RoHS 和绿色产品标准，并拥有 100% EAS 保证，且全功能可靠性已获认证。

1+
￥4.76
10+
￥3.81
50+
￥3.55
100+
￥3.08
500+
￥2.79
1000+
￥2.65

有货

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型号：S120P10T 编号：C53134300

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

SGT；P沟道；耐压:-100V；电流:-120A

1+
￥7.32
10+
￥6.1
50+
￥5.42
100+
￥4.66
500+
￥4.33
1000+
￥4.17

有货

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型号：S110N20T 编号：C53134293

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

SGT；N沟道；耐压:200V；电流:120A

1+
￥7.32
10+
￥6.1
50+
￥5.42
100+
￥4.66
500+
￥4.33
1000+
￥4.17

有货

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型号：3402 编号：C7499844

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3402是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3402符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

50+
￥0.0978
500+
￥0.0762
3000+
￥0.0642
6000+
￥0.057
24000+
￥0.0507
51000+
￥0.0474

有货

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型号：3407 编号：C47618986

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-30，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):42/54，连续漏极电流ID(A):-4.5A

20+
￥0.1452
200+
￥0.1139
600+
￥0.0965
3000+
￥0.0861

有货

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型号：3401A 编号：C7431447

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3401A 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3401A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

20+
￥0.1455
200+
￥0.1131
600+
￥0.0951
3000+
￥0.0843
9000+
￥0.0749
21000+
￥0.0699

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型号：4406 编号：C7431453

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4406 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4406 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过易感性评估（EAS），并经过全面的功能可靠性认证。

10+
￥0.3992
100+
￥0.3111
300+
￥0.267
3000+
￥0.2246
6000+
￥0.1982
9000+
￥0.1849

有货

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型号：60N02 编号：C7437084

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

60N02是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。60N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）保证，具备完整的功能可靠性认证。

10+
￥0.4135
100+
￥0.3223
300+
￥0.2767
2500+
￥0.2425
5000+
￥0.2151
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