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描述

价格(含税)

库存

操作

N+P沟道 60V/6A，-60V/-5A

型号：4559A 编号：C39673589

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1.0～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):30-36 连续漏极电流ID(A):6A MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -60阈值电压VGS:±20V th(V):-1.0～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):70-100 连续漏极电流ID(A):-5A

5+
￥0.67336 ￥0.7088
50+
￥0.53656 ￥0.5648
150+
￥0.46816 ￥0.4928
500+
￥0.41686 ￥0.4388
3000+
￥0.37582 ￥0.3956
6000+
￥0.355205 ￥0.3739

有货

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两个P沟道-60V/-8A

型号：9958 编号：C39673594

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P+P 漏源电压(Vdss) (V): -60阈值电压VGS:±20V th(V):-1.2～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):70-90连续漏极电流ID(A):-8A

5+
￥0.7695 ￥0.81
50+
￥0.6099 ￥0.642
150+
￥0.5301 ￥0.558
500+
￥0.47025 ￥0.495
3000+
￥0.42237 ￥0.4446
6000+
￥0.398335 ￥0.4193

有货

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2个N沟道耐压:40V 电流:12A

型号：4884 编号：C7543834

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4884 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4884 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 测试，具备全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.8014
50+
￥0.6286
150+
￥0.5422
500+
￥0.4774
3000+
￥0.4076
6000+
￥0.3816

有货

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N+P沟道 60V/20A，-60V/-20A

型号：60G20F 编号：C39673587

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):25-31 连续漏极电流ID(A):20A MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -60阈值电压VGS:±20V th(V):-1.2～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):42-55 连续漏极电流ID(A):-20A

5+
￥1.0123
50+
￥0.8758
150+
￥0.8173
500+
￥0.7443
2500+
￥0.7118
5000+
￥0.6923

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:100A

型号：100P03 编号：C42372065

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-30，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.5/4.5，连续漏极电流ID(A):-100A

5+
￥1.1823
50+
￥1.0353
150+
￥0.9723
500+
￥0.8937
2500+
￥0.7726
5000+
￥0.7516

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:80A

型号：80P03 编号：C20071220

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

5+
￥1.23899 ￥1.3042
50+
￥0.972895 ￥1.0241
150+
￥0.8588 ￥0.904
500+
￥0.716585 ￥0.7543
2500+
￥0.65322 ￥0.6876
5000+
￥0.615125 ￥0.6475

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:150A

型号：S150P06T 编号：C41406786

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-2～-2.8，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.6，连续漏极电流ID(A):-150A

1+
￥7.144 ￥7.52
10+
￥5.909 ￥6.22
50+
￥5.0635 ￥5.33
100+
￥4.3035 ￥4.53
500+
￥3.9615 ￥4.17
1000+
￥3.8095 ￥4.01

有货

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沟槽,单P,-30V/-4.5A

型号：3407 编号：C47618986

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

工艺:沟槽，类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-30，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):42/54，连续漏极电流ID(A):-4.5A

20+
￥0.076
200+
￥0.0744
600+
￥0.0733
3000+
￥0.0721

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:3A

型号：6003 编号：C7499845

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

6003 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。6003 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。

20+
￥0.1646
200+
￥0.1268
600+
￥0.1058
3000+
￥0.0911
9000+
￥0.0801
21000+
￥0.0742

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:4.1A

型号：3415 编号：C7431444

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3415 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。3415 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

20+
￥0.1812
200+
￥0.1434
600+
￥0.1224
3000+
￥0.1039
9000+
￥0.0929
21000+
￥0.087

有货

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12V 100mA 35V

型号：78L12 编号：C22458783

封装：SOT-89-3

品牌：HL(富海微)

35V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±5%，固定输出电压 12V

20+
￥0.1907
200+
￥0.1486
1000+
￥0.119
2000+
￥0.1049
10000+
￥0.0928
20000+
￥0.0862

有货

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1A线性锂电池充电芯片

型号：4056D 编号：C18164399

封装：ESOP-8

品牌：HL(富海微)

9V耐压，电池正反接保护，1A电流

10+
￥0.2869 ￥0.302
100+
￥0.2318 ￥0.244
300+
￥0.20425 ￥0.215
1000+
￥0.18354 ￥0.1932
4000+
￥0.15846 ￥0.1668
8000+
￥0.1501 ￥0.158

有货

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N沟道100V快速开关MOSFET

型号：10N10Q 编号：C42461024

封装：SOT-89-3L

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有环保型器件。出色的Cdv/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

10+
￥0.31407 ￥0.3306
100+
￥0.25023 ￥0.2634
300+
￥0.21831 ￥0.2298
1000+
￥0.19437 ￥0.2046
5000+
￥0.17518 ￥0.1844
10000+
￥0.16568 ￥0.1744

有货

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2个N沟道耐压:20V 电流:7A

型号：8810 编号：C21882486

封装：SOT-23-6L

品牌：HL(富海微)

8810 是一款低导通电阻 (RDSON) 沟槽 N 沟道 MOSFET，具有强大的 ESD 保护功能。该产品适用于锂离子电池组应用。8810 符合 RoHS 和绿色产品要求，并已获得全功能可靠性认证。

5+
￥0.3534 ￥0.372
50+
￥0.31027 ￥0.3266
150+
￥0.2888 ￥0.304
500+
￥0.27265 ￥0.287
3000+
￥0.259635 ￥0.2733
6000+
￥0.253175 ￥0.2665

有货

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N沟道30V快速开关MOSFET

型号：30N03 编号：C42441711

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

特性：100% EAS保证。超低栅极电荷。有绿色环保器件可供选择。出色的CdV/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

10+
￥0.37
100+
￥0.2884
300+
￥0.2476
2500+
￥0.217
5000+
￥0.1925
10000+
￥0.1802

有货

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1个N沟道耐压:20V 电流:60A

型号：60N02 编号：C7437084

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

60N02是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。60N02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS）保证，具备完整的功能可靠性认证。

10+
￥0.436905 ￥0.4599
100+
￥0.350265 ￥0.3687
300+
￥0.306945 ￥0.3231
2500+
￥0.274455 ￥0.2889
5000+
￥0.248425 ￥0.2615
10000+
￥0.235505 ￥0.2479

有货

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N沟道30V快速开关MOSFET

型号：90N03D 编号：C42441702

封装：PDFN3x3-8L

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。 100%保证EAS。有环保器件可供选择。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥0.45714 ￥0.4812
50+
￥0.36138 ￥0.3804
150+
￥0.3135 ￥0.33
500+
￥0.27759 ￥0.2922
2500+
￥0.248805 ￥0.2619
5000+
￥0.23446 ￥0.2468

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:40A

型号：40P02 编号：C20071217

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

40P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.4674 ￥0.492
50+
￥0.4104 ￥0.432
150+
￥0.3819 ￥0.402
500+
￥0.360525 ￥0.3795
2500+
￥0.343425 ￥0.3615
5000+
￥0.334875 ￥0.3525

有货

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1个P沟道耐压:30V 电流:32A

型号：3419 编号：C19271470

封装：PDFN(3x3)

品牌：HL(富海微)

阈值电压VGS:±20

5+
￥0.550905 ￥0.5799
50+
￥0.441465 ￥0.4647
150+
￥0.386745 ￥0.4071
500+
￥0.345705 ￥0.3639
2500+
￥0.312835 ￥0.3293
5000+
￥0.2964 ￥0.312

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:60A

型号：60N04B 编号：C7543826

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

Tphtei o60N04B是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。60N04B符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面功能可靠性认证。

5+
￥0.66728 ￥0.7024
50+
￥0.53048 ￥0.5584
150+
￥0.46208 ￥0.4864
500+
￥0.41078 ￥0.4324
2500+
￥0.35549 ￥0.3742
5000+
￥0.334875 ￥0.3525

有货

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耐压:100V 电流:3A

型号：3P10 编号：C22468082

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V):-100 阈值电压VGS:±20 Vth(V):-1.2～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):180/210 连续漏极电流ID(A):-3A

5+
￥0.668135 ￥0.7033
50+
￥0.531335 ￥0.5593
150+
￥0.462935 ￥0.4873
500+
￥0.411635 ￥0.4333
3000+
￥0.370595 ￥0.3901
6000+
￥0.34998 ￥0.3684

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:40A

型号：306D 编号：C7499836

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

306D 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。306D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过易感性分析（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.7451
50+
￥0.6443
150+
￥0.6011
500+
￥0.5472
2500+
￥0.5232
5000+
￥0.5088

有货

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N沟道650V平面MOSFET

型号：HL7N65R 编号：C50331908

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

平面,N管,Vdss 650V,Id 7A,Rds 1.2Ω,Vth 2.9V,Ciss 1198pF

5+
￥1.151685 ￥1.2123
50+
￥0.912285 ￥0.9603
150+
￥0.809685 ￥0.8523
500+
￥0.681625 ￥0.7175
2500+
￥0.624625 ￥0.6575
5000+
￥0.590425 ￥0.6215

有货

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P沟道 -100V/-40A

型号：40P10 编号：C39673586

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -100阈值电压VGS:±20V th(V):-1.5～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):66-37 连续漏极电流ID(A):-40A

5+
￥1.3738
50+
￥1.2016
150+
￥1.1278
500+
￥1.0357
2500+
￥0.8938
5000+
￥0.8692

有货

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1个P沟道耐压:60V 电流:150A

型号：S150P06G 编号：C41406785

封装：TO-263

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-2～-2.8，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.4，连续漏极电流ID(A):-150A

1+
￥6.85
10+
￥5.67
30+
￥5.01
100+
￥4.28
500+
￥3.78
800+
￥3.63

有货

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1个P沟道耐压:20V 电流:3.3A

型号：2301D 编号：C7499855

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

2301D是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2301D符合RoHS标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

50+
￥0.100225 ￥0.1055
500+
￥0.076665 ￥0.0807
3000+
￥0.07011 ￥0.0738
6000+
￥0.062225 ￥0.0655
24000+
￥0.055385 ￥0.0583
51000+
￥0.051775 ￥0.0545

有货

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N沟道耐压:60V 电流:3A

型号：2310 编号：C39673591

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1～2导通电阻RDS(ON) (mΩ):75-85 连续漏极电流ID(A):3A

20+
￥0.1344
200+
￥0.1047
600+
￥0.0882
3000+
￥0.0783
9000+
￥0.0697
21000+
￥0.0651

有货

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5V 300mA 25V

型号：78L05 编号：C22458780

封装：SOT-89-3

品牌：HL(富海微)

35V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±5%，固定输出电压 5V

20+
￥0.179
200+
￥0.1369
1000+
￥0.1174
2000+
￥0.1034
10000+
￥0.0912
20000+
￥0.0846

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:5A

型号：2318 编号：C7543824

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

特性：绿色设备可用。出色的CdV/dt效应衰减。超低栅极电荷。先进的沟槽MOS技术。应用：大多数同步降压转换器应用

10+
￥0.239495 ￥0.2521
100+
￥0.189335 ￥0.1993
300+
￥0.164255 ￥0.1729
3000+
￥0.145445 ￥0.1531
6000+
￥0.13034 ￥0.1372
9000+
￥0.122835 ￥0.1293

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:62A

型号：S60N03D 编号：C19100366

封装：PDFN3x3-8

品牌：HL(富海微)

S60N03D 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为 DC/DC 转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。S60N03D 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.40508 ￥0.4264
50+
￥0.35568 ￥0.3744
150+
￥0.33098 ￥0.3484
500+
￥0.312455 ￥0.3289
2500+
￥0.297635 ￥0.3133
5000+
￥0.290225 ￥0.3055

有货

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