HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：3402 编号：C7499844

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3402是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3402符合RoHS标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

50+
￥0.09291 ￥0.0978
500+
￥0.07239 ￥0.0762
3000+
￥0.06099 ￥0.0642
6000+
￥0.05415 ￥0.057
24000+
￥0.048165 ￥0.0507
51000+
￥0.04503 ￥0.0474

有货

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型号：2306 编号：C21882489

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

2306 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2306 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过全面的功能可靠性认证。

20+
￥0.12768 ￥0.1344
200+
￥0.099465 ￥0.1047
600+
￥0.08379 ￥0.0882
3000+
￥0.074385 ￥0.0783
9000+
￥0.066215 ￥0.0697
21000+
￥0.061845 ￥0.0651

有货

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型号：3N10L 编号：C42372072

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N，漏源电压(Vdss) (V):100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1.1～2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):200/280，连续漏极电流ID(A):2.5A

20+
￥0.195035 ￥0.2053
200+
￥0.153995 ￥0.1621
600+
￥0.131195 ￥0.1381
3000+
￥0.108205 ￥0.1139
9000+
￥0.09633 ￥0.1014
21000+
￥0.089965 ￥0.0947

有货

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型号：HL118 编号：C42372074

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

输入电压：1.8~8.5V ，持续电流：1.4A，峰值电流：3A ,ESD：8K

20+
￥0.23522 ￥0.2476
200+
￥0.18962 ￥0.1996
600+
￥0.16682 ￥0.1756
4000+
￥0.13224 ￥0.1392
8000+
￥0.11856 ￥0.1248
20000+
￥0.111625 ￥0.1175

有货

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型号：S8N10 编号：C18164397

封装：SOT-89-3L

品牌：HL(富海微)

S8N10 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。S8N10 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。

10+
￥0.33801 ￥0.3558
100+
￥0.27417 ￥0.2886
300+
￥0.24225 ￥0.255
1000+
￥0.207005 ￥0.2179
5000+
￥0.187815 ￥0.1977
10000+
￥0.17822 ￥0.1876

有货

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型号：4009S 编号：C22458778

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 40阈值电压VGS:±20Vth(V):1～2导通电阻RDS(ON) (mΩ):12/16 连续漏极电流ID(A):9A

5+
￥0.34276 ￥0.3608
50+
￥0.30096 ￥0.3168
150+
￥0.28006 ￥0.2948
500+
￥0.264385 ￥0.2783
3000+
￥0.251845 ￥0.2651
6000+
￥0.245575 ￥0.2585

有货

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型号：30N03D 编号：C19271464

封装：PDFN(3x3)

品牌：HL(富海微)

阈值电压VGS:±20

10+
￥0.454765 ￥0.4787
100+
￥0.363565 ￥0.3827
300+
￥0.317965 ￥0.3347
1000+
￥0.283765 ￥0.2987
5000+
￥0.246905 ￥0.2599
10000+
￥0.23313 ￥0.2454

有货

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型号：50N03 编号：C22379656

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

50N03 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50N03 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。

10+
￥0.459325 ￥0.4835
100+
￥0.368125 ￥0.3875
300+
￥0.322525 ￥0.3395
2500+
￥0.269135 ￥0.2833
5000+
￥0.241775 ￥0.2545
10000+
￥0.228 ￥0.24

有货

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型号：60N03D 编号：C7471100

封装：PDFN3333-8L

品牌：HL(富海微)

60N03D是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。60N03D符合RoHS标准，属于绿色产品，100%经过易雪崩二次击穿（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.510055 ￥0.5369
50+
￥0.401755 ￥0.4229
150+
￥0.347605 ￥0.3659
500+
￥0.306945 ￥0.3231
2500+
￥0.25042 ￥0.2636
5000+
￥0.234175 ￥0.2465

有货

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型号：4882 编号：C7543833

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4882是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4882符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.6257
50+
￥0.4961
150+
￥0.4313
500+
￥0.3827
3000+
￥0.3226
6000+
￥0.3031

有货

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型号：50P03D 编号：C7471111

封装：PDFN3.3x3.3-8L

品牌：HL(富海微)

50P03D是高单元密度沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50P03D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

5+
￥0.668325 ￥0.7035
50+
￥0.52839 ￥0.5562
150+
￥0.45847 ￥0.4826
500+
￥0.40603 ￥0.4274
2500+
￥0.353875 ￥0.3725
5000+
￥0.33288 ￥0.3504

有货

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型号：60P03F 编号：C42372071

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-30，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):7.2/14，连续漏极电流ID(A):-60A

5+
￥0.6935 ￥0.73
50+
￥0.611705 ￥0.6439
150+
￥0.57665 ￥0.607
500+
￥0.532855 ￥0.5609
2500+
￥0.4655 ￥0.49
5000+
￥0.453815 ￥0.4777

有货

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型号：25P10 编号：C22468081

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -100阈值电压VGS:±20Vth(V):-1.5～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):59/120 连续漏极电流ID(A):-25A

5+
￥1.12613 ￥1.1854
50+
￥0.88673 ￥0.9334
150+
￥0.78413 ￥0.8254
500+
￥0.656165 ￥0.6907
2500+
￥0.622915 ￥0.6557
5000+
￥0.58862 ￥0.6196

有货

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型号：65N06 编号：C18164388

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

65N06是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。65N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥1.2329
50+
￥0.9557
150+
￥0.8369
500+
￥0.6887
2500+
￥0.6227
5000+
￥0.583

有货

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型号：S80P06 编号：C41406791

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):9，连续漏极电流ID(A):-80A

1+
￥2.48
10+
￥1.92
30+
￥1.68
100+
￥1.38
500+
￥1.25
1000+
￥1.17

有货

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型号：S100P06F 编号：C41406789

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.6～-2.4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.5，连续漏极电流ID(A):-100A

1+
￥3.02
10+
￥2.66
30+
￥2.48
100+
￥2.3
500+
￥2.19
1000+
￥2.14

有货

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型号：S80P10T 编号：C53134299

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

SGT；P沟道；耐压:-100V；电流:-80A

1+
￥5.225 ￥5.5
10+
￥4.237 ￥4.46
50+
￥3.743 ￥3.94
100+
￥3.2585 ￥3.43
500+
￥2.964 ￥3.12
1000+
￥2.812 ￥2.96

有货

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型号：S120P10T 编号：C53134300

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

SGT；P沟道；耐压:-100V；电流:-120A

1+
￥6.954 ￥7.32
10+
￥5.795 ￥6.1
50+
￥5.149 ￥5.42
100+
￥4.427 ￥4.66
500+
￥4.1135 ￥4.33
1000+
￥3.9615 ￥4.17

有货

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型号：S110N20T 编号：C53134293

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

SGT；N沟道；耐压:200V；电流:120A

1+
￥6.954 ￥7.32
10+
￥5.795 ￥6.1
50+
￥5.149 ￥5.42
100+
￥4.427 ￥4.66
500+
￥4.1135 ￥4.33
1000+
￥3.9615 ￥4.17

有货

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型号：HL8205 编号：C47665726

封装：SOT-23-6L

品牌：HL(富海微)

工艺:沟槽，类型:N+N，漏源电压(Vdss) (V):20，阈值电压VGS:±12，Vth(V):0.4～1，导通电阻RDS(ON) (mΩ):20/26，连续漏极电流ID(A):6A

50+
￥0.109345 ￥0.1151
500+
￥0.083695 ￥0.0881
1500+
￥0.069445 ￥0.0731
10000+
￥0.065645 ￥0.0691
20000+
￥0.058235 ￥0.0613
50000+
￥0.05415 ￥0.057

有货

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型号：2300A 编号：C7437077

封装：SOT23

品牌：HL(富海微)

2300A 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2300A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

20+
￥0.12255 ￥0.129
200+
￥0.095855 ￥0.1009
600+
￥0.081035 ￥0.0853
3000+
￥0.072105 ￥0.0759
9000+
￥0.06441 ￥0.0678
21000+
￥0.06023 ￥0.0634

有货

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型号：3404 编号：C19271467

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3404 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3404 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

20+
￥0.128155 ￥0.1349
200+
￥0.09937 ￥0.1046
600+
￥0.08341 ￥0.0878
3000+
￥0.082365 ￥0.0867
9000+
￥0.0741 ￥0.078
21000+
￥0.069635 ￥0.0733

有货

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型号：3401A 编号：C7431447

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3401A 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3401A 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

20+
￥0.1393
200+
￥0.1069
600+
￥0.0889
3000+
￥0.0781
9000+
￥0.0687
21000+
￥0.0636

有货

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型号：HL8002 编号：C50331905

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

AB类功放，单声道，2.4W@4Ω，带关断模式

20+
￥0.1562
200+
￥0.1222
600+
￥0.1033
4000+
￥0.0919
8000+
￥0.0821
20000+
￥0.0768

有货

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型号：3416 编号：C18164383

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3416是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3416符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

20+
￥0.18031 ￥0.1898
200+
￥0.140505 ￥0.1479
600+
￥0.11837 ￥0.1246
3000+
￥0.102885 ￥0.1083
9000+
￥0.091295 ￥0.0961
21000+
￥0.08512 ￥0.0896

有货

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型号：6005 编号：C39673590

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):40-45 连续漏极电流ID(A):5A

10+
￥0.24472 ￥0.2576
100+
￥0.19456 ￥0.2048
300+
￥0.16948 ￥0.1784
3000+
￥0.145445 ￥0.1531
6000+
￥0.13034 ￥0.1372
9000+
￥0.122835 ￥0.1293

有货

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型号：40N05 编号：C7543825

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

Tphtei o4n0N05 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N05 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 经过耐雪崩能力（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

10+
￥0.2771
100+
￥0.2195
300+
￥0.1907
3000+
￥0.1589
6000+
￥0.1416
9000+
￥0.1329

有货

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型号：4614 编号：C21882492

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4614是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4614符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.51376 ￥0.5408
50+
￥0.40888 ￥0.4304
150+
￥0.35644 ￥0.3752
500+
￥0.31711 ￥0.3338
3000+
￥0.285665 ￥0.3007
6000+
￥0.269895 ￥0.2841

有货

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型号：30P20M 编号：C7471110

封装：DFN2x2

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有环保器件可选。出色的Cdv/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥0.6125
50+
￥0.4781
150+
￥0.4109
500+
￥0.3605
3000+
￥0.3202
6000+
￥0.3

有货

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型号：30G20F 编号：C21882496

封装：PDFN-8(5x6)

品牌：HL(富海微)

30G20F 是具有高单元密度的高性能互补 N 沟道和 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30G20F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备全面的功能可靠性。

5+
￥0.634885 ￥0.6683
50+
￥0.55442 ￥0.5836
150+
￥0.519935 ￥0.5473
500+
￥0.4769 ￥0.502
2500+
￥0.457805 ￥0.4819
5000+
￥0.44631 ￥0.4698

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