HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：S110P06T 编号：C41406788

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.6～-2.4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.5，连续漏极电流ID(A):-110A

1+
￥4.29
10+
￥3.43
50+
￥3
100+
￥2.57
500+
￥2.31

有货

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型号：2302V 编号：C7431443

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

2302V 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2302V 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过了全面的功能可靠性认证。

50+
￥0.0607
500+
￥0.0479
3000+
￥0.0374
6000+
￥0.0331
24000+
￥0.0294
51000+
￥0.0274

有货

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型号：6206A33 编号：C23377923

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

最大输入电压：6V；输出电压：3.3V；最大输出电流：300mA

50+
￥0.0978
500+
￥0.0762
3000+
￥0.0602
6000+
￥0.053

有货

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型号：3415 编号：C7431444

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3415 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。3415 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

20+
￥0.1724
200+
￥0.1346
600+
￥0.1136
3000+
￥0.0951
9000+
￥0.0841
21000+
￥0.0783

有货

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型号：3N10L 编号：C42372072

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N，漏源电压(Vdss) (V):100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1.1～2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):200/280，连续漏极电流ID(A):2.5A

20+
￥0.2053
200+
￥0.1621
600+
￥0.1381
3000+
￥0.1139
9000+
￥0.1014

有货

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型号：3080K 编号：C42441712

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

特性：100% EAS保证。超低栅极电荷。提供环保器件。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

10+
￥0.361
100+
￥0.2842
300+
￥0.2458
2500+
￥0.217
5000+
￥0.194
10000+
￥0.1824

有货

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型号：30N03 编号：C42441711

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

特性：100% EAS保证。超低栅极电荷。有绿色环保器件可供选择。出色的CdV/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

10+
￥0.3895
100+
￥0.3079
300+
￥0.2671
2500+
￥0.2365
5000+
￥0.212
10000+
￥0.1998

有货

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型号：40P02 编号：C20071217

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

40P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，并通过了全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.492
50+
￥0.432
150+
￥0.402
500+
￥0.3795
2500+
￥0.3615
5000+
￥0.3525

有货

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型号：60N03D 编号：C7471100

封装：PDFN3333-8L

品牌：HL(富海微)

60N03D是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。60N03D符合RoHS标准，属于绿色产品，100%经过易雪崩二次击穿（EAS）测试，并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.537
50+
￥0.4229
150+
￥0.3659
500+
￥0.3231
2500+
￥0.2636
5000+
￥0.2465

有货

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型号：30P20M 编号：C7471110

封装：DFN2x2

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有环保器件可选。出色的Cdv/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥0.6125
50+
￥0.4781
150+
￥0.4109
500+
￥0.3605
3000+
￥0.3202
6000+
￥0.3

有货

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型号：50P03 编号：C22379652

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

50P03是高单元密度的沟槽型P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50P03符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.663
50+
￥0.579
150+
￥0.543
500+
￥0.498
2500+
￥0.478

有货

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型号：4559A 编号：C39673589

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1.0～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):30-36 连续漏极电流ID(A):6A MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -60阈值电压VGS:±20V th(V):-1.0～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):70-100 连续漏极电流ID(A):-5A

5+
￥0.6728
50+
￥0.5288
150+
￥0.4568
500+
￥0.4028
3000+
￥0.3596

有货

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型号：60P03F 编号：C42372071

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-30，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):7.2/14，连续漏极电流ID(A):-60A

5+
￥0.73
50+
￥0.6439
150+
￥0.607
500+
￥0.5609
2500+
￥0.49

有货

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型号：4884 编号：C7543834

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4884 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4884 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 测试，具备全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.8014
50+
￥0.6286
150+
￥0.5422
500+
￥0.4774
3000+
￥0.4076
6000+
￥0.3816

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型号：40P04F 编号：C42372070

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):10/13，连续漏极电流ID(A):-40A

5+
￥0.997
50+
￥0.8794
150+
￥0.829
500+
￥0.7661
2500+
￥0.6692

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型号：60G20F 编号：C39673587

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 60阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):25-31 连续漏极电流ID(A):20A MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -60阈值电压VGS:±20V th(V):-1.2～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):42-55 连续漏极电流ID(A):-20A