HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：50N03D 编号：C19271465

封装：PDFN(3x3)

品牌：HL(富海微)

50N03D是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50N03D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易雪崩击穿能力（EAS）测试，且具备完整的功能可靠性认证。

10+
￥0.32452 ￥0.3416
100+
￥0.28652 ￥0.3016
300+
￥0.26752 ￥0.2816
1000+
￥0.25327 ￥0.2666
5000+
￥0.24187 ￥0.2546
10000+
￥0.23617 ￥0.2486

有货

立即购买

型号：90N03 编号：C39673588

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 30阈值电压VGS:±20V th(V):1.2～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.2-4.8 连续漏极电流ID(A):90A

5+
￥0.502645 ￥0.5291
50+
￥0.402325 ￥0.4235
150+
￥0.352165 ￥0.3707
500+
￥0.314545 ￥0.3311
2500+
￥0.274075 ￥0.2885
5000+
￥0.25897 ￥0.2726

有货

立即购买

型号：60N03 编号：C7471101

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

60N03是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。60N03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过EAS测试，具备完整功能且通过可靠性认证。

5+
￥0.541595 ￥0.5701
50+
￥0.42826 ￥0.4508
150+
￥0.37164 ￥0.3912
500+
￥0.329175 ￥0.3465
2500+
￥0.28861 ￥0.3038
5000+
￥0.271605 ￥0.2859

有货

立即购买

型号：70P03 编号：C22379653

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

70P03是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。70P03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.6368
50+
￥0.5528
150+
￥0.5168
500+
￥0.4719
2500+
￥0.4519
5000+
￥0.4399

有货

立即购买

型号：20P06 编号：C18164394

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有环保器件可供选择。出色的CdvV/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。 100%保证雪崩耐量。应用：PWM应用。负载开关

5+
￥0.889105 ￥0.9359
50+
￥0.71174 ￥0.7492
150+
￥0.623105 ￥0.6559
500+
￥0.556605 ￥0.5859
2500+
￥0.441845 ￥0.4651
5000+
￥0.41515 ￥0.437

有货

立即购买

型号：S150N03D 编号：C23377922

封装：PDFN-8L(3x3)

品牌：HL(富海微)

平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2～2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.4/2.1 连续漏极电流ID(A):150A

5+
￥0.94468 ￥0.9944
50+
￥0.82498 ￥0.8684
150+
￥0.77368 ￥0.8144
500+
￥0.70965 ￥0.747
2500+
￥0.68115 ￥0.717
5000+
￥0.66405 ￥0.699

有货

立即购买

型号：40P04F 编号：C42372070

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):10/13，连续漏极电流ID(A):-40A

5+
￥0.94715 ￥0.997
50+
￥0.83543 ￥0.8794
150+
￥0.78755 ￥0.829
500+
￥0.727795 ￥0.7661
2500+
￥0.63574 ￥0.6692
5000+
￥0.61978 ￥0.6524

有货

立即购买

型号：4485 编号：C7499854

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4485 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。4485 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 保证，且经过全功能可靠性认证。

5+
￥0.95646 ￥1.0068
50+
￥0.76494 ￥0.8052
150+
￥0.68286 ￥0.7188
500+
￥0.58045 ￥0.611
3000+
￥0.53485 ￥0.563
6000+
￥0.50749 ￥0.5342

有货

立即购买

型号：S25V06D 编号：C42461020

封装：PDFN3x3-8L

品牌：HL(富海微)

特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

5+
￥0.9644
50+
￥0.7528
150+
￥0.662
500+
￥0.5488
2500+
￥0.4858
5000+
￥0.4556

有货

立即购买

型号：20G10F 编号：C47665715

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

工艺:沟槽，类型:N+P，漏源电压(Vdss) (V):100/-100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):±1.2～±2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):65/180，连续漏极电流ID(A):15A/-7A

5+
￥1.10561 ￥1.1638
50+
￥0.875805 ￥0.9219
150+
￥0.77729 ￥0.8182
500+
￥0.65436 ￥0.6888
2500+
￥0.59964 ￥0.6312
5000+
￥0.566865 ￥0.5967

有货

立即购买

型号：S60V04F 编号：C53134302

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：HL(富海微)

SGT；N沟道；耐压:40V；电流:60A

5+
￥1.151685 ￥1.2123
50+
￥0.912285 ￥0.9603
150+
￥0.809685 ￥0.8523
500+
￥0.681625 ￥0.7175
2500+
￥0.624625 ￥0.6575
5000+
￥0.590425 ￥0.6215

有货

立即购买

型号：S60P06F 编号：C41406792

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):12，连续漏极电流ID(A):-60A

5+
￥1.30682 ￥1.3756
50+
￥1.141235 ￥1.2013
150+
￥1.07027 ￥1.1266
500+
￥0.98173 ￥1.0334
2500+
￥0.942305 ￥0.9919
5000+
￥0.91865 ￥0.967

有货

立即购买

型号：S125N06F 编号：C30170167

封装：PDFN5x6-8

品牌：HL(富海微)

平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2～2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.4连续漏极电流ID(A):125A

1+
￥2.052 ￥2.16
10+
￥1.7955 ￥1.89
30+
￥1.6815 ￥1.77
100+
￥1.539 ￥1.62
500+
￥1.482 ￥1.56
1000+
￥1.444 ￥1.52

有货

立即购买

型号：DW01A 编号：C18164398

封装：SOT23-6

品牌：HL(富海微)

电池管理过充保护:4.3V 充电恢复:4.1V 过放保护:2.5V 放电恢复:2.9V 过电流放电保护:150mV 0V充电:允许

20+
￥0.142975 ￥0.1505
200+
￥0.112195 ￥0.1181
600+
￥0.095095 ￥0.1001
3000+
￥0.083125 ￥0.0875
9000+
￥0.07429 ￥0.0782
21000+
￥0.069445 ￥0.0731

有货

立即购买

型号：HL8002D 编号：C50331906

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

AB类功放，单声道，2.8W@3Ω，带关断模式

20+
￥0.18278 ￥0.1924
200+
￥0.142975 ￥0.1505
600+
￥0.12084 ￥0.1272
4000+
￥0.10754 ￥0.1132
8000+
￥0.096045 ￥0.1011
20000+
￥0.08987 ￥0.0946

有货

立即购买

型号：6G03L 编号：C23377921

封装：SOT-23-6L

品牌：HL(富海微)

N+PMOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.0～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):18/25 连续漏极电流ID(A):6A N+PMOSFET类型:P漏源电压(Vdss) (V):-30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):-1.0～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):36/50 连续漏极电流ID(A):-6A

10+
￥0.27208 ￥0.2864
100+
￥0.21508 ￥0.2264
300+
￥0.18658 ￥0.1964
3000+
￥0.165205 ￥0.1739
6000+
￥0.148105 ￥0.1559
9000+
￥0.139555 ￥0.1469

有货

立即购买

型号：4430 编号：C21882488

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4430 是高单元密度沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4430 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过 EAS 测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥0.40565 ￥0.427
50+
￥0.35815 ￥0.377
150+
￥0.3344 ￥0.352
500+
￥0.316635 ￥0.3333
3000+
￥0.302385 ￥0.3183
6000+
￥0.29526 ￥0.3108

有货

立即购买

型号：50P02 编号：C22379650

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

50P02是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50P02符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过导通耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.4075
50+
￥0.3555
150+
￥0.3295
500+
￥0.31
2500+
￥0.2944
5000+
￥0.2866

有货

立即购买

型号：3080K 编号：C42441712

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

特性：100% EAS保证。超低栅极电荷。提供环保器件。出色的CdV/dt效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM应用。负载开关

10+
￥0.4383
100+
￥0.3489
300+
￥0.3042
2500+
￥0.2483
5000+
￥0.2215
10000+
￥0.2081

有货

立即购买

型号：80N03F 编号：C7471104

封装：DFN5x6

品牌：HL(富海微)

特性：100% EAS Guaranteed。 Green Device Available。 Super Low Gate Charge。 Excellent CdV/dt effect decline。 Advanced high cell density Trench technology。应用：DC-DC converter。 Portable Equipment