HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：30P03 编号：C22379651

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

30P03是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30P03符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.3994
50+
￥0.3494
150+
￥0.3244
500+
￥0.3056
2500+
￥0.2906
5000+
￥0.2831

有货

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型号：30N06 编号：C18164386

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

特性：100% EAS 保证。超低栅极电荷。提供绿色环保器件。优异的 CdV/dt 效应抑制。先进的高单元密度沟槽技术。应用：PWM 应用。负载开关

5+
￥0.4933
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￥0.3876
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￥0.3348
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￥0.2952
2500+
￥0.2514
5000+
￥0.2355

有货

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型号：4407A 编号：C7499853

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4407A是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4407A符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过全功能可靠性认证，确保产品质量。

5+
￥0.5872
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￥0.4628
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￥0.4006
500+
￥0.354
3000+
￥0.2915
6000+
￥0.2728

有货

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型号：70P03 编号：C22379653

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

70P03是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。70P03符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备全面的功能可靠性认证。

5+
￥0.6368
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￥0.5528
150+
￥0.5168
500+
￥0.4719
2500+
￥0.4519
5000+
￥0.4399

有货

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型号：S4866D 编号：C7543829

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

绿色器件；超低栅极电荷；先进的沟槽MOS技术

5+
￥0.6755
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￥0.5276
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￥0.4536
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￥0.3981
2500+
￥0.3537
5000+
￥0.3315

有货

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型号：HL7N65R 编号：C50331908

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

平面,N管,Vdss 650V,Id 7A,Rds 1.2Ω,Vth 2.9V,Ciss 1198pF

5+
￥1.2123
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￥0.9603
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￥0.8523
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￥0.7175
2500+
￥0.6575

有货

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型号：80P04 编号：C20071221

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

80P04是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80P04符合RoHS标准和绿色产品要求，经全面功能可靠性认证，百分百保证符合EAS标准。

5+
￥1.5988
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￥1.246
150+
￥1.0948
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￥0.9061
2500+
￥0.8221
5000+
￥0.7717

有货

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型号：HL6288Q 编号：C50331902

封装：QFN-24(4x4)

品牌：HL(富海微)

耐压最高250V，输出驱动电流1.5A/1.8A，内置 200ns 死区时间，带上下电保护、欠压保护，QFN-24

5+
￥1.949
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￥1.5458
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￥1.373
500+
￥1.1574
2500+
￥1.0374
6000+
￥0.9797

有货

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型号：650SJ520 编号：C21882498

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

650V，8A，在VGS = 10V时，RDS(ON) < 0.6Ω；采用先进的分裂栅沟槽技术；具有出色的RDS(ON)和低栅极电荷；是无铅产品。

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￥1.99
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￥1.74
30+
￥1.63
100+
￥1.5
500+
￥1.44
1000+
￥1.4

有货

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型号：S125N06F 编号：C30170167

封装：PDFN5x6-8

品牌：HL(富海微)

平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.2～2.2导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.4连续漏极电流ID(A):125A

1+
￥2.16
10+
￥1.89
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￥1.77
100+
￥1.62
500+
￥1.56
1000+
￥1.52

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型号：S80P06 编号：C41406791

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):9，连续漏极电流ID(A):-80A

1+
￥2.51
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￥1.96
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￥1.72
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￥1.42
500+
￥1.29
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￥1.21

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型号：S120N10T 编号：C47665449

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):2～4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):4.1/5，连续漏极电流ID(A):120A

1+
￥3.09
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￥2.45
50+
￥2.18
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￥1.83
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￥1.68
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￥1.59

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型号：2301V 编号：C7499856

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

2301V 是高单元密度的沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2301V 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，并通过了全功能可靠性认证。

50+
￥0.0594
500+
￥0.0459
3000+
￥0.0371
6000+
￥0.0326
24000+
￥0.0287
51000+
￥0.0265

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型号：2N7002K 编号：C7431449

封装：SOT23

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有环保器件可供选择。出色的Cdv/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。负载开关

50+
￥0.06
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￥0.0476
3000+
￥0.039
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￥0.0349
24000+
￥0.0313
51000+
￥0.0293

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型号：3404 编号：C19271467

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3404 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3404 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

20+
￥0.1279
200+
￥0.0977
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￥0.0809
3000+
￥0.0797
9000+
￥0.071
21000+
￥0.0663

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型号：10N06Q 编号：C30170165

封装：SOT-89-3L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 20阈值电压VGS:±20V th(V):1～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):40/45 连续漏极电流ID(A):10A

10+
￥0.2716
100+
￥0.214
300+
￥0.1852
1000+
￥0.1648
5000+
￥0.1475
10000+
￥0.1388

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型号：6G03L 编号：C23377921

封装：SOT-23-6L

品牌：HL(富海微)

N+PMOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):1.0～2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):18/25 连续漏极电流ID(A):6A N+PMOSFET类型:P漏源电压(Vdss) (V):-30 阈值电压VGS:±20 Vth(V):-1.0～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):36/50 连续漏极电流ID(A):-6A