HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：25P10 编号：C22468081

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P 漏源电压(Vdss) (V): -100阈值电压VGS:±20Vth(V):-1.5～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):59/120 连续漏极电流ID(A):-25A

5+
￥1.1321
50+
￥0.8801
150+
￥0.7721
500+
￥0.6374
2500+
￥0.6174
5000+
￥0.5814

有货

立即购买

型号：80N06 编号：C7543838

封装：TO-252-3L

品牌：HL(富海微)

80N06是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性测试（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥1.2146
50+
￥0.9626
150+
￥0.8546
500+
￥0.7199
2500+
￥0.6024
5000+
￥0.5664

有货

立即购买

型号：S15V06S 编号：C19100371

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

特性：出色的散热封装。用于低导通电阻的高密度单元设计。应用：电源管理功能。同步整流应用

5+
￥1.2274
50+
￥0.9753
150+
￥0.8673
500+
￥0.7326
3000+
￥0.6576
6000+
￥0.6216

有货

立即购买

型号：20P10 编号：C18164396

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

20P10是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥1.2908
50+
￥1.0136
150+
￥0.8948
500+
￥0.7465
2500+
￥0.6613
5000+
￥0.6217

有货

立即购买

型号：S400N06HTL 编号：C22468083

封装：TOLL-8L

品牌：HL(富海微)

平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):2～4导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.25 连续漏极电流ID(A):400A

1+
￥4.17
10+
￥3.69
30+
￥3.44
100+
￥3.2
500+
￥3.06
1000+
￥2.98

有货

立即购买

型号：2300 编号：C23377920

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

特性：有绿色环保器件可供选择。出色的Cdv/dt效应抑制能力。采用先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。负载开关

50+
￥0.1108
500+
￥0.0865
3000+
￥0.0687
6000+
￥0.0606

有货

立即购买

型号：S40N06D 编号：C19271471

封装：PDFN(3x3)

品牌：HL(富海微)

阈值电压VGS:±20

5+
￥0.8927
50+
￥0.6911
150+
￥0.6047
500+
￥0.4969
2500+
￥0.4489
5000+
￥0.42

有货

立即购买

型号：80N06F 编号：C7543837

封装：PDFN-8-EP(5x6)

品牌：HL(富海微)

80N06F 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N06F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，经全面功能可靠性认证，保证 100% EAS。

5+
￥1.2917
50+
￥1.0145
150+
￥0.8957
500+
￥0.7474
2500+
￥0.6622
5000+
￥0.6226

有货

立即购买

型号：8205 编号：C7499847

封装：SOT-23-6

品牌：HL(富海微)

特性：绿色环保器件。出色的CdV/dt效应衰减。先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。电池供电系统

20+
￥0.1528
200+
￥0.1178
600+
￥0.0984
3000+
￥0.0816
9000+
￥0.0715
21000+
￥0.066

有货

立即购买

型号：20P03 编号：C18164391

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

20P03是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20P03符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

10+
￥0.4527
100+
￥0.3606
300+
￥0.3146
2500+
￥0.2599
5000+
￥0.2323
10000+
￥0.2185

有货

立即购买

型号：4614 编号：C21882492

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4614是高性能的沟槽型N沟道和P沟道MOSFET，具有极高的单元密度，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4614符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.5154
50+
￥0.405
150+
￥0.3498
500+
￥0.3084
3000+
￥0.2752
6000+
￥0.2587

有货

立即购买

型号：80N03F 编号：C7471104

封装：DFN5x6

品牌：HL(富海微)

特性：100% EAS Guaranteed。 Green Device Available。 Super Low Gate Charge。 Excellent CdV/dt effect decline。 Advanced high cell density Trench technology。应用：DC-DC converter。 Portable Equipment

5+
￥0.7152
50+
￥0.5614
150+
￥0.4844
500+
￥0.4267
2500+
￥0.3629
5000+
￥0.3398

有货

立即购买

型号：S25V06D 编号：C42461020

封装：PDFN3x3-8L

品牌：HL(富海微)

特性：采用分裂栅沟槽MOSFET技术。出色的散热封装。高密度单元设计，实现低导通电阻RDS(ON)。应用：DC-DC转换器。电源管理功能

5+
￥0.9982
50+
￥0.7865
150+
￥0.6958
500+
￥0.5826
2500+
￥0.5196

有货

立即购买

型号：S110P06G 编号：C41406787

封装：TO-263

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.6～-2.4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):5.4，连续漏极电流ID(A):-110A

1+
￥4.86
10+
￥3.93
30+
￥3.46
100+
￥3
500+
￥2.73
800+
￥2.59

有货

立即购买

型号：S150P06G 编号：C41406785

封装：TO-263

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-2～-2.8，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.4，连续漏极电流ID(A):-150A

1+
￥6.85
10+
￥5.67
30+
￥5.01
100+
￥4.28
500+
￥3.78
800+
￥3.63

有货

立即购买

型号：78L09 编号：C22458782

封装：SOT-89-3

品牌：HL(富海微)

35V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±5%，固定输出电压 9V

20+
￥0.1943
200+
￥0.1522
1000+
￥0.1225
2000+
￥0.1085
10000+
￥0.0963
20000+
￥0.0897

有货

立即购买

型号：8205A 编号：C7499846

封装：TSSOP-8

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有绿色环保器件可供选择。出色的CdV/dt效应抑制能力。采用先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。电池供电系统

20+
￥0.212
200+
￥0.1634
600+
￥0.1364
5000+
￥0.1198
10000+
￥0.1057
20000+
￥0.0981

有货

立即购买

型号：9435A 编号：C18164390

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

9435A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。9435A符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

10+
￥0.2857
100+
￥0.2281
300+
￥0.1993
3000+
￥0.1681
6000+
￥0.1508
9000+
￥0.1422

有货

立即购买

型号：4009S 编号：C22458778

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:N 漏源电压(Vdss) (V): 40阈值电压VGS:±20Vth(V):1～2导通电阻RDS(ON) (mΩ):12/16 连续漏极电流ID(A):9A

5+
￥0.3608
50+
￥0.3168
150+
￥0.2948
500+
￥0.2783
3000+
￥0.2651
6000+
￥0.2585

有货

立即购买

型号：4409A 编号：C20071224

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

5+
￥0.7293
50+
￥0.6369
150+
￥0.5973
500+
￥0.5478
3000+
￥0.5258
6000+
￥0.5126

有货

立即购买

型号：S60V04F 编号：C53134302

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：HL(富海微)

SGT；N沟道；耐压:40V；电流:60A

5+
￥1.2123
50+
￥0.9603
150+
￥0.8523
500+
￥0.7175
2500+
￥0.6575

有货

立即购买

型号：90P03F 编号：C42372066

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-30，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.5/4.5，连续漏极电流ID(A):-90A

5+
￥1.2462
50+
￥1.0992
150+
￥1.0362
500+
￥0.9576
2500+
￥0.8365

有货

立即购买

型号：S120N04D 编号：C47665714

封装：PDFN3x3-8L

品牌：HL(富海微)

工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1.2～2.2，导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.1/2.8，连续漏极电流ID(A):120A

5+
￥1.5275
50+
￥1.21
150+
￥1.0739
500+
￥0.9041
2500+
￥0.8285

有货

立即购买

型号：S100N75F 编号：C7471098

封装：PDFN5X6-8

品牌：HL(富海微)

100V, 75A；先进的分裂栅极沟槽技术；优异的RDS(ON)和低栅极电荷；获得无铅产品

1+
￥2.47
10+
￥1.94
30+
￥1.71
100+
￥1.43
500+
￥1.3
1000+
￥1.23

有货

立即购买

型号：S100N10LF 编号：C19100374

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

DC-DC 转换器。电源管理功能。同步整流应用

1+
￥3.13
10+
￥2.43
30+
￥2.14
100+
￥1.76
500+
￥1.6
1000+
￥1.5

有货

立即购买

型号：DW01A 编号：C18164398

封装：SOT23-6

品牌：HL(富海微)

电池管理过充保护:4.3V 充电恢复:4.1V 过放保护:2.5V 放电恢复:2.9V 过电流放电保护:150mV 0V充电:允许

20+
￥0.1505
200+
￥0.1181
600+
￥0.1001
3000+
￥0.0875
9000+
￥0.0782
21000+
￥0.0731

有货

立即购买

型号：3416 编号：C18164383

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

3416是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3416符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

20+
￥0.1898
200+
￥0.1479
600+
￥0.1246
3000+
￥0.1083
9000+
￥0.0961
21000+
￥0.0896

有货

立即购买

型号：HL118 编号：C42372074

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

输入电压：1.8~8.5V ，持续电流：1.4A，峰值电流：3A ,ESD：8K

20+
￥0.2476
200+
￥0.1996
600+
￥0.1756
4000+
￥0.1392
8000+
￥0.1248
20000+
￥0.1175

有货

立即购买

型号：40N05 编号：C7543825

封装：SOT-23-3L

品牌：HL(富海微)

Tphtei o4n0N05 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40N05 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100% 经过耐雪崩能力（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

10+
￥0.2771
100+
￥0.2195
300+
￥0.1907
3000+
￥0.1589
6000+
￥0.1416
9000+
￥0.1329

有货

立即购买

型号：S8N10 编号：C18164397

封装：SOT-89-3L

品牌：HL(富海微)

S8N10 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。S8N10 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且已通过全功能可靠性认证。

10+
￥0.3393
100+
￥0.2721
300+
￥0.2385
1000+
￥0.2014
5000+
￥0.1812
10000+
￥0.1712

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示