HL二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：S400N06HTL 编号：C22468083

封装：TOLL-8L

品牌：HL(富海微)

平面沟槽MOSFET类型:N漏源电压(Vdss) (V):60 阈值电压VGS:±20 Vth(V):2～4导通电阻RDS(ON) (mΩ):1.25 连续漏极电流ID(A):400A

1+
￥6.0135 ￥6.33
10+
￥4.9495 ￥5.21
30+
￥4.3605 ￥4.59
100+
￥3.6955 ￥3.89
500+
￥3.458 ￥3.64
1000+
￥3.325 ￥3.5

有货

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型号：8205A 编号：C7499846

封装：TSSOP-8

品牌：HL(富海微)

特性：超低栅极电荷。有绿色环保器件可供选择。出色的CdV/dt效应抑制能力。采用先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。电池供电系统

20+
￥0.212135 ￥0.2233
200+
￥0.165965 ￥0.1747
600+
￥0.140315 ￥0.1477
5000+
￥0.124545 ￥0.1311
10000+
￥0.11115 ￥0.117
20000+
￥0.104025 ￥0.1095

有货

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型号：30P03D 编号：C7499851

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

30P03D是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。30P03D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

5+
￥0.51965 ￥0.547
50+
￥0.414675 ￥0.4365
150+
￥0.36214 ￥0.3812
500+
￥0.322715 ￥0.3397
2500+
￥0.283575 ￥0.2985
5000+
￥0.267805 ￥0.2819

有货

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型号：S40N06D 编号：C19271471

封装：PDFN(3x3)

品牌：HL(富海微)

阈值电压VGS:±20

5+
￥0.896135 ￥0.9433
50+
￥0.704615 ￥0.7417
150+
￥0.622535 ￥0.6553
500+
￥0.520125 ￥0.5475
2500+
￥0.474525 ￥0.4995
5000+
￥0.44707 ￥0.4706

有货

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型号：50P04 编号：C18164393

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

50P04 是高单元密度沟槽式 P 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。50P04 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%通过 EAS 认证，具备完整功能可靠性。

5+
￥1.022295 ￥1.0761
50+
￥0.806835 ￥0.8493
150+
￥0.714495 ￥0.7521
500+
￥0.59926 ￥0.6308
2500+
￥0.54796 ￥0.5768
5000+
￥0.51718 ￥0.5444

有货

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型号：S60J04F 编号：C7543832

封装：PDFN-8L(5x6)

品牌：HL(富海微)

S60J04F 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。S60J04F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，100%经过雪崩能量耐量（EAS）测试，具备完整的功能可靠性认证。

5+
￥1.18921 ￥1.2518
50+
￥0.94506 ￥0.9948
150+
￥0.84037 ￥0.8846
500+
￥0.70984 ￥0.7472
2500+
￥0.637165 ￥0.6707
5000+
￥0.6023 ￥0.634

有货

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型号：80N06F 编号：C7543837

封装：PDFN-8-EP(5x6)

品牌：HL(富海微)

80N06F 是高单元密度的沟槽式 N 沟道 MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。80N06F 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，经全面功能可靠性认证，保证 100% EAS。

5+
￥1.2521
50+
￥0.9749
150+
￥0.8561
500+
￥0.7079
2500+
￥0.6227
5000+
￥0.583

有货

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型号：78L09 编号：C22458782

封装：SOT-89-3

品牌：HL(富海微)

35V LDO 线性稳压器，高精度输出电压±5%，固定输出电压 9V

20+
￥0.184585 ￥0.1943
200+
￥0.14459 ￥0.1522
1000+
￥0.116375 ￥0.1225
2000+
￥0.103075 ￥0.1085
10000+
￥0.091485 ￥0.0963
20000+
￥0.085215 ￥0.0897

有货

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型号：4409A 编号：C20071224

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

5+
￥0.692835 ￥0.7293
50+
￥0.605055 ￥0.6369
150+
￥0.567435 ￥0.5973
500+
￥0.52041 ￥0.5478
3000+
￥0.49951 ￥0.5258
6000+
￥0.48697 ￥0.5126

有货

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型号：S60N04F 编号：C7543820

封装：DFN-8(5x6)

品牌：HL(富海微)

高频开关与同步整流。

5+
￥0.83353 ￥0.8774
50+
￥0.66481 ￥0.6998
150+
￥0.58045 ￥0.611
500+
￥0.517275 ￥0.5445
2500+
￥0.46664 ￥0.4912
5000+
￥0.441275 ￥0.4645

有货

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型号：20P10 编号：C18164396

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

20P10是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20P10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥1.225785 ￥1.2903
50+
￥0.962445 ￥1.0131
150+
￥0.849585 ￥0.8943
500+
￥0.7087 ￥0.746
2500+
￥0.62776 ￥0.6608
5000+
￥0.59014 ￥0.6212

有货

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型号：S40P06F 编号：C41406794

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V)：-60，阈值电压VGS:±20V， Vth(V):-1.3～-2.3，导通电阻RDS(ON) (mΩ):19，连续漏极电流ID(A):-40A

5+
￥1.27737 ￥1.3446
50+
￥1.01403 ￥1.0674
150+
￥0.90117 ￥0.9486
500+
￥0.76038 ￥0.8004
2500+
￥0.682005 ￥0.7179
5000+
￥0.644385 ￥0.6783

有货

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型号：4056H 编号：C7431440

封装：ESOP-8

品牌：HL(富海微)

耐压：30V 功能：电池防反接、OVP、双灯

10+
￥0.365465 ￥0.3847
100+
￥0.291555 ￥0.3069
300+
￥0.254695 ￥0.2681
1000+
￥0.226955 ￥0.2389
4000+
￥0.18981 ￥0.1998
8000+
￥0.178695 ￥0.1881

有货

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型号：20N06D 编号：C7543835

封装：PDFN-8(3x3)

品牌：HL(富海微)

20N06D是高单元密度的沟槽式N沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20N06D符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过EAS认证，具备全面的功能可靠性。

5+
￥0.5332
50+
￥0.4228
150+
￥0.3676
500+
￥0.3262
2500+
￥0.2735
5000+
￥0.257

有货

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型号：4407A 编号：C7499853

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

4407A是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。4407A符合RoHS标准和绿色产品要求，100%通过全功能可靠性认证，确保产品质量。

5+
￥0.58102 ￥0.6116
50+
￥0.4579 ￥0.482
150+
￥0.396435 ￥0.4173
500+
￥0.350265 ￥0.3687
3000+
￥0.28842 ￥0.3036
6000+
￥0.26999 ￥0.2842

有货

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型号：40P04 编号：C21882500

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

40P04是高单元密度的沟槽式P沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。40P04符合RoHS标准和绿色产品要求，经过全面功能可靠性认证，100%保证符合EAS标准。

5+
￥1.006905 ￥1.0599
50+
￥0.79572 ￥0.8376
150+
￥0.70528 ￥0.7424
500+
￥0.592325 ￥0.6235
2500+
￥0.506445 ￥0.5331
5000+
￥0.476235 ￥0.5013

有货

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型号：S80N04D 编号：C47665719

封装：PDFN3x3-8L

品牌：HL(富海微)

工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1～2.2，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.4/4.1，连续漏极电流ID(A):80A

5+
￥1.10561 ￥1.1638
50+
￥0.875805 ￥0.9219
150+
￥0.77729 ￥0.8182
500+
￥0.65436 ￥0.6888
2500+
￥0.59964 ￥0.6312
5000+
￥0.566865 ￥0.5967

有货

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型号：90P03F 编号：C42372066

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型:P，漏源电压(Vdss) (V):-30，阈值电压VGS:±20，Vth(V):-1～-2.5，导通电阻RDS(ON) (mΩ):3.5/4.5，连续漏极电流ID(A):-90A

5+
￥1.18389 ￥1.2462
50+
￥1.04424 ￥1.0992
150+
￥0.98439 ￥1.0362
500+
￥0.90972 ￥0.9576
2500+
￥0.794675 ￥0.8365
5000+
￥0.774725 ￥0.8155

有货

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型号：S120N04D 编号：C47665714

封装：PDFN3x3-8L

品牌：HL(富海微)

工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):40，阈值电压VGS:±20，Vth(V):1.2～2.2，导通电阻RDS(ON) (mΩ):2.1/2.8，连续漏极电流ID(A):120A

5+
￥1.451125 ￥1.5275
50+
￥1.1495 ￥1.21
150+
￥1.020205 ￥1.0739
500+
￥0.858895 ￥0.9041
2500+
￥0.787075 ￥0.8285
5000+
￥0.743945 ￥0.7831

有货

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型号：S100N10LF 编号：C19100374

封装：PDFN5x6-8L

品牌：HL(富海微)

DC-DC 转换器。电源管理功能。同步整流应用

1+
￥3.1445 ￥3.31
10+
￥2.4795 ￥2.61
30+
￥2.1945 ￥2.31
100+
￥1.843 ￥1.94
500+
￥1.6815 ￥1.77
1000+
￥1.5865 ￥1.67

有货

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型号：2302V 编号：C7431443

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

2302V 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，能为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。2302V 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且经过了全面的功能可靠性认证。

50+
￥0.057665 ￥0.0607
500+
￥0.045505 ￥0.0479
3000+
￥0.03553 ￥0.0374
6000+
￥0.031445 ￥0.0331
24000+
￥0.02793 ￥0.0294
51000+
￥0.02603 ￥0.0274

有货

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型号：2300 编号：C23377920

封装：SOT-23

品牌：HL(富海微)

特性：有绿色环保器件可供选择。出色的Cdv/dt效应抑制能力。采用先进的高单元密度沟槽技术。应用：电池保护。负载开关

50+
￥0.1108
500+
￥0.0865
3000+
￥0.0687
6000+
￥0.0606
24000+
￥0.0536
51000+
￥0.0498

有货

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型号：9435A 编号：C18164390

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

9435A是高单元密度沟槽式P沟道MOSFET，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。9435A符合RoHS标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

10+
￥0.271415 ￥0.2857
100+
￥0.216695 ￥0.2281
300+
￥0.189335 ￥0.1993
3000+
￥0.159695 ￥0.1681
6000+
￥0.14326 ￥0.1508
9000+
￥0.13509 ￥0.1422

有货

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型号：20N03D 编号：C19271463

封装：PDFN(3x3)

品牌：HL(富海微)

20N03D是高单元密度沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20N03D符合RoHS标准，属于绿色产品，100%经过EAS测试，具备完整功能且通过可靠性认证。

10+
￥0.3926
100+
￥0.3062
300+
￥0.263
1000+
￥0.2306
5000+
￥0.2074
10000+
￥0.1944

有货

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型号：20N10 编号：C18164389

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

20N10是高性能沟槽N沟道MOSFET，具有极高的单元密度，能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。20N10符合RoHS标准和绿色产品要求，100%保证具有抗雪崩能力（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.567435 ￥0.5973
50+
￥0.453435 ￥0.4773
150+
￥0.396435 ￥0.4173
500+
￥0.353685 ￥0.3723
2500+
￥0.31236 ￥0.3288
5000+
￥0.29526 ￥0.3108

有货

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型号：4805 编号：C30170166

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

MOSFET类型P漏源电压(Vdss) (V): -30阈值电压VGS:±20V th(V):-1～-2.5导通电阻RDS(ON) (mΩ):18/25 连续漏极电流ID(A):-9.5A

5+
￥0.631465 ￥0.6647
50+
￥0.496945 ￥0.5231
150+
￥0.429685 ￥0.4523
500+
￥0.37924 ￥0.3992
3000+
￥0.338865 ￥0.3567
6000+
￥0.31863 ￥0.3354

有货

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型号：10P06 编号：C7499848

封装：TO-252

品牌：HL(富海微)

10P06是高单元密度的沟槽型N沟道MOSFET，可为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻（RDSON）和栅极电荷。10P06符合RoHS标准和绿色产品要求，100%经过易感性评估（EAS），并通过了全功能可靠性认证。

5+
￥0.6628
50+
￥0.5176
150+
￥0.4451
500+
￥0.3906
2500+
￥0.3317
5000+
￥0.3099

有货

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型号：S15V06S 编号：C19100371

封装：SOP-8

品牌：HL(富海微)

特性：出色的散热封装。用于低导通电阻的高密度单元设计。应用：电源管理功能。同步整流应用

5+
￥1.1359
50+
￥0.8838
150+
￥0.7758
500+
￥0.6411
3000+
￥0.5661
6000+
￥0.5301

有货

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型号：S120N10T 编号：C47665449

封装：TO-220

品牌：HL(富海微)

工艺:SGT，类型:N，漏源电压(Vdss) (V):100，阈值电压VGS:±20，Vth(V):2～4，导通电阻RDS(ON) (mΩ):4.1/5，连续漏极电流ID(A):120A

1+
￥2.9355 ￥3.09
10+
￥2.3275 ￥2.45
50+
￥2.071 ￥2.18
100+
￥1.7385 ￥1.83
500+
￥1.596 ￥1.68
1000+
￥1.5105 ￥1.59

有货

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型号：3400Q 编号：C21882501

封装：SOT-89-3L

品牌：HL(富海微)

3400Q 是高单元密度的沟槽型 N 沟道 MOSFET，可为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻（RDSON）和效率。3400Q 符合 RoHS 标准和绿色产品要求，且通过了全功能可靠性认证。

20+
￥0.21926 ￥0.2308
200+
￥0.1729 ￥0.182
1000+
￥0.13984 ￥0.1472
2000+
￥0.12445 ￥0.131
10000+
￥0.111055 ￥0.1169
20000+
￥0.103835 ￥0.1093

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