Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IKW20N60H3 编号：C536210

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速DuoPack：采用沟槽和场截止技术的IGBT，具有软恢复、快速恢复的反并联二极管

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1+
￥33.54
10+
￥29.47
30+
￥25.22

有货

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型号：IHW40N65R5XKSA1 编号：C3191654

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™技术提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性和稳定的温度特性。极低的VCEsat和低Eoff。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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￥35.95
30+
￥34.27

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型号：IR3899AMTRPBF 编号：C3093680

封装：PQFN-17(4x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款易于使用的全集成式直流-直流降压调节器。板载PWM控制器和集成自举二极管的MOSFET使该调节器占用空间小，可提供高效的功率传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并提供快速的控制响应。具有内部低压差稳压器，允许单电源供电。是一款多功能调节器，提供600 kHz至2 MHz的可编程开关频率、两种可选电流限制、强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）操作。还具备重要的保护功能，如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

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￥35.99
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￥31.15
30+
￥28.21

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型号：IHW20N65R5 编号：C3191648

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -非常低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数，具有易于并联开关的能力。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变式微波炉

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￥38.88
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￥33.73
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￥30.59

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型号：IKZA40N120CS7XKSA1 编号：C20191533

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 2.0 V（TVj = 175℃ 时）。针对硬开关拓扑进行优化（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）。短路耐受时间为 8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

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￥42.65
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￥41.6
30+
￥40.89

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型号：IKW25T120 编号：C127955

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

低损耗DuoPack封装：采用TrenchStop和Fieldstop技术的IGBT，搭配软恢复、快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。约1

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￥43.9
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￥38.09
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￥34.54

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型号：6EDL04I06NT 编号：C3655021

封装：DSO-28

品牌：Infineon(英飞凌)

英飞凌6ED系列第二代产品是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的耐用性。器件中不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象。六个独立的驱动器在低端使用CMOS或LSTTL兼容信号进行控制，逻辑电压低至3.3 V。该器件包括一个具有迟滞特性的欠压检测单元和过流检测功能。过流水平可通过选择电阻值和ITRIP引脚的阈值电平来调节。两种错误情况（欠压和过流）都会导致所有六个开关明确关断。故障信号通过FAULT开漏输出引脚提供。过流后的阻断时间可通过RCIN引脚处的RC网络进行调节。输入引脚RCIN内置一个2.8 μA的电流源。因此，电阻RRCIN是可选的。典型输出电流为上拉165 mA和下拉375 mA。出于系统安全考虑，实现了310 ns的互锁时间。输入引脚EN的功能可通过使用外部NTC电阻进行过温检测来扩展。引脚VCC和VBx之间的单片集成自举二极管结构可用于高端电源供电。

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￥50.21
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￥43.49
30+
￥39.4

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型号：IKQ75N120CS7XKSA1 编号：C20191015

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V，IC = 75 A，IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 175℃时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑进行优化（如2-L逆变器、3-L NPC T型等）。短路耐受时间为8 μs。具备宽范围的dv/dt可控性。完整的产品系列和PSpice模型。应用：工业驱动器。工业电源

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￥64.9
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￥62.65

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型号：IKY100N120CH7XKSA1 编号：C20191525

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

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￥72.04
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￥69.73

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型号：IKZA50N65EH7XKSA1 编号：C20191536

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 50 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业UPS。电动汽车充电

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￥81.08
10+
￥78.67

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型号：IMBG120R045M1HXTMA1 编号：C3279262

封装：TO-263-7-12

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换向的坚固体二极管。应用：驱动器。基础设施-充电器

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￥86.56
10+
￥82.55
30+
￥75.61

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型号：PVT322PBF 编号：C538625

封装：DIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是双极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。采用HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼）端子。有标准塑料运输管或卷带包装。

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1+
￥92.11
10+
￥89.66

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型号：IPT111N20NFDATMA1 编号：C3278546

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qₙ。针对硬换向坚固性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。175℃ 工作温度。无铅负载镀层；符合 RelUS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

1+
￥95.94
10+
￥91.7
30+
￥84.37

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型号：PVG612ASPBF 编号：C538598

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVG612A系列光伏继电器是一种单极常开固态继电器，可以在许多应用中替代机电继电器。它利用国际整流器公司的专有HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新颖结构的集成电路光伏发电机驱动。输出开关由一个GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该LED与光伏发电机光学隔离。这些装置在工作寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场不敏感以及坚固性方面超过了机电继电器的性能能力。紧凑型PVG612A特别适用于从12到48伏交流或直流电源的高电流隔离切换。PVG612A系列继电器采用6引脚模塑DIP封装，具有通孔或表面贴装（鸥翼形）端子。它提供标准塑料运输管或卷带包装。

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1+
￥96.95
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￥92.59
30+
￥85.05

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型号：IPW60R070CFD7XKSA1 编号：C3278940

封装：TO-247-3-21

品牌：Infineon(英飞凌)

是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。最新的 CFD7 是 CFD2 系列的继任者，是为软开关应用（如相移全桥 (ZVS) 和 LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断性能，CFD7 在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且不影响设计过程中的易实现性。CFD7 技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总的来说，CFD7 使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便、更凉爽。

1+
￥98.89
10+
￥91.45
30+
￥84.61

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型号：PVD1352NPBF 编号：C538590

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVD13系列直流继电器（PVD）是一种单极常开固态继电器，用于替代通用模拟信号切换的机电继电器。它利用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新型结构的集成光电池发电机驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该发光二极管与光电池发电机光学隔离。PVD13系列克服了传统电磁继电器和簧片继电器的局限性，提供了固态继电器的优势，如长寿命、快速操作速度、低启动功率、无触点跳动、低热偏移电压和小型封装。这些优势允许在许多应用中进行产品改进和设计创新，如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集。PVD13可以切换从热电偶级别到100伏峰值直流的模拟信号。轻松控制射频范围内的信号频率，且可达到高达450赫兹的切换速率。极小的热生成偏移电压允许提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，提供通孔或表面贴装（“鸥翼”）引线版本，以塑料运输管包装。

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单价：
￥102.9 / 个

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型号：IFCM15P60GD 编号：C535974

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

CIPOsTM模块系列可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。它旨在通过单相PFC控制三相交流电机和永磁电机，适用于变速驱动器，如空调和低功率电机驱动器。其封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离、EMI安全控制和过载保护的电源应用。TRENCHSTOPTM IGBT3和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，具有出色的电气性能。

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1+
￥108.94
10+
￥105.54

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型号：IKQB120N75CP2AKSA1 编号：C20191016

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用可回流焊接封装的短路耐受型750 V EDT2 IGBT，与软恢复快速恢复二极管共封装。

1+
￥110.91
10+
￥107.61

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型号：IKQB160N75CP2AKSA1 编号：C20191517

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 750 V。 IC = 160 A。低饱和电压 VCEsat = 1.4 V。低开关损耗。短路耐受时间 3 μs。 IGBT 与全电流、软快速恢复二极管共封装。应用：CAV 动力总成控制模块。通用驱动器 (GPD)

1+
￥121.34
10+
￥117.73

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型号：BSC014NE2LSIATMA1 编号：C3278733

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

5+
￥4.94845
5000+
￥4.0227

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型号：IKW40N65H5FKSA1 编号：C3191662

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。应用：太阳能转换器。不间断电源

1+
￥17.63
10+
￥17.21
30+
￥16.05

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型号：TLE4945LHALA1 编号：C3716324

封装：SSO-3

品牌：Infineon(英飞凌)

电路包括霍尔发生器、放大器和施密特触发器在一个芯片上。内部参考为组件提供电源电压。垂直于芯片表面的磁场在霍尔探头处感应出电压。该电压被放大并切换一个具有集电极开路输出的施密特触发器。集成了一个防止反向电源的保护二极管。输出受到保护，免受电气干扰。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。当电流减小时，IC的输出关闭（释放点）。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。除非超过关闭磁感应强度 $B_{\mathrm{RP}}$ 的反向磁场，否则输出状态不会改变。在这种情况下，输出将关闭（释放点）。

1+
￥19.1
10+
￥16.3
30+
￥14.56

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型号：PVT412S-TPBF 编号：C538635

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专用的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为全球电信应用而设计。PVT412L采用有源限流电路，在提供过压保护时，能够满足FCC第68部分和其他监管机构的电流浪涌要求。PVT412未采用限流电路，具有较低的导通电阻。系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（“鸥翼”）端子。它有标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册

1+
￥35.95
10+
￥30.87
30+
￥27.77

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型号：IKW15N120H3FKSA1 编号：C3191702

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200V。 IC = 15A。极低的VCE,sat。低电磁干扰。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温Tvjmax = 175℃。应用：不间断电源。焊接转换器

单价：
￥44.8 / 个

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型号：IKW25N120H3FKSA1 编号：C17367001

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速DuoPack封装：采用沟槽和场截止技术的IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管，属于1200V高速开关系列第三代产品

1+
￥47.81
10+
￥41.48
30+
￥37.62

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型号：IKW40N65F5FKSA1 编号：C7466793

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

1+
￥55.65
10+
￥47.47
30+
￥42.48

有货

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型号：PVT212PBF 编号：C538617

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为工业控制和电信外围应用而设计，采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚可选，可采用标准塑料运输管或卷带包装。

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1+
￥103.89
10+
￥103.88

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型号：IMZ120R030M1HXKSA1 编号：C3289091

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。用于硬换相的坚固体二极管。应用：能源生产。 -太阳能串式逆变器和太阳能优化器

5+
￥186.628005
10+
￥155.523338

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型号：IKCM30F60GDXKMA1 编号：C3615227

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的电源应用，同时具备EMI安全控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，可实现出色的电气性能。

1+
￥123.73
30+
￥117.22

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型号：IRFI4019H-117P 编号：C500535

封装：TO-220F-5(Forming)

品牌：Infineon(英飞凌)

专为D类音频放大器应用设计。由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。使用最新工艺以实现每单位硅面积的低导通电阻。优化了栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真 (THD) 和电磁干扰 (EMI)。这些特性使半桥成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

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10+
￥15.6
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