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1个N沟道耐压:600V 电流:6A

型号：IPD60R600P7ATMA1 编号：C3289116

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥10.97
10+
￥9.18
30+
￥8.19

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1个N沟道耐压:650V 电流:6A

型号：IPA65R660CFD 编号：C536412

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥11.58
10+
￥9.81
50+
￥8.71

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降压型 3A 4.3V~17V

型号：IR3823AMTRPBFAUMA1 编号：C3191585

封装：PQFN-19(3.5x3.5)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3823A是一款易于使用的、完全集成的直流-直流降压调节器。其板载PWM控制器和MOSFET以及集成的自举二极管使其成为小型解决方案,提供高效能和快速控制响应。该芯片具有内部低dropout电压调节器,支持单电源操作,具备过电压和欠电压保护及热关断功能。

1+
￥11.7
10+
￥9.93
30+
￥8.82

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1个N沟道耐压:600V 电流:12A

型号：IPD60R210CFD7ATMA1 编号：C3288408

封装：DPAK(TO-252)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有一流的反向恢复电荷，并改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实施。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总的来说，CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便和更凉爽。

1+
￥14.44
10+
￥14.12
30+
￥13.9

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650V 90A

型号：IKW75N65EH5 编号：C454259

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可插拔替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能转换器

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240+
￥8.97
960+
￥7.918
2400+
￥7.8645

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1.4kV 80A

型号：IHW30N140R5LXKSA1 编号：C20191005

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V-IC = 30A。强大的单片体二极管，正向电压低，仅适用于软换相。非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定特性。极低的VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。应用：电磁炉。微波炉

1+
￥15.1
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￥14.71
30+
￥14.45

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耐压:800V 电流:3A

型号：IPLK80R2K0P7ATMA1 编号：C3288829

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eus：降低了 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5V。集成齐纳二极管静电放电保护。完全优化的产品组合。应用：推荐用于低功率充电器和适配器的硬开关和软开关反激拓扑

1+
￥20
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￥17.09
30+
￥15.27

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降压型 25A 2V~17V

型号：TDA38827AUMA1 编号：C3191588

封装：IQFN-22

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA38827是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMoS FET使TDA38827成为一种占位面积小的解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用了快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速的控制响应

1+
￥20.25
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￥19.78
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￥19.46

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降压型 20A 2V~17V

型号：TDA38820AUMA1 编号：C3191590

封装：PQFN-29(4x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA38820是一款易于使用的完全集成的直流-直流降压调节器。内置PWM控制器和OptiMOSTM FETs,以及集成的自举二极管,使TDA38820成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它使用快速恒定导通时间（CoT）控制方案,简化了设计工作并实现了快速控制响应。该器件还具备重要的保护功能,如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断,确保系统在故障条件下的安全运行。

1+
￥20.81
10+
￥20.33
30+
￥20

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1个N沟道耐压:600V 电流:12A

型号：IPAW60R280P7SXKSA1 编号：C3289033

封装：TO-220-FP

品牌：Infineon(英飞凌)

7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥21.22
10+
￥18.12
45+
￥15.59

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1个N沟道耐压:800V 电流:6A

型号：IPD80R900P7 编号：C536892

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,in，降低了 Ωg、Ciss 和 Coss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。产品组合经过全面优化。应用：推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

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1+
￥21.61
10+
￥18.44
30+
￥16.56

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1个N沟道耐压:600V 电流:8.5A

型号：IPA60R170CFD7XKSA1 编号：C3289028

封装：TO-220-FP

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

1+
￥22.16
10+
￥19.07
30+
￥17.23

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1个N沟道耐压:600V 电流:9A

型号：IPD60R280CFD7ATMA1 编号：C3289148

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，并且在设计过程中易于实施

1+
￥23.18
10+
￥19.99
30+
￥18.1

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高集成度，DC/DC降压转换器

型号：TLD5045EJ 编号：C539648

封装：SOIC-8-EP-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高度集成的智能LED降压控制器，具有内置保护功能。该设备的主要功能是通过调节恒定的LED电流，从高于LED正向电压的电压源高效驱动单个或多个串联的LED。恒流调节特别有利于LED颜色准确性和长LED寿命。内置的续流二极管和带电流检测的开关晶体管需要更少的外部组件，节省了系统成本

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1+
￥25.14
10+
￥21.66
30+
￥19.59

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降压型 25A 3V~17V

型号：TDA387250000AUMA1 编号：C5955844

封装：QFN-36(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款易于使用、完全集成且高效的直流-直流调节器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS FET使该调节器成为小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速瞬态响应。是一款多功能调节器，可在宽输入和输出电压范围内工作，提供从400kHz到2MHz（步长为200kHz，不包括1600kHz）的可编程开关频率，并提供八种独特的可选电流限制

1+
￥25.49
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￥24.84
30+
￥24.41

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1200 V 半桥栅极驱动器，带有源米勒钳位和短路钳位

型号：2ED1323S12PXUMA1 编号：C20189642

封装：PG-DSO-20-U03

品牌：Infineon(英飞凌)

控制半桥配置中最大阻断电压为 +1200V 的 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，有力支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供了针对浮动栅极条件下寄生导通的固有保护。

1+
￥27.31
10+
￥26.61
30+
￥26.15

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1个N沟道耐压:60V 电流:50A

型号：IRLR3636TRPBF 编号：C3277891

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩SOA特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

1+
￥27.94
10+
￥24.1
30+
￥21.81

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耐压:650V 电流:8.7A

型号：IPW65R420CFD 编号：C537499

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高坚固性的结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥28.63
30+
￥28.62

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1个N沟道耐压:75V 电流:246A

型号：IRFS7730TRLPBF 编号：C538036

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。全面表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥35.82
10+
￥30.53
30+
￥27.39

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降压型 40A 3V~17V

型号：TDA386400000AUMA1 编号：C3187475

封装：PQFN-36(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA38640 是一款易于使用的、高度集成和高效的直流-直流调节器,具有 Intel SVID 和 I2C/PMBus 接口。该控制器利用英飞凌的快速 COT 引擎简化了设计工作,并实现了更快的瞬态响应。集成的 PWM 控制器和 OptiMOSTM FET 以及集成的自举二极管使 TDA38640 成为一种小尺寸解决方案,适用于低电压高电流应用,可能需要 SVID 接口。

1+
￥37.25
10+
￥36.3
30+
￥35.67

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TRENCHSTOP 5软开关绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

型号：IKZ75N65ES5 编号：C536231

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat），标称电流下为1.42V。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压为650V。低栅极电荷QG。 IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：工业不间断电源（UPS）。工业开关电源（SMPS）

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1+
￥37.53
10+
￥36.59
30+
￥35.97

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1个N沟道耐压:100V 电流:180A

型号：IRLS4030TRLPBF 编号：C538188

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行了优化。在4.5V的VGS下具有非常低的RDS(ON)。在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩SOA特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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单价：
￥38.61 / 个

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1个N沟道耐压:600V 电流:16A

型号：IPB60R120P7ATMA1 编号：C6279866

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点与出色的易用性，如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

1+
￥38.74
10+
￥37.78
30+
￥37.14

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVT412LS-TPBF 编号：C538633

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专用的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为全球电信应用而设计。PVT412L采用有源限流电路，在提供过压保护时，能够满足FCC第68部分和其他监管机构的电流浪涌要求。PVT412未采用限流电路，具有较低的导通电阻。系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（“鸥翼”）端子。它有标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册

1+
￥41.69
10+
￥40.76
30+
￥40.15

有货

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650V 80A

型号：IKZA75N65EH7XKSA1 编号：C20191538

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 75 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业UPS。电动汽车充电

1+
￥42.05
10+
￥40.98
30+
￥40.27

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1个N沟道耐压:650V 电流:14A

型号：IPL65R200CFD7AUMA1 编号：C3289352

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥49.67
10+
￥43.19
30+
￥37.56

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1个N沟道耐压:250V 电流:77A

型号：IPTG210N25NM3FDATMA1 编号：C3278563

封装：HSOG-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。具有低反向恢复电荷Qrr的快速二极管(FD)。工作温度达175℃。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61248-2-21标准，无卤素。针对硬换向耐用性进行了优化

1+
￥49.74
10+
￥42.33
30+
￥37.82

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650V 74A

型号：IKW40N65F5F 编号：C3171406

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

1+
￥50.16
10+
￥42.79
30+
￥38.29

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVT412APBF 编号：C538628

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。适用于工业控制和电信外围设备应用。采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚可选，可采用标准塑料运输管或卷带包装。

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单价：
￥51.09 / 个

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采用 .xT 互连技术的 1200V 沟槽式碳化硅 MOSFET

型号：IMBG120R060M1HXTMA1 编号：C3279261

封装：TO-263-7-12

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换流的强健体二极管。应用：驱动器。基础设施-充电器

1+
￥52.24
10+
￥44.42
30+
￥39.65

有货

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