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特性:低噪声:低至42 μVₚ₋ₚ(带宽10 Hz至100 kHz)。300 mA电流能力。低静态电流:30 μA。宽输入电压范围:最高20 V。内部电路工作电压低至2.3 V。输出电压精度:2.5%(全温度和负载范围内)。低压差电压:290 mV。极低关断电流:< 1 μA。无需保护二极管。固定输出电压:5.0 V。输出电容≥3.3 μF时稳定。与铝、钽或陶瓷输出电容兼容。反极性保护。无反向电流。过流和过温保护。PG-DSO-8外露焊盘和PG-TSON-10外露焊盘封装。适用于汽车电子作为后置稳压器。绿色产品(符合RoHS标准)。AEC认证
数据手册
  • 1+

    ¥6.63
  • 10+

    ¥6.46
  • 30+

    ¥6.35
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥10.43
    • 10+

      ¥10.17
    • 30+

      ¥10
  • 有货
  • IR3823A是一款易于使用的、完全集成的直流-直流降压调节器。其板载PWM控制器和MOSFET以及集成的自举二极管使其成为小型解决方案,提供高效能和快速控制响应。该芯片具有内部低dropout电压调节器,支持单电源操作,具备过电压和欠电压保护及热关断功能。
    • 1+

      ¥11.16
    • 10+

      ¥9.39
    • 30+

      ¥8.28
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.58
    • 10+

      ¥9.81
    • 50+

      ¥8.71
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP技术。 极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat)。 低电磁干扰(EMI)。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175℃。 通过JEDEC认证,适用于目标应用。应用:不间断电源。 焊接转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥13.23
    • 10+

      ¥12.91
    • 30+

      ¥12.05
  • 有货
  • CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷,具有一流的反向恢复电荷,并改善了关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,该新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合,同时在设计过程中易于实施。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。总的来说,CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便和更凉爽。
    • 1+

      ¥14.44
    • 10+

      ¥14.12
    • 30+

      ¥13.9
  • 有货
  • 高频、薄型DC - DC转换器;用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器;TDA21535集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC,它与控制和同步MOSFET以及一个有源二极管结构共同封装,该有源二极管结构可实现类似于肖特基二极管的低Vsd,且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时,该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比,可实现卓越的电流感测精度。保护功能包括IC温度报告和过温保护功能(带热关断的OTP)、逐周期过流保护(OCP)、控制MOSFET短路检测(HSS - 高端短路检测)、VDRV和自举欠压保护。TDA21535还具有自举电容“刷新”功能,以防止自举电容过度放电。高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应,允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化,同时保持行业领先的效率。TDA21535包含一个改进的高速MOSFET驱动器,该驱动器经过优化,可在高达1.5 MHz的频率下驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET。使用传统电流感测方法(如DCR感测和Rdson感测)的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感,需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面,Rdson电流感测不依赖于电感器,但MOSFET的rdson存在温度系数。此外,很难对高端MOSFET实施rdson电流感测,因此用模拟电流代替,而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21535中的先进电流镜感测,消除了所有这些局限性,同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像,该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分,因此具有固有的温度补偿,无需额外的电路。两个MOSFET上的真实电流感测确保了系统。
    • 1+

      ¥14.95
    • 10+

      ¥14.57
    • 30+

      ¥14.32
  • 有货
  • CoolMOS 7th generation platform 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点,具有易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。
    • 1+

      ¥15.16
    • 10+

      ¥14.84
    • 30+

      ¥14.62
  • 有货
  • 特性:针对逻辑电平驱动进行优化。 在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。 在4.5V VGS时具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 具备完整表征的电容和雪崩SOA。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用:DC电机驱动。 SMPS中的高效同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥16.77
    • 10+

      ¥16.42
    • 30+

      ¥15.43
  • 有货
  • TDA38827是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMoS FET使TDA38827成为一种占位面积小的解决方案,可实现高效的功率传输。此外,它采用了快速恒定导通时间(COT)控制方案,简化了设计工作并实现了快速的控制响应
    • 1+

      ¥19.06
    • 10+

      ¥18.58
    • 30+

      ¥18.27
  • 有货
  • 特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eus:降低了 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V,且 VGS(th) 变化最小,为 ±0.5V。集成齐纳二极管静电放电保护。完全优化的产品组合。应用:推荐用于低功率充电器和适配器的硬开关和软开关反激拓扑
    • 1+

      ¥20
    • 10+

      ¥17.09
    • 30+

      ¥15.27
  • 有货
  • TDA38820是一款易于使用的完全集成的直流-直流降压调节器。内置PWM控制器和OptiMOSTM FETs,以及集成的自举二极管,使TDA38820成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它使用快速恒定导通时间(CoT)控制方案,简化了设计工作并实现了快速控制响应。该器件还具备重要的保护功能,如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断,确保系统在故障条件下的安全运行。
    • 1+

      ¥20.81
    • 10+

      ¥20.33
    • 30+

      ¥20
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP™技术提供极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat)。 低电磁干扰(EMI)。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175℃。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:不间断电源。 焊接转换器
    数据手册
    • 单价:

      ¥21.12 / 个
  • 有货
  • 特性:强大的单片反向导通二极管,正向电压低。 TRENCHSTOP™技术提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性和稳定的温度特性。 极低的VCEsat和低Eoff。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥21.2
    • 10+

      ¥18.02
    • 30+

      ¥16.13
  • 有货
  • 特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,in,降低了 Ωg、Ciss 和 Coss。 同类最佳的 DPAK RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V,且 VGS(th) 变化最小,为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 完全符合 JEDEC 工业应用标准。 产品组合经过全面优化。应用:推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。 适用于消费应用和太阳能的 PFC 级
    数据手册
    • 1+

      ¥21.61
    • 10+

      ¥18.44
    • 30+

      ¥16.56
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷(Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷(Qrr)和改进的关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合,同时在设计过程中易于实现
    • 1+

      ¥22.16
    • 10+

      ¥19.07
    • 30+

      ¥17.23
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷Qg。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。 最高结温175°C。 无铅镀铅,符合RoHS标准。应用:能源发电-太阳能串式逆变器-太阳能微型逆变器。 工业电源-工业开关电源-工业不间断电源
    • 1+

      ¥22.57
    • 10+

      ¥21.99
    • 30+

      ¥21.61
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断特性,CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合,并且在设计过程中易于实施
    • 1+

      ¥23.18
    • 10+

      ¥19.99
    • 30+

      ¥18.1
  • 有货
  • 高速、低饱和电压650 V TRENCHSTOP IGBT7技术,与软、快速恢复发射极控制7二极管共封装。
    • 1+

      ¥23.33
    • 10+

      ¥22.75
    • 30+

      ¥22.36
  • 有货
  • 是一款易于使用、完全集成且高效的直流-直流调节器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS FET使该调节器成为小尺寸解决方案,可提供高效的电力传输。此外,它采用快速恒定导通时间(COT)控制方案,简化了设计工作并实现了快速瞬态响应。 是一款多功能调节器,可在宽输入和输出电压范围内工作,提供从400kHz到2MHz(步长为200kHz,不包括1600kHz)的可编程开关频率,并提供八种独特的可选电流限制
    • 1+

      ¥25.49
    • 10+

      ¥24.84
    • 30+

      ¥24.41
  • 有货
  • CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换相的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且更凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥28.21
    • 30+

      ¥26.88
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高坚固性的结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥28.63
    • 30+

      ¥28.62
  • 有货
  • PVT422系列光伏继电器是一款双刀常开固态继电器,在许多应用中可替代机电继电器。它采用国际整流器公司(International Rectifier)的HEXFET功率MOSFET作为输出开关,由结构新颖的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由砷化镓铝发光二极管(LED)发出的辐射控制,该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离
    数据手册
    • 单价:

      ¥32.13 / 个
  • 有货
  • 第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥33.11
    • 10+

      ¥28.39
    • 30+

      ¥25.52
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 全面表征了电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥35.82
    • 10+

      ¥30.53
    • 30+

      ¥27.39
  • 有货
  • 是一款易于使用的全集成式直流-直流降压调节器。板载PWM控制器和集成自举二极管的MOSFET使该调节器占用空间小,可提供高效的功率传输。此外,它采用快速恒定导通时间(COT)控制方案,简化了设计工作并提供快速的控制响应。具有内部低压差稳压器,允许单电源供电。是一款多功能调节器,提供600 kHz至2 MHz的可编程开关频率、两种可选电流限制、强制连续导通模式(FCCM)和二极管仿真模式(DEM)操作。还具备重要的保护功能,如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断,可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。
    • 1+

      ¥35.99
    • 10+

      ¥31.15
    • 30+

      ¥28.21
  • 有货
  • TDA38640 是一款易于使用的、高度集成和高效的直流-直流调节器,具有 Intel SVID 和 I2C/PMBus 接口。该控制器利用英飞凌的快速 COT 引擎简化了设计工作,并实现了更快的瞬态响应。集成的 PWM 控制器和 OptiMOSTM FET 以及集成的自举二极管使 TDA38640 成为一种小尺寸解决方案,适用于低电压高电流应用,可能需要 SVID 接口。
    • 1+

      ¥37.25
    • 10+

      ¥36.3
    • 30+

      ¥35.67
  • 有货
  • 特性:高速S5技术,适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。 极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat),标称电流下为1.42V。 可即插即用替换上一代IGBT。 击穿电压为650V。 低栅极电荷QG。 IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用:工业不间断电源(UPS)。 工业开关电源(SMPS)
    数据手册
    • 1+

      ¥37.53
    • 10+

      ¥36.59
    • 30+

      ¥35.97
  • 有货
  • 特性:针对逻辑电平驱动进行了优化。 在4.5V的VGS下具有非常低的RDS(ON)。 在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 具备完整的电容和雪崩SOA特性。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用:DC电机驱动。 开关电源中的高效同步整流
    数据手册
    • 单价:

      ¥38.61 / 个
  • 有货
  • CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点与出色的易用性,如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。
    • 1+

      ¥38.74
    • 10+

      ¥37.78
    • 30+

      ¥37.14
  • 有货
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