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降压型 20A 4.25V~16V

型号：TDA21520AUMA1 编号：C3655488

封装：IQFN-25

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型DC - DC转换器；用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器；TDA21520集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，它与控制和同步MOSFET共同封装，还有一个有源二极管结构，该结构能实现类似于肖特基二极管的低Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比，实现了卓越的电流感测精度。保护功能包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV和自举欠压保护。TDA21520还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21520包含一个改进的高速MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET，频率高达1.5 MHz。使用传统电流感测方法（如DCR感测和Rdson感测）的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson电流感测不依赖于电感器，但MOSFET的rdson存在温度系数。此外，很难对高端MOSFET实现rdson电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21520中先进的电流镜感测，消除了所有这些局限性，同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像，该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分，因此具有固有的温度补偿，无需额外的电路。对两个MOSFET进行实际电流感测可确保系统始终处于监控状态。

1+
￥42.04
10+
￥36.4
30+
￥32.96

有货

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650V 80A

型号：IKZA75N65EH7XKSA1 编号：C20191538

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 75 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业UPS。电动汽车充电

1+
￥42.76
10+
￥41.69
30+
￥40.98

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:14A

型号：IPL65R200CFD7AUMA1 编号：C3289352

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥49.67
10+
￥43.19
30+
￥37.56

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:77A

型号：IPTG210N25NM3FDATMA1 编号：C3278563

封装：HSOG-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。具有低反向恢复电荷Qrr的快速二极管(FD)。工作温度达175℃。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61248-2-21标准，无卤素。针对硬换向耐用性进行了优化

1+
￥49.74
10+
￥42.33
30+
￥37.82

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVA1354NSPBF 编号：C538575

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。利用HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该二极管与光伏发生器进行光隔离。克服了传统机电继电器和簧片继电器的局限性，具有长寿命、快速运行速度、低吸合功率、无弹跳运行、低热失调电压和微型封装等固态优势。可切换从热电偶电平到100V峰值交流或直流极性的模拟信号，能轻松控制进入射频范围的信号频率，可实现高达450Hz的开关速率，极小的热产生失调电压可提高测量精度。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（“鸥翼”）引脚，采用塑料运输管包装。

数据手册

1+
￥49.81
10+
￥48.54
30+
￥47.69

有货

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650V 74A

型号：IKW40N65F5F 编号：C3171406

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

1+
￥50.16
10+
￥42.79
30+
￥38.29

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVT412APBF 编号：C538628

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。适用于工业控制和电信外围设备应用。采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚可选，可采用标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册

单价：
￥51.09 / 个

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVT412AS-TPBF 编号：C538630

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专有的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制。这些固态继电器专为工业控制和电信外围应用而设计。该系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（鸥翼）端子。它可提供标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册

单价：
￥52.91 / 个

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVU414S-TPBF 编号：C538641

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVU414系列光伏继电器是一款单极常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用国际整流器公司（International Rectifier）专有的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现光隔离

数据手册

1+
￥54.61
10+
￥53.25
30+
￥52.35

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1200V TRENCHSTOP IGBT 7技术

型号：IKQ75N120CS7XKSA1 编号：C20191015

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V，IC = 75 A，IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 175℃时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑进行优化（如2-L逆变器、3-L NPC T型等）。短路耐受时间为8 μs。具备宽范围的dv/dt可控性。完整的产品系列和PSpice模型。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥66.65
10+
￥64.4

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:84A

型号：IPB117N20NFDATMA1 编号：C3279215

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qm。针对硬换向耐用性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

1+
￥77.04
10+
￥66.84
30+
￥60.62

有货

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1.2kV 232A

型号：IKY140N120CH7XKSA1 编号：C20191528

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 140 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

1+
￥81.32
10+
￥77.31
30+
￥70.36

有货

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1个N沟道耐压:300V 电流:44A

型号：IPP410N30N 编号：C537174

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。具有降低 Qfr 的快速二极管。针对硬换向耐用性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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单价：
￥89.19 / 个

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AC,DC 250V

型号：PVT322PBF 编号：C538625

封装：DIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是双极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。采用HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼）端子。有标准塑料运输管或卷带包装。

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1+
￥92.11
10+
￥89.66

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750V 150A

型号：IKQB120N75CP2AKSA1 编号：C20191016

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用可回流焊接封装的短路耐受型750 V EDT2 IGBT，与软恢复快速恢复二极管共封装。

1+
￥110.91
10+
￥107.61

有货

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IMBG40R011M2HXTMA1

型号：IMBG40R011M2HXTMA1 编号：C32954118

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。换向稳健的快速体二极管，具有低Qfr。低RDS(on)温度依赖性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。推荐栅极驱动电压0V至18V。 .XT互连技术，实现一流的热性能。应用：开关电源。太阳能光伏逆变器

1+
￥122.77
10+
￥119.12

有货

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集成功率控制系统双列直插式智能功率模块 3Φ-桥 600V / 20A

型号：IKCM20L60GDXKMA1 编号：C3615444

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会，以提高可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备EMI安全控制和过载保护。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

1+
￥130.01
10+
￥130

有货

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650V 10.5V~25V

型号：ICE2QR4765G 编号：C535759

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSET™ Q1系列（ICE2QRxx65G）是第一代准谐振集成电源IC。它针对离线开关模式电源应用进行了优化，如液晶显示器、可读写DVD（DVD R/W）、组合式DVD（DVD Combo）、蓝光DVD、机顶盒等。通过使MOSFET开关工作在准谐振模式，开关模式电源（SMPS）有望实现更低的电磁干扰（EMI）、更高的效率以及降低次级二极管上的电压应力

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1+
￥7.77
10+
￥6.51
30+
￥5.82

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：BSC0502NSI 编号：C534343

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行了优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥15.57
10+
￥15.24
30+
￥15.02

有货

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650V 74A

型号：IKP40N65F5XKSA1 编号：C42433227

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

1+
￥17.51
10+
￥17.1
30+
￥16.82

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N沟道耐压:75V 电流:122A

型号：IRFB3407ZPBF 编号：C192835

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：电池管理。高速功率开关

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1+
￥19.31
10+
￥14.59
50+
￥11.79

有货

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650V 35A

型号：IGP30N65F5 编号：C536078

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。在升压转换器中与碳化硅肖特基二极管完美匹配。最高结温175℃。符合JEDEC目标应用标准。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥19.34
10+
￥18.91
30+
￥18.62

有货

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单极和双极霍尔IC开关用于磁场应用

型号：TLE49452L 编号：C3716282

封装：SSO-3

品牌：Infineon(英飞凌)

电路包括霍尔发生器、放大器和施密特触发器在一个芯片上。内部参考为组件提供电源电压。垂直于芯片表面的磁场在霍尔探头处感应出电压。该电压被放大并切换一个具有集电极开路输出的施密特触发器。集成了一个防止反向电源的保护二极管。输出受到保护，免受电气干扰。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。当电流减小时，IC的输出关闭（释放点）。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。除非超过关闭磁感应强度 $B_{\mathrm{RP}}$ 的反向磁场，否则输出状态不会改变。在这种情况下，输出将关闭（释放点）。

1+
￥20.35
10+
￥17.28
30+
￥15.45

有货

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1个N沟道耐压:135V 电流:129A

型号：IRF135S203 编号：C116168

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

1+
￥20.83
10+
￥17.83
30+
￥16.05

有货

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1.4kV 80A

型号：IHW40N140R5LXKSA1 编号：C20191006

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V。IC = 40A。强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。参数分布非常紧密。高耐用性，温度稳定性好。极低的VCEsat。应用：电磁炉。微波炉

1+
￥21.71
10+
￥21.24
30+
￥20.92

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:100A

型号：BSC0501NSI 编号：C534342

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥22.71
10+
￥19.66
30+
￥17.86

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1200V TRENCHSTOP IGBT 7技术

型号：IKW15N120CS7XKSA1 编号：C3191655

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 15 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压，在 Tvj = 175℃ 时 VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。具有宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥23.06
10+
￥22.47
30+
￥22.08

有货

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1个N沟道耐压:250V 电流:128A

型号：IRF250P224 编号：C459947

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。无铅；符合RoHS标准；无卤。应用：UPS和逆变器应用。半桥和全桥拓扑

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800+
￥18.36
2000+
￥18.02
4800+
￥17.68

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1个N沟道耐压:650V 电流:17.5A

型号：IPA65R190CFDXKSA1 编号：C3288993

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快速且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

1+
￥23.73
10+
￥23.14
30+
￥22.75

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:60A

型号：IRF60B217 编号：C459972

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥23.93
10+
￥20.64
30+
￥18.69

有货

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