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650V CoolMOS CFDA功率晶体管

型号：IPW65R110CFDA 编号：C537493

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥12.407174
50+
￥11.452776
100+
￥11.261896
500+
￥10.880137
1000+
￥10.689258

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950V CoolMOS PFD7超结功率器件

型号：IPW95R060PFD7XKSA1 编号：C20191634

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的 950V CoolMOS PFD7 系列在超结 (SJ) 技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源应用的需求。与 CoolMOS P7 系列相比，PFD7 提供了一个集成的超快体二极管，可在谐振拓扑中使用，且具有市场上最低的反向恢复电荷 (Qrr)。

1+
￥80.53
10+
￥76.84
30+
￥70.45
90+
￥64.88

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650V 10.8A

型号：IKA08N65H5 编号：C536136

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥10.16
10+
￥9.94
50+
￥9.8
100+
￥9.65

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降压型 30A 2V~17V

型号：IR3889MTRPBF 编号：C537726

封装：IQFN-36-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3889是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™ FET使IR3889成为小尺寸解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制响应。IR3889具有内部低压差稳压器，允许单电源供电。它也可以使用外部偏置电源工作，其工作输入电压（PVin）范围扩展至2.0 V至17 V。IR3889是一款多功能稳压器，提供600 kHz至2 MHz的可编程开关频率、四种可选电流限制、四种可选软启动时间、强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）操作。它还具备重要的保护功能，如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断功能，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

数据手册

100+
￥88
500+
￥86.9
1000+
￥83.46

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降压型 2.5V~14V

型号：IR3883MTRPBF 编号：C537723

封装：VQFN-16-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3883是一款高效、完全集成的单片DC/DC同步降压调节器,具有宽输入电压范围（2.5V-14V）,连续3A负载能力,800kHz开关频率,内置PWM控制器和MOSFET,支持强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）。

数据手册

1+
￥7.7857
50+
￥7.1868
100+
￥7.06702
500+
￥6.82746
1000+
￥6.70768

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1.2kV 82A

型号：IKW40N120CH7XKSA1 编号：C19631203

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 25℃时，VCEsat = 1.7 V。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

1+
￥25.0182
20+
￥24.0012
100+
￥23.391
200+
￥22.7808
500+
￥22.374

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVA3354NPBF 编号：C538585

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVA33系列交流继电器（PVA）是一种单极常开固态继电器，可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离。PVA33系列克服了传统机电继电器和干簧继电器的局限性，具备固态继电器的诸多优势，如长寿命、快速操作速度、低吸合功率、无触点抖动、低热失调电压和小型封装等。这些优势使得该系列产品在许多应用领域（如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集）能够实现产品改进和设计创新。PVA33能够切换从热电偶电平到300V峰值交流或直流极性的模拟信号。可轻松控制高达射频范围的信号频率，且可实现高达500Hz的开关速率。极小的热生成失调电压可提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，有通孔或表面贴装（“鸥翼式”）引脚可供选择，采用塑料运输管包装。

数据手册

1+
￥70.53
10+
￥61.24
50+
￥53.17
100+
￥48.42

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1个N沟道耐压:650V 电流:101A

型号：IPW60R024P7XKSA1 编号：C3278951

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者，它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥92.27
10+
￥87.72
30+
￥79.83
100+
￥72.96

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单向ESD

型号：ESD5V3U4RRS 编号：C157364

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

ESD二极管阵列

数据手册

1+
￥1.1951
10+
￥1.1747
30+
￥1.1611
100+
￥1.1474

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1个N沟道耐压:40V 电流:95A

型号：IRF40B207 编号：C459967

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅。符合RoHS标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥11.04
10+
￥9.44
50+
￥8.43

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1A DC电机驱动器

型号：TLE4205G 编号：C5157949

封装：SOIC-20-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

TLE 4205G是一款适用于宽温度范围的集成式功率全桥直流电机驱动器，例如汽车应用中就有这样的需求。该电路包含两个功率比较器，可组合成一个全桥电路。对于感性负载，有集成的续流二极管连接到+ΔVS和地。输出端在高达18 V的电源电压下对地短路保护，并且在出现过热时会关闭。这款IC特别适用于汽车的前照灯光束调节。

1+
￥15.29
10+
￥12.9
30+
￥11.41
100+
￥9.88
500+
￥9.19
1000+
￥8.89

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1200V TRENCHSTOP IGBT 7技术

型号：IKW15N120CS7XKSA1 编号：C3191655

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 15 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压，在 Tvj = 175℃ 时 VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。具有宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥23.06
10+
￥22.47
30+
￥22.08
100+
￥21.69

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650V CoolMOS功率晶体管

型号：IPP65R110CFDA 编号：C537229

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

单价：
￥11.55 / 个

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2个N沟道耐压:25V 电流:40A

型号：BSC0910NDIATMA1 编号：C3278738

封装：TISON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道。为高性能降压转换器优化。逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。集成单片肖特基二极管

1+
￥7.345
50+
￥6.78
100+
￥6.667
500+
￥6.441
1000+
￥6.328

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耐压:600V

型号：IPDQ60R035CFD7XTMA1 编号：C3288753

封装：HDSOP-22

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是针对软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实施。

1+
￥50.86
10+
￥49.56
30+
￥48.69
100+
￥47.83

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVA1354NSPBF 编号：C538575

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。利用HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该二极管与光伏发生器进行光隔离。克服了传统机电继电器和簧片继电器的局限性，具有长寿命、快速运行速度、低吸合功率、无弹跳运行、低热失调电压和微型封装等固态优势。可切换从热电偶电平到100V峰值交流或直流极性的模拟信号，能轻松控制进入射频范围的信号频率，可实现高达450Hz的开关速率，极小的热产生失调电压可提高测量精度。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（“鸥翼”）引脚，采用塑料运输管包装。

数据手册

1+
￥51.38
10+
￥50.12
30+
￥49.27
100+
￥48.43

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650V,电流:20A,耐压:650V

型号：IPBE65R075CFD7AATMA1 编号：C3279276

封装：TO-263-7-3-10

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS移相全桥、LLC等谐振开关拓扑。

单价：
￥10.5 / 个

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N沟道 600V 135A

型号：IPP60R016CM8XKSA1 编号：C26312899

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗，使开关应用更加高效。

1+
￥73.16
10+
￥70.98

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双向ESD 18V截止峰值浪涌电流：3.5A@8/20us

型号：ESD144B1W0201E6327XTSA1 编号：C1975764

封装：0201

品牌：Infineon(英飞凌)

提供用于无线、计算和消费应用的静电放电 (ESD) 保护二极管。CSP 封装的 TVS 二极管可承受数千次超过 IEC61000-4-2 标准最严格等级的 ESD 冲击。低钳位电压和低至 0.09Ω 的超低动态电阻确保了卓越的系统保护。超低电容二极管是高速和 RF 接口应用中实现最佳信号完整性的首选解决方案。WLL-2 二极管封装厚度仅 0.15mm，适用于大多数贴片组装方式，且符合 RoHS 和无卤要求。CSP 封装的 TVS 二极管漏电流低至小于 1nA，有利于延长电池供电电子产品的电池续航时间。

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25+
￥0.282003
50+
￥0.272757
100+
￥0.268134
200+
￥0.254265

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1个N沟道耐压:75V 电流:260A

型号：IRFS3107TRL7PP 编号：C538004

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥11.752
50+
￥10.848
100+
￥10.6672
500+
￥10.3056
1000+
￥10.1248

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1个N沟道耐压:600V 电流:20A

型号：IPP60R160P7XKSA1 编号：C3278823

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7th generation platform 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。

1+
￥15.16
10+
￥14.84
30+
￥14.62
100+
￥13.73

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1个N沟道耐压:600V 电流:10A

型号：IPL60R365P7AUMA1 编号：C3279342

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和优异的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

1+
￥18.7
10+
￥15.98
30+
￥14.28
100+
￥12.54
500+
￥11.75
1000+
￥11.41

订货

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650V 35A

型号：IKW30N65H5 编号：C536214

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥31.77
10+
￥27.4
30+
￥24.8
90+
￥22.18
510+
￥20.97
990+
￥20.42

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1个N沟道耐压:650V 电流:11A

型号：IPA60R180P7 编号：C536359

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

15+
￥20.803302
100+
￥17.947945
1000+
￥16.520269

我要订货

1个N沟道耐压:600V 电流:11A

型号：IPA60R125CFD7XKSA1 编号：C3288916

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是一个优化的平台，专为软开关应用而设计，如移相全桥（ZVS）和LLC。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实施

1+
￥34.51
10+
￥33.74
30+
￥33.22
100+
￥32.7

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVT212S-TPBF 编号：C538618

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。专为工业控制和电信外围应用而设计。采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚。有标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册

1+
￥59.74
10+
￥57.72

订货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVA3354NSPBF 编号：C538586

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVA33系列交流继电器（PVA）是一种单极常开固态继电器，可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离。PVA33系列克服了传统机电继电器和干簧继电器的局限性，具备固态继电器的诸多优势，如长寿命、快速操作速度、低吸合功率、无触点抖动、低热失调电压和小型封装等。这些优势使得该系列产品在许多应用领域（如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集）能够实现产品改进和设计创新。PVA33能够切换从热电偶电平到300V峰值交流或直流极性的模拟信号。可轻松控制高达射频范围的信号频率，且可实现高达500Hz的开关速率。极小的热生成失调电压可提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，有通孔或表面贴装（“鸥翼式”）引脚可供选择，采用塑料运输管包装。

数据手册

1+
￥86.05
10+
￥82.21
30+
￥75.56
100+
￥69.75

订货

我要订货

1个N沟道耐压:60V 电流:110A

型号：IRFB7540PBF 编号：C537872

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

10+
￥3.7125
100+
￥3.575
200+
￥3.3
1000+
￥3.1625
2000+
￥3.08

我要订货

1个N沟道耐压:600V 电流:9A

型号：IPD60R360P7ATMA1 编号：C3279046

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如低振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更低温。

50+
￥9.653418
200+
￥7.920754
500+
￥6.468615
1000+
￥5.544528

我要订货

2个N沟道耐压:25V 电流:35A

型号：IRFH4253DTRPBF 编号：C537886

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：控制和同步MOSFET集成在一个封装中。低电荷控制MOSFET（典型值10nC）。低RDSON同步MOSFET（<1.45mΩ）。 Q2上具有低正向电压的本征肖特基二极管。符合RoHS标准，无卤素。 MSL1，工业级认证。应用：同步降压转换器的控制和同步MOSFET

数据手册

305+
￥1.77422
610+
￥1.74363
915+
￥1.71304

我要订货

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最快4小时发货
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