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价格(含税)

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操作

1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVT212PBF 编号：C538617

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为工业控制和电信外围应用而设计，采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚可选，可采用标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册

1+
￥103.89
10+
￥103.88

有货

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控制集成电源系统，双列直插式智能功率模块，3Φ桥600V/15A

型号：IKCM15L60GAXKMA1 编号：C3615397

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。其封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离，以及EMI安全控制和过载保护的电源应用。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，具有出色的电气性能。

单价：
￥109.54 / 个

有货

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控制集成电源系统双列直插式智能功率模块 3Φ桥600V/30A

型号：IKCM30F60GDXKMA1 编号：C3615227

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列可集成各种功率和控制组件，以提高可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的电源应用，同时具备EMI安全控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，可实现出色的电气性能。

1+
￥123.73
30+
￥117.22

有货

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降压型 30A 2V~17V

型号：IR3889MTRPBF 编号：C537726

封装：IQFN-36-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3889是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™ FET使IR3889成为小尺寸解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制响应。IR3889具有内部低压差稳压器，允许单电源供电。它也可以使用外部偏置电源工作，其工作输入电压（PVin）范围扩展至2.0 V至17 V。IR3889是一款多功能稳压器，提供600 kHz至2 MHz的可编程开关频率、四种可选电流限制、四种可选软启动时间、强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）操作。它还具备重要的保护功能，如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断功能，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

数据手册

单价：
￥11.2644 / 个

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600V 80A

型号：IKW50N60DTP 编号：C501514

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供极低的VCEsat。低关断损耗。短尾电流。低电磁干扰。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。应用：驱动器。太阳能逆变器

数据手册

480+
￥12.65
480+
￥12.42
1920+
￥12.19
4800+
￥11.96

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IMZ120R030M1HXKSA1

型号：IMZ120R030M1HXKSA1 编号：C3289091

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。用于硬换相的坚固体二极管。应用：能源生产。 -太阳能串式逆变器和太阳能优化器

单价：
￥79.38 / 个

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1个N沟道耐压:600V 电流:18A

型号：IPB60R180P7 编号：C536619

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。该产品结合了快速开关SJ MOSFET的优点与出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

数据手册

1+
￥9.75
50+
￥9
100+
￥8.625
500+
￥8.4
1000+
￥8.25

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耐压:75V 电流:130A

型号：IRFB3307PBF 编号：C520671

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥9.17
10+
￥7.67
50+
￥6.84
100+
￥5.91
500+
￥5.49

有货

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1个N沟道耐压:75V 电流:260A

型号：IRFS3107TRL7PP 编号：C538004

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

5+
￥55.518938
10+
￥52.434553
100+
￥45.237653
1000+
￥41.639203

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IMBG120R220M1HXTMA1

型号：IMBG120R220M1HXTMA1 编号：C5342192

封装：TO-263-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换流的稳健体二极管。应用：驱动器。基础设施-充电器

单价：
￥23.628914 / 个

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1个N沟道耐压:650V

型号：IPD60R280P7S 编号：C536813

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

10+
￥3.051
100+
￥2.938
200+
￥2.712
1000+
￥2.599
2000+
￥2.486

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降压型 2.5V~14V

型号：IR3883MTRPBF 编号：C537723

封装：VQFN-16-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3883是一款高效、完全集成的单片DC/DC同步降压调节器,具有宽输入电压范围（2.5V-14V）,连续3A负载能力,800kHz开关频率,内置PWM控制器和MOSFET,支持强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）。

数据手册

1+
￥8.56427
50+
￥7.90548
100+
￥7.576085
500+
￥7.378448
1000+
￥7.24669

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耐压:700V 电流:22.4A

型号：IPP65R150CFD 编号：C537231

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos Tm是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。650V CoolMOsTM CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管

数据手册

500+
￥7.601
1000+
￥7.3937

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1.2kV 216A

型号：IKQ120N120CS7XKSA1 编号：C20191010

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 120 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压：在 Tvj = 175℃ 时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。完整的产品系列和 PSpice 模型。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥88.88
10+
￥84.5
30+
￥76.91
90+
￥70.28

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1.2kV 188A

型号：IKQ100N120CS7XKSA1 编号：C20191008

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A，IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 175℃时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑进行优化（2-L逆变器、3-L NPC T型等）。短路耐受时间8 μs。宽范围的dv/dt可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥92.93
10+
￥88.38
30+
￥80.49
90+
￥73.62

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单向ESD

型号：ESD5V3U4RRS 编号：C157364

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

ESD二极管阵列

数据手册

1+
￥1.1951
10+
￥1.1747
30+
￥1.1611
100+
￥1.1474

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1个N沟道耐压:60V 电流:110A

型号：IRFB7540PBF 编号：C537872

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

2000+
￥3.01484
4000+
￥2.96286
6000+
￥2.8589

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1个N沟道耐压:600V 电流:6A

型号：IPD60R600P7ATMA1 编号：C3289116

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥10.97
10+
￥9.18
30+
￥8.19
100+
￥7.07
500+
￥6.57
1000+
￥6.35

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1个N沟道耐压:40V 电流:95A

型号：IRF40B207 编号：C459967

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅。符合RoHS标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥11.04
10+
￥9.44
50+
￥8.43

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1.4kV 40A

型号：IHW20N140R5LXKSA1 编号：C20191002

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V，IC = 20A。强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。参数分布非常紧密。高耐用性，温度稳定性好。极低的VCEsat。由于VCEsat具有正温度系数，易于并联。应用：电磁炉。微波炉

1+
￥11.56
10+
￥11.27
30+
￥11.08
90+
￥10.89

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650V CoolMOS CFD2功率晶体管

型号：IPB65R150CFD 编号：C536639

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos Tm是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。650V CoolMOsTM CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管

数据手册

单价：
￥26.66574 / 个

我要订货

1个N沟道耐压:600V 电流:10A

型号：IPL60R365P7AUMA1 编号：C3279342

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和优异的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

1+
￥18.7
10+
￥15.98
30+
￥14.28
100+
￥12.54
500+
￥11.75
1000+
￥11.41

订货

我要订货

高压栅极驱动IC，600V半桥栅极驱动IC

型号：2EDL23N06PJXUMA1 编号：C152380

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：薄膜SOI技术。最大阻断电压 +600V。两个输出端均有独立控制电路。对欠压电源进行滤波检测。所有输入均由二极管钳位。主动关断功能。高端和低端具有不对称欠压锁定阈值。针对目标应用通过JEDEC1认证（1000h高温应力测试）

数据手册

1+
￥18.91
10+
￥16.14
30+
￥14.4
100+
￥12.62
500+
￥11.82
1000+
￥11.47

有货

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耐压:60V 电流:270A

型号：IRFB3006PBF 编号：C513184

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1000+
￥5.4
3000+
￥5.3

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1.2kV 82A

型号：IKW40N120CS7XKSA1 编号：C3191658

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 IGBT与全电流、软恢复和低Qrr二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 175°C时，VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑进行了优化（2-L逆变器、3-L NPC T型等）。短路耐受时间为8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

10+
￥24
100+
￥19.8
1000+
￥18.36

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650V,电流:23A,耐压:700V

型号：IPP65R060CFD7XKSA1 编号：C3288984

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术符合最高效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥28.42
10+
￥27.7
30+
￥27.21
100+
￥26.73

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600V CoolMOSTM P7功率晶体管

型号：IPW60R045P7 编号：C537451

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

数据手册

1+
￥31.08
10+
￥30.28
30+
￥29.76
100+
￥29.23

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1个N沟道耐压:600V 电流:20A

型号：IPP60R070CFD7 编号：C537188

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改善了关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

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单价：
￥16.74 / 个

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1个N沟道耐压:650V 电流:32A

型号：IPP65R041CFD7XKSA1 编号：C7210887

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中具有最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性融为一体。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥36.21
10+
￥35.31
50+
￥34.72
100+
￥34.13

订货

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1个N沟道耐压:40V 电流:120A

型号：IRFSL7440PBF 编号：C481264

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，不含铅、溴和卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥6.81
10+
￥5.69
50+
￥5.08
100+
￥4.39
500+
￥4.08
1000+
￥3.94

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