Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFB3006PBF 编号：C513184

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥10.101
50+
￥9.324
100+
￥9.1686
500+
￥8.8578
1000+
￥8.7024

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型号：IKW08N120CS7XKSA1 编号：C3191651

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 8 A-IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V（Tvj = 175℃ 时）。针对硬开关拓扑进行优化（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）。短路耐受时间 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥24.35
10+
￥23.77
30+
￥22.17
100+
￥21.79

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型号：IKW25N120CS7XKSA1 编号：C17443267

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 25 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V（Tvj = 175℃ 时）。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥27.53
10+
￥26.83
30+
￥26.36
90+
￥25.89

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型号：IKWH100N65EH7XKSA1 编号：C20191521

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 100 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

单价：
￥28.34 / 个

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型号：IR3887MTRPBF 编号：C537724

封装：IQFN-29-EP(4x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3887是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™ FET使IR3887成为一种占位面积小的解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制响应。IR3887具有内部低压差稳压器，允许单电源供电运行。它也可以使用外部偏置电源运行，将工作输入电压（PVin）范围从2.0 V扩展到17 V。IR3887是一款多功能稳压器，提供600 kHz至2 MHz的可编程开关频率、四种可选电流限制、四种可选软启动时间、强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）运行。它还具备重要的保护功能，如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断功能，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

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单价：
￥49.44 / 个

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型号：IPW65R050CFD7A 编号：C42257636

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

480+
￥18.7
480+
￥18.36
960+
￥17.85

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型号：IKQ50N120CH3XKSA1 编号：C3191732

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供:硬开关和谐振拓扑中的高效率。在Tv = 175℃时具有10μs的短路耐受时间。由于VcEsat中的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。充电器

240+
￥23.87
960+
￥23.219

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型号：IPP80R750P7XKSA1 编号：C3288938

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,in，降低了 Ωg * Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。产品组合经过全面优化。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激式拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

1+
￥7.68
10+
￥7.51
30+
￥7.4
100+
￥7.28

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型号：IPB95R450PFD7ATMA1 编号：C18213032

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS™ PFD7系列在超结（SJ）技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，可用于谐振拓扑，具有市场上最低的反向恢复电荷（Qrr）。

1+
￥16.3116
1000+
￥14.283

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型号：IPL65R160CFD7AUMA1 编号：C3289362

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进的开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥137.853247
10+
￥135.593358
50+
￥129.943635
100+
￥126.553801
200+
￥124.293912

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型号：TDA21535AUMA1 编号：C7360784

封装：IQFN-25

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型DC - DC转换器；用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器；TDA21535集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，它与控制和同步MOSFET以及一个有源二极管结构共同封装，该有源二极管结构可实现类似于肖特基二极管的低Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比，可实现卓越的电流感测精度。保护功能包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV和自举欠压保护。TDA21535还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21535包含一个改进的高速MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可在高达1.5 MHz的频率下驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET。使用传统电流感测方法（如DCR感测和Rdson感测）的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson电流感测不依赖于电感器，但MOSFET的rdson存在温度系数。此外，很难对高端MOSFET实施rdson电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21535中的先进电流镜感测，消除了所有这些局限性，同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像，该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分，因此具有固有的温度补偿，无需额外的电路。两个MOSFET上的真实电流感测确保了系统。

1+
￥14.95
10+
￥14.57
30+
￥14.32
100+
￥14.06

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型号：IKP20N65H5 编号：C536195

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥15.16
10+
￥14.84
30+
￥14.62
100+
￥13.72

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型号：IHW50N65R5XKSA1 编号：C3191668

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -极低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

1+
￥16.67
10+
￥16.27
30+
￥15.19
90+
￥14.93

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型号：IPB65R110CFD7ATMA1 编号：C3279177

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性结合在一起。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥17.36
30+
￥16.46

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型号：IPB65R150CFD 编号：C536639

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos Tm是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。650V CoolMOsTM CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管

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单价：
￥26.912645 / 个

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型号：IRFS3207TRLPBF 编号：C538007

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥11.752
50+
￥10.848
100+
￥10.6672
500+
￥10.3056
1000+
￥10.1248

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型号：IPT60R090CFD7XTMA1 编号：C3278555

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有一流的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时不影响设计过程中的易实现性。

1+
￥19.09
10+
￥18.61
30+
￥18.28
100+
￥17.96

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型号：IPB65R230CFD7AATMA1 编号：C3279171

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥21.18
10+
￥20.64
30+
￥20.28
100+
￥19.92

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型号：IPB60R360CFD7ATMA1 编号：C3289283

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是针对软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有同类最佳的反向恢复电荷和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时不牺牲设计过程中的易实现性。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总之，CoolMOS CFD7使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便和更凉爽。

1+
￥23.42
10+
￥22.9
30+
￥22.55
100+
￥22.2

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型号：IPP65R060CFD7XKSA1 编号：C3288984

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术符合最高效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥28.42
10+
￥27.7
30+
￥27.21
100+
￥26.73

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型号：IPZA60R080P7 编号：C537524

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥375.551393
10+
￥312.959495

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型号：IPW60R045P7 编号：C537451

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

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1+
￥31.08
10+
￥30.28
30+
￥29.76
100+
￥29.23

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型号：IPP65R150CFD 编号：C537231

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMos Tm是一项用于高压功率MOSFET的革命性技术，它基于超结（SJ）原理设计。650V CoolMOsTM CFD2系列融合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与卓越创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管

数据手册

1+
￥32.39
10+
￥27.94
50+
￥25.29
100+
￥22.62
500+
￥21.38
1000+
￥20.82

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型号：PVI1050NSPBF 编号：C538603

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏隔离器接收直流输入信号时会产生电隔离的直流电压，能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。采用新型单片集成电路光伏发生器作为输出。输出由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该二极管与光伏发生器进行光隔离。适用于需要大电流和/或高压开关的应用，在低电平驱动电路与高能量或高压负载电路之间实现光隔离。可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。双通道器件允许其输出驱动独立的分立功率MOSFET，或并联或串联连接，为功率MOSFET提供更高的电流驱动，或为IGBT提供更高的电压驱动。采用快速关断电路。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚，采用塑料运输管包装。

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1+
￥36.12
10+
￥30.95
30+
￥27.87
100+
￥24.76
500+
￥23.33
1000+
￥22.68

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型号：IRS25411STRPBF 编号：C538342

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS254(01/11)系列是由高压、高频降压调节器控制IC组成的，适用于AC-DC离线、非隔离应用，这些应用需要多个发光二极管（LED）电路或需要DC-DC混色功能。应用包括室内和室外标识以及建筑、娱乐、设计和装饰照明。该系列的工作电压为200V或600V，采用连续模式、延时迟滞降压调节器，利用精确的片上带隙电压参考，在5%的容差范围内控制平均负载电流。外部高压自举电路可在高达500kHz的高频下驱动降压开关元件。还提供低端驱动器用于同步整流设计。

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10+
￥32.309941
100+
￥27.875243
1000+
￥25.657894

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型号：IPAW60R180P7S 编号：C536456

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时具有出色的稳健性以及出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

数据手册

1+
￥37.01
10+
￥31.94
30+
￥28.84
100+
￥26.25

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型号：PVI5080NPBF 编号：C538609

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

生成电隔离的直流电压，能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。采用新型结构的单片集成电路光伏发生器作为输出。输出由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该二极管与光伏发生器进行了光隔离。适用于需要大电流和/或高电压开关的应用，在低电平驱动电路和高能量或高电压负载电路之间提供光隔离。可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。双通道器件允许其输出驱动独立的分立功率MOSFET，或并联或串联连接，为功率MOSFET提供更高的电流驱动，或为IGBT提供更高的电压驱动。采用快速关断电路。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚，包装在塑料运输管中。

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