Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-252-3

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如低振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更低温。

50+
￥9.060414
200+
￥7.434185
500+
￥6.071252
1000+
￥5.20393

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型号：IPB95R450PFD7ATMA1 编号：C18213032

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS™ PFD7系列在超结（SJ）技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，可用于谐振拓扑，具有市场上最低的反向恢复电荷（Qrr）。

1+
￥12.29
10+
￥11.97
30+
￥11.76
100+
￥11.55

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型号：IHW25N140R5LXKSA1 编号：C20191003

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V，IC = 25A。强大的单片体二极管，正向电压低，仅适用于软换相。非常紧密的参数分布。高坚固性，温度稳定性能。极低的VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。应用：电磁炉。微波炉

1+
￥12.51
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￥12.2
30+
￥11.99
90+
￥11.79

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型号：IPL65R160CFD7AUMA1 编号：C3289362

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进的开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥14.88
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￥14.51
30+
￥14.27
100+
￥14.02

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型号：IHW50N65R5XKSA1 编号：C3191668

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -极低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

1+
￥16.67
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￥16.27
30+
￥15.19
90+
￥14.93

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型号：IPT60R090CFD7XTMA1 编号：C3278555

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有一流的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时不影响设计过程中的易实现性。

1+
￥19.09
10+
￥18.61
30+
￥18.28
100+
￥17.96

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型号：IPB65R230CFD7AATMA1 编号：C3279171

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥21.18
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￥20.64
30+
￥20.28
100+
￥19.92

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型号：IPZA60R080P7 编号：C537524

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

5+
￥116.389793
50+
￥102.240445
500+
￥94.138803

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型号：IPA60R125CFD7XKSA1 编号：C3288916

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是一个优化的平台，专为软开关应用而设计，如移相全桥（ZVS）和LLC。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实施

1+
￥34.51
10+
￥33.74
30+
￥33.22
100+
￥32.7

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型号：PVI5080NPBF 编号：C538609

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

生成电隔离的直流电压，能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。采用新型结构的单片集成电路光伏发生器作为输出。输出由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该二极管与光伏发生器进行了光隔离。适用于需要大电流和/或高电压开关的应用，在低电平驱动电路和高能量或高电压负载电路之间提供光隔离。可用于直接驱动功率MOSFET的栅极。双通道器件允许其输出驱动独立的分立功率MOSFET，或并联或串联连接，为功率MOSFET提供更高的电流驱动，或为IGBT提供更高的电压驱动。采用快速关断电路。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚，包装在塑料运输管中。

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单价：
￥28.569 / 个

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型号：IKW50N120CH7XKSA1 编号：C20191519

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 50 A。最大结温 Tvjmax = 175°C。同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25°C 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

1+
￥39.58
10+
￥38.59
30+
￥37.94
90+
￥37.28

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型号：IPB65R110CFDA 编号：C536636

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥44.69
10+
￥43.68
30+
￥43.01
100+
￥42.33

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型号：IMT40R025M2HXTMA1 编号：C32444517

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。换向稳健的快速体二极管，低Qfr。低RDS(on)温度依赖性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V。推荐栅极驱动电压0 V至18 V。.XT互连技术，实现一流的热性能。应用：开关电源。太阳能光伏逆变器

1+
￥49.09
10+
￥47.84
30+
￥47
100+
￥46.17

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型号：IMBG120R060M1HXTMA1 编号：C3279261

封装：TO-263-7-12

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换流的强健体二极管。应用：驱动器。基础设施-充电器

1+
￥52.24
10+
￥44.42
30+
￥39.65
100+
￥35.65

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型号：TDA38840AUMA1 编号：C3167432

封装：IQFN-36

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA38840是一款易于使用的完全集成的直流-直流降压调节器。其板载PWM控制器和OptiMOSTM FET以及集成的自举二极管使TDA38840成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间（CoT）控制方案,简化设计并实现快速控制响应。

1+
￥52.45
10+
￥45.15
30+
￥40.7
100+
￥36.97

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型号：IKW50N120CS7XKSA1 编号：C3191676

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。IC = 50 A。IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压：在 Tvj = 175°C 时，VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

240+
￥15.235
960+
￥14.8195

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型号：PVA3354NPBF 编号：C538585

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVA33系列交流继电器（PVA）是一种单极常开固态继电器，可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离。PVA33系列克服了传统机电继电器和干簧继电器的局限性，具备固态继电器的诸多优势，如长寿命、快速操作速度、低吸合功率、无触点抖动、低热失调电压和小型封装等。这些优势使得该系列产品在许多应用领域（如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集）能够实现产品改进和设计创新。PVA33能够切换从热电偶电平到300V峰值交流或直流极性的模拟信号。可轻松控制高达射频范围的信号频率，且可实现高达500Hz的开关速率。极小的热生成失调电压可提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，有通孔或表面贴装（“鸥翼式”）引脚可供选择，采用塑料运输管包装。

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1+
￥70.53
10+
￥61.24
50+
￥53.17
100+
￥48.42

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型号：IKQB200N75CP2AKSA1 编号：C20191518

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 750 V。 IC = 200 A。低饱和电压 VCEsat = 1.4 V。低开关损耗。短路耐受时间 3 μs。 IGBT 与全电流、软恢复和快速恢复二极管共封装。应用：CAV 动力总成控制模块。通用驱动器 (GPD)

1+
￥136.47
10+
￥132.41

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型号：IMYH200R050M1HXKSA1 编号：C20191546

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VDSS = 2000 V at Tvj = 25 °C。 ΔDCC = 48 A at Tc = 25 °C。 RDS(on) = 50 mΩ at VGS = 18 V, Tvj = 25 °C。极低的开关损耗。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V。用于硬换向的坚固体二极管。应用：串式逆变器。太阳能功率优化器

1+
￥162.53
30+
￥153.82

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型号：IKP39N65ES5XKSA1 编号：C42433311

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术。用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的VCEsat。 650V击穿电压。低QG。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：驱动器。工业电源

1+
￥14.3
10+
￥13.93
30+
￥13.69
100+
￥13.45

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型号：IHW30N120R5XKSA1 编号：C2997919

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。TRENCHSTOP™技术，具有以下特点:非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰（EMI）。应用：感应烹饪。微波炉

数据手册

1+
￥17.1
10+
￥16.7
30+
￥16.43
90+
￥16.17

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型号：IKZA40N120CS7XKSA1 编号：C20191533

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 2.0 V（TVj = 175℃ 时）。针对硬开关拓扑进行优化（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）。短路耐受时间为 8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥42.65
10+
￥41.6
30+
￥40.89
90+
￥40.19

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型号：IRFB3206GPBF 编号：C537855

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥43.47
10+
￥37.72
30+
￥34.21
100+
￥31.27

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型号：IPL60R095CFD7AUMA1 编号：C3279338

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

1+
￥48.25
10+
￥41.86
30+
￥37.96
100+
￥34.7

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型号：IKZA100N65EH7XKSA1 编号：C20191531

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 100 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥51.85
10+
￥50.52
30+
￥49.64
100+
￥48.76

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型号：IKQ120N65EH7XKSA1 编号：C20191011

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 120 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥53.97
10+
￥52.59
30+
￥51.67
100+
￥50.76

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型号：IPW65R050CFD7A 编号：C42257636

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

480+
￥18.7
480+
￥18.36
1920+
￥18.02
4800+
￥17.68

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型号：PVG612SPBF 编号：C538601

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVG612系列光电继电器是一种单极常开固态继电器，可以在许多应用中替代机电继电器。它采用国际整流器公司的专有HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新型结构的集成电路光伏发电机驱动。输出开关由一个GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该LED与光伏发电机光学隔离。这些装置在工作寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场不敏感和坚固性方面超过了机电继电器的性能能力。紧凑型PVG612特别适合于从12到48伏交流或直流电源的高电流隔离切换。PVG612系列继电器采用6引脚模塑DIP封装，具有通孔或表面贴装（鸥翼形）端子。它以标准塑料运输管或卷带包装形式提供。

数据手册

1+
￥76.34
10+
￥66.12
30+
￥59.9
100+
￥54.68

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型号：IMYH200R100M1HXKSA1 编号：C20191548

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：- VDSS = 2000 V 在 TVj = 25℃时。IDCC = 26 A 在 Tc = 25℃时。RDS(on) = 100 mΩ 在 VGS = 18 V，TVj = 25℃时。极低的开关损耗。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V。用于硬换相的坚固体二极管。应用：串式逆变器。太阳能功率优化器

1+
￥86.97
10+
￥83.93

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型号：IKQ50N120CH7XKSA1 编号：C20191013

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 50 A。最高结温 Tvjmax = 175°C。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25°C时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

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￥104.63
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