Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPW65R115CFD7AXKSA1 编号：C3289083

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

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￥24.73
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￥24.11
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￥23.7

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型号：IPP65R099CFD7AAKSA1 编号：C3278792

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS移相全桥、LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥24.84
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型号：TDA21520AUMA1 编号：C3655488

封装：IQFN-25

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型DC - DC转换器；用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器；TDA21520集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，它与控制和同步MOSFET共同封装，还有一个有源二极管结构，该结构能实现类似于肖特基二极管的低Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比，实现了卓越的电流感测精度。保护功能包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV和自举欠压保护。TDA21520还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21520包含一个改进的高速MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET，频率高达1.5 MHz。使用传统电流感测方法（如DCR感测和Rdson感测）的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson电流感测不依赖于电感器，但MOSFET的rdson存在温度系数。此外，很难对高端MOSFET实现rdson电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21520中先进的电流镜感测，消除了所有这些局限性，同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像，该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分，因此具有固有的温度补偿，无需额外的电路。对两个MOSFET进行实际电流感测可确保系统始终处于监控状态。

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￥24.98
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型号：IRF6785MTRPBF 编号：C537802

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，还对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）

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￥26.7
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型号：IPL60R285P7 编号：C537035

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换相的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且更凉爽。

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￥28.21
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￥26.88

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型号：IPDQ65R080CFD7A 编号：C48922638

封装：HDSOP-22

品牌：Infineon(英飞凌)

650V CoolMOS CFD7A集成了快速体二极管，可用于PFC以及诸如ZVS移相全桥和LLC等谐振开关拓扑。

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￥30.17
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￥29.41
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￥28.9

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型号：IRS2336DSTRPBF 编号：C538332

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2336xD 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，具备三个高端和三个低端参考输出通道，适用于三相应用。该集成电路设计用于搭配低成本自举电源；自举二极管功能已集成到该器件中，以减少元件数量和 PCB 尺寸。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术已应用于坚固的单片结构中

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￥35.02
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￥27.15

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型号：IPA95R130PFD7XKSA1 编号：C20191553

封装：TO-220FULLPACK

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新的标杆。该技术旨在通过结合一流的性能和最先进的易用性，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，使其能够在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。

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￥35.89
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型号：IKZA40N65EH7XKSA1 编号：C20191534

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 40 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

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￥38.06
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￥32.79
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￥29.57

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型号：IPDD60R075CFD7XTMA1 编号：C3288749

封装：HDSOP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，拥有一流的反向恢复电荷和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合，同时在设计过程中易于实施。

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￥39.99
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￥38.35

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型号：IKWH50N65EH7XKSA1 编号：C20191523

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 50 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

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￥42.22
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￥36.6
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￥33.17

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型号：IPB65R041CFD7ATMA1 编号：C3279159

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

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￥42.69
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￥41.6
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￥40.87

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型号：IPB65R075CFD7AATMA1 编号：C3289232

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS移相全桥和LLC等谐振开关拓扑。

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￥44.2
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￥43.09
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￥42.34

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型号：IPDD60R045CFD7XTMA1 编号：C3278515

封装：HDSOP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是一个优化平台，适用于软开关应用，如移相全桥（ZVS）和LLC。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现。

单价：
￥45.08 / 个

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型号：IPT60R055CFD7XTMA1 编号：C5240738

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是针对软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）优化的平台。由于降低了栅极电荷，具有同类最佳的反向恢复电荷和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现。

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1+
￥45.53
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￥37.46
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￥33.55

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型号：IPDQ65R029CFD7XTMA1 编号：C20191588

封装：HDSOP-22-1

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥ZVS）中具有最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥55.62
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￥54.2
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￥53.25

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型号：IKW50N120CS7XKSA1 编号：C3191676

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。IC = 50 A。IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压：在 Tvj = 175°C 时，VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

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￥56.74
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￥49.3
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￥44.77

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型号：IKQ150N65EH7XKSA1 编号：C20191012

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 150 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

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￥74.59
10+
￥71.07
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￥64.97

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型号：IPZA60R037P7 编号：C537521

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥75.83
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￥72.09
30+
￥65.61

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型号：IKCM30F60GD 编号：C476130

封装：插件

品牌：Infineon(英飞凌)

模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会，以提高可靠性、优化 PCB 尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备 EMI 安全控制和过载保护。TRENCHSTOP IGBT 和反并联二极管与优化的 SOI 栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

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￥77.53
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型号：IPW65R029CFD7XKSA1 编号：C6639964

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中具有最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换向稳健性。该技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

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￥88.18
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￥83.73
30+
￥76.03

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型号：IKCM20L60GDXKMA1 编号：C3615444

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会，以提高可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备EMI安全控制和过载保护。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

1+
￥130.01
10+
￥130

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型号：BSZ0910LSATMA1 编号：C17387216

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对充电器和适配器进行优化（如USB-PD、无线充电）。集成单片肖特基式二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。卓越的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥1.75
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￥1.7
30+
￥1.67

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型号：IRF1018ESTRLPBF 编号：C459934

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥3.06
10+
￥2.99
30+
￥2.95

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型号：IPAN60R600P7SXKSA1 编号：C3288921

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑且更凉爽。

1+
￥3.69
10+
￥3.6
30+
￥3.54

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型号：IPA60R600P7 编号：C536387

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑且更凉爽。

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1+
￥6.03
10+
￥5.91
30+
￥5.83

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型号：TLS203B0EJ V50 编号：C540248

封装：DSO-8-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低噪声：低至42 μVₚ₋ₚ（带宽10 Hz至100 kHz）。300 mA电流能力。低静态电流：30 μA。宽输入电压范围：最高20 V。内部电路工作电压低至2.3 V。输出电压精度：2.5%（全温度和负载范围内）。低压差电压：290 mV。极低关断电流：< 1 μA。无需保护二极管。固定输出电压：5.0 V。输出电容≥3.3 μF时稳定。与铝、钽或陶瓷输出电容兼容。反极性保护。无反向电流。过流和过温保护。PG-DSO-8外露焊盘和PG-TSON-10外露焊盘封装。适用于汽车电子作为后置稳压器。绿色产品（符合RoHS标准）。AEC认证

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1+
￥6.63
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￥6.46
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￥6.35

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型号：IRFS4020TRLPBF 编号：C538015

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

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