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封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且更凉爽。

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型号：IPB60R280P7ATMA1 编号：C3289212

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列是 CoolMOS P6 系列的继任者。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：IRFSL3306PBF 编号：C538044

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：IPA60R160P7 编号：C536355

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：IPT65R125CFD7XTMA1 编号：C6280047

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650 V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品，是650 V CoolMOS CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能，650 V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性

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型号：IRFP7537PBF 编号：C537941

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具有完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IKB15N65EH5 编号：C536145

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷（QG）。IGBT与全额定电流的RAPID 1快速反并联二极管共封装。最高结温175℃。无铅镀铅，符合RoHS标准。应用：能源发电。太阳能串式逆变器

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型号：IRFS7734TRL7PP 编号：C538037

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IPB95R310PFD7ATMA1 编号：C19725715

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，使其能够在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。

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型号：IPW65R125CFD7XKSA1 编号：C3289063

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥ZVS）中具有最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。其满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

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型号：IPDQ65R125CFD7AXTMA1 编号：C23040359

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

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型号：IPW65R115CFD7AXKSA1 编号：C3289083

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

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型号：TLD5045EJ 编号：C539648

封装：SOIC-8-EP-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高度集成的智能LED降压控制器，具有内置保护功能。该设备的主要功能是通过调节恒定的LED电流，从高于LED正向电压的电压源高效驱动单个或多个串联的LED。恒流调节特别有利于LED颜色准确性和长LED寿命。内置的续流二极管和带电流检测的开关晶体管需要更少的外部组件，节省了系统成本

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型号：IPP65R110CFDA 编号：C537229

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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型号：IPDQ65R080CFD7A 编号：C48922638

封装：HDSOP-22

品牌：Infineon(英飞凌)

650V CoolMOS CFD7A集成了快速体二极管，可用于PFC以及诸如ZVS移相全桥和LLC等谐振开关拓扑。

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型号：IKW08N120CS7XKSA1 编号：C3191651

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 8 A-IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V（Tvj = 175℃ 时）。针对硬开关拓扑进行优化（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）。短路耐受时间 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥32.86
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型号：IKZA40N65EH7XKSA1 编号：C20191534

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 40 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

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￥36.13
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型号：BSC0910NDIATMA1 编号：C3278738

封装：TISON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道。为高性能降压转换器优化。逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。集成单片肖特基二极管

1+
￥36.48
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型号：IPDD60R075CFD7XTMA1 编号：C3288749

封装：HDSOP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，拥有一流的反向恢复电荷和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合，同时在设计过程中易于实施。

1+
￥38.62
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￥37.63
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￥36.98

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型号：IPDD60R045CFD7XTMA1 编号：C3278515

封装：HDSOP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是一个优化平台，适用于软开关应用，如移相全桥（ZVS）和LLC。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现。

1+
￥48.25
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￥48.24

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型号：IPDQ60R035CFD7XTMA1 编号：C3288753

封装：HDSOP-22

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是针对软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实施。

1+
￥50.86
10+
￥49.56
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￥48.69

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型号：IPW60R099P7XKSA1 编号：C3278923

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

单价：
￥54.39 / 个

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型号：IKQ75N120CH7XKSA1 编号：C20191014

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200V。 IC = 75A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速IGBT与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

单价：
￥56.52 / 个

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型号：IPW65R029CFD7XKSA1 编号：C6639964

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中具有最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换向稳健性。该技术符合最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥71.82
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￥69.31

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型号：PVA3055NSPBF 编号：C538582

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVA30系列交流继电器（PVA）是单极常开固态继电器，用于替代通用模拟信号切换的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新颖结构的集成光电池发电机驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该LED与光电池发电机光学隔离。PVA30系列结合了非常低的固态输出电容、非常高的关断电阻和非常快的响应时间。这些光电继电器专为在高性能仪器系统中精确切换低电平信号而设计。PVA30系列克服了传统机电继电器和簧片继电器的局限性，提供了固态继电器的优势，如长寿命、快速操作速度、低启动功率、无反弹操作、低热偏移电压和小型封装。这些优势允许在许多应用中改进产品和设计创新，如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集。PVA30可以切换从热电偶电平到300伏峰值交流或直流极性的模拟信号。信号频率可以轻松控制到射频范围，并且可实现高达1.7千赫兹的切换速率。极小的热生成偏移电压允许提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，提供通孔或表面贴装（“鸥翼”）引线，在塑料运输管中供货。

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1+
￥71.98
10+
￥69.46

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型号：BSZ0910LSATMA1 编号：C17387216

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对充电器和适配器进行优化（如USB-PD、无线充电）。集成单片肖特基式二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。卓越的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥1.75
10+
￥1.7
30+
￥1.67

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型号：IRF1018ESTRLPBF 编号：C459934

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥3.06
10+
￥2.99
30+
￥2.95

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型号：IPAN60R600P7SXKSA1 编号：C3288921

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑且更凉爽。

1+
￥3.69
10+
￥3.6
30+
￥3.54

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型号：IPA60R600P7 编号：C536387

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑且更凉爽。

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1+
￥6.03
10+
￥5.91
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￥5.83

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型号：TLS203B0EJ V50 编号：C540248

封装：DSO-8-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低噪声：低至42 μVₚ₋ₚ（带宽10 Hz至100 kHz）。300 mA电流能力。低静态电流：30 μA。宽输入电压范围：最高20 V。内部电路工作电压低至2.3 V。输出电压精度：2.5%（全温度和负载范围内）。低压差电压：290 mV。极低关断电流：< 1 μA。无需保护二极管。固定输出电压：5.0 V。输出电容≥3.3 μF时稳定。与铝、钽或陶瓷输出电容兼容。反极性保护。无反向电流。过流和过温保护。PG-DSO-8外露焊盘和PG-TSON-10外露焊盘封装。适用于汽车电子作为后置稳压器。绿色产品（符合RoHS标准）。AEC认证

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