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首页 > 热门关键词 > Infineon二极管
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1个N沟道 耐压:600V 电流:16A
型号：IPW60R090CFD7 编号：C537459
封装：TO-247-3
品牌：Infineon(英飞凌)
CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有一流的反向恢复电荷和改善的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实施
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    1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC
    型号：PVT422S-TPBF 编号：C538638
    封装：SMD-8P
    品牌：Infineon(英飞凌)
    PVT422系列光伏继电器是一款双刀常开固态继电器，在许多应用中可替代机电继电器。它采用国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由结构新颖的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由砷化镓铝发光二极管（LED）发出的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离
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    • 单价：

      ￥34.14 / 个
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    HEXFET功率MOSFET
    型号：IRL60B216 编号：C538132
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对逻辑电平驱动进行优化。 改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 具备完整的电容和雪崩 SOA 特性。 增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:31A
    型号：IPW60R099P7XKSA1 编号：C3278923
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

    • 单价：

      ￥54.39 / 个
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    耐压:600V 电流:34.1A
    型号：SPW35N60CFD 编号：C539325
    封装：TO-247AC-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：新的革命性高压技术。 本征快速恢复体二极管。 极低的反向恢复电荷。 超低栅极电荷。 极高的dv/dt额定值。 高脉冲电流能力。 周期性雪崩额定值。 符合JEDEC标准的工业级应用。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准
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    600V 80A
    型号：IKW50N60TFKSA1 编号：C2997922
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：1.5V（典型值）。 最高结温：175℃。 短路耐受时间：5μs。 专为变频器和不间断电源设计。 适用于600V应用的TRENCHSTOP和场截止技术，提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和温度稳定性。 -非常高的开关速度。 集电极-发射极饱和电压VCE(sat)具有正温度系数。 低电磁干扰。 低栅极电荷。 非常软且快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。 符合JEDEC目标应用标准。 无铅引脚镀层，符合RoHS标准

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      ￥58.82

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    600V 135A
    型号：IPDQ60R016CM8XTMA1 编号：C28760716
    封装：PG-HDSOP-22
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第八代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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    600V CoolMOs CM8功率晶体管
    型号：IPDQ60R007CM8XTMA1 编号：C28143577
    封装：HDSOP-22
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第8代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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      ￥129.91

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    四件套 1.2kV 450A
    型号：FF450R12KT4 编号：C541069
    封装：-
    品牌：Infineon(英飞凌)
    62mm C系列模块，带有快速沟槽/场截止IGBT4和发射极控制HE二极管
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    600V 9.1A
    型号：IKD04N60RF 编号：C536167
    封装：TO-252-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IGBT 带有集成二极管，其封装具有节省空间的优势。适用于高达 30kHz 的硬开关应用。
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    1个N沟道 耐压:30V 电流:82A
    型号：BSZ0503NSIATMA1 编号：C3279318
    封装：TSDSON-8
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅镀铅，符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤

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    双向ESD 16V截止
    型号：ESD259-B1-W0201 E6327 编号：C535199
    封装：0201
    品牌：Infineon(英飞凌)
    低钳位电压双向ESD/瞬态保护二极管TVS（瞬态电压抑制器）双向，16 V，4.2 pF，0201封装，符合RoHS标准且无卤
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    降压型 9A 4.3V~17V
    型号：IR3899AMTRPBF 编号：C3191589
    封装：PQFN-24(4x5)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    IR3899A是一款易于使用的全集成直流-直流降压调节器。内置PWM控制器和MOSFET,以及集成的启动二极管,使其成为小型化解决方案,提供高效能的电源管理。具备强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）操作,以及过压、欠压保护和热关断功能。

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    1个N沟道 耐压:650V 电流:6A
    型号：IPB65R660CFDA 编号：C536645
    封装：TO-263-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。650V CoolMOS CFDA系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管
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    650V 53A
    型号：IPL60R185P7 编号：C537030
    封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)
    品牌：Infineon(英飞凌)
    7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且更凉爽。
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    1个N沟道 耐压:75V 电流:87A
    型号：IRFB7740PBF 编号：C537875
    封装：TO-220AB
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 全面表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
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    650V 10.5V~25V
    型号：ICE2QR4765G 编号：C535759
    封装：DSO-12
    品牌：Infineon(英飞凌)
    CoolSET™ Q1系列（ICE2QRxx65G）是第一代准谐振集成电源IC。它针对离线开关模式电源应用进行了优化，如液晶显示器、可读写DVD（DVD R/W）、组合式DVD（DVD Combo）、蓝光DVD、机顶盒等。通过使MOSFET开关工作在准谐振模式，开关模式电源（SMPS）有望实现更低的电磁干扰（EMI）、更高的效率以及降低次级二极管上的电压应力
    数据手册

    • 1+

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:99A
    型号：IRLR3636TRLPBF 编号：C538172
    封装：DPAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对逻辑电平驱动进行优化。 在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。 在4.5V VGS时具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 具备完整的电容和雪崩SOA特性。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。 开关电源中的高效同步整流
    数据手册

    • 1+

      ￥7.9

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    1个N沟道 耐压:60V 电流:160A
    型号：IRFSL3306PBF 编号：C538044
    封装：TO-262-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 全面表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。 无铅。 符合 RoHS 标准，无卤素。应用：开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
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    1个N沟道 耐压:150V 电流:33A
    型号：IRFS4615TRLPBF 编号：C538023
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
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      ￥9.11

    • 30+

      ￥8.12
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
    型号：IPA60R160P7 编号：C536355
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册

    • 1+

      ￥14.24

    • 10+

      ￥11.98

    • 50+

      ￥10.57
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    650V 85A
    型号：IKWH50N65WR6 编号：C5359102
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：VCE = 650 V。IC = 50 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

    • 1+

      ￥14.54

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      ￥13.49

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      ￥12.86

    • 90+

      ￥12.23
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    1个N沟道 耐压:60V 电流:172A
    型号：IRFP7537PBF 编号：C537941
    封装：TO-247
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 具有完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。 无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

    • 1+

      ￥16.08

    • 10+

      ￥13.48

    • 25+

      ￥11.85
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    HEXFET功率MOSFET
    型号：IRFS7734TRL7PP 编号：C538037
    封装：TO-263-7
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册

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      ￥16.07
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    1个N沟道 耐压:40V 电流:343A
    型号：IRLS3034TRLPBF 编号：C538185
    封装：D2PAK
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：针对逻辑电平驱动进行优化。 在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。 在4.5V VGS时具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 具备完整表征的电容和雪崩SOA。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。 SMPS中的高效同步整流
    数据手册

    • 1+

      ￥16.77

    • 10+

      ￥16.42

    • 30+

      ￥15.43
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    1个N沟道 耐压:650V 电流:19A
    型号：IPW65R125CFD7XKSA1 编号：C3289063
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥ZVS）中具有最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。其满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

    • 1+

      ￥18.54

    • 10+

      ￥18.06

    • 30+

      ￥17.75
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    650V 55A
    型号：IKP30N65H5 编号：C536198
    封装：TO-220-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。 低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。 最高结温175℃。应用：太阳能转换器。 不间断电源
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    • 1+

      ￥21.68

    • 10+

      ￥18.7

    • 50+

      ￥16.93
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    670V 105A
    型号：IKWH50N67PR7XKSA1 编号：C42433313
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：VCE = 670 V。 IC = 50 A。 引脚间爬电距离 >4.8 mm。 引脚间电气间隙距离 >3.4 mm。 针对PFC应用优化的单片二极管。 改善的EMI特性，具有较低的dv/dt。应用：家用空调/商用空调。 家用暖通空调/商用暖通空调

    • 1+

      ￥22.73

    • 10+

      ￥19.26

    • 30+

      ￥17.2
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    650V 24A
    型号：IPDQ65R125CFD7AXTMA1 编号：C23040359
    封装：-
    品牌：Infineon(英飞凌)
    提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

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    650V 80A
    型号：IKW50N65WR5 编号：C536220
    封装：TO-247-3
    品牌：Infineon(英飞凌)
    特性：强大的单片二极管，针对零电流开关（ZCS）应用进行了优化。TRENCHSTOP™ 5技术应用提供：高坚固性，温度稳定性能。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）和低E(max)。由于VCEsat的正温度系数，具有易于并联开关的能力。低电磁干扰（EMI）。电气参数对温度的依赖性低。应用：焊接。功率因数校正（PFC）
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