Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-220FP

8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势、为所有产品实施快速体二极管 (CFD)，对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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型号：2EDL8034G3CXTMA1 编号：C6798612

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

设计用于半桥配置中驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作电压高达 120V 自举电压的高端 MOSFET。版本 4 提供完整的 4A 电流能力，而版本 3 提供 3A。高端偏置电压使用集成自举二极管通过自举技术生成。驱动器的输入与 TTL 逻辑兼容，能够承受从 -10V 到 20V 的输入共模摆幅。独立输入允许独立控制高端和低端域。高端和低端电源上的欠压锁定 (UVLO) 在电源不足的情况下强制相应输出为低电平。有 SON-8 引脚 4mm×4mm、SON-10 引脚 4mm×4mm 和 SON-10 引脚 3mm×3mm 封装。

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型号：IKWH50N65WR6 编号：C5359102

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。IC = 50 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

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型号：ICE2QR2280G-1 编号：C535756

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品源于CoolSET™-Q1，唯一区别是具有较低的Vcc关断阈值。CoolSET™-Q1是第一代准谐振控制器和CoolMOS™集成功率IC。在准谐振模式下操作MOSFET开关，开关电源有望实现更低的EMI、更高的效率和更低的次级二极管电压应力。基于BiCMOS技术，CoolSET™-Q1系列具有较宽的IC电源工作范围（高达25V）和较低的功耗。它还具有许多优点，如在非常低的负载下实现准谐振操作，与其他传统解决方案相比提高了更高的平均系统效率，通过主动突发模式操作在待机模式下实现超低功耗，同时输出电压纹波小且可控等。

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型号：IHW30N140R5LXKSA1 编号：C20191005

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V-IC = 30A。强大的单片体二极管，正向电压低，仅适用于软换相。非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定特性。极低的VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。应用：电磁炉。微波炉

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型号：IKA15N65H5 编号：C536140

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用 TRENCHSTOPTM 5 技术的高速 5 IGBT，与 RAPID 1 快速软恢复反并联二极管共封装。

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型号：IPA60R099P7XKSA1 编号：C672156

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。

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型号：IHW30N110R3 编号：C536122

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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型号：IKW50N60DTP 编号：C3191650

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™ 技术提供极低的 VCEsat。低关断损耗。短尾电流。低电磁干扰。非常柔软、快速恢复的反并联二极管。最高结温 175℃。应用：驱动器。太阳能逆变器

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型号：IPP65R099CFD7AAKSA1 编号：C3278792

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS移相全桥、LLC等谐振开关拓扑。

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型号：2ED1323S12PXUMA1 编号：C20189642

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

控制半桥配置中最大阻断电压为 +1200V 的 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，有力支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供了针对浮动栅极条件下寄生导通的固有保护。

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型号：IPW65R099CFD7AXKSA1 编号：C6211009

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

650V CoolMOS CFD7A提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥和LLC等谐振开关拓扑。

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型号：IRF100S201 编号：C459928

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IPW60R090CFD7 编号：C537459

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有一流的反向恢复电荷和改善的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实施

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型号：IKW50N120CH7XKSA1 编号：C20191519

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 50 A。最大结温 Tvjmax = 175°C。同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25°C 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

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型号：IPZA60R037CM8XKSA1 编号：C26619405

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第8代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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型号：IKZA40N120CS7XKSA1 编号：C20191533

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 2.0 V（TVj = 175℃ 时）。针对硬开关拓扑进行优化（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）。短路耐受时间为 8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

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型号：SPW35N60CFD 编号：C539325

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。本征快速恢复体二极管。极低的反向恢复电荷。超低栅极电荷。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。周期性雪崩额定值。符合JEDEC标准的工业级应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准

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单价：
￥47.88 / 个

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型号：IPBE65R075CFD7AATMA1 编号：C3279276

封装：TO-263-7-3-10

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS移相全桥、LLC等谐振开关拓扑。

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型号：IKY100N120CH7XKSA1 编号：C20191525

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

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型号：IPDQ60R016CM8XTMA1 编号：C28760716

封装：PG-HDSOP-22

品牌：Infineon(英飞凌)

第八代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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￥88.16
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￥76.02

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型号：IPW60R024P7XKSA1 编号：C3278951

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者，它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：IKQB160N75CP2AKSA1 编号：C20191517

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 750 V。 IC = 160 A。低饱和电压 VCEsat = 1.4 V。低开关损耗。短路耐受时间 3 μs。 IGBT 与全电流、软快速恢复二极管共封装。应用：CAV 动力总成控制模块。通用驱动器 (GPD)

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型号：IKD04N60RF 编号：C536167

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

IGBT 带有集成二极管，其封装具有节省空间的优势。适用于高达 30kHz 的硬开关应用。

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￥4.79
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型号：IR3899AMTRPBF 编号：C3191589

封装：PQFN-24(4x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3899A是一款易于使用的全集成直流-直流降压调节器。内置PWM控制器和MOSFET,以及集成的启动二极管,使其成为小型化解决方案,提供高效能的电源管理。具备强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）操作,以及过压、欠压保护和热关断功能。

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型号：ESD259-B1-W0201 E6327 编号：C535199

封装：0201

品牌：Infineon(英飞凌)

低钳位电压双向ESD/瞬态保护二极管TVS（瞬态电压抑制器）双向，16 V，4.2 pF，0201封装，符合RoHS标准且无卤

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型号：IRFB7740PBF 编号：C537875

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IPB65R660CFDA 编号：C536645

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。650V CoolMOS CFDA系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管

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型号：IRLR3636TRLPBF 编号：C538172

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩SOA特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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型号：IRFS4020TRLPBF 编号：C538015

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

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