Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFS4620TRLPBF 编号：C538024

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：BSZ011NE2LS5I 编号：C534639

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类似肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5V时。 100%雪崩测试。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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型号：IRFB7546PBF 编号：C537873

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IKWH30N65WR6 编号：C5359100

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 30 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚间隙距离 > 3.4 mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

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型号：BSC014NE2LSIATMA1 编号：C3278733

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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型号：IKWH40N65WR6 编号：C5359101

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。IC = 40 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

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型号：TLE9371VSJXTMA1 编号：C6285354

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

高速CAN收发器，用于汽车和工业应用的高速控制器局域网 (CAN)。它旨在满足ISO 11898-2 (2016) 物理层规范以及SAE J1939和SAE J2284的要求。它采用无卤且符合RoHS标准的PG-DSO-8封装。作为物理总线层和高速CAN之间的接口，它可保护微控制器免受网络中产生的干扰。具有很高的ESD鲁棒性和优化的RF抗扰度，无需额外的保护设备（如抑制二极管或共模扼流圈）即可用于汽车应用。当未供电时，发射器关闭，对高速CAN的所有其他节点呈现最低负载

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型号：IPA80R750P7 编号：C536428

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,t，降低 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

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型号：IR3555MTRPBF 编号：C537670

封装：PQFN-30(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

集成 PowIRstage® 封装，包含一个同步降压栅极驱动器 IC，该 IC 与控制和同步 MOSFET 以及一个肖特基二极管集成在一起，以进一步提高效率。该封装针对 PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET 控制时序以及遵循布局指南时最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的配对组合可在较低输出电压下实现更高的效率，满足尖端 CPU、GPU、ASIC 和 DDR 内存设计的需求。

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型号：IRFI4410ZPBF 编号：C537918

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：IKWH40N67PR7XKSA1 编号：C42433327

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 670V。 IC = 40A。引脚到引脚爬电距离 >4.8mm。引脚到引脚间隙距离 >3.4mm。为PFC应用优化的单片二极管。具有较低dv/dt的改善EMI性能。应用：家用空调/商用空调。家用暖通空调/商用暖通空调

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型号：IRFS3006TRL7PP 编号：C538002

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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型号：IPW60R060P7 编号：C454258

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点，具有出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：IHW20N65R5 编号：C536120

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。TRENCHSTOP™ 技术提供：非常紧密的参数分布。高耐用性和稳定的温度特性。非常低的 VCEsat 和低 Eoff。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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型号：IPAW60R280P7SXKSA1 编号：C3289033

封装：TO-220-FP

品牌：Infineon(英飞凌)

7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：IR3556MTRPBF 编号：C537671

封装：PQFN-30(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

集成 PowIRstage® 封装，包含一个同步降压栅极驱动器 IC，该 IC 与控制和同步 MOSFET 以及一个肖特基二极管集成在一起，以进一步提高效率。该封装针对 PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET 控制时序以及遵循布局指南时最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的配对组合可在较低输出电压下实现更高的效率，满足尖端 CPU、GPU、ASIC 和 DDR 内存设计的需求。

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型号：IPB65R190CFDA 编号：C536642

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOs TM 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS TM CFDA 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时还提供超快且可靠的体二极管

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型号：IKWH50N67PR7XKSA1 编号：C42433313

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 670 V。 IC = 50 A。引脚间爬电距离 >4.8 mm。引脚间电气间隙距离 >3.4 mm。针对PFC应用优化的单片二极管。改善的EMI特性，具有较低的dv/dt。应用：家用空调/商用空调。家用暖通空调/商用暖通空调

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型号：IPT60R075CFD7XTMA1 编号：C6280045

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是针对软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有同类最佳的反向恢复电荷和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现。

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型号：IKW30N65H5 编号：C536214

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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￥27.4
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型号：PVT412LS-TPBF 编号：C538633

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专用的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为全球电信应用而设计。PVT412L采用有源限流电路，在提供过压保护时，能够满足FCC第68部分和其他监管机构的电流浪涌要求。PVT412未采用限流电路，具有较低的导通电阻。系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（“鸥翼”）端子。它有标准塑料运输管或卷带包装。

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￥36.2703 ￥41.69
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￥31.3852 ￥40.76
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￥26.9005 ￥40.15
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￥26.4851 ￥39.53

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型号：IPB65R075CFD7AATMA1 编号：C3289232

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS移相全桥和LLC等谐振开关拓扑。

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￥45.34
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￥44.22
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￥43.48

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型号：IPDQ65R029CFD7XTMA1 编号：C20191588

封装：HDSOP-22-1

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥ZVS）中具有最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

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￥55.62
10+
￥54.2
30+
￥53.25

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型号：PVG612PBF 编号：C538600

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。在使用寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场不敏感和坚固性方面超过了机电继电器的性能。特别适用于 12 至 48 伏交流或直流电源的高电流隔离开关。采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）端子。有标准塑料运输管或卷带包装。

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￥71.07
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￥60.69
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￥54.36

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型号：IPP60R016CM8XKSA1 编号：C26312899

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗，使开关应用更加高效。

1+
￥73.16
10+
￥70.98

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型号：IMT40R011M2HXTMA1 编号：C32609547

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。换向能力强的快速体二极管，Qfr 低。RDS(on) 对温度的依赖性低。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。推荐栅极驱动电压为 0V 至 18V。.XT 互连技术，具备一流的热性能。应用：开关电源。太阳能光伏逆变器

1+
￥115.35
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￥109.53
30+
￥99.45

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型号：IKQ75N120CT2 编号：C536208

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的VCE(sat)，标称电流下为1.75V。在Tv = 175℃时，短路耐受时间为10μs。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。低EMI。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：通用驱动器（GPD）。伺服驱动器

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1+
￥137.16
10+
￥130.87
30+
￥119.96

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型号：BSZ0503NSIATMA1 编号：C3279318

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥5.1
10+
￥4.98
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￥4.9

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型号：BSZ0902NSIATMA1 编号：C3279316

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：为高性能降压转换器优化的同步场效应管。集成单片肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @Vgs = 4.5V。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥5.38
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￥4.36
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￥3.86
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￥3.35

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型号：IPP80R750P7XKSA1 编号：C3288938

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,in，降低了 Ωg * Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。产品组合经过全面优化。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激式拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

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