Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IKY140N120CH7XKSA1 编号：C20191528

封装：-

特性：VCE = 1200 V。 IC = 140 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

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￥79.06
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￥75.16
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￥68.4

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型号：PVAZ172NPBF 编号：C538587

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVAZ172N光继电器是一种单极常开固态继电器，可以替代用于直流和交流负载通用切换的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由一种新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该LED与光伏发生器光学隔离。这些装置克服了机电继电器和簧片继电器的局限性，提供了固态技术的优点，如高灵敏度、小型化、无触点反弹、长使用寿命、对外部磁场不敏感、抗震抗振以及固有高可靠性。它们非常适合于切换大电流或低电平信号而不会产生失真或注入电气噪声。这些继电器封装在8引脚塑封DIP封装中，并提供通孔或表面贴装（“鸥翼”）引脚版本，以塑料运输管形式供应。

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￥80.3871 ￥141.03
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￥66.2841 ￥141.03
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￥52.1811 ￥141.03

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型号：IKQ120N120CS7XKSA1 编号：C20191010

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V-IC = 120 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压：在 Tvj = 175℃ 时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。完整的产品系列和 PSpice 模型。应用：工业驱动器。工业电源

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￥84.89
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￥80.7
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￥73.45

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型号：PVT322ASPBF 编号：C538623

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVT322A系列光电继电器是一种双极常开固态继电器，可以在许多应用中替代机电继电器。它利用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新型结构的集成电路光伏发电机驱动。输出开关由一个GaAlAs发光二极管（LED）发出的光辐射控制，该LED与光伏发电机光学隔离。PVT322A系列继电器采用8引脚模塑DIP封装，具有通孔或表面贴装（鸥翼型）端子。它可提供标准塑料运输管或卷带封装形式。

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￥87.5824 ￥101.84
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￥75.0652 ￥98.77
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￥65.1882 ￥98.77

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型号：IPW65R018CFD7XKSA1 编号：C3289047

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能，该产品在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥ZVS）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

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￥115.6
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￥110.31
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￥101.17

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型号：ISZ040N03L5ISATMA1 编号：C3289326

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：为高性能降压转换器优化的同步场效应管。集成单片肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5V。优异的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤素

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￥2.89
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￥2.31
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￥2.06

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型号：IPD60R600P7S E8228 编号：C536834

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

7th generation platform是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。

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￥4.14
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￥3.32
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￥2.91

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型号：IRF1018EPBF 编号：C495795

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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￥6.21
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￥5.13
50+
￥4.54

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型号：IRF7907TRPBF 编号：C168886

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：4.5V VGS时极低的RDS(on)。低栅极电荷。完全表征的雪崩电压和电流。最大栅极额定值20V VGS。改进的体二极管反向恢复。 100%测试RG。应用：笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点 (POL) 转换器用双SO-8 MOSFET

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￥7.46
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￥6.23
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￥5.56

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型号：IRFH7545TRPBF 编号：C537896

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥9.4
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￥7.89
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￥7.06

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型号：IKWH20N65WR6 编号：C5359099

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650V。IC = 20A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

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￥10.07
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￥9.39
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￥8.99
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￥8.58

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型号：IRFB7546PBF 编号：C537873

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥10.29
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￥7.67
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￥6.02

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型号：IPP60R170CFD7 编号：C537207

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是一个优化平台，适用于软开关应用，如移相全桥（ZVS）和LLC。由于降低了栅极电荷，具有一流的反向恢复电荷和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

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￥10.87
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￥10.6
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￥10.41

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型号：IPD60R180CM8XTMA1 编号：C26319077

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOs TM 8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOs TM CM8 系列是 CoolMOs TM 7 的继任者，它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管 (CFD)，具有出色的抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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￥12.15
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￥10.42
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￥9.34

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型号：IPB60R360P7 编号：C536628

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、更紧凑且更凉爽。

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￥12.26
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￥10.42
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￥9.27
100+
￥8.1

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型号：IPA80R750P7 编号：C536428

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,t，降低 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

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1+
￥12.9
10+
￥10.82
50+
￥9.52
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型号：2EDL8034G3CXTMA1 编号：C6798612

封装：PG-VSON-10-4

品牌：Infineon(英飞凌)

设计用于半桥配置中驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作电压高达 120V 自举电压的高端 MOSFET。版本 4 提供完整的 4A 电流能力，而版本 3 提供 3A。高端偏置电压使用集成自举二极管通过自举技术生成。驱动器的输入与 TTL 逻辑兼容，能够承受从 -10V 到 20V 的输入共模摆幅。独立输入允许独立控制高端和低端域。高端和低端电源上的欠压锁定 (UVLO) 在电源不足的情况下强制相应输出为低电平。有 SON-8 引脚 4mm×4mm、SON-10 引脚 4mm×4mm 和 SON-10 引脚 3mm×3mm 封装。

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￥13.06
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￥10.97
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￥9.66

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型号：TLE9371VSJXTMA1 编号：C6285354

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

高速CAN收发器，用于汽车和工业应用的高速控制器局域网 (CAN)。它旨在满足ISO 11898-2 (2016) 物理层规范以及SAE J1939和SAE J2284的要求。它采用无卤且符合RoHS标准的PG-DSO-8封装。作为物理总线层和高速CAN之间的接口，它可保护微控制器免受网络中产生的干扰。具有很高的ESD鲁棒性和优化的RF抗扰度，无需额外的保护设备（如抑制二极管或共模扼流圈）即可用于汽车应用。当未供电时，发射器关闭，对高速CAN的所有其他节点呈现最低负载

1+
￥13.28
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￥11.17
30+
￥9.85

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型号：IPP60R120P7 编号：C537199

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥14.34
10+
￥13.98
50+
￥13.74

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型号：IHW20N65R5 编号：C536120

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。TRENCHSTOP™ 技术提供：非常紧密的参数分布。高耐用性和稳定的温度特性。非常低的 VCEsat 和低 Eoff。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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1+
￥16.8665 ￥27.65
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￥13.7955 ￥27.05
30+
￥10.9265 ￥26.65
100+
￥10.7625 ￥26.25

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型号：IKA15N65H5 编号：C536140

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用 TRENCHSTOPTM 5 技术的高速 5 IGBT，与 RAPID 1 快速软恢复反并联二极管共封装。

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1+
￥17.3
10+
￥14.95
50+
￥13.48

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型号：IRFB7530PBF 编号：C537869

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥17.47
10+
￥14.82
50+
￥13.16

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型号：IPB95R310PFD7ATMA1 编号：C19725715

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，使其能够在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。

1+
￥18.08
10+
￥17.68
30+
￥17.42

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型号：IPA95R310PFD7XKSA1 编号：C20191554

封装：TO-220-3-313

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS™ PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比，PFD7提供了集成的超快体二极管，可用于谐振拓扑，其反向恢复电荷（Qrr）为市场最低

1+
￥18.47
10+
￥15.49
50+
￥13.63

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型号：IHW25N140R5LXKSA1 编号：C20191003

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V，IC = 25A。强大的单片体二极管，正向电压低，仅适用于软换相。非常紧密的参数分布。高坚固性，温度稳定性能。极低的VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。应用：电磁炉。微波炉

1+
￥19.13
10+
￥16.43
30+
￥14.82

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型号：IR3556MTRPBF 编号：C537671

封装：PQFN-30(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

集成 PowIRstage® 封装，包含一个同步降压栅极驱动器 IC，该 IC 与控制和同步 MOSFET 以及一个肖特基二极管集成在一起，以进一步提高效率。该封装针对 PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET 控制时序以及遵循布局指南时最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的配对组合可在较低输出电压下实现更高的效率，满足尖端 CPU、GPU、ASIC 和 DDR 内存设计的需求。

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1+
￥19.3191 ￥27.21
10+
￥16.226 ￥26.6
30+
￥13.362 ￥26.2
100+
￥13.158 ￥25.8

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型号：IPL60R085P7AUMA1 编号：C3289358

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥28.31
10+
￥23.99
30+
￥21.42

有货

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型号：IKB40N65ES5 编号：C536153

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术。用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：在标称电流下为1.35V。 650V击穿电压。低栅极电荷（Qg）。 IGBT与全额定电流的RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：能源发电。太阳能串式逆变器

数据手册

1+
￥28.33
10+
￥24.05
30+
￥21.51

有货

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型号：IPP60R070CFD7 编号：C537188

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改善了关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

数据手册

1+
￥30.45
10+
￥25.86
30+
￥23.14

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型号：IPT65R099CFD7XTMA1 编号：C3281864

封装：TOLL

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的 650V 产品扩展了 CFD7 系列的电压等级，是 650V CoolMOS CFD2 的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如 LLC 和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足了最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥31.9
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￥27.41
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