Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFB7534PBF 编号：C537870

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥4.48
10+
￥3.82
50+
￥2.85
100+
￥2.52
500+
￥2.33

有货

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型号：IRFS7434TRLPBF 编号：C538030

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥6.2244 ￥15.96
10+
￥4.4109 ￥15.21
30+
￥2.8044 ￥14.76
100+
￥2.7189 ￥14.31
500+
￥2.679 ￥14.1
800+
￥2.6619 ￥14.01

有货

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型号：BSC014N04LSI 编号：C2934854

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。集成单片肖特基类二极管。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 N沟道，逻辑电平。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

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1+
￥7
10+
￥5.73
30+
￥5.1
100+
￥4.47

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型号：IRFS7734TRLPBF 编号：C406802

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥16.72
10+
￥14.36
30+
￥12.89
100+
￥11.16

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型号：IMZ120R090M1H 编号：C536293

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th)= 4.5V 。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。稳健的体二极管，适用于硬换向。应用：能源发电。太阳能串逆变器和太阳能优化器

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1+
￥43.65
10+
￥41.57
30+
￥40.31

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型号：IPT65R040CFD7XTMA1 编号：C3291319

封装：TOLL-8L

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CFD2的继任者。由于改进的开关性能和出色的热性能，其在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥（ZVS））中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥63.6
10+
￥54.37
30+
￥48.74

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型号：FF450R12KT4 编号：C541069

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

62mm C系列模块，带有快速沟槽/场截止IGBT4和发射极控制HE二极管

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单价：
￥502.5 / 个

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型号：IRFS7434TRL7PP 编号：C538029

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征电容和雪崩 SOA。增强体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥5.64
10+
￥5.08
30+
￥4.77
100+
￥4.42

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型号：IRGR3B60KD2TRP 编号：C3190816

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低VCE (on)非穿通IGBT技术。低二极管VF。 10μs短路能力。方形RBSOA。超软二极管反向恢复特性。正VCE (on)温度系数。无铅

1+
￥7.44
10+
￥7.28
30+
￥7.17

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型号：BSC0501NSI 编号：C3278727

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥7.52
10+
￥6.29
30+
￥5.61
100+
￥4.65

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型号：IPP60R180P7 编号：C537209

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥8.04
10+
￥6.74
50+
￥6.02
100+
￥5.1058 ￥5.21
500+
￥4.753 ￥4.85
1000+
￥4.5962 ￥4.69

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型号：IRFS7534TRLPBF 编号：C538033

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥8.45
10+
￥7.01
30+
￥6.22
100+
￥5.33

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型号：IKP20N65F5 编号：C536194

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用TRENCHSTOPTM 5技术的高速5 FAST IGBT，与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。

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1+
￥10.311 ￥14.73
10+
￥8.424 ￥14.04
50+
￥6.815 ￥13.63
100+
￥6.605 ￥13.21
500+
￥6.51 ￥13.02
1000+
￥6.465 ￥12.93

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型号：BSC009NE2LS5I 编号：C122543

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。100%雪崩测试。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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1+
￥10.74
10+
￥9
30+
￥8.05
100+
￥6.97

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型号：IRFI4019H-117P 编号：C500535

封装：TO-220F-5(Forming)

品牌：Infineon(英飞凌)

专为D类音频放大器应用设计。由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。使用最新工艺以实现每单位硅面积的低导通电阻。优化了栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真 (THD) 和电磁干扰 (EMI)。这些特性使半桥成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

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1+
￥15.77
10+
￥13.52
50+
￥12.11
100+
￥10.66

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型号：IPL60R115CFD7 编号：C537022

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改善的关断行为，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时不牺牲设计过程中的易实现性

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1+
￥17.848 ￥18.4
10+
￥15.5991 ￥17.93
30+
￥13.5674 ￥17.62
100+
￥13.321 ￥17.3

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型号：IPL65R115CFD7AUMA1 编号：C3279349

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的650V CoolMOS CFD7扩展了CFD7系列的电压等级，是650V CoolMOS CFD2的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能，650V CoolMOS CFD7在谐振开关拓扑（如LLC和移相全桥 (ZVS)）中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合。CoolMOS CFD7技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。

1+
￥19.53
10+
￥18.47
30+
￥17.84
100+
￥17.2

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型号：IGW50N65F5 编号：C536107

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。与升压转换器中的碳化硅肖特基二极管完美匹配。最高结温175℃。符合JEDEC标准，适用于目标应用。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥24.12
10+
￥22.81
30+
￥22.03
90+
￥19.55 ￥21.25
510+
￥19.2096 ￥20.88
990+
￥19.0624 ￥20.72

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型号：DF80R12W2H3FB11 编号：C17271226

封装：插件,62.8x56.7mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：CoolSiC Schottky二极管第5代。高速IGBT H3。低开关损耗。 3 kV AC 1min绝缘。 Al₂O₃基板，低热阻。集成NTC温度传感器。应用：太阳能应用

1+
￥275
30+
￥265

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型号：IRFB3306GPBF 编号：C495811

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。无卤素。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥3.381 ￥4.83
10+
￥2.592 ￥4.32
50+
￥2.035 ￥4.07
100+
￥1.91 ￥3.82
500+
￥1.835 ￥3.67
1000+
￥1.795 ￥3.59

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型号：BSC0902NSI 编号：C534382

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单片肖特基二极管。在栅源电压为4.5V时，具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。出色的热阻性能。 N沟道。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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1+
￥3.71
10+
￥2.98
30+
￥2.67
100+
￥2.28

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型号：IRF7905TRPBF 编号：C537833

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：4.5V VGS时极低的RDS(on)。低栅极电荷。完全表征雪崩电压和电流。最大栅极额定电压20V。改进的体二极管反向恢复。 100%测试RG。应用：笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点转换器的双SO-8 MOSFET

数据手册

1+
￥6.74
10+
￥5.55
30+
￥4.95
100+
￥4.36
500+
￥4.01

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型号：IKW30N60H3 编号：C114962

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速双封装：采用沟槽和场截止技术的 IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。

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1+
￥10.96
10+
￥9.18
30+
￥7.87
90+
￥6.73

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型号：IR11682STRPBF 编号：C148145

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR11682是一款双路智能次级侧整流器驱动IC，旨在驱动两个用作谐振转换器应用中同步整流器的N沟道功率MOSFET。该IC可控制一个或多个并联的N沟道MOSFET，以模拟肖特基二极管整流器的行为。对每个整流MOSFET的漏源电压进行差分检测，以确定电流大小，并在接近零电流转换时控制功率开关的导通和关断

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