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1个N沟道耐压:600V 电流:18A

型号：IPA60R180P7S 编号：C2916134

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥6.09
10+
￥4.99
50+
￥4.44

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:26A

型号：IPA60R360P7S 编号：C459165

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥6.38
10+
￥5.25
50+
￥4.26

有货

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650V 14A

型号：IKA15N65F5 编号：C536139

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用TRENCHSTOPTM 5技术的高速5 FAST IGBT，与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。

数据手册

1+
￥7.425 ￥11.25
10+
￥6.1656 ￥11.01
50+
￥4.991 ￥10.85
100+
￥4.9174 ￥10.69

有货

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650V 30A

型号：IHW30N65R5 编号：C536126

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -极低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数，易于并联开关。低 EMI。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥11.5989 ￥16.81
10+
￥9.4518 ￥16.02
30+
￥7.6195 ￥15.55
90+
￥7.3892 ￥15.08
510+
￥7.2814 ￥14.86
990+
￥7.2324 ￥14.76

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:18A

型号：IPB60R180P7 编号：C536619

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。该产品结合了快速开关SJ MOSFET的优点与出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

数据手册

1+
￥13.82
10+
￥11.63
30+
￥10.25
100+
￥8.85

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:320A

型号：IRFS7434TRLPBF 编号：C538030

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥14.31
10+
￥12.04
30+
￥10.62
100+
￥9.17

有货

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950V 14A

型号：IPA95R450P7 编号：C536434

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：一流的品质因数 RDS(on)*Eoss；降低 Qg、Ciss 和 Coss。一流的 V(GS)th 为 3V，最小的 V(GS)th 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。一流的 CoolMOS 质量和可靠性。完全优化的产品组合。应用：推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级

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1+
￥15.04
10+
￥12.64
50+
￥11.13
100+
￥9.6
500+
￥8.9
1000+
￥8.6

有货

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650V 30A

型号：IKW30N65WR5 编号：C536215

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片二极管，针对零电流开关 (ZCS) 应用进行了优化。 TRENCHSTOP™ 5 技术应用提供: -高耐用性，温度稳定性能。 -极低的集电极-发射极饱和电压 (VCEsat) 和低最大值 (Emax)。 -由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰 (EMI)。电气参数对温度的依赖性低。应用：焊接。功率因数校正 (PFC)

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1+
￥16.1
10+
￥13.65
30+
￥12.12
90+
￥10.55

有货

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600V 80A

型号：IGW40N60H3 编号：C536099

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP技术提供极低的VCEsat。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。针对目标应用通过JEDEC认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

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1+
￥16.5568 ￥25.87
10+
￥13.311 ￥24.65
30+
￥10.5292 ￥23.93
90+
￥10.208 ￥23.2
510+
￥10.0628 ￥22.87
990+
￥9.9924 ￥22.71

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:240A

型号：IRFS3006TRL7PP 编号：C538002

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥18.65
10+
￥14.5054 ￥15.94
30+
￥11.5344 ￥14.24
100+
￥10.1331 ￥12.51
500+
￥9.4932 ￥11.72
800+
￥9.2178 ￥11.38

有货

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1.2kV 20A

型号：IHW20N120R5 编号：C536118

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。TRENCHSTOP™技术，具有以下特点:非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定性能。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥19.12
10+
￥16.41
30+
￥13.89
90+
￥12.15
480+
￥11.37
960+
￥11.03

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:84A

型号：IPP120N20NFD 编号：C537163

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qₘ。针对硬换向耐用性进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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1+
￥22.7
10+
￥19.84
50+
￥18.05

有货

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降压型 70A 4.25V~16V

型号：TDA21472 编号：C539592

封装：IQFN-39-EP(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA21472是一款高效率的DC-DC转换器电压调节器,集成了驱动器、肖特基二极管和高侧及低侧MOSFET。它支持4.25 V至16 V的输入电压范围,输出电压范围从0.25 V到5.5 V,最大输出电流为70 A,开关频率可达1.5MHz。该器件还具有多种保护功能,包括逐周期过流保护、VCC/VDRV欠压锁定保护和MOSFET相位故障检测。其封装为5 mm x 6 mm x 1 mm的PQFN,适用于CPU、GPU和DDR内存阵列等应用。

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1+
￥22.78
10+
￥19.46
30+
￥17.48

有货

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650V 74A

型号：IKW40N65F5 编号：C536217

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥25.1064 ￥34.87
10+
￥18.6496 ￥30.08
30+
￥14.1596 ￥27.23
90+
￥12.662 ￥24.35
510+
￥11.9704 ￥23.02
990+
￥11.6584 ￥22.42

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1个N沟道耐压:1.2kV 电流:4.7A

型号：IMBG120R350M1HXTMA1 编号：C6879142

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换向的坚固体二极管。应用：驱动器。基础设施-充电器

1+
￥31.98
10+
￥27.05
30+
￥24.12

有货

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1个N沟道耐压:300V 电流:100A

型号：IRF300P226 编号：C537753

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dv/dt和dv/dt能力。无铅；符合RoHS标准；无卤。应用：UPS和逆变器应用。半桥和全桥拓扑

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1+
￥36.56
10+
￥35.67
25+
￥35.08

有货

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200V 8.6V~18V 1A

型号：IR1168STRPBF 编号：C500524

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR1168是一款双路智能次级侧整流器驱动IC，旨在驱动两个用作谐振转换器应用中同步整流器的N沟道功率MOSFET。该IC可控制一个或多个并联的N沟道MOSFET，以模拟肖特基二极管整流器的特性。对每个整流MOSFET的漏源电压进行差分检测，以确定电流大小，并在接近零电流转换时对功率开关进行导通和关断操作

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1+
￥38.65
10+
￥33.46
30+
￥30.3
100+
￥14.3728 ￥27.64

有货

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650V 64A

型号：IPW60R018CFD7 编号：C537443

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有一流的反向恢复电荷和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现

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1+
￥46.64
10+
￥40.11
30+
￥36.13

有货

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1.2kV 150A

型号：IKQ75N120CS6 编号：C536207

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：硬开关和谐振拓扑结构下的高效率。由于VCEsat正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：工业不间断电源。充电器

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1+
￥55.78
10+
￥48.59
30+
￥42.05

有货

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双向TVS 5.5V截止峰值浪涌电流：3A@8/20us

型号：ESD108-B1-CSP0201E6327 编号：C94635

封装：WLL-2-1

品牌：Infineon(英飞凌)

双向ESD，英飞凌超低电容ESD/瞬态保护二极管

数据手册

10+
￥0.2831
100+
￥0.2223
300+
￥0.192
1000+
￥0.1692

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:56A

型号：IRF40R207 编号：C3007638

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥3.91
10+
￥3.15
30+
￥2.78

有货

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1个N沟道耐压:75V 电流:183A

型号：IRFB7734PBF 编号：C537874

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥4
10+
￥3.29
50+
￥2.93
100+
￥2.57

有货

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600V 7.8A

型号：IRGR3B60KD2TRP 编号：C3190816

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低VCE (on)非穿通IGBT技术。低二极管VF。 10μs短路能力。方形RBSOA。超软二极管反向恢复特性。正VCE (on)温度系数。无铅

1+
￥10.08
10+
￥9.91
30+
￥9.8
100+
￥9.69

有货

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800V 10.5V~25V

型号：ICE2QR2280G 编号：C535755

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSET™- Q1系列（ICE2QRxx80G）是第一代准谐振集成功率IC。它针对离线开关模式电源应用进行了优化，如液晶显示器、可读写DVD、DVD组合光驱、蓝光DVD、机顶盒等。通过使MOSFET开关工作在准谐振模式，开关模式电源有望降低电磁干扰（EMI）、提高效率并降低次级二极管的电压应力

数据手册

1+
￥11.96
10+
￥10.38
30+
￥9.5

有货

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600V 20A

型号：IKP20N60H3 编号：C116435

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速DuoPack：采用沟槽和场截止技术的IGBT，具有软恢复、快速恢复的反并联二极管

数据手册

1+
￥13.71
10+
￥11.63
50+
￥10.34
100+
￥9.01

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:72A

型号：IRFS4127TRLPBF 编号：C413499

封装：D2PAk

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥14.13
10+
￥12.06
30+
￥10.77

有货

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600V 18A

型号：IPTA60R180CM8XTMA1 编号：C27391715

封装：LHSOF-4

品牌：Infineon(英飞凌)

8 代 CoolMOS 平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的继任者。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥15.1
10+
￥12.81
30+
￥11.38

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:180A

型号：IRFS4010TRLPBF 编号：C538014

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥15.52
10+
￥13.01
30+
￥11.44
100+
￥9.83

有货

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1.2kV 25A

型号：IHW25N120E1 编号：C536121

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换相设计。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥15.7824 ￥24.66
10+
￥11.4858 ￥21.27
30+
￥8.4744 ￥19.26
90+
￥7.5768 ￥17.22
510+
￥7.1632 ￥16.28
990+
￥6.9784 ￥15.86

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1个N沟道耐压:100V 电流:43A

型号：IRFI4410ZPBF 编号：C537918

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥17.32
10+
￥13.671 ￥14.7
30+
￥10.8398 ￥13.06
100+
￥9.4454 ￥11.38
500+
￥8.8146 ￥10.62
1000+
￥8.549 ￥10.3

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