您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > Infineon二极管
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共222010
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
特性:提供1350V的高击穿电压,提高可靠性。 强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。 TRENCHSTOP™技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性,温度稳定性能。 -低Vce(sat)。 -由于Vce(sat)具有正温度系数,易于并联开关。应用:感应烹饪。 逆变微波炉
数据手册
  • 1+

    ¥11.28
  • 10+

    ¥9.63
  • 30+

    ¥8.6
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征了电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥11.72
    • 10+

      ¥9.97
    • 25+

      ¥7.75
  • 有货
  • 特性:强大的单片反向导通二极管,正向电压低。 TRENCHSTOP™ 技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和稳定的温度特性。 -极低的 VCEsat 和低 Eoff。 -由于 VCEsat 的正温度系数,易于并联开关。 低 EMI。应用:感应烹饪。 逆变微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥12.7756 ¥16.81
    • 10+

      ¥10.5732 ¥16.02
    • 30+

      ¥8.708 ¥15.55
    • 90+

      ¥8.4448 ¥15.08
    • 510+

      ¥8.3216 ¥14.86
    • 990+

      ¥8.2656 ¥14.76
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩SOA。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥13.68
    • 10+

      ¥11.54
    • 30+

      ¥10.21
    • 100+

      ¥8.84
  • 有货
  • 高速DuoPack:采用沟槽和场截止技术的IGBT,具有软恢复、快速恢复的反并联二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥13.96
    • 10+

      ¥11.89
    • 50+

      ¥10.59
    • 100+

      ¥9.27
  • 有货
  • 特性:强大的单片二极管,针对零电流开关 (ZCS) 应用进行了优化。 TRENCHSTOP™ 5 技术应用提供: -高耐用性,温度稳定性能。 -极低的集电极-发射极饱和电压 (VCEsat) 和低最大值 (Emax)。 -由于 VCEsat 具有正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰 (EMI)。 电气参数对温度的依赖性低。应用:焊接。 功率因数校正 (PFC)
    数据手册
    • 1+

      ¥15.34
    • 10+

      ¥12.89
    • 30+

      ¥11.36
    • 90+

      ¥9.79
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP技术提供极低的VCEsat。 低EMI。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175℃。 针对目标应用通过JEDEC认证。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:不间断电源。 焊接转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥18.3677 ¥25.87
    • 10+

      ¥15.0365 ¥24.65
    • 30+

      ¥12.2043 ¥23.93
    • 90+

      ¥11.832 ¥23.2
    • 510+

      ¥11.6637 ¥22.87
    • 990+

      ¥11.5821 ¥22.71
  • 有货
  • 是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。最新的 CFD7 是 CFD2 系列的继任者,是为软开关应用(如相移全桥 (ZVS) 和 LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断性能,CFD7 在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合,且不影响设计过程中的易实现性。CFD7 技术满足最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。总的来说,CFD7 使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便、更凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥18.53
    • 10+

      ¥15.6
    • 30+

      ¥13.77
  • 有货
  • IR3888是一款易于使用的全集成直流-直流降压调节器。其内置的PWM控制器和OptiMOSTM FET以及集成的自举二极管使其成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间(CoT)控制方案,简化了设计并实现了快速控制响应。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.42
    • 10+

      ¥18.41
    • 30+

      ¥17.81
    • 100+

      ¥17.21
  • 有货
  • 特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换流设计。TRENCHSTOP™技术,具有以下特点:非常紧密的参数分布。高鲁棒性,温度稳定性能。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。低电磁干扰。应用:感应烹饪。逆变微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥20.02
    • 10+

      ¥17.34
    • 30+

      ¥14.83
    • 90+

      ¥13.22
    • 480+

      ¥12.48
    • 960+

      ¥12.14
  • 有货
  • TDA21472是一款高效率的DC-DC转换器电压调节器,集成了驱动器、肖特基二极管和高侧及低侧MOSFET。它支持4.25 V至16 V的输入电压范围,输出电压范围从0.25 V到5.5 V,最大输出电流为70 A,开关频率可达1.5MHz。该器件还具有多种保护功能,包括逐周期过流保护、VCC/VDRV欠压锁定保护和MOSFET相位故障检测。其封装为5 mm x 6 mm x 1 mm的PQFN,适用于CPU、GPU和DDR内存阵列等应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥22.92
    • 10+

      ¥19.59
    • 30+

      ¥17.62
  • 有货
  • 最新的 650V 产品扩展了 CFD7 系列的电压等级,是 650V CoolMOS CFD2 的继任者。由于改进了开关性能和出色的热性能,其在谐振开关拓扑(如 LLC 和移相全桥 (ZVS))中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合。该技术满足了最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。
    • 1+

      ¥30.07
    • 10+

      ¥25.58
    • 30+

      ¥22.92
  • 有货
  • 最新的650 V CoolMOS™ CFD7扩展了CFD7系列的电压等级产品,是650 V CoolMOS™ CFD2的换代产品。凭借改进的开关性能和出色的热性能,650 V CoolMOS™ CFD7在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥(ZVS))中实现了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分,这一新产品系列融合了快速开关技术的所有优势以及卓越的硬换相鲁棒性
    • 1+

      ¥34.75
    • 10+

      ¥29.67
    • 30+

      ¥26.58
  • 有货
  • 是单极、常开的固态继电器,用于模拟信号的通用开关,可替代机电继电器。利用HEXFET功率MOSFET作为输出开关,由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管的辐射控制,与光伏发生器进行光隔离。克服了传统机电继电器和簧片继电器的局限性,具有长寿命、快速操作速度、低启动功率、无弹跳操作、低热失调电压和微型封装等固态优势
    数据手册
    • 单价:

      ¥43.09 / 个
  • 有货
  • 提供集成快速体二极管,可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。
    • 1+

      ¥53.09
    • 10+

      ¥45.27
    • 30+

      ¥40.5
  • 有货
  • 特性:VCE = 650 V。 IC = 150 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业UPS。 EV充电
    • 1+

      ¥77.52
    • 10+

      ¥74.88
  • 有货
  • 双向ESD,英飞凌超低电容ESD/瞬态保护二极管
    数据手册
    • 10+

      ¥0.3038
    • 100+

      ¥0.243
    • 300+

      ¥0.2126
    • 1000+

      ¥0.1898
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。 无铅。 无卤。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥3.23
    • 10+

      ¥3.15
    • 30+

      ¥3.1
  • 有货
  • 电路包括霍尔发生器、放大器和施密特触发器在一个芯片上。内部参考为组件提供电源电压。垂直于芯片表面的磁场在霍尔探头处感应出电压。该电压被放大并切换一个具有集电极开路输出的施密特触发器。集成了一个防止反向电源的保护二极管。输出受到保护,免受电气干扰。
    • 1+

      ¥4.39
    • 10+

      ¥4.3
    • 30+

      ¥4.23
  • 有货
  • 电路包括霍尔发生器、放大器和施密特触发器在一个芯片上。内部参考为组件提供电源电压。垂直于芯片表面的磁场在霍尔探头处感应出电压。该电压被放大并切换一个具有集电极开路输出的施密特触发器。集成了一个防止反向电源的保护二极管。输出受到保护,免受电气干扰。 当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时,霍尔效应IC的输出将导通(工作点)。当电流减小时,IC的输出关闭(释放点)。 当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时,霍尔效应IC的输出将导通(工作点)。除非超过关闭磁感应强度 $B_{\mathrm{RP}}$ 的反向磁场,否则输出状态不会改变。在这种情况下,输出将关闭(释放点)。
    数据手册
    • 1+

      ¥5.9
    • 10+

      ¥4.79
    • 30+

      ¥4.23
    • 100+

      ¥3.68
  • 有货
  • IR11688是一款双路智能次级侧控制器IC,针对驱动两个配置用于谐振转换器应用中同步整流的N沟道功率MOSFET进行了优化。每个通道可驱动一个或多个并联的MOSFET,以模拟肖特基二极管整流器的行为,在每个导通周期的大部分时间内绕过体二极管,以最大限度地降低功耗,并在阻断期间保持关断状态。通过感测每个整流MOSFET的漏源电压来确定源漏电流,并在每个导通周期开始时迅速开启每个栅极,并在输出整流电路各支路的电流接近零转换时关断。采用先进的消隐方案和双脉冲抑制技术,可确保在固定和可变频率应用中可靠运行,实现了高耐用性和抗噪性。可编程最小导通时间(MOT)功能提供了在宽范围开关频率下工作的灵活性。逐周期MOT保护电路能够自动检测轻载或空载状态,以便禁用栅极驱动,避免不必要的反向电流流过MOSFET。IR11688的Vcc电源电压范围为4.75V至18V,使其电源可从输出端获取,从而在输出电压低至5V的系统中无需辅助电源电路。当栅极驱动不进行开关操作时,IR11688的静态电流非常低,可在待机模式下实现最低功耗。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.5123 ¥14.73
    • 10+

      ¥5.7523 ¥14.03
    • 30+

      ¥4.2191 ¥13.61
    • 100+

      ¥4.0858 ¥13.18
    • 500+

      ¥4.0269 ¥12.99
    • 1000+

      ¥3.999 ¥12.9
  • 有货
  • 特性:强大的单片体二极管,正向电压低,专为软换相设计。 TRENCHSTOP™ 技术应用提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性,温度稳定性能。 低集电极-发射极饱和电压 (VcEsat)。 由于 VcEsat 具有正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰 (EMI)。应用:感应烹饪。 逆变微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥8.9425 ¥12.25
    • 10+

      ¥7.5285 ¥11.95
    • 30+

      ¥6.2275 ¥11.75
    • 90+

      ¥6.1162 ¥11.54
  • 有货
  • CoolSET™- Q1系列(ICE2QRxx80G)是第一代准谐振集成功率IC。它针对离线开关模式电源应用进行了优化,如液晶显示器、可读写DVD、DVD组合光驱、蓝光DVD、机顶盒等。通过使MOSFET开关工作在准谐振模式,开关模式电源有望降低电磁干扰(EMI)、提高效率并降低次级二极管的电压应力
    数据手册
    • 1+

      ¥9.37
    • 10+

      ¥7.79
    • 30+

      ¥6.92
    • 100+

      ¥5.93
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 全面表征了电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥10.6
    • 10+

      ¥8.91
    • 50+

      ¥7.98
    • 100+

      ¥6.93
    • 500+

      ¥6.47
    • 1000+

      ¥6.26
  • 有货
  • 8 代 CoolMOS 平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的继任者。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,如低振铃趋势,为所有产品实施了快速体二极管(CFD),具有出色的抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外,CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。
    • 1+

      ¥14.16
    • 10+

      ¥11.87
    • 30+

      ¥10.45
    • 100+

      ¥8.98
  • 有货
  • 高速DuoPack封装:采用沟槽和场截止技术的IGBT,配备软恢复、快速恢复的反并联二极管,属于1200V高速开关系列第三代产品
    数据手册
    • 1+

      ¥18.97
    • 10+

      ¥16.19
    • 30+

      ¥12.68
    • 90+

      ¥10.9
    • 480+

      ¥10.09
    • 960+

      ¥9.74
  • 有货
  • 采用TRENCHSTOP™ 5技术的低VCE(sat)绝缘栅双极型晶体管(IGBT),与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.68
    • 10+

      ¥17
    • 30+

      ¥15.32
    • 90+

      ¥13.6
    • 510+

      ¥12.82
    • 990+

      ¥12.48
  • 有货
  • IR1168是一款双路智能次级侧整流器驱动IC,旨在驱动两个用作谐振转换器应用中同步整流器的N沟道功率MOSFET。该IC可控制一个或多个并联的N沟道MOSFET,以模拟肖特基二极管整流器的特性。对每个整流MOSFET的漏源电压进行差分检测,以确定电流大小,并在接近零电流转换时对功率开关进行导通和关断操作
    数据手册
    • 1+

      ¥20.098 ¥38.65
    • 10+

      ¥17.3992 ¥33.46
    • 30+

      ¥15.756 ¥30.3
    • 100+

      ¥14.3728 ¥27.64
  • 有货
  • 特性:VCE = 650V。IC = 70A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用:PFC。焊接
    • 1+

      ¥23.91
    • 10+

      ¥22.73
    • 30+

      ¥22.01
    • 90+

      ¥21.41
  • 有货
  • 特性:新型革命性高压技术。 TO 220封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。 超低栅极电荷。 具备周期性雪崩额定值。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 内置快速恢复体二极管。 极低的反向恢复电荷。 无铅镀铅;符合RoHS标准;无卤模塑料。 符合JEDEC工业级应用标准
    数据手册
    • 1+

      ¥24.11
    • 10+

      ¥21.25
    • 50+

      ¥19.46
  • 有货
  • 立创商城为您提供Infineon二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买Infineon二极管提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content