Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFB7534PBF 编号：C537870

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥5.59
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￥4.77
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￥3.56
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型号：IPP60R180P7 编号：C537209

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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￥5.93
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￥3.2046 ￥3.27
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￥3.0282 ￥3.09

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型号：IRFS3206TRRPBF 编号：C2688877

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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￥13.08
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￥11
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￥9.86
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型号：IRFS4321TRLPBF 编号：C513162

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低RDS(ON)降低损耗。低栅极电荷改善开关性能。改善二极管恢复性能，提高开关和EMI性能。 30V栅极电压额定值提高了稳健性。完全表征雪崩SOA。应用：运动控制应用。开关电源中的高效同步整流

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1+
￥14.74
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￥12.78
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型号：IPW65R080CFDA 编号：C537490

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先超结MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关超结MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥50.1227 ￥74.81
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￥42.0945 ￥73.85
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￥33.2478 ￥70.74

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型号：TDA38840AUMA1 编号：C3167432

封装：IQFN-36

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA38840是一款易于使用的完全集成的直流-直流降压调节器。其板载PWM控制器和OptiMOSTM FET以及集成的自举二极管使TDA38840成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间（CoT）控制方案,简化设计并实现快速控制响应。

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￥125.61
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型号：IPD60R280P7S 编号：C536813

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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￥3.38
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型号：IRFB5620PBF 编号：C520672

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用了最新的加工技术，以实现单位硅片面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）

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1+
￥9.2
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￥7.61
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￥6.74
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￥5.76
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型号：IPP65R190CFD 编号：C501516

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥13.64
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￥12.93
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￥11.72
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￥11.29
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￥11.09
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￥11

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型号：IRL40SC209 编号：C538126

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。具备完全表征的电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥14.3913 ￥18.69
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￥11.9327 ￥17.81
30+
￥9.8553 ￥17.29
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￥9.5532 ￥16.76
500+
￥9.4164 ￥16.52
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￥9.3537 ￥16.41

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型号：IPP220N25NFD 编号：C537172

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qₘ。针对硬换向耐用性进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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￥21.43
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型号：IKCM10H60GA 编号：C3615235

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

该模块系列可集成各种电源和控制组件，以提高可靠性、优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制三相交流电机和永磁电机，适用于高开关频率应用（约15kHz）的变速驱动器，如洗衣机，因为其关断开关损耗非常低。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的电源应用，同时具备EMI控制和过载保护功能。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，具有出色的电气性能。

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￥36.22
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￥29.99
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型号：IMZ120R090M1H 编号：C536293

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th)= 4.5V 。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。稳健的体二极管，适用于硬换向。应用：能源发电。太阳能串逆变器和太阳能优化器

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1+
￥46.896 ￥48.85
10+
￥40.2308 ￥46.78
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￥34.5876 ￥45.51
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￥33.782 ￥44.45

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型号：FF300R12KT4 编号：C541034

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

62mm C-系列模块,采用快速沟槽/场截止IGBT4和优化的发射极控制二极管

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1+
￥394.53
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￥384.16

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型号：BSC0901NSIATMA1 编号：C3278725

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能同步整流进行优化。单片集成类似肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。出色的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤素

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￥4.95
10+
￥4
30+
￥3.52
100+
￥3.05
500+
￥2.63
1000+
￥2.48

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型号：IPB65R310CFD 编号：C152418

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高耐用性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

1+
￥8.12
10+
￥7.41
30+
￥6.97
100+
￥6.51
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型号：IRFS7530TRL7PP 编号：C445669

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥10.58
10+
￥8.97
30+
￥8.09
100+
￥6.68

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型号：IRLB3036PBF 编号：C538145

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V的VGS下具有极低的RDS(ON)。在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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￥11.29
10+
￥9.68
50+
￥8.67
100+
￥7.63

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型号：IPW65R110CFD 编号：C454261

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性的结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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