Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IKA08N65F5 编号：C536135

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷Q_G。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥8.5981 ￥12.11
10+
￥6.8137 ￥11.17
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￥5.3907 ￥10.57
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￥4.9419 ￥9.69
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￥4.8807 ￥9.57

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型号：IRLB3036PBF 编号：C538145

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V的VGS下具有极低的RDS(ON)。在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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1+
￥9.95
10+
￥8.2
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￥7.23

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型号：2ED020I12-FI 编号：C533039

封装：DSO-18

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED020I12-FI是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有互锁的高端和低端参考输出。浮动高端驱动器可直接供电，也可通过自举二极管和电容供电。除了每个驱动器的逻辑输入外，2ED020I12-FI还配备了一个专用关断输入。所有逻辑输入均与3.3 V和5 V TTL兼容。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。传播延迟经过匹配，便于在高频应用中使用。两个驱动器均设计用于驱动最高工作电压达1.2 kV的N沟道功率MOSFET或IGBT。此外，还提供了一个通用运算放大器和一个通用比较器，可用于例如电流测量或过流检测。

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￥13.55
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￥12.81
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￥12.37
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￥11.93

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型号：IPP80R360P7 编号：C537260

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,ij，降低 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

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1+
￥14.2142 ￥20.02
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￥12.1481 ￥17.11
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￥10.8559 ￥15.29
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￥9.5282 ￥13.42
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￥8.9318 ￥12.58
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￥8.6762 ￥12.22

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型号：IRFS4127TRLPBF 编号：C413499

封装：D2PAk

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥14.92
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￥12.77
30+
￥11.42
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￥8.58

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型号：IHW40N65R6 编号：C20613158

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：完整的产品系列和PSpice模型。由于VCEsat具有正温度系数，易于并联开关。高耐用性和稳定的温度特性。低EMI。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。强大的单片反向导通二极管，正向电压低。应用：感应烹饪。微波炉

1+
￥15.3
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￥12.85
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￥11.31
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￥9.74

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型号：IRFS4010TRLPBF 编号：C538014

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥15.69
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￥13.18
30+
￥11.61
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￥10

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型号：IPW65R110CFDA 编号：C537493

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的稳健性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥18.35
10+
￥15.53
30+
￥13.2
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￥11.39

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型号：IKW40N60H3 编号：C128881

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用沟槽和场截止技术的高速DuoPack绝缘栅双极型晶体管（IGBT），配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。

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1+
￥18.37
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￥16.16
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￥14.78

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型号：IKQ75N120CH3 编号：C467848

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H3技术提供: 硬开关和谐振拓扑中的高效率。在Tv = 175℃时，具有10μs的短路耐受时间。由于VcEsat的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。充电器

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1+
￥53.5
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￥48.29
30+
￥45.11

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型号：BSZ0904NSIATMA1 编号：C6869294

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单芯片类肖特基二极管。极低导通电阻，在 VGS = 4.5V 时。 100% 雪崩测试。卓越的热阻。 N 沟道。符合 JEDEC 标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层，符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

1+
￥5.12
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￥4.1
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￥3.6
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￥3.09

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型号：IPA60R360P7S 编号：C459165

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥5.88
10+
￥4.91
50+
￥4.04
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￥3.56

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型号：IKP04N60T 编号：C536186

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

低损耗DuoPack封装：采用TrenchStop和Fieldstop技术的IGBT，搭配软恢复、快速恢复的反并联EmCon HE二极管。

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1+
￥6.26
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￥5.57
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￥4.9344 ￥5.14
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￥4.5024 ￥4.69
500+
￥4.3104 ￥4.49
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￥4.224 ￥4.4

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型号：IRFB4615PBF 编号：C537864

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥6.79
10+
￥5.65
50+
￥4.26

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型号：IRFS3806TRLPBF 编号：C538013

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dv/dt坚固性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥8.73
10+
￥7.33
30+
￥6.56
100+
￥4.914 ￥5.46
500+
￥4.572 ￥5.08
800+
￥4.41 ￥4.9

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型号：IKP15N60T 编号：C467845

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温：175℃。短路耐受时间：5μs。专为变频器和不间断电源设计。适用于600V应用的TRENCHSTOP™和场截止技术，提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定性能。 -非常高的开关速度。 VCE(sat)具有正温度系数。低电磁干扰。无铅镀铅；符合RoHS标准。非常软、快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。根据JEDEC针对目标应用进行了资格认证

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1+
￥10.66
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￥9.02
50+
￥7.73
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￥6.5464 ￥6.68
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￥6.0858 ￥6.21
1000+
￥5.88 ￥6

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型号：IRGP4062DPBF 编号：C500538

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低 Vce (on) 沟槽 IGBT 技术。低开关损耗。最高结温 175℃。5μs 短路安全工作区。方形反向偏置安全工作区。100% 的部件经过 I(LM) 测试。正 Vce (on) 温度系数。超快软恢复共封装二极管。紧密的参数分布。无铅封装

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1+
￥10.73
10+
￥9.03
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￥7.96
100+
￥6.87

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型号：IKP30N65H5 编号：C536198

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥11.2677 ￥15.87
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￥9.2293 ￥15.13
50+
￥7.4919 ￥14.69
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￥7.2624 ￥14.24
500+
￥7.1553 ￥14.03
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￥7.1094 ￥13.94

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型号：IPL60R185CFD7 编号：C537029

封装：VSON-4(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

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1+
￥12.66
10+
￥11.53
30+
￥10.82
100+
￥10.1

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型号：IRFI4212H-117P 编号：C500534

封装：TO-220F-5(Forming)

品牌：Infineon(英飞凌)

此数字音频MOSFET半桥专为D类音频放大器应用而设计。它由两个以半桥配置连接的功率MOSFET开关组成。采用最新工艺实现每单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。这些特性使该半桥成为D类音频放大器应用中高效、强大且可靠的器件。

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1+
￥13.79
10+
￥12.11
50+
￥7.35

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型号：IPD60R145CFD7 编号：C3277918

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、拥有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，同时不牺牲设计过程中的易实现性

1+
￥17.71
10+
￥14.99
30+
￥12.74

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型号：IKW15N120T2 编号：C79568

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

低损耗 DuoPack：采用第二代 TrenchStop 技术的 IGBT，具有软、快速恢复反并联发射极控制二极管。

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1+
￥20.21
10+
￥17.37
30+
￥15.59
90+
￥13.77
480+
￥12.94
960+
￥12.59

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型号：IPP120N20NFD 编号：C537163

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qₘ。针对硬换向耐用性进行优化。极低导通电阻 RDS(on)。 175℃ 工作温度。无铅镀铅，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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1+
￥22.03
10+
￥19.17
50+
￥17.38

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型号：IKWH60N65WR6 编号：C5359103

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 60 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

1+
￥23.58
10+
￥19.58
30+
￥17.21
90+
￥14.81

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型号：IHW40N135R5 编号：C536128

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流而设计。 TRENCHSTOP™技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定特性。 -低VCEsat。 -由于VCEsat具有正温度系数，易于并联开关。低EMI。应用：感应烹饪。微波炉

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1+
￥24.26
10+
￥20.7
30+
￥17.78
90+
￥15.64

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型号：IPW60R037P7XKSA1 编号：C454263

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且散热更好。

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1+
￥30.55
10+
￥26.43
30+
￥23.98

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型号：IKQ75N120CS6 编号：C536207

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：硬开关和谐振拓扑结构下的高效率。由于VCEsat正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：工业不间断电源。充电器

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1+
￥44.34
10+
￥42.54
30+
￥39.29

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型号：IPT60R035CFD7XTMA1 编号：C3278550

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的创新技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷，具有一流的反向恢复电荷和改进的关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合，且在设计过程中易于实现。