Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFS7434TRL7PP 编号：C538029

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征电容和雪崩 SOA。增强体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥7.58
10+
￥6.24
30+
￥5.5
100+
￥4.66

有货

立即购买

型号：IKA08N65F5 编号：C536135

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷Q_G。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥7.7504 ￥12.11
10+
￥6.0318 ￥11.17
50+
￥4.6508 ￥10.57
100+
￥4.3824 ￥9.96
500+
￥4.2636 ￥9.69
1000+
￥4.2108 ￥9.57

有货

立即购买

型号：TLE4935L 编号：C3715773

封装：SSO-3-2

品牌：Infineon(英飞凌)

电路包括霍尔发生器、放大器和施密特触发器在一个芯片上。内部参考为组件提供电源电压。垂直于芯片表面的磁场在霍尔探头处感应出电压。该电压被放大并切换一个具有集电极开路输出的施密特触发器。集成了一个防止反向电源的保护二极管。输出受到保护，免受电气干扰。

1+
￥10.16
10+
￥8.46
30+
￥7.53
100+
￥6.48

有货

立即购买

型号：IPP80R360P7 编号：C537260

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,ij，降低 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

数据手册

1+
￥10.2102 ￥20.02
10+
￥7.0151 ￥17.11
50+
￥4.7399 ￥15.29
100+
￥4.1602 ￥13.42
500+
￥3.8998 ￥12.58
1000+
￥3.7882 ￥12.22

有货

立即购买

型号：IKW30N60H3 编号：C114962

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速双封装：采用沟槽和场截止技术的 IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管。

数据手册

1+
￥11.32
10+
￥9.52
30+
￥8.21
90+
￥7.06

有货

立即购买

型号：IRFP7530PBF 编号：C513170

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥12.96
10+
￥11.21
25+
￥8.99

有货

立即购买

型号：IHW40N65R6 编号：C20613158

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：完整的产品系列和PSpice模型。由于VCEsat具有正温度系数，易于并联开关。高耐用性和稳定的温度特性。低EMI。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。强大的单片反向导通二极管，正向电压低。应用：感应烹饪。微波炉

1+
￥15.38
10+
￥12.93
30+
￥11.39
90+
￥9.82

有货

立即购买

型号：IGW50N65F5 编号：C536107

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。与升压转换器中的碳化硅肖特基二极管完美匹配。最高结温175℃。符合JEDEC标准，适用于目标应用。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥17.8496 ￥27.89
10+
￥14.3532 ￥26.58
30+
￥11.3564 ￥25.81
90+
￥11.0088 ￥25.02
510+
￥10.8504 ￥24.66
990+
￥10.7756 ￥24.49

有货

立即购买

型号：IHW30N135R5 编号：C536124

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™ 技术提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。微波炉

数据手册

1+
￥18.24
10+
￥15.53
30+
￥12.87
90+
￥11.13
480+
￥10.35
960+
￥10.01

有货

立即购买

型号：IPW60R070CFD7 编号：C537454

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

是一种用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。最新的 CFD7 是 CFD2 系列的继任者，是为软开关应用（如相移全桥 (ZVS) 和 LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改进的关断性能，CFD7 在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换相鲁棒性相结合，且不影响设计过程中的易实现性。CFD7 技术满足最高的效率和可靠性标准，并且支持高功率密度解决方案。总的来说，CFD7 使谐振开关拓扑更高效、更可靠、更轻便、更凉爽。

数据手册

1+
￥26.87
10+
￥22.84
30+
￥20.44

有货

立即购买

型号：IRFSL5615PBF 编号：C538049

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）

数据手册

1+
￥3.78
10+
￥3.36
50+
￥2.76
100+
￥2.56
500+
￥2.43

有货

立即购买

型号：BSC0504NSI 编号：C534345

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100% 雪崩测试。 N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

数据手册

1+
￥3.81
10+
￥3.06
30+
￥2.68
100+
￥2.3

有货

立即购买

型号：IRFB7537PBF 编号：C537871

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥5.31
10+
￥4.34
50+
￥3.85
100+
￥3.37

有货

立即购买

型号：BSZ0500NSI 编号：C534661

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

数据手册

1+
￥5.48
10+
￥4.38
30+
￥3.83
100+
￥3.28

有货

立即购买

型号：IRF7905TRPBF 编号：C537833

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：4.5V VGS时极低的RDS(on)。低栅极电荷。完全表征雪崩电压和电流。最大栅极额定电压20V。改进的体二极管反向恢复。 100%测试RG。应用：笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点转换器的双SO-8 MOSFET

数据手册

1+
￥6.33
10+
￥5.13
30+
￥4.54
100+
￥3.95
500+
￥3.59

有货

立即购买

型号：IKP04N60T 编号：C536186

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

低损耗DuoPack封装：采用TrenchStop和Fieldstop技术的IGBT，搭配软恢复、快速恢复的反并联EmCon HE二极管。

数据手册

1+
￥6.7032 ￥8.82
10+
￥5.3658 ￥8.13
50+
￥4.312 ￥7.7
100+
￥4.06 ￥7.25
500+
￥3.948 ￥7.05
1000+
￥3.9032 ￥6.97

有货

立即购买

型号：IKP20N65F5 编号：C536194

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用TRENCHSTOPTM 5技术的高速5 FAST IGBT，与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。

数据手册

1+
￥9.2799 ￥14.73
10+
￥7.4412 ￥14.04
50+
￥5.8609 ￥13.63
100+
￥5.6803 ￥13.21
500+
￥5.5986 ￥13.02
1000+
￥5.5599 ￥12.93

有货

立即购买

型号：IPL60R125P7AUMA1 编号：C3289363

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥12.81
10+
￥10.85
30+
￥9.62

有货

立即购买

型号：BSC009NE2LS5I 编号：C122543

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。100%雪崩测试。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥12.84
10+
￥11.1
30+
￥10.14

有货

立即购买

型号：IPL60R185CFD7 编号：C537029

封装：VSON-4(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷（Qg）、具有同类最佳的反向恢复电荷（Qrr）和改进的关断性能，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优点与卓越的硬换向鲁棒性相结合，同时在设计过程中易于实现

数据手册

1+
￥16.9
10+
￥14.19
30+
￥12.49

有货

立即购买

型号：IPW60R120P7 编号：C537467

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和低温。

数据手册

1+
￥18.8825 ￥22.75
10+
￥15.8337 ￥21.69
30+
￥13.2615 ￥21.05
90+
￥12.8583 ￥20.41
480+
￥12.6693 ￥20.11
960+
￥12.5874 ￥19.98

有货

立即购买

型号：IKW50N60DTP 编号：C501514

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供极低的VCEsat。低关断损耗。短尾电流。低电磁干扰。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。应用：驱动器。太阳能逆变器

数据手册

1+
￥20.38
10+
￥17.82
30+
￥16.22
90+
￥14.58
510+
￥13.83
990+
￥13.51

有货

立即购买

型号：IKW75N65EL5 编号：C454251

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用TRENCHSTOP™ 5技术的低VCE(sat)绝缘栅双极型晶体管（IGBT），与RAPID 1快速软恢复反并联二极管共封装。

数据手册

1+
￥22.83
10+
￥20.12
30+
￥18.43
90+
￥16.69
510+
￥15.91
990+
￥15.57

有货

立即购买

型号：IPW60R060P7 编号：C454258

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点，具有出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥29.4831
20+
￥28.2846
100+
￥27.5655
200+
￥26.8464
500+
￥26.367

我要订货

型号：TDA21590AUMA1 编号：C3191591

封装：IQFN-39

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA21590是一款高频率、低剖面的DC-DC转换器,适用于CPU、GPU和DDR内存阵列的电压调节。它集成了驱动器、活性二极管、控制MOSFET Q1和同步MOSFET Q2,具有多种保护功能,包括温度报告、过温保护、逐周期过流保护等。

1+
￥25.46
10+
￥21.8
30+
￥19.62

有货

立即购买

型号：IMBG120R220M1HXTMA1 编号：C5342192

封装：TO-263-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th)=4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换流的稳健体二极管。应用：驱动器。基础设施-充电器

1+
￥33.6
10+
￥28.77
30+
￥25.9

有货

立即购买

型号：IRF250P224 编号：C459947

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。无铅；符合RoHS标准；无卤。应用：UPS和逆变器应用。半桥和全桥拓扑

数据手册

1+
￥236.256
10+
￥230.0928
50+
￥225.984

我要订货

型号：PVG612S-TPBF 编号：C520649

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些产品在使用寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场的不敏感性和坚固性方面超过了机电继电器的性能。紧凑的产品特别适用于 12 至 48 伏交流或直流电源的高电流隔离开关。采用 6 引脚、模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）端子。有标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册

1+
￥69.49
10+
￥60.19
30+
￥54.53
100+
￥34.3482 ￥49.78

有货

立即购买

型号：IPT60R016CM8XTMA1 编号：C23569857

封装：PG-HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第八代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者，它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的ESD能力。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥104.52
10+
￥99.91
30+
￥91.92

有货

立即购买

型号：TLE4945L 编号：C539817

封装：SSO-3-2

品牌：Infineon(英飞凌)

电路包括霍尔发生器、放大器和施密特触发器在一个芯片上。内部参考为组件提供电源电压。垂直于芯片表面的磁场在霍尔探头处感应出电压。该电压被放大并切换一个具有集电极开路输出的施密特触发器。集成了一个防止反向电源的保护二极管。输出受到保护，免受电气干扰。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。当电流减小时，IC的输出关闭（释放点）。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。除非超过关闭磁感应强度 $B_{\mathrm{RP}}$ 的反向磁场，否则输出状态不会改变。在这种情况下，输出将关闭（释放点）。

数据手册

1+
￥5.9
10+
￥4.79
30+
￥4.23
100+
￥3.68

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示