Infineon二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IKW40N65H5 编号：C454249

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175°C。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥11.57
10+
￥9.8
30+
￥7.25
100+
￥6.15
500+
￥5.67
1000+
￥5.45

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型号：IKW40N120T2 编号：C111028

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于1200V应用的第二代TrenchStop，具有非常紧密的参数分布和高耐用性、温度稳定特性。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。具有低电磁干扰和低栅极电荷。采用软、快速恢复的反并联发射极控制二极管。

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1+
￥26.04
10+
￥22.8
30+
￥19.28
90+
￥17.34
480+
￥16.44
960+
￥16.03

有货

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型号：IRFP4868PBF 编号：C415700

封装：TO-247AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥14.59
10+
￥12.54
25+
￥10.67
75+
￥9.36
525+
￥8.76
975+
￥8.5

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型号：IRFH7004TRPBF 编号：C112334

封装：PQFN-8(4.9x5.8)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全特性电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。符合 RoHS 标准，无铅、无溴、无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥5.61
10+
￥4.66
30+
￥4.19
100+
￥3.72
500+
￥2.83
1000+
￥2.69

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型号：IPW65R041CFD 编号：C528753

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥39.22
10+
￥33.75
30+
￥30.49
90+
￥27.2
480+
￥25.69
960+
￥25

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型号：IMZ120R060M1HXKSA1 编号：C536292

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，便于简单的栅极驱动。完全可控的dV/dt。用于硬换向的坚固体二极管。应用：能源发电。 -太阳能串式逆变器和太阳能优化器

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1+
￥30.2
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￥25.64
30+
￥22.93
90+
￥20.2
510+
￥18.93
990+
￥18.36

有货

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型号：IRFB7434PBF 编号：C415697

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥5.66
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￥4.7
50+
￥3.37
100+
￥2.9
500+
￥2.61
1000+
￥2.47

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型号：IHW15N120R3 编号：C350814

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换相设计。TRENCHSTOP™ 技术应用提供:非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低 EMI。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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1+
￥13
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￥11.12
30+
￥9.95
90+
￥8.75
510+
￥8.2
990+
￥7.97

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型号：IKW50N65H5 编号：C476108

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可直接替代上一代IGBT。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥20.3
10+
￥17.38
30+
￥14.36
90+
￥12.49
510+
￥11.65
990+
￥11.28

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型号：IRFS7537TRLPBF 编号：C538034

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥6.36
10+
￥5.38
30+
￥4.89
100+
￥4.4
500+
￥3.11
800+
￥2.96

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型号：IKW50N65EH5 编号：C536218

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压650V。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能转换器

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1+
￥11.86
10+
￥9.99
30+
￥8.82
90+
￥7.62
510+
￥7.08
990+
￥6.84

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型号：IKW08T120 编号：C168885

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用 TrenchStop® 和 Fieldstop 技术的 IGBT，配备软、快恢复反并联发射极控制 HE 二极管

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1+
￥12.53
10+
￥11.54
30+
￥9.68
90+
￥9.04
480+
￥8.75
960+
￥8.63

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型号：IPA80R280P7 编号：C536421

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,t，降低了 Ωg、CGth 和 CGth。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

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1+
￥13.48
10+
￥11.58
50+
￥10.39
100+
￥9.18
500+
￥8.63
1000+
￥8.39

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型号：IKW25N120H3 编号：C111025

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速DuoPack封装：采用沟槽和场截止技术的IGBT，配备软恢复、快速恢复的反并联二极管，属于1200V高速开关系列第三代产品

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1+
￥20.25
10+
￥17.6
30+
￥14.24
90+
￥12.54
480+
￥11.78
960+
￥11.44

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型号：IPW65R080CFD 编号：C2916133

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。所得器件具有快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥24.82
10+
￥21.13
30+
￥18.94
90+
￥16.73
510+
￥15.71
990+
￥15.25

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型号：IKW40N120CS6 编号：C454252

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：1200V TRENCHSTOP IGBT6技术。硬开关和谐振拓扑中具有高效率。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。低EMI。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用：工业UPS。充电器

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1+
￥27.77
10+
￥24.01
30+
￥19.66
100+
￥17.4
500+
￥16.36

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型号：BSC014N04LSI 编号：C2934854

封装：TDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对同步整流进行优化。集成单片肖特基类二极管。极低的导通电阻RDS(on)。 100%雪崩测试。 N沟道，逻辑电平。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。由于扩大了源极互连，具有更高的焊点可靠性

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1+
￥9.29
10+
￥7.79
30+
￥6.98
100+
￥6.05
500+
￥5.19

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型号：IKW50N65F5 编号：C536219

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反向并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥14.55
10+
￥12.41
30+
￥10.65
100+
￥9.28
500+
￥8.67
1000+
￥8.4

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型号：IRFS7430TRLPBF 编号：C538028

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强的体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥18.41
10+
￥15.86
30+
￥14.27
100+
￥11.18
500+
￥10.44
800+
￥10.12

有货

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型号：IHW40N135R5 编号：C536128

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流而设计。 TRENCHSTOP™技术提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性，温度稳定特性。 -低VCEsat。 -由于VCEsat具有正温度系数，易于并联开关。低EMI。应用：感应烹饪。微波炉

数据手册

1+
￥21.14
10+
￥18.06
30+
￥15.54
90+
￥13.68
510+
￥12.83
990+
￥12.44

有货

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型号：IRFS7440TRLPBF 编号：C409762

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无铅、无溴和无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥3.44
10+
￥2.74
30+
￥2.44
100+
￥2.06
500+
￥1.89
800+
￥1.79

有货

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型号：BSC011N03LSI 编号：C534283

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能开关电源（SMPS）进行优化。集成单片肖特基式二极管。极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5V。 100%雪崩测试。卓越的热阻性能。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行合格认证。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥6.08
10+
￥4.96
30+
￥4.35
100+
￥3.66
500+
￥3.35
1000+
￥3.21

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型号：IRL40SC228 编号：C538127

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥11.82
10+
￥10.01
30+
￥8.88
100+
￥7.72
500+
￥7.2

有货

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型号：IPB117N20NFD 编号：C536540

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qm。针对硬换向耐用性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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1+
￥16.4
10+
￥13.76
30+
￥12.11
100+
￥10.41
500+
￥9.65
1000+
￥9.32

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型号：BSC0924NDI 编号：C534392

封装：TISON-8-EP(6x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：双N沟道。集成单片肖特基二极管。针对高性能降压转换器进行优化。逻辑电平（额定4.5V）。 100%雪崩测试。根据JEDEC标准针对目标应用进行鉴定。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-22标准无卤

数据手册

1+
￥3.43
10+
￥3.1
30+
￥2.94
100+
￥2.77
500+
￥2.09
1000+
￥2.04

有货

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型号：BSC010NE2LSI 编号：C534282

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。100% 雪崩测试。N 沟道。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 IEC61249-2-21 标准无卤素

数据手册

1+
￥7.9
10+
￥6.5
30+
￥5.73
100+
￥4.86
500+
￥4.47
1000+
￥4.29

有货

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型号：IPD60R180P7 编号：C467010

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥10.01
10+
￥7.8755 ￥8.29
30+
￥6.2475 ￥7.35
100+
￥5.3465 ￥6.29
500+
￥4.947 ￥5.82
1000+
￥4.7685 ￥5.61

有货

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型号：IPL60R075CFD7 编号：C537017

封装：VSON-4(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。最新的CoolMOS CFD7是CoolMOS CFD2系列的继任者，是为软开关应用（如移相全桥（ZVS）和LLC）量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有同类最佳的反向恢复电荷 (Qrr) 以及改善了关断特性，CoolMOS CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为英飞凌快速体二极管产品组合的一部分，这个新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性相结合，同时在设计过程中易于实施

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