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首页 > 热门关键词 > 萨科微二极管
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SLPESDMC2FD5VB是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。SLPESDMC2FD5VB典型电容为0.25pF,用于保护对寄生效应敏感的系统,使其免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变 - EFT)(40A,5/50ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。SLPESDMC2FD5VB采用超小型DFN1006封装。每个SLPESDMC2FD5VB器件可保护一条高速数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。低电容、超小尺寸和高ESD耐受性等综合特性,使SLPESDMC2FD5VB非常适合高速数据端口和高频线路应用,如手机和高清视觉设备。
  • 20+

    ¥0.1627
  • 200+

    ¥0.1276
  • 600+

    ¥0.1081
  • 2000+

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  • 10000+

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  • 20000+

    ¥0.0808
  • 有货
  • 特性:低导通电阻。 低栅极阈值电压。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。 ESD保护2KV HBM
    • 20+

      ¥0.1658
    • 200+

      ¥0.1313
    • 600+

      ¥0.1121
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      ¥0.1005
    • 8000+

      ¥0.0905
    • 16000+

      ¥0.0852
  • 有货
  • 类型 N VDSS(V) 30 ID@TC=54?C(A) 0.3 PD@TC=54?C(W) 0.35 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.34V 13000
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1666
    • 200+

      ¥0.1315
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      ¥0.112
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    • 9000+

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    • 21000+

      ¥0.077
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1684
    • 200+

      ¥0.1333
    • 600+

      ¥0.1138
    • 3000+

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    • 9000+

      ¥0.092
    • 21000+

      ¥0.0865
  • 有货
  • 特性:沟槽功率低压MOSFET技术。 高功率和电流处理能力。应用:负载/电源开关。 接口
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      ¥0.1764 ¥0.2205
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      ¥0.13712 ¥0.1714
    • 600+

      ¥0.11528 ¥0.1441
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      ¥0.10216 ¥0.1277
    • 9000+

      ¥0.0908 ¥0.1135
    • 21000+

      ¥0.08472 ¥0.1059
  • 有货
  • SLCESD3V3D3旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和其他许多电路板空间宝贵的便携式应用。此外,由于其电容低,还适用于高速线路等高频设计。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1785
    • 200+

      ¥0.1401
    • 600+

      ¥0.1188
    • 3000+

      ¥0.1011
    • 9000+

      ¥0.09
    • 21000+

      ¥0.084
  • 有货
  • 场效应管
    • 20+

      ¥0.1906
    • 200+

      ¥0.1485
    • 600+

      ¥0.1251
    • 3000+

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    • 9000+

      ¥0.0989
    • 21000+

      ¥0.0923
  • 有货
  • PPP(W) 350 VRWM(V) 5 VBR(V) 6 VC(V) 18 IPP(A) 17 IR(uA) 10 CJ(pF) 200
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1909
    • 200+

      ¥0.152
    • 600+

      ¥0.1304
    • 3000+

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      ¥0.0997
    • 21000+

      ¥0.0936
  • 有货
  • SLPESD5V0S1BA旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏电流和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源以及其他许多电路板空间宝贵的便携式应用。此外,由于其电容低,也适用于高频设计,如USB 2.0高速、VGA、DVI、SDI和其他高速线路应用。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1932
    • 200+

      ¥0.151
    • 600+

      ¥0.1276
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      ¥0.1111
    • 9000+

      ¥0.0989
    • 21000+

      ¥0.0923
  • 有货
  • 是用于高速接口静电放电保护的单片专用设备,适用于USB 2.0、以太网链路和视频线路等。极低的线路电容可确保高水平的信号完整性,同时保护敏感芯片免受最严格的静电放电冲击。
    • 20+

      ¥0.1953
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      ¥0.1298
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    • 9000+

      ¥0.1036
    • 21000+

      ¥0.097
  • 有货
  • PPP(W) 200 VRWM(V) 24 VBR(V) 26 VC(V) 50 IPP(A) 3 IR(uA) 1 CJ(pF) 17
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2054
    • 200+

      ¥0.1601
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      ¥0.0991
    • 20000+

      ¥0.092
  • 有货
  • SL2305S是高单元密度的沟槽型P沟道MOSFET,能为大多数同步降压转换器应用提供出色的导通电阻(RDSON)和栅极电荷。SL2305S符合RoHS标准和绿色产品要求,且通过了全功能可靠性认证。
    • 20+

      ¥0.2077
    • 200+

      ¥0.1618
    • 600+

      ¥0.1363
    • 3000+

      ¥0.121
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      ¥0.1077
    • 21000+

      ¥0.1006
  • 有货
  • 三极管 P沟道, VDSS耐压 20V, ID电流 2.3A, RDON导通电阻 115mR@VGS 4.5V(MAX), VGS(th)开启电压 0.4-1.0V,
    • 20+

      ¥0.2077
    • 200+

      ¥0.1618
    • 600+

      ¥0.1363
    • 3000+

      ¥0.121
    • 9000+

      ¥0.1077
    • 21000+

      ¥0.1006
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料外壳材料具有UL阻燃等级94V-O
    数据手册
    • 20+

      ¥0.214225 ¥0.2255
    • 200+

      ¥0.167105 ¥0.1759
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      ¥0.140885 ¥0.1483
    • 1800+

      ¥0.125115 ¥0.1317
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      ¥0.111435 ¥0.1173
    • 19800+

      ¥0.10412 ¥0.1096
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料外壳材料具有UL阻燃等级94V-O
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2208
    • 100+

      ¥0.1728
    • 300+

      ¥0.1488
    • 1800+

      ¥0.1307
    • 5400+

      ¥0.1163
    • 10800+

      ¥0.1091
  • 有货
  • PPP(W) 60 VRWM(V) 5 VBR(V) 8.4 VC(V) 12 IPP(A) 5 IR(uA) 0.1 CJ(pF) 18
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2253
    • 200+

      ¥0.1767
    • 600+

      ¥0.1497
    • 2000+

      ¥0.1335
    • 8000+

      ¥0.1195
    • 16000+

      ¥0.1119
  • 有货
  • SLESDBL7V0D3系列专为需要瞬态过压保护功能的应用而设计。它们适用于对电压和静电放电敏感的设备,如计算机、打印机、商用机器、通信系统、医疗设备等应用场景。这些器件非常适合电路板空间有限的情况。该系列专门用于保护连接到电源、数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)、电缆放电事件(CDE)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    • 20+

      ¥0.2259
    • 200+

      ¥0.1768
    • 600+

      ¥0.1495
    • 3000+

      ¥0.1331
    • 9000+

      ¥0.1189
    • 21000+

      ¥0.1112
  • 有货
  • 特性:适用于中功率放大和开关。 高电流增益
    • 20+

      ¥0.2297
    • 200+

      ¥0.1789
    • 600+

      ¥0.1507
    • 3000+

      ¥0.1338
    • 9000+

      ¥0.1191
    • 21000+

      ¥0.1113
  • 有货
  • 类型 N VDSS(V) 30 ID@TC=56?C(A) 4 PD@TC=56?C(W) 1.5 VGS(V) ±20 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.36V 60
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2331
    • 200+

      ¥0.1839
    • 600+

      ¥0.1566
    • 3000+

      ¥0.1402
    • 9000+

      ¥0.126
    • 21000+

      ¥0.1184
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料材料:UL 阻燃等级 94V-0
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2364
    • 100+

      ¥0.186
    • 300+

      ¥0.1608
    • 750+

      ¥0.1419
    • 5250+

      ¥0.1267
    • 9750+

      ¥0.1192
  • 有货
  • 硅外延平面晶体管
    • 10+

      ¥0.243
    • 100+

      ¥0.1936
    • 300+

      ¥0.1689
    • 3000+

      ¥0.1503
    • 6000+

      ¥0.1355
    • 9000+

      ¥0.1281
  • 有货
  • 特性:PWM应用。 负载开关。 电源管理
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2446
    • 100+

      ¥0.1946
    • 300+

      ¥0.1697
    • 3000+

      ¥0.1447
    • 6000+

      ¥0.1297
    • 9000+

      ¥0.1222
  • 有货
  • 类型 N VDSS(V) 30 ID@TC=59?C(A) 5.8 PD@TC=59?C(W) 1.4 VGS(V) ±12 RDS(on)(m?)Max.@TC= 25?C VGS=4.39V 45
    数据手册
    • 20+

      ¥0.2451
    • 200+

      ¥0.196
    • 600+

      ¥0.1687
    • 3000+

      ¥0.1402
    • 9000+

      ¥0.126
    • 21000+

      ¥0.1183
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料材料:UL 阻燃等级 94V-0
    数据手册
    • 10+

      ¥0.247475 ¥0.2605
    • 100+

      ¥0.199595 ¥0.2101
    • 300+

      ¥0.175655 ¥0.1849
    • 750+

      ¥0.141835 ¥0.1493
    • 5250+

      ¥0.127395 ¥0.1341
    • 9750+

      ¥0.12027 ¥0.1266
  • 有货
  • 输出类型:Adjustable 最大输入电压:30V 输出电流:1A 输出电压(最小值/固定值):1.25V 可调节输出
    数据手册
    • 10+

      ¥0.25042 ¥0.2636
    • 100+

      ¥0.19741 ¥0.2078
    • 300+

      ¥0.170905 ¥0.1799
    • 2500+

      ¥0.144305 ¥0.1519
    • 5000+

      ¥0.12844 ¥0.1352
    • 10000+

      ¥0.12046 ¥0.1268
  • 有货
  • SLESD3V3U4ULC旨在保护电压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中ESD保护的理想选择。
    • 10+

      ¥0.2582
    • 100+

      ¥0.202
    • 300+

      ¥0.1739
    • 3000+

      ¥0.1529
    • 6000+

      ¥0.136
    • 9000+

      ¥0.1276
  • 有货
  • 特性:玻璃钝化芯片结构。 提供单向和双向版本。 出色的钳位能力。 快速响应时间。 塑料材料:UL 阻燃等级 94V-0
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2642
    • 100+

      ¥0.2123
    • 300+

      ¥0.1864
    • 750+

      ¥0.1481
    • 5250+

      ¥0.1326
    • 9750+

      ¥0.1248
  • 有货
  • 特性:超低电容:0.5pF(典型值)。 反向关断电压:5V。 IEC 61000-4-2(空气放电):±20kV。 IEC 61000-4-2(接触放电):±15kV。应用:USB 3.0、USB 2.0。 HDMI 1.3/1.4、Display Port 1.3、eSATA
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2668
    • 100+

      ¥0.214
    • 300+

      ¥0.1876
    • 3000+

      ¥0.1491
    • 6000+

      ¥0.1332
    • 9000+

      ¥0.1253
  • 有货
    • 10+

      ¥0.27018 ¥0.2844
    • 100+

      ¥0.214605 ¥0.2259
    • 300+

      ¥0.186865 ¥0.1967
    • 3000+

      ¥0.157795 ¥0.1661
    • 6000+

      ¥0.141075 ¥0.1485
    • 9000+

      ¥0.13281 ¥0.1398
  • 有货
  • GBLC03C系列是超低电容瞬态电压抑制器阵列,旨在保护便携式电子设备和智能手机等应用。该系列提供单向和双向两种配置,对于8/20μs波形的额定功率为350瓦。GBLC03C系列符合IEC 61000-4-2(静电放电)和IEC 61000-4-4(电快速瞬变脉冲群)要求。在较高的工作频率或更快的边沿速率下,插入损耗和信号完整性是主要问题。该系列在微型SOD-323封装中提供超低电容和低泄漏电流。
    数据手册
    • 10+

      ¥0.2939
    • 100+

      ¥0.2339
    • 300+

      ¥0.2039
    • 3000+

      ¥0.1739
    • 6000+

      ¥0.1559
    • 9000+

      ¥0.1469
  • 有货
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