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首页 > 热门关键词 > 萨科微二极管
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SLDFN2C031V是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护。SLDFN2C031V的最大电容为15pF,用于保护对寄生参数敏感的系统,使其免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15 kV空气放电、±8 kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变脉冲群 - EFT)(40A,5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。SLDFN2C031V采用超小型DFN1006封装。每个SLDFN2C031V器件可保护一条数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。
数据手册
  • 50+

    ¥0.0382 ¥0.0955
  • 500+

    ¥0.03 ¥0.075
  • 1500+

    ¥0.02544 ¥0.0636
  • 10000+

    ¥0.0218 ¥0.0545
  • 20000+

    ¥0.01944 ¥0.0486
  • 50000+

    ¥0.01816 ¥0.0454
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0409
    • 500+

      ¥0.04
    • 3000+

      ¥0.0394
  • 有货
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      ¥0.0428
    • 1000+

      ¥0.0336
    • 3000+

      ¥0.0285
    • 9000+

      ¥0.0254
    • 51000+

      ¥0.0227
    • 99000+

      ¥0.0213
  • 有货
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      ¥0.0461
    • 1000+

      ¥0.0364
    • 3000+

      ¥0.0286
    • 9000+

      ¥0.0254
    • 51000+

      ¥0.0226
    • 99000+

      ¥0.0211
  • 有货
  • 特性:高电压和高电流。 出色的 hFE 线性度。 与 C1815 互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0507
    • 500+

      ¥0.0393
    • 3000+

      ¥0.0318
    • 6000+

      ¥0.028
    • 24000+

      ¥0.0247
    • 51000+

      ¥0.0229
  • 有货
  • 特性:适用于高压应用中的开关和放大,如电话应用
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0526
    • 500+

      ¥0.0515
    • 2000+

      ¥0.0444
    • 5000+

      ¥0.0436
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。只需设置开/关条件即可操作,使设备设计变得容易
    • 50+

      ¥0.0578
    • 500+

      ¥0.0565
    • 3000+

      ¥0.0556
    • 6000+

      ¥0.0547
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    • 50+

      ¥0.0578
    • 500+

      ¥0.0565
    • 3000+

      ¥0.0556
    • 6000+

      ¥0.0547
  • 有货
  • 特性:外延平面芯片结构。 有互补PNP类型(MMST2222A)。 标记:2F
    • 50+

      ¥0.059
    • 500+

      ¥0.0577
    • 3000+

      ¥0.0568
    • 6000+

      ¥0.056
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0601
    • 500+

      ¥0.0472
    • 1500+

      ¥0.04
    • 10000+

      ¥0.0356
  • 有货
  • SLE5VFBN102是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护。SLE5VFBN102的最大电容为12pF,旨在保护对寄生参数敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变脉冲群 - EFT)(40A,5/50 ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准
    • 50+

      ¥0.0601
    • 500+

      ¥0.0472
    • 1500+

      ¥0.04
    • 10000+

      ¥0.0356
    • 20000+

      ¥0.0319
    • 50000+

      ¥0.0299
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 只需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    • 50+

      ¥0.0606
    • 500+

      ¥0.0592
    • 3000+

      ¥0.0584
    • 6000+

      ¥0.0575
  • 有货
  • 特性:超低电容:0.35pF(典型值)。 反向工作电压:5V。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±20kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±20kV。 IEC 61000-4-5(雷电 8/20μs):4.5A。应用:智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
    数据手册
    • 20+

      ¥0.06512 ¥0.1628
    • 200+

      ¥0.05108 ¥0.1277
    • 600+

      ¥0.04328 ¥0.1082
    • 2000+

      ¥0.0386 ¥0.0965
    • 10000+

      ¥0.03452 ¥0.0863
    • 20000+

      ¥0.03236 ¥0.0809
  • 有货
  • 特性:适用于开关和音频放大器应用。 推荐使用PNP晶体管作为互补类型
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0692
    • 500+

      ¥0.0543
    • 3000+

      ¥0.0441
    • 6000+

      ¥0.0392
    • 24000+

      ¥0.0349
    • 51000+

      ¥0.0326
  • 有货
  • SLESD5411N是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护。SLESD5411N的最大电容仅为30pF,用于保护对寄生参数敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等要求。SLESD5411N采用超小型DFN1006封装。每个SLESD5411N器件可保护一条数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。
    • 50+

      ¥0.07232 ¥0.0904
    • 500+

      ¥0.0564 ¥0.0705
    • 1500+

      ¥0.04752 ¥0.0594
    • 10000+

      ¥0.04216 ¥0.0527
    • 20000+

      ¥0.03752 ¥0.0469
    • 50000+

      ¥0.03504 ¥0.0438
  • 有货
  • 特性:电容:15pF(典型值)。 反向工作电压:5V。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±25kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±25kV。 IEC 61000-4-5(雷电 8/20μs):5A。应用:智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0727
    • 500+

      ¥0.0565
    • 1500+

      ¥0.0475
    • 10000+

      ¥0.0403
    • 20000+

      ¥0.0356
    • 50000+

      ¥0.033
  • 有货
  • 特性:电容:15pF(典型值)。 反向工作电压:5V。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±25kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±25kV。 IEC 61000-4-5(雷电 8/20μs):5A。应用:智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0763
    • 500+

      ¥0.0601
    • 1500+

      ¥0.0511
    • 10000+

      ¥0.0457
    • 20000+

      ¥0.041
    • 50000+

      ¥0.0384
  • 有货
  • 特性:PNP高压晶体管
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0769
    • 500+

      ¥0.0613
    • 3000+

      ¥0.0465
    • 6000+

      ¥0.0413
    • 24000+

      ¥0.0368
    • 51000+

      ¥0.0344
  • 有货
  • 特性:Trench Power LV MOSFET技术。 高功率和电流处理能力。应用:PWM应用。 负载开关
    • 50+

      ¥0.0782
    • 500+

      ¥0.0609
    • 3000+

      ¥0.0513
    • 6000+

      ¥0.0456
    • 24000+

      ¥0.0406
    • 51000+

      ¥0.0379
  • 有货
  • 特性:通用开关。 相位控制应用。 固态继电器
    • 50+

      ¥0.0807
    • 500+

      ¥0.0628
    • 3000+

      ¥0.0529
    • 6000+

      ¥0.047
    • 24000+

      ¥0.0419
    • 51000+

      ¥0.0391
  • 有货
    • 50+

      ¥0.0831
    • 500+

      ¥0.0648
    • 3000+

      ¥0.0546
    • 6000+

      ¥0.0484
    • 24000+

      ¥0.0431
    • 51000+

      ¥0.0403
  • 有货
  • PPP(W) 72 VRWM(V) 3.3 VBR(V) 6 VC(V) 8.5 IPP(A) 8.5 IR(uA) 0.01 CJ(pF) 10
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0833
    • 500+

      ¥0.0644
    • 1500+

      ¥0.0539
    • 10000+

      ¥0.0477
    • 20000+

      ¥0.0422
    • 50000+

      ¥0.0392
  • 有货
  • 适用于开关和放大器应用
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0865
    • 500+

      ¥0.0676
    • 3000+

      ¥0.055
    • 6000+

      ¥0.0487
    • 24000+

      ¥0.0432
    • 51000+

      ¥0.0403
  • 有货
  • 特性:小封装。 与MMBT3906T互补
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0869
    • 500+

      ¥0.068
    • 3000+

      ¥0.0562
    • 6000+

      ¥0.0499
    • 24000+

      ¥0.0444
    • 51000+

      ¥0.0415
  • 有货
  • PPP(W) - VRWM(V) 5 VBR(V) 450 VC(V) 40 IPP(A) - IR(uA) 0.1 CJ(pF) 0.05
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0872 ¥0.109
    • 500+

      ¥0.06864 ¥0.0858
    • 1500+

      ¥0.05832 ¥0.0729
    • 10000+

      ¥0.05208 ¥0.0651
    • 20000+

      ¥0.04672 ¥0.0584
    • 50000+

      ¥0.04384 ¥0.0548
  • 有货
  • 特性:与S9015W互补。 小表面贴装封装
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0877
    • 500+

      ¥0.0688
    • 3000+

      ¥0.0562
    • 6000+

      ¥0.0499
    • 24000+

      ¥0.0444
    • 51000+

      ¥0.0415
  • 订货
  • PPP(W) 60 VRWM(V) 5 VBR(V) 8.4 VC(V) 12 IPP(A) 5 IR(uA) 0.1 CJ(pF) 18
    数据手册
    • 50+

      ¥0.092
    • 500+

      ¥0.0726
    • 1500+

      ¥0.0618
    • 10000+

      ¥0.0492
    • 20000+

      ¥0.0436
    • 50000+

      ¥0.0405
  • 有货
  • 特性:NPN开关晶体管
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0946
    • 500+

      ¥0.0746
    • 3000+

      ¥0.0608
    • 6000+

      ¥0.0542
    • 24000+

      ¥0.0484
    • 51000+

      ¥0.0453
  • 有货
  • PPP(W) 158 VRWM(V) 3.3 VBR(V) 5 VC(V) 14.1 IPP(A) 11.2 IR(uA) 0.9 CJ(pF) 105
    数据手册
    • 50+

      ¥0.098 ¥0.1225
    • 500+

      ¥0.07688 ¥0.0961
    • 3000+

      ¥0.06512 ¥0.0814
    • 6000+

      ¥0.05808 ¥0.0726
    • 24000+

      ¥0.052 ¥0.065
    • 51000+

      ¥0.04872 ¥0.0609
  • 有货
  • 设计用于保护对电压敏感的组件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中ESD保护的理想选择。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.0989
    • 500+

      ¥0.0795
    • 3000+

      ¥0.0631
    • 6000+

      ¥0.0566
    • 24000+

      ¥0.051
    • 51000+

      ¥0.0479
  • 有货
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