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首页 > 热门关键词 > 萨科微二极管
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  • SLESD8D7.0CA T5G是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护。SLESD8D7.0CA T5G的最大电容仅为30 pF,用于保护对寄生效应敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15 kV空气放电、±8 kV接触放电)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等要求。SLESD8D7.0CA T5G采用超小型DFN1006封装。每个SLESD8D7.0CA T5G器件可保护一条数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。
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      ¥0.1005
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  • 特性:与SS30101互补
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    • 24000+

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      ¥0.0497
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  • PPP(W) - VRWM(V) 18 VBR(V) 450 VC(V) 40 IPP(A) - IR(uA) 0.1 CJ(pF) 0.05
    数据手册
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      ¥0.10616 ¥0.1327
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      ¥0.05632 ¥0.0704
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      ¥0.05272 ¥0.0659
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  • 特性:Trench Power MV MOSFET技术。 电压控制小信号开关。 低输入电容。 快速开关速度。 低输入/输出泄漏。应用:电池供电系统。 固态继电器
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      ¥0.0545
    • 51000+

      ¥0.0509
  • 有货
  • 特性:低Cob,Cob = 2.0pF(典型值)
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      ¥0.118
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  • 有货
  • 特性:0603inch/1608mm 封装尺寸。 适用于高频、低电压应用的理想 ESD 保护。 超过 IEC 61000-4-2 测试要求。 超低电容:1.5pF(典型值)。 极低泄漏电流。 快速响应时间。应用:高速数据端口(USB 2.0、IEEE 1394)。 计算机及外设(手机、PDA、HDTV、DVD 播放器)
    数据手册
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      ¥0.119
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  • 有货
  • 特性:高密度单元设计,实现低导通电阻(RDS(on))。 电压控制小信号开关。 坚固可靠。 高饱和电流能力。 ESD保护。应用:便携式设备的负载开关。 DC/DC转换器
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1202
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  • 有货
  • 这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
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      ¥0.1212 ¥0.1515
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  • 这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
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  • 特性:电容:15pF(典型值)。 反向工作电压:5V。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±25kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±25kV。 IEC 61000-4-5(雷电 8/20μs):5A。应用:智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
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  • 特性:先进的沟槽工艺技术。 低阈值电压。 快速开关速度。 无卤无铅。 ESD防护高达2KV(HBM)。应用:便携式设备的负载开关。 电压控制小信号开关
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  • SLCESDB5V0D5旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他电路板空间有限的便携式应用。此外,由于其电容低,还适用于高频设计,如USB 2.0高速、VGA、DVI、SDI和其他高速线路应用。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,使其免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    数据手册
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      ¥0.1271
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  • 特性:低电流(最大100 mA)。低电压(最大45 V)
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  • 特性:小型表面贴装封装。 适用于中功率放大和开关。 与MMST5551互补
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      ¥0.0665
  • 有货
  • 特性:低电容:8pF(典型值)。 反向工作电压:12V。 IEC 61000-4-2(ESD 空气放电):±30kV。 IEC 61000-4-2(ESD 接触放电):±30kV。 IEC 61000-4-5(雷电 8/20μs):8A。应用:智能手机和平板电脑。 电视和机顶盒
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  • 特性:通用晶体管
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      ¥0.093
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      ¥0.0826
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      ¥0.0735
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      ¥0.0687
  • 有货
  • 特性:高击穿电压。 低集电极-发射极饱和电压。 与MMBTA92(PNP)互补
    • 20+

      ¥0.1438
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      ¥0.1129
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      ¥0.0958
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    • 9000+

      ¥0.0724
    • 21000+

      ¥0.0676
  • 有货
  • 特性:与MMBT3904M互补。 小封装
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      ¥0.1123
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      ¥0.0946
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  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    • 20+

      ¥0.1442
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      ¥0.1123
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      ¥0.0946
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    • 9000+

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      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低轮廓封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 10/1000μs波形下200W的峰值脉冲功率能力,重复率(占空比)为0.01%。 保证高温焊接:260°C/10秒,在引脚处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1477
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      ¥0.1159
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      ¥0.0748
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      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1481
    • 200+

      ¥0.1163
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      ¥0.0748
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1482
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  • 特性:适用于功率开关应用
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      ¥0.0742
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      ¥0.0692
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  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
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      ¥0.1177
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  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
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      ¥0.1552
    • 200+

      ¥0.1234
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      ¥0.1057
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      ¥0.0909
    • 9000+

      ¥0.0817
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      ¥0.0767
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
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      ¥0.1599
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      ¥0.1281
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    • 21000+

      ¥0.0767
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  • 沟槽功率中压MOSFET技术。电压控制小信号开关。低输入电容。快速开关速度。低输入/输出泄漏
    数据手册
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      ¥0.129
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