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首页 > 热门关键词 > 萨科微二极管
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SLSRV05 - 4提供典型的线间电容为0.3pF,在高达3GHz频率下插入损耗低,可提供更高的信号完整性,非常适合用于USB 2.0应用,如数字电视、DVD播放器、计算机、机顶盒以及移动计算设备中的MDDI应用。该系列产品专门设计用于保护连接到高速数据和传输线路的敏感元件,使其免受由ESD(静电放电)、CDE(电缆放电事件)和EFT(电快速瞬变)引起的过电压影响。
数据手册
  • 10+

    ¥0.09708 ¥0.2427
  • 100+

    ¥0.07596 ¥0.1899
  • 300+

    ¥0.0654 ¥0.1635
  • 3000+

    ¥0.05748 ¥0.1437
  • 6000+

    ¥0.05116 ¥0.1279
  • 9000+

    ¥0.04796 ¥0.1199
  • 有货
  • PPP(W) 158 VRWM(V) 3.3 VBR(V) 5 VC(V) 14.1 IPP(A) 11.2 IR(uA) 0.9 CJ(pF) 105
    数据手册
    • 50+

      ¥0.098 ¥0.1225
    • 500+

      ¥0.07688 ¥0.0961
    • 3000+

      ¥0.06512 ¥0.0814
    • 6000+

      ¥0.05808 ¥0.0726
    • 24000+

      ¥0.052 ¥0.065
    • 51000+

      ¥0.04872 ¥0.0609
  • 有货
  • 特性:SOT-23封装。低等效导通电阻。与FMMT491互补
    数据手册
    • 10+

      ¥0.09932 ¥0.2483
    • 100+

      ¥0.08008 ¥0.2002
    • 300+

      ¥0.07048 ¥0.1762
    • 3000+

      ¥0.05724 ¥0.1431
    • 6000+

      ¥0.05144 ¥0.1286
    • 9000+

      ¥0.04856 ¥0.1214
  • 有货
  • SLESD8D7.0CA T5G是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为数据、控制或电源线提供静电放电(ESD)保护。SLESD8D7.0CA T5G的最大电容仅为30 pF,用于保护对寄生效应敏感的系统免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15 kV空气放电、±8 kV接触放电)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等要求。SLESD8D7.0CA T5G采用超小型DFN1006封装。每个SLESD8D7.0CA T5G器件可保护一条数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1005
    • 500+

      ¥0.0789
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      ¥0.0669
    • 10000+

      ¥0.0529
    • 20000+

      ¥0.0466
    • 50000+

      ¥0.0432
  • 有货
  • 用于通用和开关应用。
    数据手册
    • 50+

      ¥0.1027
    • 500+

      ¥0.0805
    • 3000+

      ¥0.0658
    • 6000+

      ¥0.0584
    • 24000+

      ¥0.052
    • 51000+

      ¥0.0486
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计
    • 50+

      ¥0.107255 ¥0.1129
    • 500+

      ¥0.0836 ¥0.088
    • 3000+

      ¥0.070395 ¥0.0741
    • 6000+

      ¥0.06251 ¥0.0658
    • 24000+

      ¥0.05567 ¥0.0586
    • 51000+

      ¥0.051965 ¥0.0547
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。仅需设置开/关条件即可操作,便于设备设计
    • 50+

      ¥0.107255 ¥0.1129
    • 500+

      ¥0.0836 ¥0.088
    • 3000+

      ¥0.070395 ¥0.0741
    • 6000+

      ¥0.06251 ¥0.0658
    • 24000+

      ¥0.05567 ¥0.0586
    • 51000+

      ¥0.051965 ¥0.0547
  • 有货
  • 特性:低Cob,Cob = 2.0pF(典型值)。 与2SA1576A互补
    • 50+

      ¥0.1119
    • 500+

      ¥0.086
    • 3000+

      ¥0.0716
    • 6000+

      ¥0.0629
    • 24000+

      ¥0.0554
    • 51000+

      ¥0.0514
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路(参见等效电路)。偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入正偏置,几乎完全消除寄生效应。操作时只需设置开/关条件,便于设备设计
    • 50+

      ¥0.1129
    • 500+

      ¥0.088
    • 3000+

      ¥0.0741
    • 6000+

      ¥0.0658
    • 24000+

      ¥0.0586
    • 51000+

      ¥0.0547
  • 有货
  • 特性:高集电极电流。 与S9012互补。 出色的hFE线性度。 无卤
    • 20+

      ¥0.11536 ¥0.1442
    • 200+

      ¥0.08984 ¥0.1123
    • 600+

      ¥0.07568 ¥0.0946
    • 3000+

      ¥0.0672 ¥0.084
    • 9000+

      ¥0.05984 ¥0.0748
    • 21000+

      ¥0.05584 ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.11864 ¥0.1483
    • 200+

      ¥0.0932 ¥0.1165
    • 600+

      ¥0.07904 ¥0.0988
    • 3000+

      ¥0.0672 ¥0.084
    • 9000+

      ¥0.05984 ¥0.0748
    • 21000+

      ¥0.05584 ¥0.0698
  • 订货
  • 这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    • 20+

      ¥0.1212 ¥0.1515
    • 200+

      ¥0.0944 ¥0.118
    • 600+

      ¥0.07952 ¥0.0994
    • 3000+

      ¥0.07064 ¥0.0883
    • 9000+

      ¥0.06288 ¥0.0786
    • 21000+

      ¥0.05872 ¥0.0734
  • 有货
  • 这种新型数字晶体管系列旨在取代单个器件及其外部电阻偏置网络。偏置电阻晶体管(BRT)包含一个带有由两个电阻组成的单片偏置网络的单个晶体管,即一个串联基极电阻和一个基极-发射极电阻。BRT通过将这些单独的组件集成到一个器件中,消除了这些组件。使用BRT可以降低系统成本和电路板空间。该器件采用SOT-23封装,专为低功率表面贴装应用而设计。
    • 20+

      ¥0.1212 ¥0.1515
    • 200+

      ¥0.0944 ¥0.118
    • 600+

      ¥0.07952 ¥0.0994
    • 3000+

      ¥0.07064 ¥0.0883
    • 9000+

      ¥0.06288 ¥0.0786
    • 21000+

      ¥0.05872 ¥0.0734
  • 有货
    • 50+

      ¥0.1237
    • 500+

      ¥0.097
    • 3000+

      ¥0.0822
  • 有货
  • 特性:表面贴装封装。 N沟道开关。 低导通电阻。 在低逻辑电平栅极驱动下工作。 ESD保护。应用:负载/电源开关。 接口开关
    • 20+

      ¥0.12462 ¥0.2077
    • 200+

      ¥0.09708 ¥0.1618
    • 600+

      ¥0.08178 ¥0.1363
    • 3000+

      ¥0.0726 ¥0.121
    • 9000+

      ¥0.06462 ¥0.1077
    • 21000+

      ¥0.06036 ¥0.1006
  • 有货
  • SLPTVS5V5D1BL旨在保护电压敏感元件免受静电放电(ESD)和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限设计中静电放电保护的理想选择。由于其尺寸小,适用于手机、便携式设备、数码相机、电源和许多其他电路板空间有限的便携式应用。此外,由于其电容低,还适用于高速线路应用等高频设计。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件,免受静电放电(ESD)和电快速瞬变(EFT)引起的过电压影响。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.12616 ¥0.1577
    • 200+

      ¥0.09896 ¥0.1237
    • 600+

      ¥0.08384 ¥0.1048
    • 2000+

      ¥0.0748 ¥0.0935
    • 10000+

      ¥0.06696 ¥0.0837
    • 20000+

      ¥0.06272 ¥0.0784
  • 有货
  • PPP(W) - VRWM(V) 5 VBR(V) 140 VC(V) 100 IPP(A) - IR(uA) 0.5 CJ(pF) 1.5
    数据手册
    • 50+

      ¥0.128
    • 500+

      ¥0.101
    • 1500+

      ¥0.086
    • 4000+

      ¥0.0725
    • 24000+

      ¥0.0647
    • 48000+

      ¥0.0604
    • 100000+

      ¥0.0597
    • 200000+

      ¥0.0592
  • 有货
  • SLPESDMC2FD5VB是一款低电容瞬态电压抑制器(TVS),旨在为高速数据接口提供静电放电(ESD)保护。SLPESDMC2FD5VB典型电容为0.25pF,用于保护对寄生效应敏感的系统,使其免受过压和过流瞬态事件的影响。它符合IEC 61000 - 4 - 2(ESD)4级标准(±15kV空气放电、±8kV接触放电)、IEC 61000 - 4 - 4(电气快速瞬变 - EFT)(40A,5/50ns)、超快充电器件模型(CDM)ESD和电缆放电事件(CDE)等标准。SLPESDMC2FD5VB采用超小型DFN1006封装。每个SLPESDMC2FD5VB器件可保护一条高速数据线。它为系统设计人员在空间有限的情况下保护单条数据线提供了灵活性。低电容、超小尺寸和高ESD耐受性等综合特性,使SLPESDMC2FD5VB非常适合高速数据端口和高频线路应用,如手机和高清视觉设备。
    • 20+

      ¥0.13016 ¥0.1627
    • 200+

      ¥0.10208 ¥0.1276
    • 600+

      ¥0.08648 ¥0.1081
    • 2000+

      ¥0.07712 ¥0.0964
    • 10000+

      ¥0.06904 ¥0.0863
    • 20000+

      ¥0.06464 ¥0.0808
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1302
    • 200+

      ¥0.1021
    • 600+

      ¥0.0865
    • 2000+

      ¥0.0772
  • 有货
  • SLPESD 专为保护一条双向数据线免受静电放电(ESD)损坏而设计。
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1412
    • 200+

      ¥0.112
    • 600+

      ¥0.0958
    • 2000+

      ¥0.0861
    • 10000+

      ¥0.0685
    • 20000+

      ¥0.0639
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.14383 ¥0.1514
    • 200+

      ¥0.113525 ¥0.1195
    • 600+

      ¥0.09671 ¥0.1018
    • 3000+

      ¥0.077235 ¥0.0813
    • 9000+

      ¥0.068495 ¥0.0721
    • 21000+

      ¥0.06384 ¥0.0672
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1465
    • 200+

      ¥0.1149
    • 600+

      ¥0.0973
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1465
    • 200+

      ¥0.1149
    • 600+

      ¥0.0973
  • 有货
  • 是高单元密度沟槽式N沟道MOSFET,为大多数小功率开关和负载开关应用提供出色的导通电阻和效率。符合RoHS和绿色产品要求,并通过全功能可靠性认证。
    • 20+

      ¥0.14744 ¥0.1552
    • 200+

      ¥0.11571 ¥0.1218
    • 600+

      ¥0.09804 ¥0.1032
    • 3000+

      ¥0.0874 ¥0.092
    • 9000+

      ¥0.078185 ¥0.0823
    • 21000+

      ¥0.073245 ¥0.0771
  • 有货
  • 特性:适用于功率开关应用
    数据手册
    • 20+

      ¥0.14896 ¥0.1568
    • 200+

      ¥0.11818 ¥0.1244
    • 1000+

      ¥0.097185 ¥0.1023
    • 2000+

      ¥0.086925 ¥0.0915
    • 10000+

      ¥0.077995 ¥0.0821
    • 20000+

      ¥0.07315 ¥0.077
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.1547
    • 200+

      ¥0.1228
    • 600+

      ¥0.1051
    • 3000+

      ¥0.084
    • 9000+

      ¥0.0748
    • 21000+

      ¥0.0698
  • 有货
  • 特性:适用于表面贴装应用。 低外形封装。 低增量浪涌电阻,出色的钳位能力。 200W 峰值脉冲功率能力,波形为 10/1000μs,重复率(占空比):0.01%。 保证高温焊接:260℃/10 秒,在端子处
    数据手册
    • 20+

      ¥0.155135 ¥0.1633
    • 200+

      ¥0.124925 ¥0.1315
    • 600+

      ¥0.10811 ¥0.1138
    • 3000+

      ¥0.09405 ¥0.099
    • 9000+

      ¥0.08531 ¥0.0898
    • 21000+

      ¥0.08056 ¥0.0848
  • 有货
  • SLESD3V3U4ULC旨在保护电压敏感元件免受ESD和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间,使其成为电路板空间有限的设计中ESD保护的理想选择。
    • 10+

      ¥0.16086 ¥0.2681
    • 100+

      ¥0.12714 ¥0.2119
    • 300+

      ¥0.11034 ¥0.1839
    • 3000+

      ¥0.09768 ¥0.1628
    • 6000+

      ¥0.0876 ¥0.146
    • 9000+

      ¥0.0825 ¥0.1375
  • 有货
    • 20+

      ¥0.1627
    • 200+

      ¥0.1276
    • 600+

      ¥0.1081
  • 有货
  • 特性:内置偏置电阻,无需连接外部输入电阻即可配置反相器电路。 偏置电阻由完全隔离的薄膜电阻组成,允许输入负偏置,几乎完全消除寄生效应。 操作只需设置开/关条件,便于设备设计
    • 20+

      ¥0.16616 ¥0.2077
    • 200+

      ¥0.12944 ¥0.1618
    • 600+

      ¥0.10904 ¥0.1363
    • 3000+

      ¥0.0968 ¥0.121
    • 9000+

      ¥0.08616 ¥0.1077
    • 21000+

      ¥0.08048 ¥0.1006
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