维攀微二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：WTM05N50VD 编号：C53159315

封装：TO-252

品牌：WPMtek(维攀)

平面 TO-252 1个N沟道耐压:500V 电流:5A

5+
￥0.5503
50+
￥0.5382
150+
￥0.5302

有货

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型号：WTM04N65VD 编号：C53159314

封装：TO-252

品牌：WPMtek(维攀)

平面 TO-252 1个N沟道耐压:650V 电流:4A

5+
￥0.5503
50+
￥0.5382
150+
￥0.5302

有货

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型号：WL9100S3-30 编号：C2688240

封装：SOT-23-3L

品牌：WPMtek(维攀)

WL9100系列是一款高压、超低功耗、低压差稳压器。该器件可提供150mA输出电流，压差为300mV，并允许高达36V的输入电压。其典型静态电流仅为1.5µA。该器件提供1.8、2.5、2.8、3.0、3.3、3.6、4.0、4.2、4.4和5.0V的固定输出电压。该器件具有集成短路和热关断保护功能。

数据手册

5+
￥0.6795
50+
￥0.55
150+
￥0.4853
500+
￥0.4367
3000+
￥0.3378
6000+
￥0.3184

有货

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型号：WL9200P3-50B 编号：C7422641

封装：SOT-89

品牌：WPMtek(维攀)

高输入电压低功耗大电流

5+
￥0.9445
50+
￥0.7549
150+
￥0.6601
1000+
￥0.5495
2000+
￥0.4926
5000+
￥0.4642

有货

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型号：1.5KE30CA 编号：C7422644

封装：-

品牌：WPMtek(维攀)

高电流单/双向瞬态抑制器设计用于交流线路保护和高功率直流母线钳位应用。这些器件提供6.8伏至600伏的单/双向端口保护。它们提供的钳位电压低于雪崩电压。因此，任何因电流传导增加而导致的电压上升都被控制在最低限度，提供尽可能好的保护水平。它们还可以串联和/或并联连接，以创建非常高容量的保护解决方案。

5+
￥1.2233
50+
￥0.9713
150+
￥0.8633
1000+
￥0.6786
2000+
￥0.6186
5000+
￥0.5825

有货

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型号：WTM18N20VP 编号：C48642343

封装：TO-220

品牌：WPMtek(维攀)

是一种高压功率MOSFET，具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高耐用雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器中的高速开关应用。

5+
￥1.2578
50+
￥1.2302
150+
￥1.2117

有货

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型号：WTM08N65AD 编号：C46079384

封装：TO-252

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 8A 功率(Pd): 125W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 600mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA

1+
￥1.59
10+
￥1.56
30+
￥1.53
100+
￥1.51

有货

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型号：WTM20N65AP 编号：C48642341

封装：TO-220

品牌：WPMtek(维攀)

该功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术。此先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关电源。

1+
￥4.17
10+
￥4.08
50+
￥4.02

有货

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型号：WTM30N20VP 编号：C48642342

封装：TO-247-3L

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 30A 功率(Pd): 178W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 75mΩ@10V,18A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA

1+
￥4.22
10+
￥3.42
50+
￥3.02
100+
￥2.63

有货

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型号：5KP22A 编号：C7436965

封装：P600

品牌：WPMtek(维攀)

特性：5000W峰值脉冲功率能力，波形为10/1000μs，重复率（占空比）：0.05%。典型反向电流在10V以上小于2μA。 P600封装中的玻璃钝化芯片结。低增量浪涌电阻。出色的钳位能力。保证高温焊接：265℃ 10秒，0.375英寸（9.5mm）引脚长度，5磅（2.3kg）拉力。应用：I/O接口。 Vcc总线