维攀微二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：WTM04N65VF 编号：C53159401

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

平面 TO-220F 1个N沟道耐压:650V 电流:4A

5+
￥1.5275
50+
￥1.21
150+
￥1.0739

有货

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型号：BT138-600E 编号：C53159404

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

5+
￥1.5275
50+
￥1.21
150+
￥1.0739

有货

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型号：WTM07N65VD 编号：C53159367

封装：TO-252

品牌：WPMtek(维攀)

平面 TO-252 1个N沟道耐压:500V 电流:7A

5+
￥1.5517
50+
￥1.2292
150+
￥1.0909

有货

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型号：WTGF151N-545450 编号：C50176589

封装：SMD,D5xL5.4mm

品牌：WPMtek(维攀)

特性：高绝缘电阻。低电容 (≤1.0pF)。 10KA、5KA 8/20μs 最大浪涌电流容量，符合 IEC61000-4-5。 6KV 10/700μs 最大浪涌额定值，符合 ITU-TK.21。表面贴装气体避雷器。微间隙设计。应用：中继器、调制解调器。电话接口、线卡

5+
￥1.6245
50+
￥1.2868
150+
￥1.1421

有货

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型号：WTM07N60VF 编号：C53159402

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

平面 TO-220F 1个N沟道耐压:600V 电流:7A

5+
￥1.9881
50+
￥1.5749
150+
￥1.3977

有货

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型号：WTM18N20VP 编号：C48642343

封装：TO-220

品牌：WPMtek(维攀)

是一种高压功率MOSFET，具有更好的特性，如快速开关时间、低栅极电荷、低导通电阻和高耐用雪崩特性。该功率MOSFET通常用于开关电源和适配器中的高速开关应用。

5+
￥2.3276
50+
￥1.8437
150+
￥1.6364

有货

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型号：5.0SMDJ33A 编号：C2688201

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：WPMtek(维攀)

特性：玻璃钝化芯片。 5000W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）为 0.01%。低泄漏。单向和双向单元。出色的钳位能力。非常快的响应时间

数据手册

5+
￥2.38
50+
￥1.88
150+
￥1.66
500+
￥1.25
3000+
￥1.13
6000+
￥1.05

有货

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型号：WTM12N65VF 编号：C48642351

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 670V 连续漏极电流(Id): 12A 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 760mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA

1+
￥3.44
10+
￥2.79
50+
￥2.47

有货

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型号：WTM30N20VP 编号：C48642342

封装：TO-247-3L

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 30A 功率(Pd): 178W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 75mΩ@10V,18A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA

1+
￥4.22
10+
￥3.42
50+
￥3.02
100+
￥2.63

有货

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型号：5KP22A 编号：C7436965

封装：P600

品牌：WPMtek(维攀)

特性：5000W峰值脉冲功率能力，波形为10/1000μs，重复率（占空比）：0.05%。典型反向电流在10V以上小于2μA。 P600封装中的玻璃钝化芯片结。低增量浪涌电阻。出色的钳位能力。保证高温焊接：265℃ 10秒，0.375英寸（9.5mm）引脚长度，5磅（2.3kg）拉力。应用：I/O接口。 Vcc总线

1+
￥4.22
10+
￥3.4
30+
￥2.99
300+
￥2.58
600+
￥2.33
900+
￥2.21

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型号：WTM08N65AF 编号：C48642355

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 28A 功率(Pd): 125W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 600mΩ@10V,3.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA

1+
￥4.26
10+
￥3.46
50+
￥3.06

有货

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型号：WTM11N65AF 编号：C48642346

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 11A 功率(Pd): 78W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 380mΩ@10V,3.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@370uA

1+
￥4.72
10+
￥3.83
50+
￥3.38

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型号：WTM30N20VMP 编号：C48642338

封装：TO-247-3L

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 30A 功率(Pd): 178W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 750mΩ@10V,18A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA

1+
￥6.46
10+
￥5.38
30+
￥4.79

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型号：WTM20N65AP 编号：C48642341

封装：TO-220

品牌：WPMtek(维攀)

该功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术。此先进技术经过特别设计，可将导通电阻降至最低，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合高效开关电源。

1+
￥6.93
10+
￥5.77
50+
￥5.14

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型号：WTM10N80AF 编号：C50176603

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

该功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术。此先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源。

1+
￥7.54
10+
￥6.28
50+
￥5.58

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型号：WTM15N65AF 编号：C50176602

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

特性：BV(DSS) = 650 V, ID = 15 A。 R(DS(on)): 0.280 (Max) @ V(GS) = 10V。非常低的FOM (R(DS(on)) × Qg)。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。 100%雪崩测试。应用：开关模式电源 (SMPS)。不间断电源 (UPS)