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首页 > 热门关键词 > 维攀微二极管
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双向TVS 15V截止 峰值浪涌电流：8.2A
型号：SMF15CA 编号：C2688148
封装：SOD-123FL
品牌：WPMtek(维攀)
特性：峰值功耗：在10 x 1000 μs脉冲下为200W。 薄型封装。 出色的钳位能力。 玻璃钝化结。 快速响应时间：通常从0V到最小击穿电压小于1ns。 当最小击穿电压高于15V时，典型反向电流小于1μA。 IEC 61000-4-2 ESD防护：空气放电30kV，接触放电30kV。 符合IEC 61000-4-2标准的数据线路ESD保护。 符合IEC 61000-4-4标准的数据线路EFT保护
数据手册

  • 10+

    ￥0.2497

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    ￥0.1993

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    ￥0.1741

  • 3000+

    ￥0.1382

  • 6000+

    ￥0.1231

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    ￥0.1155
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    单向TVS 6V截止 峰值浪涌电流：19.4A
    型号：SMF6.0A 编号：C2688146
    封装：SOD-123FL
    品牌：WPMtek(维攀)
    特性：峰值功耗：在10 x 1000 μs脉冲下为200W。 薄型封装。 出色的钳位能力。 玻璃钝化结。 快速响应时间：通常从0V到最小击穿电压小于1ns。 当最小击穿电压高于15V时，典型反向电流小于1μA。 IEC 61000-4-2 ESD防护：空气放电30kV，接触放电30kV。 符合IEC 61000-4-2标准的数据线路ESD保护。 符合IEC 61000-4-4标准的数据线路EFT保护
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2743

    • 100+

      ￥0.2239

    • 300+

      ￥0.1987

    • 3000+

      ￥0.1461

    • 6000+

      ￥0.131

    • 9000+

      ￥0.1234
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    3.3V 500mA 6V
    型号：WL9002HD4-33 编号：C47817228
    封装：DFN-4L-EP(1x1)
    品牌：WPMtek(维攀)
    带EN 0.8uA超低功耗 130mV超低压差 500mA超大电流输出 65dB@（1KHz）高纹波抑制

    • 10+

      ￥0.2802

    • 100+

      ￥0.2226

    • 300+

      ￥0.1938

    • 1000+

      ￥0.1722
  • 有货
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    NPN 电流:3A 电压:30V
    型号：D882 编号：C2931376
    封装：SOT-89
    品牌：WPMtek(维攀)
    特性：功率耗散
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3789

    • 100+

      ￥0.3069

    • 300+

      ￥0.2709

    • 1000+

      ￥0.2232

    • 5000+

      ￥0.2016

    • 10000+

      ￥0.1907
  • 订货
    • 我要订货
    1.8V 1A 12V
    型号：AMS1117-1.8 编号：C2931368
    封装：SOT-223-4
    品牌：WPMtek(维攀)
    是一款低压差的线性稳压器。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3887

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      ￥0.3119

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      ￥0.2735

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      ￥0.2226

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      ￥0.1996

    • 10000+

      ￥0.188
  • 有货
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    降压型 1.5A 2.7V~5.5V
    型号：WD2015 编号：C2931366
    封装：SOT-23-5
    品牌：WPMtek(维攀)
    WD2015是一款高效的单片同步降压调节器,采用恒定频率电流模式架构。该设备提供可调版本。无负载时的供电电流为40μA,关断时降至<1μA。2.7V至5.5V的输入电压范围使WD2015能够在便携式系统中延长电池寿命。PWM/PFM模式操作提供非常低的输出纹波电压,适用于对噪声敏感的应用。开关频率内部设置为1.5MHz,允许使用小型表面贴装电感和电容。低输出电压可通过0.6V反馈参考电压轻松支持。WD2015采用低轮廓（1mm）5引脚薄型SOT封装,提供可调版本。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4112

    • 100+

      ￥0.3344

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      ￥0.296

    • 3000+

      ￥0.2311

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      ￥0.2081

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      ￥0.1965
  • 有货
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    双向TVS 22V截止 峰值浪涌电流：141A@10/1000us
    型号：5.0SMDJ22CA 编号：C2688197
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：WPMtek(维攀)
    特性：玻璃钝化芯片。 5000W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）为 0.01%。 低泄漏。 单向和双向单元。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间
    数据手册

    • 1+

      ￥2.4

    • 10+

      ￥1.88

    • 30+

      ￥1.66

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      ￥1.39

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      ￥1.27
  • 有货
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    N沟道MOSFET
    型号：WTM22N65AF 编号：C50176606
    封装：TO-247
    品牌：WPMtek(维攀)
    特性：BV_DSS = 650V，I_D = 22A。 R_DS(on) = 0.17Ω(最大值) × V_GS = 10V。 极低的品质因数 R_DS(on) × Q_g。 100% 雪崩测试。 符合 RoHS 标准。应用：开关模式电源 (SMPs)。 不间断电源 (UPS)

    • 1+

      ￥4.01

    • 10+

      ￥3.25

    • 50+

      ￥2.88

    • 100+

      ￥2.5
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    25A、650V N沟道功率MOSFET
    型号：WTM25N65VMP 编号：C48642340
    封装：TO-247-3L
    品牌：WPMtek(维攀)
    N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 25A 功率(Pd): 104W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 400mΩ@10V,12.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA

    • 1+

      ￥7.28

    • 10+

      ￥6.02

    • 30+

      ￥5.33

    • 90+

      ￥4.55
  • 有货
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    650V N沟道超结MOSFET
    型号：WTM30N65AP 编号：C48642347
    封装：TO-220
    品牌：WPMtek(维攀)
    N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 30A 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 130mΩ@10V,10.2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@1100uA

    • 1+

      ￥9.49

    • 10+

      ￥7.91

    • 50+

      ￥7.03
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    650V N沟道 Multi-EPI 超结MOSFET
    型号：WTM40N65AP 编号：C48642348
    封装：TO-220
    品牌：WPMtek(维攀)
    N沟道 漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 40A 功率(Pd): 43W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 90mΩ@10V,15.3A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@1.7mA

    • 1+

      ￥10.9

    • 10+

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    • 50+

      ￥8.27
  • 有货
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    用于开关、接口电路和驱动电路应用的NPN型硅外延平面晶体管
    型号：MMUN2235 编号：C3009889
    封装：SOT-23
    品牌：WPMtek(维攀)
    应用：开关电路。接口电路。驱动电路
    数据手册

    • 50+

      ￥0.1304

    • 500+

      ￥0.1034

    • 3000+

      ￥0.0802

    • 6000+

      ￥0.0712

    • 24000+

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      ￥0.0592
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    双向ESD 5V截止 峰值浪涌电流：25A
    型号：WPE0581D3H 编号：C7436961
    封装：SOD-323
    品牌：WPMtek(维攀)
    WPE0581D3H旨在保护电压敏感元件免受静电放电（ESD）和瞬态电压事件的影响。出色的钳位能力、低泄漏和快速响应时间，使其成为电路板空间有限的设计中静电放电保护的理想选择。该器件专门设计用于保护连接到数据和传输线路的敏感元件，防止由静电放电（ESD）、电缆放电事件（CDE）和电快速瞬变（EFT）引起的过电压。

    • 20+

      ￥0.2292

    • 200+

      ￥0.1812

    • 600+

      ￥0.1572

    • 3000+

      ￥0.1392

    • 9000+

      ￥0.1248

    • 21000+

      ￥0.1175
  • 有货
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    宽体 1个P沟道 耐压:30V 电流:4.2A
    型号：WTM3401 编号：C2847494
    封装：SOT-23-3
    品牌：WPMtek(维攀)
    应用：电池保护。电源管理。负载开关
    数据手册

    • 20+

      ￥0.2423

    • 200+

      ￥0.1927

    • 600+

      ￥0.1651

    • 3000+

      ￥0.1274

    • 9000+

      ￥0.113

    • 21000+

      ￥0.1053
  • 有货
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    单向TVS 13V截止 峰值浪涌电流：9.3A
    型号：SMF13A 编号：C2688147
    封装：SOD-123FL
    品牌：WPMtek(维攀)
    特性：峰值功耗：在10 x 1000 μs脉冲下为200W。 薄型封装。 出色的钳位能力。 玻璃钝化结。 快速响应时间：通常从0V到最小击穿电压小于1ns。 当最小击穿电压高于15V时，典型反向电流小于1μA。 IEC 61000-4-2 ESD防护：空气放电30kV，接触放电30kV。 符合IEC 61000-4-2标准的数据线路ESD保护。 符合IEC 61000-4-4标准的数据线路EFT保护
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2425

    • 100+

      ￥0.1921

    • 300+

      ￥0.1669

    • 3000+

      ￥0.1435

    • 6000+

      ￥0.1284

    • 9000+

      ￥0.1208
  • 有货
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    双向TVS 24V截止 峰值浪涌电流：7A
    型号：SD24C 编号：C2688126
    封装：SOD-323
    品牌：WPMtek(维攀)
    SDXXC旨在采用单片硅技术，替代手机、笔记本电脑和个人数字助理（PDA）等便携式应用中的多层压敏电阻（MLV），以实现快速响应时间和超低静电放电（ESD）钳位电压，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。SDXXC符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，可承受±30 kV空气放电和±30 kV接触放电。SDXXC采用无铅SOD - 323封装，可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件占用相同的PCB焊盘面积。
    数据手册

    • 10+

      ￥0.2442

    • 100+

      ￥0.1949

    • 300+

      ￥0.1702

    • 3000+

      ￥0.1421

    • 6000+

      ￥0.1273

    • 9000+

      ￥0.1199
  • 有货
    • 立即购买
    2.8V 500mA 6.5V
    型号：WL9004S5-28 编号：C3009894
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WPMtek(维攀)
    低功耗 高输出 高纹波抑制
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3029

    • 100+

      ￥0.2424

    • 300+

      ￥0.2121

    • 3000+

      ￥0.1755

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      ￥0.1573

    • 9000+

      ￥0.1483
  • 有货
    • 立即购买
    1.8V 500mA 6.5V
    型号：WL9004S5-18 编号：C3009896
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WPMtek(维攀)
    低功耗 高输出 高纹波抑制
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3362

    • 100+

      ￥0.269

    • 300+

      ￥0.2354

    • 3000+

      ￥0.1948

    • 6000+

      ￥0.1746

    • 9000+

      ￥0.1645
  • 有货
    • 立即购买
    PNP 电流:3A 电压:30V
    型号：B772 编号：C2931375
    封装：SOT-89-3L
    品牌：WPMtek(维攀)
    特性：低速开关
    数据手册

    • 10+

      ￥0.3489

    • 100+

      ￥0.2769

    • 300+

      ￥0.2409

    • 1000+

      ￥0.1914

    • 5000+

      ￥0.1698

    • 10000+

      ￥0.159
  • 有货
    • 立即购买
    1.5V 1A 15V
    型号：AMS1117-1.5 编号：C16197303
    封装：SOT-223-3L
    品牌：WPMtek(维攀)
    是一款低压差的线性稳压器。

    • 10+

      ￥0.3762

    • 100+

      ￥0.2994

    • 300+

      ￥0.261

    • 2500+

      ￥0.2226

    • 5000+

      ￥0.1996

    • 10000+

      ￥0.188
  • 有货
    • 立即购买
    单向TVS 4.5V截止 峰值浪涌电流：140A
    型号：WPE4581VD3 编号：C7436960
    封装：SOD-323
    品牌：WPMtek(维攀)
    WPE4581VD3专为替代便携式应用（如手机、笔记本电脑和个人数字助理）中的多层压敏电阻（MLV）而设计，采用单片硅技术，响应时间快，静电放电（ESD）钳位电压超低，是保护敏感半导体元件免受损坏的理想解决方案。WPE4581VD3符合IEC 61000 - 4 - 2（ESD）标准，空气放电和接触放电均可达±30 kV。该器件采用无铅SOD - 323封装，可保护一条单向线路。这些器件与0805 MLV器件的PCB焊盘面积相同。

    • 10+

      ￥0.4141

    • 100+

      ￥0.3301

    • 300+

      ￥0.2881

    • 3000+

      ￥0.2566

    • 6000+

      ￥0.2314

    • 9000+

      ￥0.2187
  • 有货
    • 立即购买
    3.3V 500mA 24V
    型号：WL9015S3-33 编号：C48642358
    封装：SOT-23
    品牌：WPMtek(维攀)
    带EN 2uA超低功耗 150mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@（1KHz）高纹波抑制

    • 10+

      ￥0.4435

    • 100+

      ￥0.3523

    • 300+

      ￥0.3067
  • 有货
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    2.8V 500mA 7V
    型号：WL9005S5-28 编号：C2688247
    封装：SOT-23-5L
    品牌：WPMtek(维攀)
    带EN 0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制
    数据手册

    • 10+

      ￥0.4709

    • 100+

      ￥0.3749

    • 300+

      ￥0.3269

    • 3000+

      ￥0.2783

    • 6000+

      ￥0.2495

    • 9000+

      ￥0.235
  • 有货
    • 立即购买
    3V 500mA 7V
    型号：WL9005D4-30 编号：C5357205
    封装：DFN-4L(1x1)
    品牌：WPMtek(维攀)
    超小封装 0.3uA超低功耗 100mV超低压差 500mA超大电流输出 70dB@(1KHz)高纹波抑制
    数据手册

    • 5+

      ￥0.6186

    • 50+

      ￥0.489

    • 150+

      ￥0.4242

    • 500+

      ￥0.3756

    • 2500+

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      ￥0.3173
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    3.3V 150mA 36V
    型号：WL9100P3-33B 编号：C7422642
    封装：SOT-89
    品牌：WPMtek(维攀)
    高输入电压 低功耗

    • 5+

      ￥0.7561

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      ￥0.5977

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    18A、200V N沟道功率MOSFET
    型号：WTM18N20VD 编号：C48642336
    封装：TO-252
    品牌：WPMtek(维攀)
    N沟道 漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 18A 功率(Pd): 62.5W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 200mΩ@10V,9A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA

    • 5+

      ￥1.673

    • 50+

      ￥1.3252

    • 150+

      ￥1.1762
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    N沟道增强型功率MOSFET
    型号：WTM40N20VP 编号：C50176604
    封装：TO-220
    品牌：WPMtek(维攀)
    使用先进的沟槽技术，可提供出色的导通电阻和低栅极电荷。可用于各种应用。

    • 1+

      ￥2.47

    • 10+

      ￥2.42

    • 50+

      ￥2.38
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    单向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：103A@10/1000us
    型号：5.0SMDJ30A 编号：C2688200
    封装：SMC(DO-214AB)
    品牌：WPMtek(维攀)
    特性：玻璃钝化芯片。 5000W 峰值脉冲功率能力，波形为 10/1000μs，重复率（占空比）为 0.01%。 低泄漏。 单向和双向单元。 出色的钳位能力。 非常快的响应时间
    数据手册

    • 1+

      ￥2.72

    • 10+

      ￥2.15

    • 30+

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    • 100+

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    • 1000+

      ￥1.19
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    20A、650V N沟道功率MOSFET
    型号：WTM20N65VMP 编号：C48642350
    封装：TO-247-3L
    品牌：WPMtek(维攀)
    该功率MOSFET采用先进的平面条纹DMOS技术，可最大限度地降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能脉冲。这些器件非常适合用于基于半桥拓扑的高效开关电源和有源功率因数校正。

    • 1+

      ￥3.88

    • 10+

      ￥3.79

    • 30+

      ￥3.72
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    N沟道 650V 20A
    型号：WTM20N65CF 编号：C50176610
    封装：TO-220F
    品牌：WPMtek(维攀)
    此功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术生产。该先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关模式电源。

    • 1+

      ￥4

    • 10+

      ￥3.91

    • 50+

      ￥3.85
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