维攀微二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：WTM11N65AF 编号：C48642346

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 11A 功率(Pd): 78W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 380mΩ@10V,3.4A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@370uA

1+
￥2.68
10+
￥2.62
50+
￥2.58

有货

立即购买

型号：WTM12N65VF 编号：C48642351

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 670V 连续漏极电流(Id): 12A 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 760mΩ@10V,6A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA

1+
￥3.44
10+
￥2.79
50+
￥2.47

有货

立即购买

型号：WTM08N80AD 编号：C48642335

封装：TO-252

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 800V 连续漏极电流(Id): 8A 功率(Pd): 29W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 670mΩ@10V,2A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@280uA

1+
￥3.47
10+
￥3.4
30+
￥3.35

有货

立即购买

型号：WTM30N20VMP 编号：C48642338

封装：TO-247-3L

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 200V 连续漏极电流(Id): 30A 功率(Pd): 178W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 750mΩ@10V,18A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA

1+
￥3.89
10+
￥3.8
30+
￥3.74

有货

立即购买

型号：WTM10N80AF 编号：C50176603

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

该功率MOSFET采用先进的超结MOSFET技术。此先进技术经过特别设计，可最大限度降低导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于高效开关电源。

1+
￥4.53
10+
￥4.43
50+
￥4.36

有货

立即购买

型号：WTM15N65AF 编号：C50176602

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

特性：BV(DSS) = 650 V, ID = 15 A。 R(DS(on)): 0.280 (Max) @ V(GS) = 10V。非常低的FOM (R(DS(on)) × Qg)。极低的开关损耗。出色的稳定性和均匀性。 100%雪崩测试。应用：开关模式电源 (SMPS)。不间断电源 (UPS)

1+
￥4.53
10+
￥4.43
50+
￥4.36

有货

立即购买

型号：WTM08N70AF 编号：C50176607

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

此功率MOSFET采用先进的超结技术生产。该先进技术经过特别设计，可最大限度地降低传导损耗，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。这些器件非常适合用于开关模式操作的AC/DC电源转换，以实现更高的效率。

1+
￥4.53
10+
￥4.43
50+
￥4.36

有货

立即购买

型号：WTM20N65FMP 编号：C48642353

封装：TO-247

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 20A 功率(Pd): 36W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 190mΩ@10V,8.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id):3V@1.7mA

1+
￥6.7
10+
￥6.55
30+
￥6.45

有货

立即购买

型号：SM8S18A 编号：C7436976

封装：DO-218AB

品牌：WPMtek(维攀)

特性：结钝化优化设计，采用钝化各向异性整流技术。结温能力达175°C，适用于高可靠性和汽车要求。提供双向极性。低泄漏电流。低正向压降。高浪涌能力。应用：用于敏感电子设备，防止由感性负载开关和雷击引起的电压瞬变，尤其适用于汽车负载突降保护应用

1+
￥8.32
10+
￥6.88
30+
￥6.09
100+
￥5.2
750+
￥4.8
1500+
￥4.62

有货

立即购买

型号：WTM20N65CP 编号：C48642357

封装：TO-220

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 20A 功率(Pd): 36W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 180mΩ@10V,10A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@250uA

1+
￥8.7
10+
￥7.24
50+
￥6.44

有货

立即购买

型号：WTM20N65FF 编号：C48642337

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

采用先进的超结MOSFET技术生产，这种先进技术特别设计用于最小化导通电阻，提供卓越的开关性能，并能承受雪崩和换向模式下的高能量脉冲。适用于高效开关电源。

1+
￥9.43
10+
￥7.85
50+
￥6.99

有货

立即购买

型号：WTM0550N15JP 编号：C46079377

封装：TO-220C-3L

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 150V 连续漏极电流(Id): 155A 功率(Pd): 312W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 5.5mΩ@10V,30A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2V@250uA

1+
￥10.15
10+
￥8.64
50+
￥7.7

有货

立即购买

型号：WTM20N65AF 编号：C5252679

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：170mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA

数据手册

1+
￥11.51
10+
￥9.79
50+
￥8.38

有货

立即购买

型号：WTM20N65AMP 编号：C5252678

封装：TO-247

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss)：650V 连续漏极电流(Id)：20A 功率(Pd)：150W 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：170mΩ@10V,5.5A 阈值电压(Vgs(th)@Id)：2V@250uA

数据手册

1+
￥12.32
10+
￥10.48
30+
￥8.96

有货

立即购买

型号：WTM30N65AF 编号：C5357209

封装：TO-220F

品牌：WPMtek(维攀)

特性：BV DSS = 650V, ID = 30A。 RDS(on): 0.130 Ω (Max) @ VGS = 10 V。极低的 FOM（RDS(on) × Qg）。极低的开关损耗。出色的稳定性和一致性。 100% 雪崩测试。应用：开关模式电源 (SMPS)。不间断电源 (UPS)

数据手册

1+
￥13.92
10+
￥11.81
50+
￥10.29
100+
￥8.93
500+
￥8.32
1000+
￥8.06

有货

立即购买

型号：WTM54N65FTL 编号：C46079382

封装：TOLL-8

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 54A 功率(Pd): 272W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 70mΩ@10V,18.7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@1.82mA

1+
￥15.5
10+
￥13.2
30+
￥11.76

有货

立即购买

型号：WTM54N65FMP 编号：C48642349

封装：TO-247

品牌：WPMtek(维攀)

N沟道漏源电压(Vdss): 650V 连续漏极电流(Id): 54A 功率(Pd): 272W 导通电阻(RDS(Pd)@Vgs,Id): 70mΩ@10V,18.7A 阈值电压(Vgs(th)@Id):2.5V@1.82mA

1+
￥19.07
10+
￥16.39
30+
￥14.79

有货

立即购买

型号：WL9193S5-18 编号：C47817224

封装：SOT-23-5

品牌：WPMtek(维攀)

带EN 36uA超低功耗 200mV超低压差 500mA超大电流输出 75dB@（1KHz）高纹波抑制

20+
￥0.1157
200+
￥0.1131
600+
￥0.1114

有货

立即购买

型号：WL9193S5-25 编号：C47817238

封装：SOT-23-5

品牌：WPMtek(维攀)

带EN 36uA超低功耗 200mV超低压差 500mA超大电流输出 75dB@（1KHz）高纹波抑制

20+
￥0.1157
200+
￥0.1131
600+
￥0.1114

有货

立即购买

型号：WL9193S5-12 编号：C47817230

封装：SOT-23-5

品牌：WPMtek(维攀)

带EN 36uA超低功耗 200mV超低压差 500mA超大电流输出 75dB@（1KHz）高纹波抑制

20+
￥0.1157
200+
￥0.1131
600+
￥0.1114

有货

立即购买

型号：WL6026A28S3M 编号：C2688244

封装：SOT-23

品牌：WPMtek(维攀)

低功耗LDO WL6026系列是高纹波抑制率、低功耗、低压差，具有过流和短路保护的CMOS降压型电压稳压器。这些器件具有很低的静态偏置电流（8.0μA Typ.），它们能在输入、输出电压差极小的情况下提250mA的输出电流，并且仍能保持良好的调整率。由于输入输出间的电压差很小和噪声很小以及静态偏置电流很小，这些器件不仅特别适用于希望延长有用电池寿命的电池供电类产品，如计算机、消费类产品和工业设备等，还特别适用于希望对纹波抑制较高的语音和图像设备，如摄像头、蓝牙等消费类产品等。

数据手册