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单向TVS 40V截止峰值脉冲电流：27A@8/20us

型号：SMAJ40A-TR 编号：C132940

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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￥0.365733 / 个

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双向TVS 16V截止峰值浪涌电流：2.2A@8/20us

型号：ESDZX168B-1BF4 编号：C41894049

封装：0201

品牌：ST(意法半导体)

ESDZX168B - 1BF4是一款双向单线瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护数据线或其他I/O端口免受静电放电（ESD）瞬变影响。由于具有极低的电容，ESDZX168B - 1BF4能够保护高速差分线，且不会影响信号完整性。凭借极低的钳位电压，ESDZX168B - 1BF4能够保护最敏感的亚微米技术电路

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单向TVS 128V截止峰值脉冲电流：2.9A

型号：P6KE150A 编号：C2802055

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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单向TVS 188V截止峰值脉冲电流：6A@8/20us

型号：SMAJ188A-TR 编号：C1973458

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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5+
￥0.9345
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单向TVS 16V截止峰值浪涌电流：123A@8/20us

型号：SMA6F15AY 编号：C1974319

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6FY 瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在保护敏感汽车电路，使其免受 ISO 7637 系列标准所定义的浪涌影响，并能依据 ISO 10605 标准抵御静电放电。平面工艺使其适用于要求低泄漏电流和高结温的高端电路，以提供长期的可靠性和稳定性。

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双向TVS 26V截止峰值脉冲电流：43A@8/20us

型号：SMAJ26CA-TR 编号：C1973192

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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￥0.383739 / 个

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单向TVS 20V截止峰值脉冲电流：54A@8/20us

型号：SMAJ20A-TR 编号：C1973455

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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￥0.37839 / 个

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双向TVS 130V截止峰值脉冲电流：9A@8/20us

型号：SMAJ130CA-TR 编号：C377950

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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单向TVS 6.5V截止峰值脉冲电流：160A@8/20us

型号：SMAJ6.5A-TR 编号：C1974706

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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单向TVS 70V截止峰值脉冲电流：16A@8/20us

型号：SMAJ70A-TR 编号：C1974086

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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单向TVS 188V截止峰值浪涌电流：2A

型号：SMA6F188A 编号：C1977113

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌的影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

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ESD 3V截止峰值浪涌电流：10A@8/20us

型号：ESDAULC45-1BF4 编号：C1976484

封装：0201

品牌：ST(意法半导体)

ESDAULC5-1BF4是一款双向单线TVS二极管，旨在保护数据线或其他I/O端口免受ESD瞬态影响。该器件非常适合需要降低线路电容和节省电路板空间的应用。

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单向TVS 18V截止峰值浪涌电流：21.5A

型号：SMA6F18A 编号：C1975949

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌的影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

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24V 100mA 38V

型号：L78L24CD-TR 编号：C2971441

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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5+
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15V 100mA 35V

型号：L78L15CD-TR 编号：C2971146

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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双向TVS 170V截止峰值脉冲电流：6.5A@8/20us

型号：SMAJ170CA-TR 编号：C1973504

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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￥0.752848 / 个

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双向TVS 6V截止峰值脉冲电流：270A@8/20us

型号：SMA6J6.0CA-TR 编号：C1975492

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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￥1.063791 / 个

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双向TVS 28V截止峰值浪涌电流：68A@8/20us

型号：P6KE33CA 编号：C133724

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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￥1.7675
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单向TVS 33V截止峰值浪涌电流：11.8A

型号：SMA6F33A 编号：C1974695

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌的影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

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1+
￥1.87
10+
￥1.83
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单向TVS 20V截止峰值浪涌电流：86A@8/20us

型号：SMBJ20A-TR 编号：C133671

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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1+
￥1.8876
10+
￥1.5604
30+
￥1.4201

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双向TVS 28V截止峰值脉冲电流：59A@8/20us 68A@10/1000us

型号：BZW06-28B 编号：C1665947

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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5+
￥1.9135
50+
￥1.4945
150+
￥1.3149

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单向TVS 6.3V截止峰值浪涌电流：30A@8/20us

型号：ESDA8P30-1T2 编号：C1974797

封装：SOD-882T

品牌：ST(意法半导体)

ESDA8P30 - 1T2是一款单向单线路TVS二极管，旨在保护电源线免受电气过应力（EOS）和静电放电（ESD）瞬态影响。该器件非常适合需要高功率TVS且节省电路板空间的应用。

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1+
￥1.96
10+
￥1.91
30+
￥1.88

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双向TVS 30.8V截止峰值脉冲电流：156A@8/20us

型号：1.5KE36CA 编号：C132963

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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单价：
￥1.546208 / 个

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双向TVS 213V截止峰值脉冲电流：9A@8/20us

型号：P6KE250CA 编号：C3720716

封装：DO-15(DO-204AC)

品牌：ST(意法半导体)

P6KE瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准规定的电气过应力。该系列适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期可靠性和稳定性

单价：
￥1.259248 / 个

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双向TVS 6.5V截止峰值脉冲电流：275A@8/20us

型号：SMA6J6.5CA-TR 编号：C1976533

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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1+
￥2.38
10+
￥2.32
30+
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单向TVS 36V截止峰值浪涌电流：30A@8/20us

型号：SMA4F36A 编号：C3698678

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA4F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

1+
￥2.46
10+
￥2.4
30+
￥2.36

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双向TVS 25.6V截止峰值脉冲电流：36A

型号：1.5KE30CA 编号：C2802065

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥2.69
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￥2.1
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单向TVS 28.2V截止峰值脉冲电流：169A@8/20us

型号：1.5KE33A 编号：C132967

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥2.9
10+
￥2.31
30+
￥2.06

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双向TVS 48V截止峰值浪涌电流：100A@8/20us

型号：SMCJ48CA-TR 编号：C133645

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：ST(意法半导体)

SMCJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护低于1500 W（10/1000 μs）的浪涌。平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。SMCJ采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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1+
￥2.98
10+
￥2.32
30+
￥2.04

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双向TVS 342V截止峰值脉冲电流：1.1A@10/1000us

型号：BZW06-342BRL 编号：C1976812

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥3.17
10+
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