意法半导体二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：1.5KE62CA 编号：C132956

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：1.5KE400ARL 编号：C1973564

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：SM15T220A 编号：C133710

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SM15T瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在保护敏感设备免受符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电影响，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力影响。这些器件通常用于防护1500 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SM15T采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：SMC30J8.5CA 编号：C1976138

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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型号：LM335ADT 编号：C361027

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

LM135、LM235、LM335是易于校准的精密温度传感器。它们作为两端齐纳二极管工作，击穿电压与绝对温度成正比，比例系数为10mV / °K。该电路的动态阻抗小于1Ω，工作电流范围为450μA至5mA，且在此范围内其特性保持不变

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型号：BZW50-180B 编号：C500653

封装：R-6

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护电压敏感设备，如MOS技术和低压供电的IC。

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型号：BZW50-27 编号：C1665821

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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型号：STH60N099DM9-2AG 编号：C23984841

封装：H2PAK-2

品牌：ST(意法半导体)

这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh DM9技术，适用于中/高压MOSFET，具有单位面积极低的导通电阻（RDS(on)），并配备快速恢复二极管。基于硅的DM9技术得益于多漏极制造工艺，可优化器件结构。该快速恢复二极管具有极低的反向恢复电荷（Qrr）、反向恢复时间（trr）和导通电阻（RDS(on)），使这款快速开关超结功率MOSFET非常适合要求严苛的高效桥接拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器

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型号：STSPIN32G0601Q 编号：C24985036

封装：QFN-72(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

是一个系统级封装，为驱动三相应用提供集成解决方案。它嵌入了一个具有 Arm 32 位 Cortex-M0+ CPU 的 MCU (STM32G031x8x3) 和一个 600 V 三重半桥栅极驱动器，能够驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。器件中集成了一个具有先进 smartSD 功能的比较器，可确保对过载和过流进行快速有效的保护。还集成了高压自举二极管，以及上下驱动部分的防交叉导通（互锁）、死区时间和欠压锁定 (UVLO) 保护，可防止功率开关在低效率或危险条件下工作。高低侧部分之间的匹配延迟保证无周期失真。集成的 MCU 基于高性能 32 位 Arm Cortex-M0+ 内核，工作频率高达 64 MHz，并具有内存保护单元 (MPU)，可增强应用程序的安全性

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型号：P6KE150A 编号：C2802055

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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型号：SMA6F15AY 编号：C1974319

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6FY 瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在保护敏感汽车电路，使其免受 ISO 7637 系列标准所定义的浪涌影响，并能依据 ISO 10605 标准抵御静电放电。平面工艺使其适用于要求低泄漏电流和高结温的高端电路，以提供长期的可靠性和稳定性。

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型号：SMAJ26CA-TR 编号：C1973192

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：SMAJ20A-TR 编号：C1973455

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：SMAJ130CA-TR 编号：C377950

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：SMAJ6.5A-TR 编号：C1974706

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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￥0.365733 / 个

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型号：SMA6F188A 编号：C1977113

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌的影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

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型号：ESDAULC45-1BF4 编号：C1976484

封装：0201

品牌：ST(意法半导体)

ESDAULC5-1BF4是一款双向单线TVS二极管，旨在保护数据线或其他I/O端口免受ESD瞬态影响。该器件非常适合需要降低线路电容和节省电路板空间的应用。

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型号：SMA6F18A 编号：C1975949

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌的影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

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型号：SMBJ22A-TR 编号：C133669

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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型号：SMAJ170CA-TR 编号：C1973504

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：P6KE6V8A 编号：C2936097

封装：DO-204AC

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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型号：P6KE33CA 编号：C133724

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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￥1.7675
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￥1.4065
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￥1.2518

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型号：SMBJ20A-TR 编号：C133671

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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1+
￥1.8876
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￥1.5604
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型号：BZW06-28B 编号：C1665947

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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5+
￥1.9135
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￥1.4945
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￥1.3149

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型号：1.5KE36CA 编号：C132963

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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单价：
￥1.546208 / 个

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型号：SMA6J6.5CA-TR 编号：C1976533

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：SMA4F36A 编号：C3698678

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA4F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

1+
￥2.46
10+
￥2.4
30+
￥2.36

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型号：1.5KE30CA 编号：C2802065

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：L78L08ABD13TR 编号：C2970381

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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型号：SMBJ10CA-TR 编号：C133678

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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