意法半导体二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：SMA(DO-214AC)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：SMA6J154A-TR 编号：C133681

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，同时可抵御电气过应力，如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的情况。它们通常适用于600 W（10/1000 µs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大程度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：SMAJ8.5CA-TR 编号：C132931

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：P6KE27CA 编号：C2942360

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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型号：P6KE47CA 编号：C133718

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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型号：SMA6F33A 编号：C1974695

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌的影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

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型号：SM5908 编号：C1847683

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

该瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在根据 IEC 61000 - 4 - 2 和 MIL STD 883 方法 3015，保护敏感设备免受静电放电影响，并根据 IEC 61000 - 4 - 4 和 5 保护设备免受电气过应力影响。这些器件通常用于防护 1500 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使其适用于需要低泄漏电流和高结温以确保长期可靠性和稳定性的高端设备和开关模式电源（SMPS）。它们采用 SMC（符合 IPC 7531 标准的 SMC 焊盘尺寸）和 DO - 201 封装。

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型号：P6KE39A 编号：C133721

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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型号：SMCJ48CA-TR 编号：C133645

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：ST(意法半导体)

SMCJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护低于1500 W（10/1000 μs）的浪涌。平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。SMCJ采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：1.5KE180CA 编号：C132975

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：L79L05ACZ-TR 编号：C3749639

封装：TO-92-3

品牌：ST(意法半导体)

三端负电压调节器采用内部限流和热关断功能，基本不会损坏。若配备足够的散热片，可提供高达100 mA的输出电流。适用于广泛的应用领域，作为固定电压调节器，可用于本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，还可与功率传输元件配合使用，制作大电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻组合的替代品时，通常可有效改善输出阻抗约两个数量级，同时降低静态电流和噪声。

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型号：SMA6J85CA-TR 编号：C1975385

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：SM15T30CA 编号：C81476

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：ST(意法半导体)

SM15T瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5等标准定义的电气过应力。它们适用于1500 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温的高端设备和开关电源（SMPS），以长期提供可靠性和稳定性

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型号：STD5N52U 编号：C495237

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

这些器件是采用UltraFASTmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET，该技术将低导通电阻、齐纳栅极保护和极高的dv/dt能力的优势与增强型快速体-漏极恢复二极管相结合。

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型号：1.5KE200CA 编号：C132972

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：SMC30J33CA 编号：C1982307

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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型号：SMC30J13A 编号：C1976162

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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型号：STGP10NC60KD 编号：C2970076

封装：TO-220-3

品牌：ST(意法半导体)

特性：较低的导通压降（VCE(sat)）。较低的CReS/CReS比（无交叉导通敏感性）。非常软的超快速恢复反并联二极管。短路耐受时间：10μs。应用：高频电机控制。硬开关和谐振拓扑中的开关电源（SMPS）和功率因数校正（PFC）

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型号：L6384ED 编号：C1549316

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

带自举二极管的高压高低侧驱动器

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型号：SMC30J5.0A 编号：C1977926

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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￥16.82
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￥14.37
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型号：L6388ED 编号：C1549313

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器

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型号：L6598D013TR 编号：C411395

封装：SO-16

品牌：ST(意法半导体)

L6598器件采用BCD Tm离线技术制造，能够确保高达600 V的额定电压，使其非常适合用于AC/DC适配器以及任何采用谐振拓扑结构有益的场合。该器件旨在以经典半桥拓扑结构驱动两个功率MOSFET。一个专用定时部分允许设计人员设置软启动时间、软启动和最小频率。还提供了一个误差放大器以及两个使能输入。此外，集成的自举二极管和低压电源上的齐纳钳位功能，将应用所需的外部元件数量降至最低。

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型号：L293DD 编号：C2971293

封装：SOIC-20-300mil

品牌：ST(意法半导体)

具有二极管的推挽四通道驱动器

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型号：SMA6J40A-TR 编号：C1974899

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：SMAJ40A-TR 编号：C132940

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：SMAJ188A-TR 编号：C1973458

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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5+
￥0.9507
50+
￥0.9271
150+
￥0.9113

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型号：SMA6J6.0CA-TR 编号：C1975492

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：BZW04-28B 编号：C1665834

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的IC。

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型号：ESDA8P30-1T2 编号：C1974797

封装：SOD-882T

品牌：ST(意法半导体)

ESDA8P30 - 1T2是一款单向单线路TVS二极管，旨在保护电源线免受电气过应力（EOS）和静电放电（ESD）瞬态影响。该器件非常适合需要高功率TVS且节省电路板空间的应用。

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型号：SMA6J28A-TR 编号：C1973100

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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