意法半导体二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：P6KE6V8A 编号：C2936097

封装：DO-204AC

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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型号：SMAJ15A-TR 编号：C132950

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：L78L24ACZ-AP 编号：C2688679

封装：TO-92-3

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。若提供足够的散热片，可提供高达 100 mA 的输出电流。适用于广泛的应用领域，可用于本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，还可与功率传输元件一起使用，制成高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻组合的替代品时，可改善性能，同时降低静态电流和噪声。

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型号：SMBJ70CA-TR 编号：C133652

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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型号：L78L09ABZ 编号：C2970629

封装：TO-92

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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型号：SMA6J154A-TR 编号：C133681

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，同时可抵御电气过应力，如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的情况。它们通常适用于600 W（10/1000 µs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大程度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：SM5908 编号：C1847683

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

该瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在根据 IEC 61000 - 4 - 2 和 MIL STD 883 方法 3015，保护敏感设备免受静电放电影响，并根据 IEC 61000 - 4 - 4 和 5 保护设备免受电气过应力影响。这些器件通常用于防护 1500 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使其适用于需要低泄漏电流和高结温以确保长期可靠性和稳定性的高端设备和开关模式电源（SMPS）。它们采用 SMC（符合 IPC 7531 标准的 SMC 焊盘尺寸）和 DO - 201 封装。

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型号：PKC-136 编号：C1665796

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

特性：保护反激式电源中的MOSFET。 TRANSIL™和阻塞二极管集成在一个封装中。无论负载如何，都能精确钳位电压。减少电流回路。减少电磁干扰发射。高度集成。快速组装。降低待机模式下的损耗

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型号：SM15T12A 编号：C133716

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SM15T瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在保护敏感设备免受符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电影响，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力影响。这些器件通常用于防护1500 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SM15T采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：SMCJ26A-TR 编号：C133649

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：ST(意法半导体)

SMCJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护低于1500 W（10/1000 μs）的浪涌。平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。SMCJ采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：DALC112S1RL 编号：C1973806

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

用于ESD保护的低电容二极管阵列

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型号：1.5KE200CA 编号：C132972

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：LM335AZT 编号：C2970365

封装：TO-226-3

品牌：ST(意法半导体)

LM135、LM235、LM335是易于校准的精密温度传感器。它们作为两端齐纳二极管工作，击穿电压与绝对温度成正比，比例系数为10mV / °K。该电路的动态阻抗小于1Ω，工作电流范围为450μA至5mA，且在此范围内其特性保持不变

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型号：BZW50-150B 编号：C1665965

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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型号：SMAJ13A-TR 编号：C1973527

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：SMBJ22A-TR 编号：C133669

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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型号：BZW06-5V8 编号：C2970942

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：P6KE47CA 编号：C133718

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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型号：P6KE400A 编号：C3719797

封装：DO-15(DO-204AC)

品牌：ST(意法半导体)

P6KE瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准规定的电气过应力。该系列适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期可靠性和稳定性

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型号：P6KE39A 编号：C133721

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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型号：SMA6J28A-TR 编号：C1973100

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：1.5KE62CA 编号：C132956

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：SM15T220A 编号：C133710

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SM15T瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在保护敏感设备免受符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电影响，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力影响。这些器件通常用于防护1500 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SM15T采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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型号：BZW50-33 编号：C1665818

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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型号：STDRIVEG610QTR 编号：C43079849

封装：QFN-18(4x5)

品牌：ST(意法半导体)

是用于N沟道增强型氮化镓（GaN）的高压半桥栅极驱动器。高端驱动器部分设计用于承受高达600V的电压轨，并可通过集成的自举二极管轻松供电。高电流能力、短传播延迟以及出色的延迟匹配和集成LDO，使该驱动器针对高速氮化镓驱动进行了优化。具有针对快速启动和低功耗软开关应用量身定制的电源欠压锁定（UVLO）功能，同时完全支持硬开关并具有互锁功能，以避免交叉导通

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型号：STH60N099DM9-2AG 编号：C23984841

封装：H2PAK-2

品牌：ST(意法半导体)

这款N沟道功率MOSFET基于最具创新性的超结MDmesh DM9技术，适用于中/高压MOSFET，具有单位面积极低的导通电阻（RDS(on)），并配备快速恢复二极管。基于硅的DM9技术得益于多漏极制造工艺，可优化器件结构。该快速恢复二极管具有极低的反向恢复电荷（Qrr）、反向恢复时间（trr）和导通电阻（RDS(on)），使这款快速开关超结功率MOSFET非常适合要求严苛的高效桥接拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器

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型号：STSPIN32G0601Q 编号：C24985036

封装：QFN-72(10x10)

品牌：ST(意法半导体)

是一个系统级封装，为驱动三相应用提供集成解决方案。它嵌入了一个具有 Arm 32 位 Cortex-M0+ CPU 的 MCU (STM32G031x8x3) 和一个 600 V 三重半桥栅极驱动器，能够驱动 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。器件中集成了一个具有先进 smartSD 功能的比较器，可确保对过载和过流进行快速有效的保护。还集成了高压自举二极管，以及上下驱动部分的防交叉导通（互锁）、死区时间和欠压锁定 (UVLO) 保护，可防止功率开关在低效率或危险条件下工作。高低侧部分之间的匹配延迟保证无周期失真。集成的 MCU 基于高性能 32 位 Arm Cortex-M0+ 内核，工作频率高达 64 MHz，并具有内存保护单元 (MPU)，可增强应用程序的安全性

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型号：STW20NM50FD 编号：C501079

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

FDmesh™ 将低导通电阻和快速开关的所有优势与本征快速恢复体二极管相结合。因此，强烈推荐用于桥接拓扑，特别是零电压开关（ZVS）移相转换器。

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型号：MASTERGAN4LTR 编号：C22071978

封装：QFN-31(9x9)

品牌：ST(意法半导体)

一款先进的功率系统级封装产品，集成了半桥配置的栅极驱动器和两个增强型 GaN 晶体管。集成的功率 GaN 分别具有 225 mΩ 的导通电阻和 650 V 的漏源阻断电压，嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成自举二极管轻松供电。具备 VCC 欠压锁定 (UVLO) 保护功能，防止功率开关在低效率或危险条件下运行，联锁功能避免交叉导通。输入引脚扩展范围允许轻松与模拟控制器、微控制器和 DSP 单元接口。工作在 -40℃ 至 125℃ 的工业温度范围。采用紧凑的 9×9 mm QFN 封装。

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型号：SMA6F70A 编号：C1977159

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌的影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

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