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单向TVS 6V截止峰值脉冲电流：270A@8/20us

型号：SMA6J6.0A-TR 编号：C1973124

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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5+
￥2.44
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￥1.93
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￥1.72

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单向TVS 15.3V截止峰值脉冲电流：308A@8/20us

型号：1.5KE18A 编号：C132974

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥2.74
10+
￥2.18
30+
￥1.93

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双向TVS 12.8V截止峰值脉冲电流：71A@8/20us 368A@8/20us

型号：1.5KE15CA 编号：C172391

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥3.18
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￥2.54
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单向TVS 33V截止峰值浪涌电流：500A@8/20us

型号：STIEC45-33AS 编号：C1973180

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：ST(意法半导体)

STIEC45瞬态抑制二极管（Transil）系列专为根据IEC 61000 - 4 - 5标准保护直流电源线而设计。该器件可根据IEC 61000 - 4 - 4和ETS EN 300 386标准保护电路免受电快速瞬变（EFT）影响。同时，依据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883 Method 3015标准提供静电放电保护。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低泄漏电流和高结温，以长期提供可靠性和稳定性。STIEC45器件采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7351标准）。

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￥4.16
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双向TVS 150V截止峰值脉冲电流：19A@10/1000us 175A@8/20us

型号：BZW50-150B 编号：C1665965

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥10.88
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￥10.61
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￥10.42

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单向TVS 30V截止峰值浪涌电流：500A@8/20us

型号：STIEC45-30AS 编号：C1976656

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：ST(意法半导体)

STIEC45瞬态抑制二极管（Transil）系列专为根据IEC 61000 - 4 - 5标准保护直流电源线而设计。该器件可根据IEC 61000 - 4 - 4和ETS EN 300 386标准保护电路免受电快速瞬变（EFT）影响。同时，依据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883 Method 3015标准提供静电放电保护。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低泄漏电流和高结温，以长期提供可靠性和稳定性。STIEC45器件采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7351标准）。

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￥14.9
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￥12.36
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600mA 有刷直流电机驱动芯片 36V

型号：L293D 编号：C12340

封装：DIP-16

品牌：ST(意法半导体)

具有二极管的推挽四通道驱动器

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1+
￥20.01
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￥17.03
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双向TVS 39V截止峰值脉冲电流：667A@8/20us

型号：BZW50-39B 编号：C1665924

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥22.35
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单向TVS 13V截止峰值脉冲电流：85A@8/20us

型号：SMAJ13A-TR 编号：C1973527

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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5+
￥0.5435
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￥0.5303
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9V 100mA 30V

型号：L78L09ABZ 编号：C2970629

封装：TO-92

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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单向TVS 15V截止峰值脉冲电流：71A@8/20us

型号：SMAJ15A-TR 编号：C132950

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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5+
￥1.3905
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￥1.0654
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12V 100mA 35V

型号：L78L12ABZ-AP 编号：C3750366

封装：TO-92-3

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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单向TVS 342V截止峰值脉冲电流：5.7A@8/20us

型号：P6KE400A 编号：C3719797

封装：DO-15(DO-204AC)

品牌：ST(意法半导体)

P6KE瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准规定的电气过应力。该系列适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期可靠性和稳定性

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￥2.31
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30+
￥1.57
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单向TVS 26V截止峰值浪涌电流：75A@8/20us

型号：SMA6F26A 编号：C1976021

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌的影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

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单向TVS 154V截止峰值脉冲电流：6.1A

型号：1.5KE180A 编号：C2935157

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil二极管）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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￥2.74
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30+
￥1.87
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单向TVS 5.8V截止峰值浪涌电流：298A@8/20us

型号：BZW06-5V8 编号：C2970942

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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￥2.18
30+
￥1.91
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12V 100mA 27V

型号：L79L12ACD13TR 编号：C2970151

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

三端负电压调节器采用内部限流和热关断功能，基本不会损坏。若配备足够的散热片，可提供高达100 mA的输出电流。适用于广泛的应用领域，作为固定电压调节器，可用于本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，还可与功率传输元件配合使用，制作大电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻组合的替代品时，通常可有效改善输出阻抗约两个数量级，同时降低静态电流和噪声。

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￥2.88
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单向TVS 28.2V截止峰值脉冲电流：169A@8/20us

型号：1.5KE33A 编号：C132967

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥2.9
10+
￥2.31
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单向TVS 12V截止峰值浪涌电流：461A@8/20us

型号：SM15T12A 编号：C133716

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SM15T瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在保护敏感设备免受符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电影响，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力影响。这些器件通常用于防护1500 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SM15T采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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1+
￥3.8
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￥2.66
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单向TVS 26V截止峰值浪涌电流：187A@8/20us

型号：SMCJ26A-TR 编号：C133649

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：ST(意法半导体)

SMCJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护低于1500 W（10/1000 μs）的浪涌。平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以提供长期的可靠性和稳定性。SMCJ采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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￥4.69
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￥3.82
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￥3.38

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四通道低侧智能功率开关

型号：IPS4260L 编号：C1556603

封装：HTSSOP-20-EP

品牌：ST(意法半导体)

IPS4260L是一款单片高速（最高开关频率达250 kHz）器件，可驱动四个独立的容性、阻性或感性负载，负载的一端连接到电源电压。各通道可并联以降低功耗。当连接到Vcc电源轨时，四个集成的续流二极管可钳位感性负载（即使电感值很大）产生的关断瞬态；结合连接到VCC或GND的合适外部瞬态电压抑制器（TVS），该集成电路也能实现快速衰减

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1+
￥6.85
10+
￥5.55
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￥4.91

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36V电机驱动芯片

型号：L2293Q 编号：C1523837

封装：VFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

具有二极管的推挽四通道驱动器

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￥8.784 ￥43.92
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￥3.632 ￥36.32

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单向TVS 33V截止峰值脉冲电流：789A@8/20us

型号：BZW50-33 编号：C1665818

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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1+
￥15.31
10+
￥14.98
30+
￥14.76

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单向TVS 150V截止峰值浪涌电流：175A@8/20us

型号：BZW50-150 编号：C1665943

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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1+
￥23.84
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￥20.56
30+
￥18.61

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双向TVS 16V截止峰值浪涌电流：2.2A@8/20us

型号：ESDZX168B-1BF4 编号：C41894049

封装：0201

品牌：ST(意法半导体)

ESDZX168B - 1BF4是一款双向单线瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护数据线或其他I/O端口免受静电放电（ESD）瞬变影响。由于具有极低的电容，ESDZX168B - 1BF4能够保护高速差分线，且不会影响信号完整性。凭借极低的钳位电压，ESDZX168B - 1BF4能够保护最敏感的亚微米技术电路

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￥0.6371
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单向TVS 13.2V截止峰值浪涌电流：57A@8/20us

型号：ESDA15P60-1U1M 编号：C1974751

封装：1610

品牌：ST(意法半导体)

ESDA15P60-1U1M是一款单向单线瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护电源线免受电气过应力（EOS）和静电放电（ESD）瞬变影响。该器件非常适合需要高功率TVS且要节省电路板空间的应用。

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单向TVS 43V截止峰值脉冲电流：25A@8/20us

型号：SMAJ43A-TR 编号：C130095

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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5+
￥0.9114
50+
￥0.8891
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单向TVS 154V截止峰值脉冲电流：12.6A@8/20us

型号：P6KE180A 编号：C2972030

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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￥0.9292
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双向TVS 70V截止峰值浪涌电流：27A@8/20us

型号：SMBJ70CA-TR 编号：C133652

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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单向TVS 70V截止峰值脉冲电流：16A@8/20us

型号：SMAJ70A-TR 编号：C1974086

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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￥1.1369
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