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双向TVS 18V截止峰值脉冲电流：59A@8/20us

型号：SMAJ18CA-TR 编号：C262925

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

数据手册

5+
￥1.2005
50+
￥0.9975
150+
￥0.9106
500+
￥0.8021

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双向TVS 6V截止峰值浪涌电流：61A

型号：SMBJ6.0CA-TR 编号：C133656

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

数据手册

5+
￥1.233
50+
￥0.9488
150+
￥0.8271

有货

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5V 100mA 30V

型号：L78L05CZ 编号：C3024480

封装：TO-92

品牌：ST(意法半导体)

78L系列三端固定正电压稳压器采用内部电流限制和热关断功能，使得它们几乎不会损坏。如果提供了足够的散热片，它们可以提供高达100mA的输出电流。这些稳压器适用于广泛的场合，包括局部或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分布问题。此外，它们还可以与功率传递元件一起使用，制作大电流稳压器。78L系列用作齐纳二极管/电阻组合的替代品时，不仅改进了性能，还降低了静态电流和噪声。

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5+
￥1.3301
50+
￥1.0388
150+
￥0.914

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单向TVS 13.2V截止峰值浪涌电流：57A@8/20us

型号：ESDA15P60-1U1M 编号：C1974751

封装：1610

品牌：ST(意法半导体)

ESDA15P60-1U1M是一款单向单线瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护电源线免受电气过应力（EOS）和静电放电（ESD）瞬变影响。该器件非常适合需要高功率TVS且要节省电路板空间的应用。

数据手册

5+
￥1.4026
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￥1.1007
150+
￥0.9713
500+
￥0.774

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双向TVS 5.8V截止峰值浪涌电流：746A@8/20us

型号：SM15T6V8CA 编号：C133702

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SM15T瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在保护敏感设备免受符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电影响，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力影响。这些器件通常用于防护1500 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SM15T采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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￥2.36
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￥2.3
30+
￥2.26

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单向TVS 15.3V截止峰值脉冲电流：308A@8/20us

型号：1.5KE18A 编号：C132974

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥2.52
10+
￥1.95
30+
￥1.71

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单向TVS 28V截止峰值脉冲电流：1A@10/1000us

型号：BZW06-28 编号：C1665950

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

数据手册

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￥3.282 ￥10.94
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￥1.87 ￥9.35
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￥0.836 ￥8.36
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￥0.734 ￥7.34

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双向TVS 22V截止峰值浪涌电流：85A

型号：SMC30J22CA 编号：C1982158

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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￥3.351 ￥11.17
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￥2.186 ￥10.93
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￥1.077 ￥10.77
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￥1.061 ￥10.61

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单向TVS 15V截止峰值浪涌电流：993A@8/20us

型号：SMC30J15A 编号：C1854504

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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￥3.447 ￥11.49
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￥1.964 ￥9.82
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￥0.877 ￥8.77
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双向TVS 256V截止峰值脉冲电流：5A@8/20us

型号：1.5KE300CA 编号：C132969

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥4.29
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￥3.41
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￥2.98
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双向TVS 56V截止峰值浪涌电流：465A@10/20us

型号：BZW50-56B 编号：C2970751

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

1+
￥13.056 ￥43.52
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￥7.552 ￥37.76
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￥3.425 ￥34.25
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双向TVS 120V截止峰值脉冲电流：219A@8/20us

型号：BZW50-120B 编号：C1665823

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥13.215 ￥44.05
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￥7.644 ￥38.22
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单向TVS 27V截止峰值脉冲电流：968A@8/20us

型号：BZW50-27 编号：C1665821

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥14.39
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￥12.672 ￥14.08
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￥11.096 ￥13.87
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￥10.928 ￥13.66

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1个N沟道耐压:600V 电流:11A

型号：STD13NM60ND 编号：C2970514

封装：DPAK

品牌：ST(意法半导体)

这些具备本征快速恢复体二极管的FDmesh™ II功率MOSFET采用第二代MDmesh™技术制造。这些创新型器件采用新型条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它们非常适合用于桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器

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1+
￥27.3936 ￥52.68
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￥19.194 ￥45.7
30+
￥13.264 ￥41.45
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￥12.1248 ￥37.89

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双向TVS 24V截止峰值脉冲电流：80A@8/20us

型号：SMA6J24CA-TR 编号：C1976593

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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5+
￥0.6834
50+
￥0.6667
150+
￥0.6556

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双向TVS 5.8V截止峰值脉冲电流：38A@10/1000us 174A@8/20us

型号：BZW04-5V8B 编号：C1665833

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的IC。

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5+
￥0.9166
50+
￥0.894
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￥0.8789

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双向TVS 48V截止峰值脉冲电流：23A@8/20us

型号：SMAJ48CA-TR 编号：C132937

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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5+
￥1.0445
50+
￥0.8117
150+
￥0.7119

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单向TVS 154V截止峰值脉冲电流：12.6A@8/20us

型号：P6KE180A 编号：C2972030

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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5+
￥1.1622
50+
￥1.1391
150+
￥1.1237

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双向TVS 25.6V截止峰值浪涌电流：187A@8/20us

型号：SM15T30CA 编号：C81476

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：ST(意法半导体)

SM15T瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5等标准定义的电气过应力。它们适用于1500 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温的高端设备和开关电源（SMPS），以长期提供可靠性和稳定性

1+
￥1.74
10+
￥1.7
30+
￥1.67

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单向TVS 13V截止峰值脉冲电流：147A@8/20us

型号：P6KE15A 编号：C133732

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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5+
￥1.829
50+
￥1.4199
150+
￥1.2445

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双向TVS 10.2V截止峰值脉冲电流：90A

型号：1.5KE12CA 编号：C2802066

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥3.18
10+
￥3.1
30+
￥3.05
100+
￥2.99

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双向TVS 28.2V截止峰值脉冲电流：33A

型号：1.5KE33CA 编号：C2802064

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥3.56
10+
￥2.84
30+
￥2.47

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单向TVS 299V截止峰值脉冲电流：4A@8/20us

型号：1.5KE350A 编号：C132966

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥4.61
10+
￥3.74
30+
￥3.3

有货

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降压型 1.5A 3V~16V

型号：ST1S03PUR 编号：C2650330

封装：DFN-6-EP(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

ST1S03是一款降压型DC-DC转换器,优化用于HDD应用中的低电压数字核心供电,以及一般情况下替代高电流线性解决方案。它提供高达1.5 A的输出电流,输入电压范围为3 V至16 V。1.5MHz的高开关频率允许使用小型表面贴装元件,仅需一个电感、一个肖特基二极管和两个电容器。此外,内部软启动功能可限制启动电流,确保低输出纹波。

数据手册

1+
￥7.5
10+
￥6.17
30+
￥5.43

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单向TVS 30V截止峰值浪涌电流：500A@8/20us

型号：STIEC45-30AS 编号：C1976656

封装：SMC(DO-214AB)

品牌：ST(意法半导体)

STIEC45瞬态抑制二极管（Transil）系列专为根据IEC 61000 - 4 - 5标准保护直流电源线而设计。该器件可根据IEC 61000 - 4 - 4和ETS EN 300 386标准保护电路免受电快速瞬变（EFT）影响。同时，依据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883 Method 3015标准提供静电放电保护。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低泄漏电流和高结温，以长期提供可靠性和稳定性。STIEC45器件采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7351标准）。

数据手册

1+
￥14.97
10+
￥12.42
30+
￥10.83

有货

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36V电机驱动芯片

型号：L2293Q 编号：C1523837

封装：VFQFPN-32(5x5)

品牌：ST(意法半导体)

具有二极管的推挽四通道驱动器

数据手册

1+
￥15.21 ￥50.7
10+
￥8.784 ￥43.92
30+
￥3.978 ￥39.78
100+
￥3.632 ￥36.32

有货

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1.5A 5.25V电机驱动芯片

型号：E-TEA3718SDP 编号：C361016

封装：PowerDIP-16

品牌：ST(意法半导体)

该电路由一个与LS-TTL兼容的逻辑输入、一个电流传感器、一个单稳态电路和一个内置保护二极管的输出级组成。两片TEA3718集成电路和少量外部元件可构成一个完整的控制和驱动单元，用于LS-TTL或微处理器控制的步进电机系统。

数据手册

1+
￥19.418 ￥27.74
10+
￥14.334 ￥23.89
30+
￥10.8 ￥21.6
100+
￥9.645 ￥19.29
500+
￥9.11 ￥18.22
1000+
￥8.87 ￥17.74

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0.5 A 高端驱动智能电源开关，带输出状态 LED 驱动

型号：L6375S 编号：C1556610

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

L6375S是一款采用多功率BCD技术的单片智能功率开关，用于驱动电感、电容或电阻性负载，具备可控的输出电压转换速率和短路保护功能。内部钳位二极管可实现电感负载的快速消磁。用于CPU反馈的诊断功能以及广泛的电气保护措施，使该器件性能可靠，适用于工业自动化应用

数据手册

1+
￥29.1115 ￥52.93
10+
￥20.619 ￥45.82
30+
￥14.5215 ￥41.49
100+
￥13.251 ￥37.86

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双向ESD 峰值浪涌电流：10A@8/20us

型号：ESDA5-1BF4 编号：C2970961

封装：0201

品牌：ST(意法半导体)

ESDA5-1BF4是一款双向单线瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护数据线或其他I/O端口免受静电放电（ESD）瞬变影响。该器件非常适合既需要降低线路电容又需要节省电路板空间的应用。

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5+
￥0.7092
50+
￥0.5556
150+
￥0.4788
500+
￥0.4212

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双向TVS 8.5V截止峰值脉冲电流：124A@8/20us

型号：SMAJ8.5CA-TR 编号：C132931

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

数据手册

5+
￥0.8335
50+
￥0.6604
150+
￥0.5739

有货

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