意法半导体二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：1.5KE68CA 编号：C132954

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：BZW06-342BRL 编号：C1976812

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：SMA4F40A 编号：C3704788

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA4F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

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型号：SMA6F40A 编号：C3699810

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌的影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

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型号：TSV781ILT 编号：C23182957

封装：SOT-23-5

品牌：ST(意法半导体)

是一款30 MHz带宽的单位增益稳定放大器。轨到轨输入级和20V/μs的压摆率使其非常适合低端电流测量。可在2.0V至5.5V单电源下工作，并且在47pF负载下进行了全面规格设计，因此可轻松用作A/D转换器的输入缓冲器。具有轨到轨输入和输出、出色的速度/功耗比和30 MHz的增益带宽积，在5V时仅消耗3.3mA电流。具有超低输入偏置电流，能够连接到光电二极管和其他以电流为关键测量值的传感器。这些特性使其非常适合高精度、高带宽的传感器接口。

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型号：SMA4F36AY 编号：C3714040

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA4FY 瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在保护敏感的汽车电路，使其免受 ISO 7637 系列标准定义的浪涌影响，并能抵御符合 ISO 10605 标准的静电放电。平面技术使其适用于对低漏电流和高结温有要求的高端电路，以提供长期可靠性和稳定性。

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型号：FERD15S50DJF-TR 编号：C2970468

封装：VDFN-8-Power

品牌：ST(意法半导体)

50 V、15 A场效应整流二极管（FERD）

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型号：BZW04-5V8 编号：C3718001

封装：DO-15(DO-204AC)

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：SMC30J6.5A 编号：C1975426

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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型号：LM335AZT 编号：C2970365

封装：TO-226-3

品牌：ST(意法半导体)

LM135、LM235、LM335是易于校准的精密温度传感器。它们作为两端齐纳二极管工作，击穿电压与绝对温度成正比，比例系数为10mV / °K。该电路的动态阻抗小于1Ω，工作电流范围为450μA至5mA，且在此范围内其特性保持不变

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型号：BZW06-28 编号：C1665950

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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型号：SMC30J22CA 编号：C1982158

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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型号：SMC30J15A 编号：C1854504

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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型号：L6386AD 编号：C1549500

封装：SO-14

品牌：ST(意法半导体)

带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器

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型号：BZW50-22B 编号：C3712845

封装：R-6

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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型号：STP13NM60ND 编号：C3290250

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

这些具备本征快速恢复体二极管的FDmesh™ II功率MOSFET采用第二代MDmesh™技术制造。这些创新型器件采用新型条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它们非常适合用于桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器

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型号：BZW50-100B 编号：C2965327

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥24.23
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型号：STW20NM50FD 编号：C501079

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

FDmesh™ 将低导通电阻和快速开关的所有优势与本征快速恢复体二极管相结合。因此，强烈推荐用于桥接拓扑，特别是零电压开关（ZVS）移相转换器。

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型号：L6920DCTR 编号：C2070664

封装：MSOP-8

品牌：ST(意法半导体)

L6920DC是一款高效率、低电压升压DC/DC转换器,特别适用于1到3个电池单元（锂离子/聚合物、镍氢）的电池升压转换。采用同步整流技术,无需外部二极管,降低了成本。工作在最大导通时间-最小关断时间控制模式下,具有低电池检测、反向电池保护和关断功能。

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￥38.82
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型号：BZW50-56B 编号：C2970751

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥43.52
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型号：BZW50-18 编号：C3711442

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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￥46.19
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￥40.08
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￥36.35

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型号：STEVAL-ISA044V5 编号：C5456150

封装：-

品牌：ST(意法半导体)

是一款具有抑制功能的降压DC-DC转换器,针对LCD应用中的高电压和数字核心HDD应用中的低电压供电进行了优化。当高功率耗散成为问题时,它可替代高电流线性解决方案。它可在2.5V至18.0V的输入电压范围内提供高达3A的电流,同步整流无需外部肖特基二极管。高内部开关频率(900kHz)允许使用小型表面贴装元件,以及一个电阻分压器来设置输出电压值

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￥481.93
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型号：L78L10ACUTR 编号：C222250

封装：SOT-89-3

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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￥0.348853 / 个

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型号：L78L09ACZ-TR 编号：C2970225

封装：TO-92-3

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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￥1.2557
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型号：L78L24CD-TR 编号：C2971441

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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￥1.4083
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￥1.1127
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￥0.9861

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型号：L78L15CD-TR 编号：C2971146

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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1+
￥1.45
10+
￥1.42
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￥1.4

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型号：SMA6J24CA-TR 编号：C1976593

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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1+
￥1.77
10+
￥1.73
30+
￥1.7

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型号：L78L33CD-TR 编号：C2942985

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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单价：
￥0.331973 / 个

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型号：SMA6F5.0A-TR 编号：C1847667

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6F瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和5标准所规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和表面贴装（SMFS）应用，这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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￥2.85
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￥2.79
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￥2.74

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型号：SMA6F40AY 编号：C3707300

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6FY瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在保护敏感的汽车电路，使其免受ISO 7637系列标准定义的浪涌影响，并能根据ISO 10605标准抵御静电放电。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温的高端电路，以提供长期的可靠性和稳定性。

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