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首页 > 热门关键词 > 意法半导体二极管
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单向TVS 18V截止 峰值脉冲电流：102A@8/20us
型号：SMA6J18A-TR 编号：C472582
封装：SMA(DO-214AC)
品牌：ST(意法半导体)
SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。
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    单向TVS 5V截止 峰值浪涌电流：19.6A@10/1000us
    型号：SM2T6V8A 编号：C1972951
    封装：DO-216AA
    品牌：ST(意法半导体)
    SM2T系列是专门为易受静电放电（ESD）瞬态过电压影响的便携式设备和小型化电子设备设计的瞬态抑制二极管。完全兼容贴装设备，焊点可检测。
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    双向TVS 28V截止 峰值浪涌电流：596A@8/20us
    型号：SMC30J28CA 编号：C1976218
    封装：SMC
    品牌：ST(意法半导体)
    SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性
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    5V 100mA 20V
    型号：L78L05ABZ-AP 编号：C2969858
    封装：TO-226-3
    品牌：ST(意法半导体)
    三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。
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    TVS 136V截止 峰值浪涌电流：2.7A@10/1000us
    型号：PKC-136RL 编号：C1975350
    封装：DO-15
    品牌：ST(意法半导体)
    特性：保护反激式电源中的MOSFET。 TRANSIL™和阻塞二极管集成在一个封装中。 无论负载如何，都能精确钳位电压。 减少电流回路。 减少电磁干扰发射。 高度集成。 快速组装。 降低待机模式下的损耗
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    双向TVS 15V截止 峰值脉冲电流：1.714kA@8/20us
    型号：BZW50-15B 编号：C1665808
    封装：R6
    品牌：ST(意法半导体)
    瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。
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    双向TVS 376V截止 峰值脉冲电流：0.8A@8/20us
    型号：BZW04-376BRL 编号：C1975523
    封装：DO-15
    品牌：ST(意法半导体)
    瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的IC。
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    单向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：569A@8/20us
    型号：SMC30J30A 编号：C1977833
    封装：SMC
    品牌：ST(意法半导体)
    SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性
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    双向TVS 27V截止 峰值脉冲电流：968A@8/20us
    型号：BZW50-27B 编号：C1665786
    封装：R6
    品牌：ST(意法半导体)
    瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。
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    1个N沟道 耐压:600V 电流:20A
    型号：STP20NM60FD 编号：C2971021
    封装：TO-220
    品牌：ST(意法半导体)
    FDmesh™ 将低导通电阻和快速开关的所有优势与本征快速恢复体二极管相结合。因此，强烈建议将其用于桥接拓扑，特别是零电压开关 (ZVS) 移相转换器。

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    双向TVS 120V截止 峰值脉冲电流：219A@8/20us
    型号：BZW50-120B 编号：C1665823
    封装：R6
    品牌：ST(意法半导体)
    瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。
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    600 V半桥增强模式氮化镓高电子迁移率晶体管与高压驱动器
    型号：MASTERGAN4LTR 编号：C22071978
    封装：-
    品牌：ST(意法半导体)
    一款先进的功率系统级封装产品，集成了半桥配置的栅极驱动器和两个增强型 GaN 晶体管。集成的功率 GaN 分别具有 225 mΩ 的导通电阻和 650 V 的漏源阻断电压，嵌入式栅极驱动器的高端可通过集成自举二极管轻松供电。具备 VCC 欠压锁定 (UVLO) 保护功能，防止功率开关在低效率或危险条件下运行，联锁功能避免交叉导通。输入引脚扩展范围允许轻松与模拟控制器、微控制器和 DSP 单元接口。工作在 -40℃ 至 125℃ 的工业温度范围。采用紧凑的 9×9 mm QFN 封装。

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    1个N沟道 耐压:600V 电流:11A
    型号：STD13NM60ND 编号：C2970514
    封装：DPAK
    品牌：ST(意法半导体)
    这些具备本征快速恢复体二极管的FDmesh™ II功率MOSFET采用第二代MDmesh™技术制造。这些创新型器件采用新型条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它们非常适合用于桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器
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    0.5 A 高端驱动智能电源开关，带输出状态 LED 驱动
    型号：L6375S 编号：C1556610
    封装：SOIC-8
    品牌：ST(意法半导体)
    L6375S是一款采用多功率BCD技术的单片智能功率开关，用于驱动电感、电容或电阻性负载，具备可控的输出电压转换速率和短路保护功能。内部钳位二极管可实现电感负载的快速消磁。用于CPU反馈的诊断功能以及广泛的电气保护措施，使该器件性能可靠，适用于工业自动化应用
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    单向TVS 56V截止 峰值脉冲电流：465A@8/20us
    型号：BZW50-56 编号：C1665846
    封装：R6
    品牌：ST(意法半导体)
    瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。
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    高压高端和低端驱动器
    型号：L6386ADTR 编号：C2677052
    封装：SO-14
    品牌：ST(意法半导体)
    带嵌入式比较器和自举二极管的HV高低侧驱动器
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    18V 100mA 40V
    型号：L78L18ACUTR 编号：C2802523
    封装：SOT-89-3
    品牌：ST(意法半导体)
    三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。
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    双向TVS 376V截止 峰值脉冲电流：5.7A@8/20us
    型号：BZW06-376B 编号：C1667032
    封装：DO-15
    品牌：ST(意法半导体)
    瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。
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    单向TVS 6.5V截止 峰值浪涌电流：56A
    型号：SMBJ6.5A-TR 编号：C133655
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：ST(意法半导体)
    SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。
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    双向TVS 10.2V截止 峰值脉冲电流：90A
    型号：1.5KE12CA 编号：C2802066
    封装：DO-201
    品牌：ST(意法半导体)
    瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。
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      ￥3.988293 / 个
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    双向TVS 25V截止 峰值浪涌电流：40A@8/20us
    型号：ITA25B1RL 编号：C1975625
    封装：SO-8
    品牌：ST(意法半导体)
    瞬态抑制二极管阵列通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护电压敏感器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。ITA系列兼具针对高能脉冲的高浪涌耐受能力和针对静电放电（ESD）的高电压性能
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      ￥3.410884 / 个
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    单向TVS 58V截止 峰值浪涌电流：6.7A@8/20us
    型号：SMBJ58A-TR 编号：C133657
    封装：SMB(DO-214AA)
    品牌：ST(意法半导体)
    SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。
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    双向TVS 213V截止 峰值脉冲电流：9A@8/20us
    型号：P6KE250CA 编号：C3720716
    封装：DO-15(DO-204AC)
    品牌：ST(意法半导体)
    P6KE瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准规定的电气过应力。该系列适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期可靠性和稳定性

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      ￥1.259248 / 个
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    TVS 700V截止 峰值脉冲电流：2.7A@10/1000us
    型号：PKC-136 编号：C1665796
    封装：DO-15
    品牌：ST(意法半导体)
    特性：保护反激式电源中的MOSFET。 TRANSIL™和阻塞二极管集成在一个封装中。 无论负载如何，都能精确钳位电压。 减少电流回路。 减少电磁干扰发射。 高度集成。 快速组装。 降低待机模式下的损耗
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    双向TVS 30V截止 峰值浪涌电流：569A@8/20us
    型号：SMC30J30CA 编号：C1977363
    封装：SMC
    品牌：ST(意法半导体)
    SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性
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    L6385ED013TR
    型号：L6385ED013TR 编号：C111182
    封装：SO-8
    品牌：ST(意法半导体)
    带嵌入式自举二极管的HV高低侧驱动器
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    单向TVS 70V截止 峰值脉冲电流：27A@8/20us
    型号：SMA6J70A-TR 编号：C1975532
    封装：SMA(DO-214AC)
    品牌：ST(意法半导体)
    SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。
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    单向TVS 70V截止 峰值浪涌电流：5.5A
    型号：SMA6F70A 编号：C1977159
    封装：SMA-flat
    品牌：ST(意法半导体)
    SMA6F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌的影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。
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    单向ESD 5.5V截止 峰值脉冲电流：11A@8/20us
    型号：ESDA5-1F4 编号：C1973991
    封装：0201
    品牌：ST(意法半导体)
    ESDA5-1F4是一款单向单线TVS二极管，旨在保护数据线或其他I/O端口免受ESD瞬态影响。该器件非常适合既需要降低线路电容又需要节省电路板空间的应用。

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      ￥0.128288 / 个
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    6V 100mA 30V
    型号：L78L06ABZ 编号：C2924608
    封装：TO-92-3
    品牌：ST(意法半导体)
    三端正电压调节器采用内部限流和热关断功能，基本上不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达 100 mA 的输出电流。它们旨在作为固定电压调节器，用于广泛的应用，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制作大电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，具有改进，同时具有更低的静态电流和更低的噪声。
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