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双向TVS 5V截止峰值脉冲电流：275A@8/20us

型号：SMA6J5.0CA-TR 编号：C1973059

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883 Method 3015标准，同时也能应对如IEC 61000 - 4 - 4和5标准规定的电气过应力。它们通常适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大限度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

数据手册

5+
￥1.0656
50+
￥0.8302
150+
￥0.7294

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15V 100mA 35V

型号：L79L15ACUTR 编号：C495224

封装：SOT-89-3

品牌：ST(意法半导体)

三端负电压调节器采用内部限流和热关断功能，基本不会损坏。若配备足够的散热片，可提供高达100 mA的输出电流。适用于广泛的应用领域，作为固定电压调节器，可用于本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，还可与功率传输元件配合使用，制作大电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻组合的替代品时，通常可有效改善输出阻抗约两个数量级，同时降低静态电流和噪声。

数据手册

5+
￥1.2826
50+
￥0.99
150+
￥0.8646

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双向TVS 26V截止峰值脉冲电流：75A@8/20us

型号：P6KE30CA 编号：C3719996

封装：DO-15(DO-204AC)

品牌：ST(意法半导体)

P6KE瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准规定的电气过应力。该系列适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期可靠性和稳定性

5+
￥1.5794
50+
￥1.229
150+
￥1.0788

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单向TVS 25.6V截止峰值脉冲电流：187A@8/20us

型号：SM15T30A 编号：C2969941

封装：DO-214AB

品牌：ST(意法半导体)

SM15T瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5等标准定义的电气过应力。它们适用于1500 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温的高端设备和开关电源（SMPS），以长期提供可靠性和稳定性

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1+
￥1.73
10+
￥1.69
30+
￥1.67
100+
￥1.64

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15V 100mA 30V

型号：L79L15ABD13TR 编号：C157427

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

三端负调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。若提供足够的散热片，可提供高达 100 mA 的输出电流。它们旨在作为固定电压调节器，用于广泛的应用，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可有效改善输出阻抗，通常提高两个数量级，同时降低静态电流和噪声。

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5+
￥1.7915
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￥1.394
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￥1.2237
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双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：40A@8/20us

型号：ITA6V1U1RL 编号：C1974275

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管阵列通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。ITA系列结合了针对高能脉冲的高浪涌能力和针对静电放电（ESD）的高电压性能。

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1+
￥6.66
10+
￥5.52
30+
￥4.9

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双向TVS 5V截止峰值浪涌电流：25A@8/20us

型号：ITA6V5B1RL 编号：C3699196

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管阵列通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护电压敏感器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。ITA系列兼具针对高能脉冲的高浪涌耐受能力和针对静电放电（ESD）的高电压性能

1+
￥10.06
10+
￥8.51
30+
￥7.54
100+
￥6.24

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1.5A 5.25V电机驱动芯片

型号：E-TEA3718SDP 编号：C361016

封装：PowerDIP-16

品牌：ST(意法半导体)

该电路由一个与LS-TTL兼容的逻辑输入、一个电流传感器、一个单稳态电路和一个内置保护二极管的输出级组成。两片TEA3718集成电路和少量外部元件可构成一个完整的控制和驱动单元，用于LS-TTL或微处理器控制的步进电机系统。

数据手册

1+
￥20.5276 ￥27.74
10+
￥17.6786 ￥23.89
30+
￥15.984 ￥21.6
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￥14.2746 ￥19.29
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￥13.4828 ￥18.22
1000+
￥13.1276 ￥17.74

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1个N沟道耐压:600V 电流:51A

型号：STW55NM60ND 编号：C34349

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

这款具备本征快速恢复体二极管的FDmesh™ II功率MOSFET采用第二代MDmesh™技术制造。该创新型器件采用全新条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能。它非常适合用于桥式拓扑和零电压开关（ZVS）移相转换器

1+
￥89.39
10+
￥76.905 ￥85.45
30+
￥62.896 ￥78.62
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￥58.128 ￥72.66

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双向TVS 18V截止峰值脉冲电流：59A@8/20us

型号：SMAJ18CA-TR 编号：C262925

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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5+
￥0.9106
50+
￥0.7077
150+
￥0.6207
500+
￥0.5122

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双向TVS 5.8V截止峰值脉冲电流：38A@10/1000us 174A@8/20us

型号：BZW04-5V8B 编号：C1665833

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的即时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的IC。

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5+
￥0.9166
50+
￥0.894
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双向TVS 36V截止峰值浪涌电流：52A@8/20us

型号：SMBJ36CA-TR 编号：C133661

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

数据手册

5+
￥1.0434
50+
￥0.8326
150+
￥0.7423
500+
￥0.6296

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双向TVS 48V截止峰值脉冲电流：23A@8/20us

型号：SMAJ48CA-TR 编号：C132937

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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5+
￥1.0445
50+
￥0.8117
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双向TVS 28V截止峰值浪涌电流：68A@8/20us

型号：SMBJ28CA-TR 编号：C133664

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

数据手册

5+
￥1.0668
50+
￥0.8306
150+
￥0.7293
500+
￥0.6029

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12V 100mA 35V

型号：L78L12ACZ-TR 编号：C2798210

封装：TO-92-3

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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5+
￥1.084
50+
￥0.8435
150+
￥0.7404

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单向TVS 6V截止峰值浪涌电流：61A

型号：SMBJ6.0A-TR 编号：C130396

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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5+
￥1.0942
50+
￥0.8427
150+
￥0.717

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双向TVS 20V截止峰值浪涌电流：86A@8/20us

型号：SMBJ20CA-TR 编号：C133670

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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5+
￥1.1671
50+
￥0.907
150+
￥0.7956

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双向TVS 6V截止峰值浪涌电流：61A

型号：SMBJ6.0CA-TR 编号：C133656

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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5+
￥1.233
50+
￥0.9488
150+
￥0.8271

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单向TVS 13V截止峰值脉冲电流：147A@8/20us

型号：P6KE15A 编号：C133732

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低电压供电的IC。

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5+
￥1.7239
50+
￥1.3217
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￥1.1493

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单向TVS 12V截止峰值浪涌电流：1A@8/20us

型号：LFTVS18-1F3 编号：C1975937

封装：UFBGA-4

品牌：ST(意法半导体)

LFTVS18 - 1F3是一款单线二极管，专为保护易受静电放电（ESD）和电气过应力（EOS）瞬态过电压影响的便携式设备和小型化电子设备中的集成电路而设计。

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1+
￥2.3112 ￥12.84
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￥1.9746 ￥10.97
30+
￥1.764 ￥9.8
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￥1.5498 ￥8.61
500+
￥1.4526 ￥8.07
1000+
￥1.4094 ￥7.83

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双向TVS 5.8V截止峰值浪涌电流：746A@8/20us

型号：SM15T6V8CA 编号：C133702

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SM15T瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在保护敏感设备免受符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电影响，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力影响。这些器件通常用于防护1500 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SM15T采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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1+
￥2.36
10+
￥2.3
30+
￥2.26
100+
￥2.22

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双向TVS 28.2V截止峰值脉冲电流：33A

型号：1.5KE33CA 编号：C2802064

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥3.82
10+
￥3.09
30+
￥2.73
100+
￥2.37

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单向TVS 213V截止峰值脉冲电流：5A

型号：1.5KE250A 编号：C2802533

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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1+
￥4.84
10+
￥3.95
30+
￥3.5

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降压型 1.5A 3V~16V

型号：ST1S03PUR 编号：C2650330

封装：DFN-6-EP(3x3)

品牌：ST(意法半导体)

ST1S03是一款降压型DC-DC转换器,优化用于HDD应用中的低电压数字核心供电,以及一般情况下替代高电流线性解决方案。它提供高达1.5 A的输出电流,输入电压范围为3 V至16 V。1.5MHz的高开关频率允许使用小型表面贴装元件,仅需一个电感、一个肖特基二极管和两个电容器。此外,内部软启动功能可限制启动电流,确保低输出纹波。

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1+
￥7.86
10+
￥6.53
30+
￥5.8
100+
￥4.97

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1个N沟道耐压:600V 电流:29A

型号：STW36NM60ND 编号：C2688516

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

采用第二代MDmesh技术生产，具有本征快速恢复体二极管。利用新型条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能，适用于桥式拓扑和ZVS相移转换器。

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1+
￥38.84
10+
￥33.4
30+
￥30.08

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双向ESD 峰值浪涌电流：10A@8/20us

型号：ESDA5-1BF4 编号：C2970961

封装：0201

品牌：ST(意法半导体)

ESDA5-1BF4是一款双向单线瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护数据线或其他I/O端口免受静电放电（ESD）瞬变影响。该器件非常适合既需要降低线路电容又需要节省电路板空间的应用。

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5+
￥0.7687
50+
￥0.6151
150+
￥0.5383
500+
￥0.4807

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双向TVS 20.5V截止峰值浪涌电流：93A@8/20us

型号：SM6T24CA 编号：C314020

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SM6T瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电气过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期可靠性和稳定性。SM6T采用SMB封装（SMB焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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24V 100mA 40V

型号：L78L24ACZ-AP 编号：C2688679

封装：TO-92-3

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。若提供足够的散热片，可提供高达 100 mA 的输出电流。适用于广泛的应用领域，可用于本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，还可与功率传输元件一起使用，制成高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻组合的替代品时，可改善性能，同时降低静态电流和噪声。

数据手册

5+
￥1.0623
50+
￥0.8277
150+
￥0.7271

有货

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5V 100mA 30V

型号：L79L05ACD13TR 编号：C2802525

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

三端负调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。若提供足够的散热片，可提供高达 100 mA 的输出电流。它们旨在作为固定电压调节器，用于广泛的应用，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可有效改善输出阻抗，通常提高两个数量级，同时降低静态电流和噪声。

数据手册

5+
￥1.1973
50+
￥0.9351
150+
￥0.8228
500+
￥0.6826

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单向ESD 7.9V截止峰值浪涌电流：24A@8/20us

型号：ESDA9P25-1T2 编号：C3704768

封装：SOD-882T

品牌：ST(意法半导体)

ESDA9P25-1T2是一款单向单线瞬态电压抑制（TVS）二极管，旨在保护电源线或其他低速I/O免受静电放电（ESD）和小浪涌瞬变的影响。该器件非常适合需要高功率TVS且节省电路板空间的应用。

5+
￥1.6427
50+
￥1.2799
150+
￥1.1243
500+
￥0.9303

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