意法半导体二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：STD5N52U 编号：C495237

封装：TO-252(DPAK)

品牌：ST(意法半导体)

这些器件是采用UltraFASTmesh™技术开发的N沟道功率MOSFET，该技术将低导通电阻、齐纳栅极保护和极高的dv/dt能力的优势与增强型快速体-漏极恢复二极管相结合。

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￥2.8487 ￥4.67
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￥1.938 ￥3.8
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￥1.3817 ￥3.37
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￥1.2054 ￥2.94
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￥1.0496 ￥2.56

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型号：SM15T30A 编号：C2969941

封装：DO-214AB

品牌：ST(意法半导体)

SM15T瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5等标准定义的电气过应力。它们适用于1500 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温的高端设备和开关电源（SMPS），以长期提供可靠性和稳定性

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￥3.04
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￥2.43
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￥2.17
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￥1.85
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型号：LM335DT 编号：C7946

封装：SOIC-8

品牌：ST(意法半导体)

LM135、LM235、LM335是易于校准的精密温度传感器。它们作为两端齐纳二极管工作，击穿电压与绝对温度成正比，比例系数为10mV / °K。该电路的动态阻抗小于1Ω，工作电流范围为450μA至5mA，且在此范围内其特性保持不变

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￥3.44
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￥2.89
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￥2.65
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￥2.35

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型号：1.5KE250A 编号：C2802533

封装：DO-201

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低压供电的集成电路。

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￥3.872 ￥4.84
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￥2.765 ￥3.95
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￥2.1 ￥3.5
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￥1.83 ￥3.05
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￥1.674 ￥2.79
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￥1.59 ￥2.65

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型号：SM15T27A 编号：C2970445

封装：DO-214AB

品牌：ST(意法半导体)

SM15T瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5等标准定义的电气过应力。它们适用于1500 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温的高端设备和开关电源（SMPS），以长期提供可靠性和稳定性

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￥5.38
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￥4.28
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￥3.73
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￥3.19

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型号：SMBJ16A-TR 编号：C133672

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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￥0.5506
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￥0.537
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型号：SMBJ13A-TR 编号：C133675

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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5+
￥0.8655
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型号：L79L12ACZ-TR 编号：C2942984

封装：TO-92-3

品牌：ST(意法半导体)

三端负调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。若提供足够的散热片，可提供高达 100 mA 的输出电流。它们旨在作为固定电压调节器，用于广泛的应用，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可有效改善输出阻抗，通常提高两个数量级，同时降低静态电流和噪声。

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5+
￥1.0187
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￥0.7927
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500+
￥0.575

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型号：L78L12ACZ-TR 编号：C2798210

封装：TO-92-3

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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5+
￥1.1345
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型号：SMAJ58A-TR 编号：C132936

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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单价：
￥0.365733 / 个

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型号：L79L08ACD13TR 编号：C222154

封装：SOIC-8-150mil

品牌：ST(意法半导体)

三端负电压调节器采用内部限流和热关断功能，基本不会损坏。若配备足够的散热片，可提供高达100 mA的输出电流。适用于广泛的应用领域，作为固定电压调节器，可用于本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，还可与功率传输元件配合使用，制作大电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻组合的替代品时，通常可有效改善输出阻抗约两个数量级，同时降低静态电流和噪声。

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￥1.2529
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型号：SMA6J33A-TR 编号：C133679

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMA6J瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备免受静电放电影响而设计，符合IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，同时可抵御电气过应力，如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的情况。它们通常适用于600 W（10/1000 µs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。其低钳位电压提供了更好的安全裕度，可保护敏感电路并延长其使用寿命。采用SMA封装，可最大程度减少印刷电路板（PCB）的空间占用（SMA封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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￥1.2621
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型号：P6KE18CA 编号：C3719767

封装：DO-15(DO-204AC)

品牌：ST(意法半导体)

P6KE瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准规定的电气过应力。该系列适用于600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期可靠性和稳定性

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￥1.5644
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型号：P6KE12CA 编号：C2935158

封装：DO-15

品牌：ST(意法半导体)

Transil二极管通过钳位作用提供高过电压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的设备，如MOS技术和低压供电的IC。

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￥1.9329
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￥1.5143
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￥1.3349

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型号：SMA6F26A 编号：C1976021

封装：SMA-flat

品牌：ST(意法半导体)

SMA6F瞬态抑制二极管系列旨在保护敏感电路免受瞬态浪涌的影响。平面技术使其适用于需要低漏电流和高结温以提供长期可靠性和稳定性的高端电路。

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￥2.58
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￥2.01
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￥1.77
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￥1.46

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型号：SMC30J6.5A 编号：C1975426

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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1+
￥2.808 ￥9.36
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￥1.564 ￥7.82
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￥0.698 ￥6.98
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￥0.561 ￥5.61
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￥0.542 ￥5.42

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型号：SM15T36A 编号：C133706

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SM15T瞬态抑制二极管（Transil）系列旨在保护敏感设备免受符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电影响，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力影响。这些器件通常用于防护1500 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SM15T采用SMC封装（SMC封装尺寸符合IPC 7531标准）。

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￥3.48
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￥2.74
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￥2.43
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￥2.04

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型号：SMC30J13A 编号：C1976162

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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1+
￥3.723 ￥12.41
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￥2.122 ￥10.61
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￥0.948 ￥9.48
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￥0.832 ￥8.32
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￥0.78 ￥7.8
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￥0.758 ￥7.58

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型号：LFTVS18-1F3 编号：C1975937

封装：UFBGA-4

品牌：ST(意法半导体)

LFTVS18 - 1F3是一款单线二极管，专为保护易受静电放电（ESD）和电气过应力（EOS）瞬态过电压影响的便携式设备和小型化电子设备中的集成电路而设计。

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1+
￥3.852 ￥12.84
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￥2.194 ￥10.97
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￥0.98 ￥9.8
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￥0.861 ￥8.61
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￥0.807 ￥8.07
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￥0.783 ￥7.83

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型号：SMC30J8.5CA 编号：C1976138

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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1+
￥4.269 ￥14.23
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￥2.432 ￥12.16
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￥1.087 ￥10.87
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￥0.954 ￥9.54
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￥0.894 ￥8.94
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￥0.868 ￥8.68

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型号：SMC30J5.0A 编号：C1977926

封装：SMC

品牌：ST(意法半导体)

SMC30J瞬态电压抑制（TVS）二极管系列旨在依据IEC 61000 - 4 - 2、MIL STD 883方法3015标准，保护敏感设备免受静电放电影响，并能抵御如IEC 61000 - 4 - 4和IEC 61000 - 4 - 5标准所规定的电气过应力。它们适用于3000 W（10/1000 μs）以下的浪涌防护。这种平面技术使其适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用要求低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性

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1+
￥5.046 ￥16.82
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￥2.874 ￥14.37
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￥1.284 ￥12.84
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￥1.128 ￥11.28

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型号：STP5NK52ZD 编号：C2688558

封装：TO-220

品牌：ST(意法半导体)

SuperFREDMesh™ 系列结合了低导通电阻、齐纳栅极保护和极高 dv/dt 能力的所有优势，还配备了快速体-漏极恢复二极管。该系列完善了 “FDmesh™” 先进技术。

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￥5.58
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￥4.46
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￥3.9
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￥3.35

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型号：BZW50-150 编号：C1665943

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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1+
￥7.152 ￥23.84
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￥4.112 ￥20.56
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￥1.861 ￥18.61
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￥1.664 ￥16.64

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型号：BZW50-100B 编号：C2965327

封装：R6

品牌：ST(意法半导体)

瞬态抑制二极管（Transil diode）通过钳位作用提供高过压保护。它们对瞬态过电压的瞬时响应使其特别适合保护对电压敏感的器件，如MOS技术器件和低电压供电的集成电路（IC）。

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1+
￥7.269 ￥24.23
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￥4.18 ￥20.9
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￥1.892 ￥18.92
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￥1.692 ￥16.92
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￥1.6 ￥16
1000+
￥1.558 ￥15.58

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型号：L6384ED013TR 编号：C17119

封装：SOP-8

品牌：ST(意法半导体)

带自举二极管的高压高低侧驱动器

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￥9.43
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￥7.8
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￥6.91
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￥5.58
500+
￥5.13

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型号：L293D 编号：C12340

封装：DIP-16

品牌：ST(意法半导体)

具有二极管的推挽四通道驱动器

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1+
￥26.22
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￥23.32
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￥21.6
100+
￥19.86

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型号：STW36NM60ND 编号：C2688516

封装：TO-247

品牌：ST(意法半导体)

采用第二代MDmesh技术生产，具有本征快速恢复体二极管。利用新型条形布局垂直结构，具有极低的导通电阻和卓越的开关性能，适用于桥式拓扑和ZVS相移转换器。

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1+
￥38.84
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￥33.4
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￥30.08

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型号：L78L09ABD13TR 编号：C2798209

封装：SO-8

品牌：ST(意法半导体)

三端正电压调节器采用内部限流和热关断，基本不会损坏。如果提供足够的散热片，它们可以提供高达100 mA的输出电流。它们旨在作为各种应用中的固定电压调节器，包括本地或板载调节，以消除与单点调节相关的噪声和分配问题。此外，它们可以与功率传输元件一起使用，以制造高电流电压调节器。用作齐纳二极管/电阻器组合的替代品，可提供改进，同时降低静态电流和噪声。

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5+
￥0.8035
50+
￥0.6295
150+
￥0.5424

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型号：SMAJ18A-TR 编号：C132948

封装：SMA(DO-214AC)

品牌：ST(意法半导体)

SMAJ瞬态抑制二极管（Transil）系列专为保护敏感设备而设计，可抵御符合IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015标准的静电放电，以及符合IEC 61000 - 4 - 4和5标准的电气过应力。这些器件通常用于防护400 W（10/1000 µs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温，以确保长期的可靠性和稳定性。SMAJ采用SMA封装（SMA焊盘尺寸符合IPC 7531标准）。

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5+
￥0.8229
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￥0.6439
150+
￥0.5544
500+
￥0.4872

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型号：SMBJ28CA-TR 编号：C133664

封装：SMB(DO-214AA)

品牌：ST(意法半导体)

SMBJ瞬态电压抑制二极管（Transil）系列旨在根据IEC 61000 - 4 - 2和MIL STD 883方法3015保护敏感设备免受静电放电影响，并根据IEC 61000 - 4 - 4和5保护其免受电过应力影响。这些器件通常用于防护600 W（10/1000 μs）以下的浪涌。平面技术使这些器件适用于高端设备和开关模式电源（SMPS），这些应用需要低漏电流和高结温以确保长期的可靠性和稳定性。SMBJ采用SMB封装（符合IPC 7531标准的SMB焊盘尺寸）。

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