英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BBY6602VH6327XTSA1 编号：C7466801

封装：SC-79-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高电容比。高Q超突变调谐二极管。低串联电阻。专为移动通信设备中压控振荡器的低调谐电压操作而设计。极低的电容散布。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

10+
￥1.62
100+
￥1.56
200+
￥1.44
1000+
￥1.38
2000+
￥1.344

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型号：FZ600R12KE4 编号：C535643

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

IGBT模块

数据手册

1+
￥577.18
30+
￥546

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型号：FF300R17KE3 编号：C3198785

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥707.83
30+
￥672.75

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型号：FZ900R12KE4 编号：C535656

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性：扩展工作温度 T(vijop)。低开关损耗。高鲁棒性。V(CEsat) 具有正温度系数。低 V(CEsat)。机械特性：4 kV AC 1 分钟绝缘。应用：高功率转换器。电机驱动器

数据手册

单价：
￥604.95 / 个

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型号：BAR5002VH6327XTSA1 编号：C4468002

封装：SC-79-2

品牌：Infineon(英飞凌)

电流控制的射频电阻，用于开关和衰减应用，频率范围从10 MHz到6 GHz，在移动通信中作为天线开关特别有用。

5+
￥0.8027
50+
￥0.6286
150+
￥0.5415
500+
￥0.4762
3000+
￥0.424
6000+
￥0.3979

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型号：BAR6302LE6327XTMA1 编号：C4468001

封装：TSLP-2-1

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：PIN二极管，用于射频信号的高速切换。极低的正向电阻（低插入损耗）。极低的电容（高隔离度）。适用于高达3GHz的频率。无铅（符合RoHS标准）封装。

5+
￥0.815
50+
￥0.6409
150+
￥0.5539
500+
￥0.4886
2500+
￥0.4146
5000+
￥0.3885

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型号：BAR6303WE6327 编号：C152648

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

射频二极管

数据手册

1986+
￥0.48
3972+
￥0.472
7944+
￥0.46
15888+
￥0.44

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型号：BAW 101 E6327 编号：C533681

封装：SOT-143

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

80+
￥3.31299
200+
￥2.944879
500+
￥2.404985
1000+
￥2.061416

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型号：6ED2742S01QXTMA1 编号：C6462126

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED2742S01Q是一款基于SOI技术的160 V栅极驱动器，专为三相无刷直流（BLDC）电机驱动应用而设计。集成的自举二极管用于为三个外部高端自举电容充电，并通过涓流充电泵支持100%占空比运行。保护功能包括欠压锁定、可配置阈值的过流保护、故障通信和自动故障清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。在VSS和COM之间集成了一个增益可选的电流检测运算放大器（CSA）。

单价：
￥22.454 / 个

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型号：IDH10G65C5 编号：C535872

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了英飞凌碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺（已在第三代产品中引入），现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都能提高效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数 (Qc×Vf)。新的 ThinQ!TM 第五代产品旨在与我们的 650V CoolMOS 系列产品互补，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

数据手册

1+
￥15.5375
20+
￥14.916
100+
￥14.4188
200+
￥14.1702
500+
￥13.9216

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型号：IDH20G65C6XKSA1 编号：C6640079

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥61.42
10+
￥53.95
50+
￥49.4
100+
￥45.59

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型号：BAR6502VH6327XTSA1 编号：C3040060

封装：SOD-523

品牌：Infineon(英飞凌)

用于移动通信低损耗收发开关的串联二极管；电视调谐器的频段开关；适用于快速切换应用

数据手册

5+
￥0.9354
50+
￥0.7482
150+
￥0.6546
500+
￥0.5844
3000+
￥0.4532
6000+
￥0.4251

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型号：IDH08G120C5XKSA1 编号：C3757568

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥23.67
10+
￥20.43
30+
￥18.51
100+
￥16.57
500+
￥15.67
1000+
￥15.26

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型号：IDWD140E120D7XKSA1 编号：C22443486

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：重复峰值反向电压（VRRM）：1200 V。二极管正向电流（IF）：Tc = 25℃时为207 A，Tc = 91℃时为140 A。最大结温（Tvjmax）：175℃。低正向电压（VF）。低反向恢复电荷（Qrr）。超快恢复时间（trr）。应用：串式逆变器。电动汽车充电

1+
￥48.01
10+
￥41.04
30+
￥36.79
100+
￥33.23

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型号：BAT1502LRHE6327XTSA1 编号：C4468403

封装：SOD-882

品牌：Infineon(英飞凌)

低势垒型，适用于高达12 GHz的DBS混频器应用、相位检测器和调制器，具有低噪声系数，采用无铅（符合RoHS标准）封装。

1+
￥3.71
10+
￥3.61
30+
￥3.55
100+
￥3.49

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型号：BAT1502ELE6327 编号：C533619

封装：TSLP-2

品牌：Infineon(英飞凌)

该射频肖特基二极管是一种硅低势垒N型器件，芯片上集成了用于过压保护的保护环。其低势垒高度、低正向电压和低结电容，使其适合在高达12 GHz频率的应用中用于混频器和探测器功能。

数据手册

50+
￥0.81
500+
￥0.75
1000+
￥0.72
5000+
￥0.69
10000+
￥0.672

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型号：IDL08G65C5 编号：C535901

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺，在第三代中就已引入，现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。这造就了一个新产品系列，在所有负载条件下都能提高效率，这得益于其改善的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代产品旨在补充我们的 650V CoolMOS 系列产品，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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