英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IDH20G120C5XKSA1 编号：C42433296

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥42.435
500+
￥37.83615

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型号：40CPQ045PBF 编号：C3037

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥56.92
10+
￥55.75
30+
￥54.97
100+
￥54.19

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型号：LASERDI SPL-PL90 A 编号：C538524

封装：插件,12.7x10.5mm

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥4424.74
30+
￥4213

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型号：BB814E6327GR1HTSA1 编号：C3272484

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

单价：
￥2.179056 / 个

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型号：BBY 53-02V H6327 编号：C533698

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高Q超突变调谐二极管。专为移动通信设备中压控振荡器的低调谐电压操作而设计。低反向电压下的高比率。无铅（符合RoHS标准）封装

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1+
￥1.25
10+
￥1.22
30+
￥1.2
100+
￥1.18

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型号：BBY 56-02V H6327 编号：C533702

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥1.3582
10+
￥1.0808
30+
￥0.9619
100+
￥0.8136
500+
￥0.7145
1000+
￥0.6749

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型号：BBY5702VH6327XTSA1 编号：C3272464

封装：SC-79-2

品牌：Infineon(英飞凌)

10+
￥1.35
100+
￥1.3
200+
￥1.2
1000+
￥1.15
2000+
￥1.12

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型号：IKD06N65ET6ARMA1 编号：C3191758

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温175℃。短路耐受时间3μs。适用于650V应用的沟槽和场截止技术，具有:非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定特性。低VCEsat和正温度系数。应用：驱动器：通用驱动器（GPD）。大型家用电器：空调、其他大型家用电器

1+
￥7.33
10+
￥7.14
30+
￥7.02
100+
￥6.89

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型号：IDD03SG60CXTMA2 编号：C3758697

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

单价：
￥6.099641 / 个

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型号：IDH02G65C5 编号：C3759793

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥8.92
10+
￥8.73
30+
￥8.6
100+
￥8.46

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型号：IDK02G120C5XTMA1 编号：C42433298

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

系统效率比硅二极管更高。能够实现更高频率/更高功率密度的解决方案。由于减少了散热器需求和使用更小的磁性元件，节省了系统尺寸和成本。降低了电磁干扰 (EMI)。在整个负载范围内具有最高效率。在浪涌事件期间二极管工作稳定。可靠性高

单价：
￥9.230961 / 个

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型号：2ED21814S06JXUMA1 编号：C1848349

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪能力，能够在VS引脚上高达 -11 VDC的负电压瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，工作电压高达650 V。

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1+
￥10.86
10+
￥10.59
30+
￥10.4
100+
￥10.22

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型号：IDM08G120C5XTMA1 编号：C126694

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥11.16
10+
￥10.92
30+
￥10.76
100+
￥10.59

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型号：IDM05G120C5XTMA1 编号：C126695

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

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2500+
￥8.8689
5000+
￥8.789
7500+
￥8.7091

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型号：IDH02G120C5 编号：C535852

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥15.84
10+
￥15.47
30+
￥15.22
100+
￥14.98

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型号：2ED2181S06FXUMA1 编号：C3655368

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2181(4)S06F(J)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。该器件稳定性出色、抗噪能力强，在VS引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 VDC的负电压瞬态时，仍能维持工作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

1+
￥17.24
10+
￥14.53
30+
￥12.84
100+
￥11.1
500+
￥10.32
1000+
￥9.98

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型号：IDD05SG60C 编号：C535838

封装：TO-252-2

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥17.81
10+
￥15.12
30+
￥13.44
100+
￥11.71
500+
￥10.93
1000+
￥10.59

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型号：IDWD60E120D7XKSA1 编号：C22443490

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VRRM = 1200 V。IF = 60 A。1200 V 发射极控制技术。最高结温 Tvjmax = 175℃。低正向电压 (VF)。低反向恢复电荷。应用：串式逆变器。电动汽车充电

1+
￥21.63
10+
￥21.07
30+
￥20.71
100+
￥20.34

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型号：IDWD75E120D7XKSA1 编号：C22408321

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VRRM = 1200 V。IF = 75 A。1200 V 发射极控制技术。最高结温 Tvjmax = 175℃。低正向电压 (VF)。低反向恢复电荷。应用：串式逆变器。电动汽车充电

1+
￥23.7
10+
￥23.1
30+
￥22.69
100+
￥22.29

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型号：IDM10G120C5XTMA1 编号：C126693

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

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单价：
￥15.184759 / 个

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型号：IDH16G65C6 编号：C535880

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

是用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。通过引入新的肖特基金属系统等进一步改进，在所有负载条件下具有更高的效率，由更低的品质因数 (Qc×VF) 实现。650 V G6碳化硅肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOS 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

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1+
￥24.16
10+
￥23.55
30+
￥23.15
100+
￥22.75

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型号：IDWD150E65E7XKSA1 编号：C22408276

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VRRM = 650 V。 IF = 150 A。低和温度稳定的正向电压(VF)。非常软和快速恢复。低反向恢复电流(Irrm)。湿度鲁棒设计。应用：串式和微型逆变器。数据中心UPS

1+
￥27.02
10+
￥26.43
30+
￥26.04
100+
￥25.65

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型号：IDWD120E120D7XKSA1 编号：C22443485

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VRRM = 1200 V。 IF = 120 A。 1200 V 发射极控制技术。最高结温 Tvjmax = 175℃。低正向电压 (VF)。低反向恢复电荷。应用：串式逆变器。电动汽车充电

1+
￥29.93
10+
￥29.16
30+
￥28.66
100+
￥28.15

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型号：IDH04G65C5XKSA2 编号：C672253

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺，在第三代中已经引入，现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的ThinQ!TM 第五代旨在补充我们的650V CoolMOS系列：这确保了在这个电压范围内满足最严格的应用要求。

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