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  • 系统效率比硅二极管更高。能够实现更高频率/更高功率密度的解决方案。由于减少了散热器需求和使用更小的磁性元件,节省了系统尺寸和成本。降低了电磁干扰 (EMI)。在整个负载范围内具有最高效率。在浪涌事件期间二极管工作稳定。可靠性高
    • 单价:

      ¥9.927754 / 个
    特性:革命性的半导体材料:碳化硅。 无反向恢复电流/无正向恢复。 温度无关的开关特性。 即使在高工作温度下也具有低正向电压。 紧密的正向电压分布。 出色的热性能。应用:太阳能逆变器。 不间断电源
    • 单价:

      ¥15.514802 / 个
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  • 2ED2103S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力,在VS引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 V DC的负电压瞬态时,仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
    数据手册
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      ¥1.461622
    特性:革命性的半导体材料——碳化硅。 无反向恢复电流/无正向恢复。 温度无关的开关特性。 即使在高工作温度下也具有低正向电压。 正向电压分布紧密。 出色的热性能。应用:太阳能逆变器。 不间断电源
    数据手册
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  • 是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪能力,能够在VS引脚上高达 -11 VDC的负电压瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,工作电压高达650 V。
    数据手册
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  • 2ED2181(4)S06F(J)是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。该器件稳定性出色、抗噪能力强,在VS引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 VDC的负电压瞬态时,仍能维持工作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
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      ¥8.8592
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      ¥8.701
    特性:革命性的半导体材料。 碳化硅-开关性能基准-无反向恢复 / 无正向恢复-与温度无关的开关特性。 高浪涌电流能力。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。 在 20mA² 下测试击穿电压。应用:SMPS 例如;CCM PFC。 电机驱动
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      ¥46.4
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  • 特性:革命性的半导体材料。 碳化硅。 开关性能基准。 无反向恢复/无正向恢复。 与温度无关的开关特性。 高浪涌电流能力。应用:开关电源(如CCM PFC)。 电机驱动
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