英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BAS140WE6327HTSA1 编号：C151508

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

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5+
￥1.0021
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￥0.8221
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型号：BB 914 E6327 编号：C533697

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于扩展频段的FM收音机调谐器。低电源电压下具有高调谐比（汽车收音机）。单片芯片（共阴极），可实现完美的双二极管跟踪。 C-V曲线具有良好的线性度。高品质因数。无铅（符合RoHS标准）封装

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型号：BAS7004SH6327XTSA1 编号：C3757632

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管。

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￥3.81
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型号：BAR6305WH6327XTSA1 编号：C4468094

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：PIN二极管，用于射频信号的高速切换。极低的正向电阻（低插入损耗）。极低的电容（高隔离度）。适用于高达3GHz的频率。无铅（符合RoHS标准）封装。

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￥4.33
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型号：2ED28073J06F 编号：C533056

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。

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型号：BAS4007E6327HTSA1 编号：C5311588

封装：SOT-143-4

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

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型号：IDV20E65D1 编号：C535935

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650 V 发射极控制技术。关键参数的温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快速恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。应用：AC/DC 转换器。PFC 级中的升压二极管

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￥7.64
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￥6.32
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型号：IDP30E65D2 编号：C535930

封装：TO-220AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压且温度稳定性好。应用：连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）中的升压二极管

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1+
￥12.14
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￥10.42
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型号：IDDD08G65C6 编号：C535845

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSiC G6是用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。通过引入新的肖特基金属系统等进一步改进，在英飞凌专有的创新G5技术基础上进行了增强。这使得产品在所有负载条件下都具有更高的效率，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOST 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

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￥12.73
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型号：2ED1321S12MXUMA1 编号：C20189640

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥21.55
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型号：IDW80C65D2 编号：C535965

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷 (Qrr)。低正向电压 (VF) 且在不同温度下保持稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

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￥22.91
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￥19.76
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￥17.89

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型号：IDH16G65C6 编号：C535880

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

是用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。通过引入新的肖特基金属系统等进一步改进，在所有负载条件下具有更高的效率，由更低的品质因数 (Qc×VF) 实现。650 V G6碳化硅肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOS 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

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￥24.16
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￥23.55
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型号：2ED21084S06JXUMA1 编号：C3655642

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2108 (4) S06F (J) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。它具备出色的耐用性和抗噪能力，在 VS 引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 V 的负瞬态电压时，仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

1+
￥30.83
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￥26.55
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￥24.01

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型号：IDH20G120C5XKSA1 编号：C42433296

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥39.79
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￥38.8
30+
￥38.14

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型号：IDW15G120C5BFKSA1 编号：C3757618

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅：无反向恢复电流/无正向恢复。温度无关的开关特性。即使在高工作温度下也具有低正向电压。正向电压分布紧密。出色的热性能。应用：太阳能逆变器。不间断电源

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￥42.71
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￥40.61

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型号：IDK16G120C5XTMA1 编号：C42433297

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

系统效率比硅二极管更高。可实现更高频率/更高功率密度解决方案。由于减少了散热器需求和使用更小的磁性元件，节省了系统尺寸和成本。降低电磁干扰。在整个负载范围内具有最高效率。在浪涌事件期间二极管运行稳定。高可靠性

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￥54.31
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￥52.97
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￥52.08

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型号：IKFW90N60EH3 编号：C536184

封装：TO-247-3-AI

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低VCE(sat)。短路耐受时间：在Tvj = 175℃时为5μs。 VCE(sat)具有正温度系数。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温：175℃。应用：通用驱动器（GPD）。伺服驱动器

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1+
￥70.84
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￥68.63

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型号：IDH20G65C5XKSA2 编号：C3758536

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺（在第三代中已引入）现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都提高了效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

单价：
￥74.45 / 个

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型号：IKW75N65SS5XKSA1 编号：C3191683

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V-IC = 75 A。由于TRENCHSTOP™ 5和CoolSiC™技术的结合，具有超低开关损耗。极低的导通损耗。在硬开关拓扑中具有基准效率。可即插即用替代纯硅器件。最高结温Tvjmax = 175℃。应用：工业开关电源。工业不间断电源

1+
￥111.01
10+
￥107.23

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型号：BAR 64-05 E6327 编号：C116455

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

低插损射频二极管一切二射频pin二极管

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5+
￥0.7557
50+
￥0.5984
150+
￥0.5198

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型号：2ED2104S06FXUMA1 编号：C3655257

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相关联的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达 -11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持逻辑运行。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压高达650V。

1+
￥5.28
10+
￥5.15
30+
￥5.06

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型号：BAT 64-06 E6327 编号：C533662

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用，集成扩散保护环，正向电压低。

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1+
￥6.67
10+
￥5.46
30+
￥4.86

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型号：IDH05G65C5XKSA2 编号：C3760028

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺（已在第三代中引入）现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都能提高效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的ThinQ!TM 第五代旨在补充我们的650V CoolMOS系列：这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

1+
￥10.65
10+
￥10.64

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型号：2ED2742S01GXTMA1 编号：C5502859

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款基于SOI的160V栅极驱动器，专为半桥无刷直流电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。

1+
￥10.93
10+
￥10.65
30+
￥10.46

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型号：2ED2732S01GXTMA1 编号：C6798610

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款基于SOI的160V栅极驱动器，专为半桥无刷直流电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为高端电源供电，对自举电容器进行充电。保护功能包括Vcc和VB引脚上的欠压锁定。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。

1+
￥10.93
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￥10.65
30+
￥10.46

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型号：IDH08G65C5XKSA2 编号：C672133

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!™ 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。专有的扩散焊接工艺,现已与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。这产生了一个新产品系列,在所有负载条件下均显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的ThinQ!™ 第五代旨在补充650V CoolMOSTM 系列:这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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1+
￥12.9
10+
￥12.57
30+
￥12.35

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型号：IKA08N65ET6XKSA1 编号：C3171043

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的VCE(sat) 1.5V（典型值）。最高结温175℃。短路耐受时间3μs。适用于650V应用的沟槽和场截止技术提供: -非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定性能。低VCEsat和正温度系数。应用：驱动器。通用驱动器（GPD）

1+
￥19.15
10+
￥16.35
50+
￥14.07

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型号：IDK10G120C5 编号：C535894

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥19.78
10+
￥19.32
30+
￥19.02

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型号：IDL12G65C5 编号：C535903

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥22
10+
￥21.49
30+
￥21.15

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型号：IDW16G65C5XKSA1 编号：C42433243

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!™ 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。由于采用了更紧凑的设计和薄晶圆技术，新产品系列在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新一代 ThinQ!™ 第五代产品旨在补充 650V CoolMOS™ 系列产品，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

1+
￥31.17
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