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650V SiC肖特基二极管

型号：IDL06G65C5 编号：C535900

封装：VSON-4(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!™ 第五代代表了英飞凌碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺(已在第三代中引入)现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的 ThinQ!™ 第五代旨在补充我们的 650V CoolMOS 系列:这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

数据手册

1+
￥9.18
10+
￥8.97
30+
￥8.84

有货

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集成自举二极管的650V高端和低端栅极驱动器

型号：2ED2101S06FXUMA1 编号：C3655605

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2101S06F 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。该驱动器具有出色的耐用性和抗噪性能，即使在 VS 引脚 (VCC = 15 V) 的负电压高达 -11 VDC 的情况下，也能在瞬态电压下保持逻辑正常工作。该器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁效应。

1+
￥10.48
10+
￥8.75
30+
￥7.79

有货

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650V 80A

型号：IDW40E65D2 编号：C535957

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC标准，适用于目标应用。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压，且随温度变化稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

数据手册

1+
￥11.46
10+
￥11.17
30+
￥10.98

有货

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650V 60A

型号：IDP30E65D2 编号：C535930

封装：TO-220AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压且温度稳定性好。应用：连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）中的升压二极管

数据手册

1+
￥12.14
10+
￥10.42
50+
￥9.34

有货

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650V SiC肖特基二极管

型号：IDDD08G65C6 编号：C535845

封装：SOP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSiC G6是用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。通过引入新的肖特基金属系统等进一步改进，在英飞凌专有的创新G5技术基础上进行了增强。这使得产品在所有负载条件下都具有更高的效率，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOST 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

数据手册

1+
￥13.03
10+
￥12.73
30+
￥12.53

有货

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耐压:1200V 电流:52A 反向恢复时间：135ns

型号：IDWD30E120D7XKSA1 编号：C22443487

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VRRM = 1200 V。IF = 30 A。1200 V 发射极控制技术。最高结温 Tvimax = 175℃。低正向电压 (VF)。低反向恢复电荷。应用：串式逆变器。电动汽车充电

1+
￥17.81
10+
￥17.35
30+
￥17.05

有货

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IDL12G65C5

型号：IDL12G65C5 编号：C535903

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥22
10+
￥21.49
30+
￥21.15

有货

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1200V半桥栅极驱动器，带集成自举二极管和过流保护

型号：2ED1321S12MXUMA1 编号：C20189640

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥22.04
10+
￥21.55
30+
￥21.23

有货

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IDWD120E65E7XKSA1

型号：IDWD120E65E7XKSA1 编号：C22408502

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥22.45
10+
￥21.96
30+
￥21.63

有货

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650V SiC肖特基二极管

型号：IDDD20G65C6XTMA1 编号：C42433294

封装：HDSOP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSiC第六代（G6）是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步提升，引入了新的肖特基金属系统等改进。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。该650V G6碳化硅肖特基二极管旨在与600V和650V CoolMOS 7系列互补，满足该电压范围内最严格的应用要求。

1+
￥41.41
10+
￥40.44
30+
￥39.79

有货

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1200 V SiC 肖特基二极管

型号：IDW15G120C5BFKSA1 编号：C3757618

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅：无反向恢复电流/无正向恢复。温度无关的开关特性。即使在高工作温度下也具有低正向电压。正向电压分布紧密。出色的热性能。应用：太阳能逆变器。不间断电源

1+
￥42.71
10+
￥40.61

有货

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第五代 1200V 肖特基二极管

型号：IDK16G120C5XTMA1 编号：C42433297

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

系统效率比硅二极管更高。可实现更高频率/更高功率密度解决方案。由于减少了散热器需求和使用更小的磁性元件，节省了系统尺寸和成本。降低电磁干扰。在整个负载范围内具有最高效率。在浪涌事件期间二极管运行稳定。高可靠性

1+
￥52.93
10+
￥51.59
30+
￥50.69

有货

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高速开关系列第三代IGBT与快速1型快速软反并联二极管共封装

型号：IKFW90N60EH3 编号：C536184

封装：TO-247-3-AI

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低VCE(sat)。短路耐受时间：在Tvj = 175℃时为5μs。 VCE(sat)具有正温度系数。低EMI。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温：175℃。应用：通用驱动器（GPD）。伺服驱动器

数据手册

1+
￥70.84
10+
￥68.63

有货

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650V SiC肖特基二极管

型号：IDH20G65C5XKSA2 编号：C3758536

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺（在第三代中已引入）现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都提高了效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

单价：
￥74.45 / 个

有货

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硅PIN二极管，高压电流控制射频电阻，频率范围1 MHz - 6 GHz

型号：BAR 64-05 E6327 编号：C116455

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

低插损射频二极管一切二射频pin二极管

数据手册

5+
￥0.7557
50+
￥0.5984
150+
￥0.5198

有货

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600V半桥栅极驱动器，带集成自举二极管

型号：2ED28073J06F 编号：C533056

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有依赖的高端和低端参考输出通道。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 LSTTL 输出兼容，低至 3.3V 逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。

数据手册

1+
￥6.24
10+
￥6.1
30+
￥6

有货

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电压:40V 电流:250mA

型号：BAT 64-06 E6327 编号：C533662

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用，集成扩散保护环，正向电压低。

数据手册

1+
￥6.67
10+
￥5.46
30+
￥4.86

有货

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650V半桥栅极驱动器，集成自举二极管

型号：2ED21834S06JXUMA1 编号：C1850288

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

数据手册

1+
￥10.26
10+
￥10
30+
￥9.82

有货

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650V SiC肖特基二极管

型号：IDH05G65C5XKSA2 编号：C3760028

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺（已在第三代中引入）现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都能提高效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的ThinQ!TM 第五代旨在补充我们的650V CoolMOS系列：这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

1+
￥10.65
10+
￥10.64

有货

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650V SiC肖特基二极管

型号：IDH08G65C5XKSA2 编号：C672133

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!™ 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。专有的扩散焊接工艺,现已与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。这产生了一个新产品系列,在所有负载条件下均显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的ThinQ!™ 第五代旨在补充650V CoolMOSTM 系列:这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

数据手册

1+
￥12.9
10+
￥12.57
30+
￥12.35

有货

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第三代SiC肖特基二极管

型号：IDD04SG60CXTMA2 编号：C3757970

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复/无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用：开关电源（如CCM PFC）。电机驱动

1+
￥16.58
10+
￥13.98
30+
￥11.84

有货

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TRENCHSTOP IGBT6绝缘栅双极型晶体管，带反并联Rapid二极管

型号：IKA08N65ET6XKSA1 编号：C3171043

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的VCE(sat) 1.5V（典型值）。最高结温175℃。短路耐受时间3μs。适用于650V应用的沟槽和场截止技术提供: -非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定性能。低VCEsat和正温度系数。应用：驱动器。通用驱动器（GPD）

1+
￥19.15
10+
￥16.35
50+
￥14.07

有货

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第三代碳化硅肖特基二极管

型号：IDH03SG60CXKSA2 编号：C5361091

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复/无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用：SMPS，例如CCM PFC。电机驱动

数据手册

1+
￥28.47
10+
￥24.18
30+
￥21.62

有货

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650V SiC肖特基二极管

型号：IDK08G65C5XTMA2 编号：C3758485

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

单价：
￥33.98 / 个

有货

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第三代thinQ!碳化硅肖特基二极管

型号：IDH12SG60CXKSA2 编号：C5361085

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关性能基准。无反向恢复/无正向恢复。与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。应用：开关电源，例如连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）。电机驱动

数据手册

单价：
￥60.21 / 个

有货

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IDW40G65C5

型号：IDW40G65C5 编号：C535959

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥68.82
10+
￥66.65

有货

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CoolSiC混合分立器件——TRENCHSTOP 5 S5 IGBT与全额定值第六代CoolSic二极管共同封装

型号：IKW75N65SS5XKSA1 编号：C3191683

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V-IC = 75 A。由于TRENCHSTOP™ 5和CoolSiC™技术的结合，具有超低开关损耗。极低的导通损耗。在硬开关拓扑中具有基准效率。可即插即用替代纯硅器件。最高结温Tvjmax = 175℃。应用：工业开关电源。工业不间断电源

1+
￥111.01
10+
￥107.23

有货

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第三代碳化硅肖特基二极管

型号：IDH08SG60C 编号：C535868

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅-开关性能基准-无反向恢复 / 无正向恢复-与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。击穿电压在 20mA² 下测试。应用：SMPS 例如；CCM PFC。电机驱动

数据手册

1+
￥20.01
10+
￥19.52
30+
￥19.19

有货

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650V SiC肖特基二极管

型号：IDH02G65C5 编号：C535853

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥23.24
10+
￥20.07
30+
￥18.18

有货

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第三代碳化硅肖特基二极管

型号：IDH04SG60C 编号：C535858

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复/无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用：SMPS（如CCM PFC）。电机驱动器

数据手册

1+
￥36.34
10+
￥31.55
30+
￥27.38

有货

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