英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BAR6404WH6327XTSA1 编号：C5311586

封装：SOT-323-3(SC-70)

品牌：Infineon(英飞凌)

该RF PIN二极管专为需要承受大RF电压的低失真开关而设计，适用于高达3 GHz的频率。其标称50μm的I区宽度与典型1.55μs的载流子寿命相结合，使二极管具有低正向电阻和低失真特性。

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型号：BAT6405WH6327XTSA1 编号：C3759220

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。

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型号：BAS 3010A-03W E6327 编号：C533582

封装：SOD-323-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：正向电流：1A。反向电压：30V。极低正向电压（典型值0.41V @ IF = 1A）。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101认证。应用：高效DC/DC转换。快速开关

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型号：BAT 18-04 E6327 编号：C533635

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低损耗VHF / UHF开关，频率高于10 MHz。 PIN二极管，正向电阻低。无铅（符合RoHS标准）封装

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型号：BAR66E6327 编号：C439778

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

浪涌保护装置，专为反并联连接中的浪涌过电压钳位而设计。无铅（符合 RoHS 标准）封装

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型号：BAR81WH6327XTSA1 编号：C4468107

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：BAS7006E6327HTSA1 编号：C3760002

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管。

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型号：BAS12504WH6327XTSA1 编号：C2939941

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。集成扩散保护环。低正向电压。无铅（符合 RoHS）封装。根据 AEC Q101 标准认证

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型号：BAS40E6433 编号：C3312932

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

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型号：BAS4006E6433 编号：C3758453

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

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型号：BAS7004SH6327XTSA1 编号：C3757632

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管。

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型号：BAS4007E6327HTSA1 编号：C5311588

封装：SOT-143-4

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

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型号：BAT 17-07 E6327 编号：C533634

封装：SOT-143-4

品牌：Infineon(英飞凌)

用于VHF/UHF范围内的混频器应用；用于高速开关应用；无铅（符合RoHS标准）封装；根据AEC Q101标准认证

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型号：IDP15E65D2XKSA1 编号：C17490730

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压且温度稳定性好。应用：CCM PFC中的升压二极管

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型号：2ED2748S01GXTMA1 编号：C6404744

封装：VSON-10(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

基于SOI技术、耐压160 V的栅极驱动器，专为半桥无刷直流（BLDC）电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定

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型号：IDK06G65C5XTMA2 编号：C3760090

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!™ 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。专有扩散焊接工艺与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。这造就了一个新产品系列，在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的ThinQ!™ 第五代旨在补充650V CoolMOS™ 系列：这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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型号：IDW16G65C5XKSA1 编号：C42433243

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!™ 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。由于采用了更紧凑的设计和薄晶圆技术，新产品系列在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新一代 ThinQ!™ 第五代产品旨在补充 650V CoolMOS™ 系列产品，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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型号：IDW30C65D2XKSA1 编号：C3312939

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷 (Qrr)。低正向电压 (VF) 且随温度变化稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

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型号：6ED2230S12TXUMA1 编号：C1849479

封装：DSO-24

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED2230S12T 是一款高压、高速 IGBT，具有三个独立的高端和低端参考输出通道，适用于三相应用。专有的 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术实现了坚固的单片式结构。逻辑输入与标准 CMOS 或 TTL 输出兼容，低至 3.3V。

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型号：IDW30G65C5 编号：C3758220

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ! Generation 5代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。由于更紧凑的设计和薄晶圆技术，新产品系列在所有负载条件下都提高了效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的ThinQ! Generation 5旨在补充650V CoolMOS系列，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。