英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BAR6302LE6327XTMA1 编号：C4468001

封装：TSLP-2-1

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：PIN二极管，用于射频信号的高速切换。极低的正向电阻（低插入损耗）。极低的电容（高隔离度）。适用于高达3GHz的频率。无铅（符合RoHS标准）封装。

5+
￥0.4346
50+
￥0.4242
150+
￥0.4172
500+
￥0.4103

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型号：BAT5403WE6327HTSA1 编号：C3312930

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。保护环保护。低正向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

135+
￥1.826182
200+
￥1.623271
500+
￥1.325672
1000+
￥1.13629

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型号：BAS 70-06W H6327 编号：C533615

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

5+
￥0.5203
50+
￥0.5087
150+
￥0.501

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型号：BAT 64-04 E6433 编号：C533658

封装：SOT-23-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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5+
￥0.6053
50+
￥0.5918
150+
￥0.5828

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型号：SMBD 914 E6327 编号：C539255

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

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5+
￥0.7113
50+
￥0.6955
150+
￥0.6849

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型号：BAT6405WH6327XTSA1 编号：C3759220

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。

5+
￥0.8222
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￥0.6434
150+
￥0.554

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型号：BAT 18-04 E6327 编号：C533635

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低损耗VHF / UHF开关，频率高于10 MHz。 PIN二极管，正向电阻低。无铅（符合RoHS标准）封装

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1+
￥1.44
10+
￥1.4
30+
￥1.38

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型号：BAT15099E6327HTSA1 编号：C669896

封装：SOT-143-4

品牌：Infineon(英飞凌)

低势垒型，适用于高达12 GHz的DBS混频器应用、相位检测器和调制器，具有低噪声系数，采用无铅（符合RoHS标准）封装。

1+
￥1.98
10+
￥1.93
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￥1.9

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型号：BAR6304E6327HTSA1 编号：C5310871

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：PIN二极管，用于射频信号的高速切换。极低的正向电阻（低插入损耗）。极低的电容（高隔离度）。适用于高达3GHz的频率。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

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5+
￥2.0231
50+
￥1.5762
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￥1.3846

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型号：BAR81WH6327XTSA1 编号：C4468107

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥2.14
10+
￥2.08
30+
￥2.05
100+
￥2.01

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型号：BBY 55-03W E6327 编号：C533701

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥2.84
10+
￥2.78
30+
￥2.73

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型号：BAS7006E6327HTSA1 编号：C3760002

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管。

1+
￥4.42
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￥3.53
30+
￥3.08

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型号：BAS12504WH6327XTSA1 编号：C2939941

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。集成扩散保护环。低正向电压。无铅（符合 RoHS）封装。根据 AEC Q101 标准认证

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1+
￥4.47
10+
￥3.64
30+
￥3.23

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型号：BAS40E6433 编号：C3312932

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

1+
￥4.98
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￥4.06
30+
￥3.6

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型号：BAT5406E6327HTSA1 编号：C5310872

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。保护环保护。低正向电压。无铅（符合 RoHS 标准）封装。根据 AEC Q101 认证（BAT54-02LRH 除外）

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1+
￥6.15
10+
￥5.01
30+
￥4.44

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型号：BAS4006E6433 编号：C3758453

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

1+
￥6.17
10+
￥5.03
30+
￥4.46

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型号：BAS4005E6433 编号：C3758126

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

1+
￥6.17
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￥5.03
30+
￥4.46

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型号：2ED21091S06FXUMA1 编号：C1848351

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED21091S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗干扰能力，在瞬态电压下，VS引脚（$V_{CC}=15 V$）上的负电压高达11 V时仍能保持工作逻辑。该器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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1+
￥7.72
10+
￥6.35
30+
￥5.6
100+
￥4.75

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型号：IDL06G65C5 编号：C535900

封装：VSON-4(8x8)

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!™ 第五代代表了英飞凌碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺(已在第三代中引入)现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都显示出更高的效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新的 ThinQ!™ 第五代旨在补充我们的 650V CoolMOS 系列:这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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1+
￥8.53
10+
￥8.32
30+
￥8.19

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型号：2ED21834S06JXUMA1 编号：C1850288

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

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1+
￥10.26
10+
￥10
30+
￥9.82

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型号：IDWD30E120D7XKSA1 编号：C22443487

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VRRM = 1200 V。IF = 30 A。1200 V 发射极控制技术。最高结温 Tvimax = 175℃。低正向电压 (VF)。低反向恢复电荷。应用：串式逆变器。电动汽车充电

1+
￥17.81
10+
￥17.35
30+
￥17.05

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型号：2ED2748S01GXTMA1 编号：C6404744

封装：VSON-10(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

基于SOI技术、耐压160 V的栅极驱动器，专为半桥无刷直流（BLDC）电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定

1+
￥18.87
10+
￥16.1
30+
￥14.36
100+
￥12.59

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型号：IDK08G65C5 编号：C535892

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥29.53
10+
￥25.24
30+
￥21.74

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型号：IDW30C65D2XKSA1 编号：C3312939

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷 (Qrr)。低正向电压 (VF) 且随温度变化稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

1+
￥34.95
10+
￥30.15
30+
￥27.29

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型号：IDW20G65C5 编号：C535945

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥55.78
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￥47.63
30+
￥42.67

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型号：IDW40G65C5BXKSA2 编号：C3759129

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥109.37
10+
￥105.86

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型号：IDW20G65C5BXKSA2 编号：C3757887

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。新的、更紧凑的设计与薄晶圆技术相结合，产生了一系列新产品，这些产品在所有负载条件下都提高了效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（QC x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列：这确保了满足该电压范围内最严格的应用要求。