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首页 > 热门关键词 > 英飞凌二极管
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硅肖特基二极管,用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管
数据手册
  • 5+

    ¥0.6954
  • 50+

    ¥0.681
  • 150+

    ¥0.6714
  • 500+

    ¥0.6318
  • 订货
    • 1+

      ¥0.7804
    • 200+

      ¥0.302
    • 500+

      ¥0.2914
    • 1000+

      ¥0.2862
  • 订货
  • 用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。
    • 5+

      ¥0.7898
    • 50+

      ¥0.6195
    • 150+

      ¥0.5344
    • 500+

      ¥0.4705
    • 3000+

      ¥0.4194
    • 6000+

      ¥0.3939
  • 订货
  • 这款英飞凌RFPIN二极管提供高电压处理能力,并具有低损耗和低失真水平。其低正向电阻、低电容和低电感简化了设计,支持设计师创建更小、更轻的最终解决方案。
    数据手册
    • 15+

      ¥0.57523
    • 30+

      ¥0.55637
    • 60+

      ¥0.54694
    • 120+

      ¥0.51865
    可变电容二极管
    数据手册
    • 5+

      ¥1.0489
    • 50+

      ¥1.0272
    • 150+

      ¥1.0127
    • 500+

      ¥0.953
  • 订货
  • 特性:ESD/瞬态/浪涌保护,超过标准: IEC61000-4-2(ESD):±30 kV(空气/接触放电)。 IEC61000-4-4(EFT):±50 A(5/50 ns)。 IEC61000-4-5(浪涌):±5 A(8/20 μs)。 双向对称工作电压:VRWM = ±13.2 V。 低电容:CL = 6 pF(典型值)。 非常低的ESD钳位电压,非常低的动态电阻:RDYN = 0.29 Ω(典型值)。应用:键盘、触摸板、按钮、音频线等的ESD保护
    • 单价:

      ¥0.806422 / 个
    低势垒型,适用于高达12 GHz的DBS混频器应用、相位检测器和调制器,具有低噪声系数,采用无铅(符合RoHS标准)封装。
    • 1+

      ¥1.98
    • 10+

      ¥1.93
    • 30+

      ¥1.9
    • 100+

      ¥1.86
  • 订货
  • 硅肖特基二极管,用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管
    数据手册
    • 20+

      ¥0.488865
    • 3000+

      ¥0.372232
    特性:650 V 发射极控制技术。关键参数的温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快速恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。应用:AC/DC 转换器。PFC 级中的升压二极管
    数据手册
    • 1+

      ¥7.64
    • 10+

      ¥6.32
    • 50+

      ¥5.6
    • 100+

      ¥4.77
    • 500+

      ¥4.41
    • 1000+

      ¥4.24
  • 订货
  • 是一款基于SOI的160V栅极驱动器,专为半桥无刷直流电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为外部高端自举电容供电。保护功能包括Vcc和VB引脚的欠压锁定。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉传导。
    • 10+

      ¥2.2788
    • 100+

      ¥2.1944
    • 200+

      ¥2.0256
    • 1000+

      ¥1.9412
    • 2000+

      ¥1.89056
    是一款基于SOI的160V栅极驱动器,专为半桥无刷直流电机驱动应用而设计。集成自举二极管用于为高端电源供电,对自举电容器进行充电。保护功能包括Vcc和VB引脚上的欠压锁定。输出驱动器具有一个高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。
    • 单价:

      ¥7.0948 / 个
    • 1+

      ¥230
    • 20+

      ¥218
  • 订货
  • 用于低损耗射频开关和衰减器
    • 单价:

      ¥1.870213 / 个
    • 1+

      ¥3.21
    • 10+

      ¥2.56
    • 30+

      ¥2.28
    • 100+

      ¥1.93
    • 500+

      ¥1.69
    • 1000+

      ¥1.6
  • 订货
  • 是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具有相关联的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术,具有出色的耐用性和抗噪性,能够在VS引脚负电压高达 -11 VDC(VCC = 15V)的瞬态电压下保持逻辑运行。器件中不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容,低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级,旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT,其工作电压高达650V。
    • 1+

      ¥5.28
    • 10+

      ¥5.15
    • 30+

      ¥5.06
    • 100+

      ¥4.97
  • 订货
    • 1+

      ¥5.35
    • 10+

      ¥4.31
    • 30+

      ¥3.79
    • 100+

      ¥3.28
    • 500+

      ¥2.83
    • 1000+

      ¥2.67
  • 订货
    • 1+

      ¥5.83
    • 10+

      ¥4.79
    • 30+

      ¥4.26
    • 100+

      ¥3.75
    • 500+

      ¥3.29
    • 1000+

      ¥3.13
  • 订货
    • 1+

      ¥8.09
    • 10+

      ¥6.85
    • 30+

      ¥6.17
    • 100+

      ¥5.4
    • 500+

      ¥5.06
    • 1000+

      ¥4.9
  • 订货
    • 1+

      ¥8.53
    • 10+

      ¥7.09
    • 30+

      ¥6.3
    • 100+

      ¥5.41
    • 500+

      ¥5.01
    • 1000+

      ¥4.83
  • 订货
    • 1+

      ¥10.2
    • 10+

      ¥8.49
    • 50+

      ¥7.56
    • 100+

      ¥6.5
    • 500+

      ¥6.02
    • 1000+

      ¥5.81
  • 订货
    • 1+

      ¥13.08
    • 10+

      ¥11.16
    • 30+

      ¥9.78
    • 90+

      ¥8.55
    • 480+

      ¥8
    • 960+

      ¥7.76
  • 订货
  • 2ED2103S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器,具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力,在VS引脚(VCC = 15 V)承受高达 -11 V DC的负电压瞬态时,仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构,因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象
    数据手册
    • 1+

      ¥13.22
    • 10+

      ¥11.47
    • 30+

      ¥10.38
    • 100+

      ¥8.92
    • 500+

      ¥8.41
    • 1000+

      ¥8.19
  • 订货
    • 1+

      ¥15.84
    • 10+

      ¥13.62
    • 30+

      ¥12.24
    • 100+

      ¥10.82
    • 500+

      ¥10.17
    • 1000+

      ¥9.9
  • 订货
    • 1+

      ¥10.283
    • 50+

      ¥9.492
    • 100+

      ¥9.3338
    • 500+

      ¥9.0174
    • 1000+

      ¥8.8592
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