英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BAT 15-02EL E6327 编号：C533619

封装：TSLP-2

品牌：Infineon(英飞凌)

该射频肖特基二极管是一种硅低势垒N型器件，芯片上集成了用于过压保护的保护环。其低势垒高度、低正向电压和低结电容，使其适合在高达12 GHz频率的应用中用于混频器和探测器功能。

数据手册

50+
￥0.675
500+
￥0.625
1000+
￥0.6
5000+
￥0.575
10000+
￥0.55

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型号：IDWD100E65E7XKSA1 编号：C22408471

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VRRM = 650 V 。 IF = 100 A 。低且温度稳定的正向电压 (VF) 。非常软且快速的恢复。低反向恢复电流 (Irrm) 。防潮设计。应用：串式和微型逆变器。数据中心UPS

1+
￥19.82
10+
￥19.32
30+
￥18.98
100+
￥18.64

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型号：IDH10G120C5 编号：C535871

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥20.1
10+
￥19.6
50+
￥19.26
100+
￥18.93

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型号：IDWD60E120D7XKSA1 编号：C22443490

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VRRM = 1200 V。IF = 60 A。1200 V 发射极控制技术。最高结温 Tvjmax = 175℃。低正向电压 (VF)。低反向恢复电荷。应用：串式逆变器。电动汽车充电

1+
￥21.63
10+
￥21.07
30+
￥20.71
100+
￥20.34

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型号：IDWD75E120D7XKSA1 编号：C22408321

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VRRM = 1200 V。IF = 75 A。1200 V 发射极控制技术。最高结温 Tvjmax = 175℃。低正向电压 (VF)。低反向恢复电荷。应用：串式逆变器。电动汽车充电

1+
￥23.7
10+
￥23.1
30+
￥22.69
100+
￥22.29

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型号：IDWD120E120D7XKSA1 编号：C22443485

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VRRM = 1200 V。 IF = 120 A。 1200 V 发射极控制技术。最高结温 Tvjmax = 175℃。低正向电压 (VF)。低反向恢复电荷。应用：串式逆变器。电动汽车充电

1+
￥29.93
10+
￥29.16
30+
￥28.66
100+
￥28.15

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型号：IDH20G65C6XKSA1 编号：C6640079

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥61.42
10+
￥53.95
50+
￥49.4
100+
￥45.59

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型号：IDW40G120C5B 编号：C535958

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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单价：
￥46.44 / 个

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型号：BB545E7904HTSA1 编号：C3271850

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥0.2372
10+
￥0.1857
30+
￥0.1571
100+
￥0.1399
500+
￥0.125
1000+
￥0.117

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型号：BAV199E6433 编号：C17482120

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

5+
￥0.2898
50+
￥0.2825
150+
￥0.2776
500+
￥0.2727

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型号：BAT 64 E6327 编号：C533655

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

100+
￥0.445365
1000+
￥0.42887
3000+
￥0.412375
6000+
￥0.379385
10000+
￥0.369488

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型号：BAV 70S H6327 编号：C533673

封装：SOT-363

品牌：Infineon(英飞凌)

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单价：
￥0.997073 / 个

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型号：BAS 16U E6327 编号：C533565

封装：SC-74

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥0.6025
10+
￥0.4806
30+
￥0.4196
100+
￥0.3739
500+
￥0.3374
1000+
￥0.3191

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型号：BAS3005A02VH6327XTSA1 编号：C3758275

封装：SC-79-2

品牌：Infineon(英飞凌)

10+
￥0.84513
3000+
￥0.6776

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型号：BAR6402ELE6327XTMA1 编号：C152669

封装：TSLP-2

品牌：Infineon(英飞凌)

该成本优化的RF PIN二极管专为需要承受大RF电压的低失真开关而设计，适用于高达6 GHz的频率。其标称50μm的I区宽度与典型1.55μs的载流子寿命相结合，使二极管具有低正向电阻和低失真特性。

100+
￥0.54
1000+
￥0.52
3000+
￥0.5
6000+
￥0.46
10000+
￥0.448

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型号：MMBD 7000 LT1 编号：C538536

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥0.7804
200+
￥0.302
500+
￥0.2914
1000+
￥0.2862

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型号：BAT6406E6327 编号：C3758920

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。

5+
￥0.7898
50+
￥0.6195
150+
￥0.5344
500+
￥0.4705
3000+
￥0.4194
6000+
￥0.3939

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型号：BAT6202VH6327XTSA1 编号：C5310876

封装：SC-79-2

品牌：Infineon(英飞凌)

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40+
￥1.965028
50+
￥1.733453
100+
￥1.482534
500+
￥1.304615
1000+
￥1.22579

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型号：2ED2106S06FXUMA1 编号：C1848355

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚上高达 -11 V的负电压 (VCC = 15 V) 瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，工作电压高达650 V。

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单价：
￥19.44 / 个

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型号：IKD06N65ET6ARMA1 编号：C3191758

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温175℃。短路耐受时间3μs。适用于650V应用的沟槽和场截止技术，具有:非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定特性。低VCEsat和正温度系数。应用：驱动器：通用驱动器（GPD）。大型家用电器：空调、其他大型家用电器

1+
￥7.33
10+
￥7.14
30+
￥7.02
100+
￥6.89

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型号：2ED2110S06MXUMA1 编号：C3654939

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2110S06M是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）出现高达 -11 VDC的负瞬态电压时，仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，最高工作电压可达650 V。

1+
￥12.56
10+
￥12.24
30+
￥12.02
100+
￥11.81

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型号：IDH12G65C6XKSA1 编号：C2997929

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSiC第6代（G6）是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步提升，引入了新的肖特基金属系统等改进。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOS第7代产品系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

1+
￥17.98
10+
￥17.53
30+
￥17.23
100+
￥16.93

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型号：IDH04G65C5XKSA2 编号：C672253

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺，在第三代中已经引入，现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的ThinQ!TM 第五代旨在补充我们的650V CoolMOS系列：这确保了在这个电压范围内满足最严格的应用要求。

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