英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IDWD50E120D7XKSA1 编号：C22443489

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：反向重复峰值电压（VRRM）：1200 V。正向电流（IF）：50 A。 1200 V发射极控制技术。最高结温（Tvjmax）：175℃。低正向电压（VF）。低反向恢复电荷。应用：串式逆变器。电动汽车充电

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￥31.03
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￥26.3
30+
￥23.48

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型号：IDH10SG60CXKSA2 编号：C672324

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复 / 无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用：开关电源（如连续导通模式功率因数校正）。电机驱动

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￥31.692 ￥55.6
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￥26.132 ￥55.6
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￥20.572 ￥55.6

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型号：2ED1322S12MXUMA1 编号：C20189641

封装：PG-DSO-16-U02

品牌：Infineon(英飞凌)

控制 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件，在半桥配置中最大阻断电压为 +1200V。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供固有的保护，防止因浮动栅极条件导致的寄生导通。

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￥43.77
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￥37.42
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￥33.55

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型号：FZ400R12KE4 编号：C5747944

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性: -扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。高鲁棒性。VcEsat 具有正温度系数。低 VcEsat。机械特性: -4 kV AC 1min 绝缘。应用：高功率转换器。电机驱动

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￥506.69
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￥483.01

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型号：BAT5404E6327HTSA1 编号：C533644

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。保护环保护。低正向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

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￥0.3763
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￥0.3694
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￥0.3648

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型号：BAT5404WH6327XTSA1 编号：C5952140

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。保护环保护。低正向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

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￥0.4351
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￥0.4259
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￥0.4197

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型号：SMBD 914 E6327 编号：C539255

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥0.7113
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￥0.6955
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￥0.6849

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型号：BAS3005B02VH6327XTSA1 编号：C672148

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：正向电流：0.5 A。反向电压：30 V。低电容，低反向电流。无铅（符合 RoHS 标准）封装。符合 AEC Q101 标准。应用：高效 DC/DC 转换。快速开关

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￥0.878
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￥0.8617
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￥0.8508

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型号：BB 639 E7904 编号：C533691

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

可变电容二极管

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￥1.6569
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￥1.3304
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￥1.1905

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型号：BB 914 E6327 编号：C533697

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于扩展频段的FM收音机调谐器。低电源电压下具有高调谐比（汽车收音机）。单片芯片（共阴极），可实现完美的双二极管跟踪。 C-V曲线具有良好的线性度。高品质因数。无铅（符合RoHS标准）封装

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￥1.8463
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￥1.4749
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￥1.3157

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型号：BAR6304E6327HTSA1 编号：C5310871

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：PIN二极管，用于射频信号的高速切换。极低的正向电阻（低插入损耗）。极低的电容（高隔离度）。适用于高达3GHz的频率。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

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￥2.0231
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￥1.5762
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￥1.3846

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型号：BBY5802VH6327XTSA1 编号：C3272463

封装：SC-79-2

品牌：Infineon(英飞凌)

用于移动通信设备中压控振荡器（VCO）的低调谐电压操作，也适用于如温补晶振（TCXOs）和压控晶振（VCXOs）等低频控制元件。

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￥2.58
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￥2.03
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￥1.79

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型号：BAR6305WH6327XTSA1 编号：C4468094

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：PIN二极管，用于射频信号的高速切换。极低的正向电阻（低插入损耗）。极低的电容（高隔离度）。适用于高达3GHz的频率。无铅（符合RoHS标准）封装。

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￥4.33
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￥3.46
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￥3.03

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型号：BAS4005WH6327XTSA1 编号：C3028864

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

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￥6.26
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￥6.11
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￥6.02
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￥5.92

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型号：2ED2304S06F 编号：C533055

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2304S06F 是一款 650 V 半桥栅极驱动器。其英飞凌薄膜 SOI 技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在通过内置互锁逻辑实现最小的驱动器交叉导通，防止直通现象。浮动通道可用于驱动高端配置下的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高工作电压可达 650 V。

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￥7.81
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￥6.55
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￥5.86
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￥4.87

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型号：2ED2106S06FXUMA1 编号：C1848355

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是高电压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚上高达 -11 V的负电压 (VCC = 15 V) 瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，工作电压高达650 V。

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￥8.62
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￥7.07
30+
￥6.21

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型号：2ED21844S06JXUMA1 编号：C1850283

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达 -11V DC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压高达650V。

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￥9.38
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￥9.16
30+
￥9.02

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型号：IDH04G65C6XKSA1 编号：C6577446

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术，通过引入新型肖特基金属系统等进一步改进了前代专有创新G5技术。在所有负载条件下具有更高的效率，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。设计用于补充600 V和650 V CoolMOST 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

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￥9.76
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￥8.18
50+
￥7.19

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型号：IDH06G65C5XKSA2 编号：C672116

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺，已经在第三代中引入，现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。这使得新产品系列在所有负载条件下都能提高效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列产品，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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￥10.67
30+
￥10.16

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型号：2ED2183S06FXUMA1 编号：C1850284

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

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