英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IDH10SG60CXKSA2 编号：C672324

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复 / 无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用：开关电源（如连续导通模式功率因数校正）。电机驱动

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1+
￥35.3024 ￥55.16
10+
￥29.7864 ￥55.16
30+
￥24.2704 ￥55.16
100+
￥24.266 ￥55.15

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型号：IDWD80G200C5XKSA1 编号：C34494002

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VRRM = 2000 V。 IF = 80 A。 VF = 1.5 V。无反向恢复电流/无正向恢复。高浪涌电流能力。温度独立开关特性。应用：串式三相逆变器。电动汽车充电

1+
￥383.69
30+
￥366.17

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型号：BAV170E6327HTSA1 编号：C17575669

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低泄漏应用。中等开关速度。无铅（符合RoHS标准）封装。符合AEC Q101标准

5+
￥0.5295
50+
￥0.4143
150+
￥0.3567

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型号：BAS4005E6327HTSA1 编号：C672266

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

通用二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频，采用无铅（符合RoHS标准）封装。

5+
￥0.5771
50+
￥0.5623
150+
￥0.5525

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型号：BB 639 E7904 编号：C533691

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

可变电容二极管

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5+
￥0.6212
50+
￥0.6088
150+
￥0.6005

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型号：BAR6503WE6327HTSA1 编号：C4468347

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

用于移动通信低损耗收发开关的串联二极管；电视调谐器的频段开关；适用于快速切换应用

5+
￥0.6423
50+
￥0.626
150+
￥0.6152

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型号：BAS4004E6433 编号：C672054

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

5+
￥0.775
50+
￥0.6197
150+
￥0.5421
500+
￥0.4839
2500+
￥0.4373
5000+
￥0.414

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型号：BAR6404WH6327XTSA1 编号：C5311586

封装：SOT-323-3(SC-70)

品牌：Infineon(英飞凌)

该RF PIN二极管专为需要承受大RF电压的低失真开关而设计，适用于高达3 GHz的频率。其标称50μm的I区宽度与典型1.55μs的载流子寿命相结合，使二极管具有低正向电阻和低失真特性。

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5+
￥0.8004
50+
￥0.7805
150+
￥0.7672

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型号：BAS 70-07 E6433 编号：C533617

封装：SOT-143-4

品牌：Infineon(英飞凌)

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5+
￥0.9215
50+
￥0.901
150+
￥0.8873

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型号：BAS 3010A-03W E6327 编号：C533582

封装：SOD-323-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：正向电流：1A。反向电压：30V。极低正向电压（典型值0.41V @ IF = 1A）。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101认证。应用：高效DC/DC转换。快速开关

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5+
￥1.2124
50+
￥1.188
150+
￥1.1717
500+
￥1.1554

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型号：BAS3010B03WE6327HTSA1 编号：C151503

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

中功率音频肖特基二极管正向电流：1 A 反向电压：30 V 低正向电压、低反向电流适用于高效 DC/DC 转换、快速开关、保护和钳位应用无铅（符合 RoHS 标准）封装符合 AEC Q101 标准。

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5+
￥1.3324
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￥1.0552
150+
￥0.9364
500+
￥0.7882
3000+
￥0.7222
6000+
￥0.6825

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型号：BBY6502VH6327XTSA1 编号：C5311591

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高Q值超突变调谐二极管。极低的电容散布。专为移动通信设备中的压控振荡器（VCO）的低调谐电压操作而设计。适用于低频率控制元件，如温补晶振（TCXOS）和压控晶振（VCXOS）。高电容比和良好的C-V线性度。无铅（符合RoHS标准）封装

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1+
￥1.47
10+
￥1.43
30+
￥1.41

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型号：BAS7007E6327HTSA1 编号：C3757858

封装：SOT-143

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥2.71
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￥2.17
30+
￥1.94
100+
￥1.64

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型号：BAT5402LRHE6327XTSA1 编号：C3312944

封装：SOD-882

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。保护环保护。低正向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

1+
￥3.17
10+
￥2.53
30+
￥2.25

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型号：BAT1504WH6327XTSA1 编号：C5380972

封装：SOT323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

RF肖特基二极管是具有集成保护环的硅低势垒N型器件，用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容使该产品适用于频率高达12 GHz的混频器和探测器功能。

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1+
￥4.28
10+
￥3.58
30+
￥3.23
100+
￥2.88
500+
￥2.67
1000+
￥2.56

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型号：2ED21844S06JXUMA1 编号：C1850283

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达 -11V DC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在减少驱动器交叉传导。浮动通道可用于驱动高端配置的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，其工作电压高达650V。

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1+
￥8.68
10+
￥8.47
30+
￥8.32

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型号：BAT 17-07 E6327 编号：C533634

封装：SOT-143-4

品牌：Infineon(英飞凌)

用于VHF/UHF范围内的混频器应用；用于高速开关应用；无铅（符合RoHS标准）封装；根据AEC Q101标准认证

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1+
￥8.87
10+
￥7.41
30+
￥6.62

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型号：IDW40E65D2 编号：C535957

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC标准，适用于目标应用。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压，且随温度变化稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

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1+
￥11.53
10+
￥11.25
30+
￥11.05

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型号：IDL10G65C5XUMA2 编号：C3757917

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

单价：
￥13.75 / 个

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型号：IDH08G120C5XKSA1 编号：C3757568

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

1+
￥14.5
10+
￥14.14
30+
￥13.9

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型号：IDDD10G65C6 编号：C535846

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

第6代CoolSiC是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步改进，引入了新的肖特基金属系统等进步。其结果是产品系列在所有负载条件下都提高了效率，这得益于更低的品质因数 (Qc×VF)。CoolSiC 650V G6二极管旨在补充600V和650V CoolMOS系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

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1+
￥17.82
10+
￥17.37
30+
￥17.06

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型号：IDK06G65C5XTMA2 编号：C3760090

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!™ 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。专有扩散焊接工艺与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。这造就了一个新产品系列，在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的ThinQ!™ 第五代旨在补充650V CoolMOS™ 系列：这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

1+
￥21.72
10+
￥18.88
30+
￥17.19

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型号：IDW10G120C5B 编号：C535937

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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单价：
￥26.07 / 个

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型号：6EDL04N02PRXUMA1 编号：C2676965

封装：TSSOP-28

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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1+
￥26.18
10+
￥22.25
30+
￥19.92

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型号：IDWD140E120D7XKSA1 编号：C22443486

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：重复峰值反向电压（VRRM）：1200 V。二极管正向电流（IF）：Tc = 25℃时为207 A，Tc = 91℃时为140 A。最大结温（Tvjmax）：175℃。低正向电压（VF）。低反向恢复电荷（Qrr）。超快恢复时间（trr）。应用：串式逆变器。电动汽车充电

1+
￥35.26
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￥34.39
30+
￥33.81

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型号：IDDD20G65C6XTMA1 编号：C42433294

封装：HDSOP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSiC第六代（G6）是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步提升，引入了新的肖特基金属系统等改进。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。该650V G6碳化硅肖特基二极管旨在与600V和650V CoolMOS 7系列互补，满足该电压范围内最严格的应用要求。

1+
￥38.28
10+
￥37.3
30+
￥36.65

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型号：IDW30G65C5 编号：C3758220

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ! Generation 5代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。由于更紧凑的设计和薄晶圆技术，新产品系列在所有负载条件下都提高了效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的ThinQ! Generation 5旨在补充650V CoolMOS系列，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。