英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BAR 63-02V H6327 编号：C533527

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

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5+
￥0.9553
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￥0.7443
150+
￥0.6539

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型号：BAS 40-04 E6327 编号：C533589

封装：SOT-23-3

品牌：Infineon(英飞凌)

通用二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频，采用无铅（符合RoHS标准）封装。

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￥1.0266
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￥0.8117
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型号：BAR6402ELE6327XTMA1 编号：C152669

封装：TSLP-2

品牌：Infineon(英飞凌)

该成本优化的RF PIN二极管专为需要承受大RF电压的低失真开关而设计，适用于高达6 GHz的频率。其标称50μm的I区宽度与典型1.55μs的载流子寿命相结合，使二极管具有低正向电阻和低失真特性。

5+
￥1.1952
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型号：BAT5402LRHE6327XTSA1 编号：C3312944

封装：SOD-882

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。保护环保护。低正向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

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￥1.8495
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￥1.4715
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￥1.3095

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型号：BAS 70-07 E6433 编号：C533617

封装：SOT-143-4

品牌：Infineon(英飞凌)

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5+
￥1.9048
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￥1.506
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￥1.3351

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型号：6EDL04I06NT 编号：C533112

封装：SO-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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￥10.4
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￥8.42
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￥7.18

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型号：2ED2110S06MXUMA1 编号：C3654939

封装：SOIC-16

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2110S06M是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。它具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）出现高达 -11 VDC的负瞬态电压时，仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，最低可支持3.3 V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大程度减少驱动器的交叉导通。浮动通道可用于在高端配置中驱动N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT，最高工作电压可达650 V。

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￥13.02
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￥12.7
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￥12.48

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型号：IDH03G65C5 编号：C535854

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!™ 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺(已在第三代中引入)现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都能提高效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新一代 ThinQ!™ 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列产品,确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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￥13.5304 ￥26.02
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￥9.4122 ￥22.41
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￥6.4864 ￥20.27
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￥5.7888 ￥18.09
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￥5.4688 ￥17.09
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￥5.3248 ￥16.64

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型号：2EDL23I06PJXUMA1 编号：C2676931

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDL系列器件可在半桥配置中控制最大阻断电压为+600 V的MOS晶体管或IGBT等功率器件。该器件对瞬态电压具有出色的耐受能力，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会出现寄生闩锁现象

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￥14.65
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￥12.39
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￥10.97
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￥9.52

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型号：IDH05SG60C 编号：C535861

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅-开关性能基准-无反向恢复 / 无正向恢复-与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。在 20mA² 下测试击穿电压。应用：SMPS 例如；CCM PFC。电机驱动

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￥14.7056 ￥28.28
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￥11.8776 ￥28.28
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￥9.0496 ￥28.28

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型号：IDH03SG60C 编号：C535855

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复/无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用：SMPS，例如CCM PFC。电机驱动

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￥15.7248 ￥30.24
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￥10.941 ￥26.05
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￥7.536 ￥23.55
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￥6.7296 ￥21.03
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￥6.3584 ￥19.87
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￥6.1888 ￥19.34

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型号：2ED2182S06FXUMA1 编号：C1850289

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2182(4)S06F(J)是一款半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 VDC 的负电压瞬态时，仍能维持逻辑操作。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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￥16.93
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￥14.37
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￥12.76

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型号：IKW30N65ES5 编号：C536213

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat），额定电流下为1.35V。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压为650V。低栅极电荷QG。 IGBT与全额定快速1型反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源

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￥17.41
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型号：IDDD10G65C6 编号：C535846

封装：SOP-10

品牌：Infineon(英飞凌)

第6代CoolSiC是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步改进，引入了新的肖特基金属系统等进步。其结果是产品系列在所有负载条件下都提高了效率，这得益于更低的品质因数 (Qc×VF)。CoolSiC 650V G6二极管旨在补充600V和650V CoolMOS系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

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￥17.82
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￥17.37
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￥17.06

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型号：AIDK12S65C5 编号：C533135

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代CoolSiC汽车肖特基二极管代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。由于采用了紧凑的设计和基于薄晶圆的技术，该系列产品在所有负载条件下均显示出更高的效率，这得益于其热特性和低品质因数（Qc x Vf）。该产品系列旨在补充IGBT和CoolMOS产品组合，确保满足650V电压等级中最严格的应用要求。

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￥24.9312 ￥47.04
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￥20.2272 ￥47.04
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￥15.5232 ￥47.04

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型号：IDWD100E65E7XKSA1 编号：C22408471

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VRRM = 650 V 。 IF = 100 A 。低且温度稳定的正向电压 (VF) 。非常软且快速的恢复。低反向恢复电流 (Irrm) 。防潮设计。应用：串式和微型逆变器。数据中心UPS

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￥30.96
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￥26.61
30+
￥24.03

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型号：IDW20G65C5 编号：C535945

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥55.78
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￥47.63
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￥42.67

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型号：FF150R17KE4 编号：C17250219

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：扩展工作温度 T_CH。低 V_CEsat。极高的稳健性。 V_CEsat 具有正温度系数。应用：高功率转换器。电机驱动器

1+
￥430.55
30+
￥414.75

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型号：BAS 16 E6327 编号：C533558

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于高速开关应用,无铅(符合RoHS标准)封装

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585+
￥0.452314
1000+
￥0.387697

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型号：BAS40E6327 编号：C513282

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

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￥0.4995
150+
￥0.4355

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型号：BB535E7904HTSA1 编号：C3272477

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

用于 UHF 电视调谐器，具有高电容比、低串联电感、低串联电阻的特点，由于采用“在线”匹配组装程序，具有出色的均匀性和匹配性，采用无铅（符合 RoHS）封装。

5+
￥0.651
50+
￥0.6369
150+
￥0.6275

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型号：BAR6304WH6327XTSA1 编号：C4554142

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：PIN二极管，用于射频信号的高速切换。极低的正向电阻（低插入损耗）。极低的电容（高隔离度）。适用于高达3GHz的频率。无铅（符合RoHS标准）封装。

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￥0.6517
150+
￥0.6421
500+
￥0.6325

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型号：BB 640 E6327 编号：C533692

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥1.5382
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￥1.2108
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￥1.0705

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型号：BAT62E6327 编号：C5594985

封装：SOT-143

品牌：Infineon(英飞凌)

这是一款硅低势垒N型射频肖特基二极管，芯片上集成了用于过压保护的保护环。其低势垒高度、小正向电压和低结电容特性，使其适用于高达6 GHz频率的混频器和探测器应用。

5+
￥1.994
50+
￥1.5829
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￥1.4068

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型号：2ED21091S06FXUMA1 编号：C1848351

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED21091S06F是一款高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有相互关联的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗干扰能力，在瞬态电压下，VS引脚（$V_{CC}=15 V$）上的负电压高达11 V时仍能保持工作逻辑。该器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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