英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BAT15-099R 编号：C4468492

封装：SOT-143-4

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于高达12 GHz的DBS混频器应用、鉴相器和调制器。

1+
￥5.6
10+
￥4.55
30+
￥4.02
100+
￥3.49

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型号：IDH06G65C6 编号：C535863

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

第6代CoolSiC（G6）是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中通过引入进一步的改进得到增强，如新型肖特基金属系统。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOST 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

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1+
￥9.1
10+
￥7.64
50+
￥6.59

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型号：IDP40E65D2 编号：C535931

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压，且随温度变化稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

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1+
￥9.78
10+
￥8.27
50+
￥7.33

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型号：IDH04G65C6XKSA1 编号：C6577446

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品是碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术，通过引入新型肖特基金属系统等进一步改进了前代专有创新G5技术。在所有负载条件下具有更高的效率，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。设计用于补充600 V和650 V CoolMOST 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

1+
￥10.76
10+
￥9.17
50+
￥8.18

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型号：6ED2742S01QXTMA1 编号：C6462126

封装：VQFN-32(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED2742S01Q是一款基于SOI技术的160 V栅极驱动器，专为三相无刷直流（BLDC）电机驱动应用而设计。集成的自举二极管用于为三个外部高端自举电容充电，并通过涓流充电泵支持100%占空比运行。保护功能包括欠压锁定、可配置阈值的过流保护、故障通信和自动故障清除。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在最大限度减少驱动器的交叉导通。在VSS和COM之间集成了一个增益可选的电流检测运算放大器（CSA）。

1+
￥13.53
10+
￥13.19
30+
￥12.96

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型号：IDH03G65C5 编号：C535854

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!™ 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺(已在第三代中引入)现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列,在所有负载条件下都能提高效率,这得益于改进的热特性和更低的品质因数(Qc x Vf)。新一代 ThinQ!™ 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列产品,确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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1+
￥15.3518 ￥26.02
10+
￥10.9809 ￥22.41
30+
￥7.9053 ￥20.27
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￥7.0551 ￥18.09
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￥6.6651 ￥17.09
1000+
￥6.4896 ￥16.64

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型号：2EDL23I06PJXUMA1 编号：C2676931

封装：DSO-14

品牌：Infineon(英飞凌)

2EDL系列器件可在半桥配置中控制最大阻断电压为+600 V的MOS晶体管或IGBT等功率器件。该器件对瞬态电压具有出色的耐受能力，内部不存在寄生晶闸管结构。因此，在所有温度和电压条件下都不会出现寄生闩锁现象

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1+
￥16.53
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￥13.87
30+
￥12.2

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型号：IDH03SG60C 编号：C535855

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复/无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用：SMPS，例如CCM PFC。电机驱动

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1+
￥17.8416 ￥30.24
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￥12.7645 ￥26.05
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￥9.1845 ￥23.55
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￥8.2017 ￥21.03
500+
￥7.7493 ￥19.87
1000+
￥7.5426 ￥19.34

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型号：IDH10G65C5 编号：C535872

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了英飞凌碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺（已在第三代产品中引入），现在与全新、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。其结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都能提高效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数 (Qc×Vf)。新的 ThinQ!TM 第五代产品旨在与我们的 650V CoolMOS 系列产品互补，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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1+
￥20.2
10+
￥17.17
50+
￥15.37

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型号：IDWD50E120D7XKSA1 编号：C22443489

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：反向重复峰值电压（VRRM）：1200 V。正向电流（IF）：50 A。 1200 V发射极控制技术。最高结温（Tvjmax）：175℃。低正向电压（VF）。低反向恢复电荷。应用：串式逆变器。电动汽车充电

1+
￥31.03
10+
￥26.3
30+
￥23.48

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型号：FZ400R12KE4 编号：C5747944

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性: -扩展工作温度 TVJop。低开关损耗。高鲁棒性。VcEsat 具有正温度系数。低 VcEsat。机械特性: -4 kV AC 1min 绝缘。应用：高功率转换器。电机驱动

1+
￥477.94
30+
￥454.25

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型号：BAT5402VH6327XTSA1 编号：C2939947

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。保护环保护。低正向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证（BAT54-02LRH除外）

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5+
￥0.3109
50+
￥0.3033
150+
￥0.2982

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型号：BAS 16 E6327 编号：C533558

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于高速开关应用,无铅(符合RoHS标准)封装

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单价：
￥0.515727 / 个

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型号：BAT5404WH6327XTSA1 编号：C5952140

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。保护环保护。低正向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

5+
￥0.3729
50+
￥0.3636
150+
￥0.3574

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型号：BAR6304WH6327XTSA1 编号：C4554142

封装：SC-70(SOT-323)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：PIN二极管，用于射频信号的高速切换。极低的正向电阻（低插入损耗）。极低的电容（高隔离度）。适用于高达3GHz的频率。无铅（符合RoHS标准）封装。

5+
￥0.7136
50+
￥0.6988
150+
￥0.689

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型号：BAT6404WH6327XTSA1 编号：C686654

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用，集成扩散保护环，正向电压低。

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100+
￥0.342765
1000+
￥0.33007
3000+
￥0.317375
6000+
￥0.291985
10000+
￥0.284368

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型号：BAS3010S02LRHE6327XTSA1 编号：C3040059

封装：SOD-882

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于手机电池充电器应用，具有低正向电压和最小的封装尺寸(1.0×0.6×< 4mm)

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5+
￥2.1276
50+
￥1.6866
150+
￥1.4976

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型号：BBY5802VH6327XTSA1 编号：C3272463

封装：SC-79-2

品牌：Infineon(英飞凌)

用于移动通信设备中压控振荡器（VCO）的低调谐电压操作，也适用于如温补晶振（TCXOs）和压控晶振（VCXOs）等低频控制元件。

1+
￥2.52
10+
￥1.98
30+
￥1.74
100+
￥1.45

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型号：BAS4005WH6327XTSA1 编号：C3028864

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

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1+
￥6.26
10+
￥6.11
30+
￥6.02
100+
￥5.92

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型号：2ED2101S06FXUMA1 编号：C3655605

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2101S06F 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高低侧参考输出通道。该驱动器具有出色的耐用性和抗噪性能，即使在 VS 引脚 (VCC = 15 V) 的负电压高达 -11 VDC 的情况下，也能在瞬态电压下保持逻辑正常工作。该器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在任何温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁效应。

1+
￥10.48
10+
￥8.75
30+
￥7.79
100+
￥6.72

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型号：IDP30E65D1 编号：C535929

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥10.6
10+
￥10.38
30+
￥10.24

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型号：IDH06G65C5XKSA2 编号：C672116

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺，已经在第三代中引入，现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。这使得新产品系列在所有负载条件下都能提高效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列产品，确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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1+
￥10.67
30+
￥10.16

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型号：2ED2183S06FXUMA1 编号：C1850284

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。基于SOI技术，具有出色的耐用性和抗噪性，能够在VS引脚负电压高达-11 VDC（VCC = 15V）的瞬态电压下保持操作逻辑。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生锁定。逻辑输入与标准CMOS或LSTTL输出兼容，低至3.3V逻辑。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达650V的N沟道功率MOSFET、SiC MOSFET或IGBT。

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