英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：FF200R17KE4 编号：C541005

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性：扩展工作温度 T(v_ijop)。低 V(CEsat)。高鲁棒性。V(CEsat) 具有正温度系数。机械特性：4 kV 交流 1 分钟绝缘。CTI > 400 的封装。应用：典型应用：高性能变频器。电机驱动

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1+
￥482.61
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￥460

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型号：BAT1704E6327HTSA1 编号：C3039619

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

射频肖特基二极管是硅低势垒N型器件，与市面上其他解决方案不同，它们具有多种结二极管配置（例如共阳极、共阴极），可用于灵敏的功率检波器、采样电路或混频器电路。

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￥0.4019
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型号：BAS7002VH6327XTSA1 编号：C3312927

封装：SC-79-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：通用型二极管,用于高速开关。电路保护。电压钳位。高电平检测和混频。无铅(符合RoHS标准)封装。根据AEC Q101标准认证

5+
￥0.7817
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￥0.6209
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￥0.5405
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￥0.4802

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型号：BAS5202VH6327 编号：C672268

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：中电流整流肖特基二极管。 200mA时正向电压低。高反向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。符合AEC Q101标准

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5+
￥1.1325
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￥0.8877
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￥0.6519

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型号：BB85702VH7902XTSA1 编号：C3272467

封装：SC-79-2

品牌：Infineon(英飞凌)

用于卫星调谐器，具有高电容比、低串联电阻的特点，由于“在线”匹配组装程序，具有出色的均匀性和匹配性，采用无铅（符合RoHS标准）封装。

5+
￥1.5058
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￥1.1782
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￥0.8236

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型号：IDV15E65D2 编号：C535934

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气隔离的FullPAK，便于高效组装。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压。应用：CCM PFC中的升压二极管

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￥5.0816 ￥7.94
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￥3.5856 ￥6.64
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￥2.6092 ￥5.93
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￥2.2528 ￥5.12
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￥2.0944 ￥4.76
1000+
￥2.024 ￥4.6

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型号：6EDL04I06PT 编号：C533113

封装：SO-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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￥10.46
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￥8.81
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型号：IDP30E120 编号：C85755

封装：TO-220AC-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：1200 V二极管技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压。易于并联。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

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1+
￥19.9
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￥17.14
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￥14.06

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型号：BAT54E6327HTSA1 编号：C533640

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。保护环保护。低正向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

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5+
￥0.5284
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￥0.4227
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型号：BAT6405E6327HTSA1 编号：C513275

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用，集成扩散保护环，正向电压低。

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￥0.6846
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￥0.5349
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￥0.4601

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型号：BAT5403WE6327HTSA1 编号：C3312930

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。保护环保护。低正向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

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￥0.6927
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￥0.5566
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型号：BAR6402VH6327 编号：C115495

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

低插损天线开关射频pin二极管

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型号：BAR6404E6327HTSA1 编号：C5557742

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

该射频PIN二极管专为需要承受大射频电压的低失真开关而设计，适用于高达3 GHz的频率。其标称50μm的I区宽度与典型1.55μs的载流子寿命相结合，使二极管具有低正向电阻和低失真特性。

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￥0.8575
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型号：BAS3010B03WE6327HTSA1 编号：C151503

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

中功率音频肖特基二极管正向电流：1 A 反向电压：30 V 低正向电压、低反向电流适用于高效 DC/DC 转换、快速开关、保护和钳位应用无铅（符合 RoHS 标准）封装符合 AEC Q101 标准。

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型号：BAS3010S02LRHE6327XTSA1 编号：C3040059

封装：TSLP-2-17

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于手机电池充电器应用，具有低正向电压和最小的封装尺寸(1.0×0.6×< 4mm)

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型号：2EDL05N06PF 编号：C2676912

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是 600-V 半桥栅极驱动器系列。其薄膜-SOI 技术提供出色的耐用性和抗噪性。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600 V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。此外，离线钳位功能在 IC 未供电时，通过浮动栅极条件为寄生导通提供固有保护。

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￥4.84
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￥4.72
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￥4.64

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型号：BAT 15-02LS E6433 编号：C533622

封装：TSSLP-2-1

品牌：Infineon(英飞凌)

这是一款硅低势垒N型器件，片上集成保护环用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容特性，使其适合用于频率高达12 GHz应用中的混频器和探测器。

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￥5.22
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型号：IDM02G120C5 编号：C476126

封装：TO-252-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料——碳化硅。无反向恢复电流/无正向恢复。温度无关的开关特性。即使在高工作温度下也具有低正向电压。正向电压分布紧密。出色的热性能。应用：太阳能逆变器。不间断电源

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1+
￥10.78
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￥9.04
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￥7.94

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型号：6EDL04N06PT 编号：C533115

封装：DSO-28

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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￥14.0635 ￥25.57
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￥9.909 ￥22.02
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￥6.9685 ￥19.91
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￥6.223 ￥17.78
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￥5.88 ￥16.8
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￥5.7225 ￥16.35

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型号：IDH10G65C6 编号：C535873

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

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￥15.97
10+
￥13.6
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￥11.64
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￥10.12
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￥9.43
1000+
￥9.13

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型号：IDH08SG60C 编号：C2959813

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅-开关性能基准-无反向恢复 / 无正向恢复-与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。击穿电压在 20mA² 下测试。应用：SMPS 例如；CCM PFC。电机驱动

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￥23.2492 ￥44.71
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￥18.7782 ￥44.71
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￥14.3072 ￥44.71

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型号：IDH12G65C6XKSA1 编号：C2997929

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSiC第6代（G6）是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中得到了进一步提升，引入了新的肖特基金属系统等改进。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOS第7代产品系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。