英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：6EDL04I06PT 编号：C533113

封装：SO-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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型号：6EDL04N06PT 编号：C533115

封装：DSO-28

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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型号：BAS 70-07W H6327 编号：C533618

封装：SOT-343-4

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管。

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型号：BAT54E6327HTSA1 编号：C533640

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用。保护环保护。低正向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。根据AEC Q101标准认证

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型号：BAS5202VH6327 编号：C672268

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：中电流整流肖特基二极管。 200mA时正向电压低。高反向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。符合AEC Q101标准

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型号：BAS40E6327 编号：C513282

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

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型号：BAR6303WE6327 编号：C152648

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

射频二极管

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型号：BAR8802VH6327XTSA1 编号：C4468058

封装：SC-79-2

品牌：Infineon(英飞凌)

优化用于手持设备中的低电流天线开关。极低正向电阻（典型值：在正向电流为1mA时为1.5Ω），在1GHz以上频率的零伏反向偏置下电容低（典型值：0.28pF），信号失真极低。采用无铅（符合RoHS标准）封装。

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型号：IDK10G65C5XTMA2 编号：C3759094

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺，已经在第三代中引入，现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列：这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

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型号：BAS7004E6327HTSA1 编号：C513279

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管。

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型号：BAT6405E6327HTSA1 编号：C513275

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于低损耗、快速恢复、仪表保护、偏置隔离和钳位应用，集成扩散保护环，正向电压低。

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型号：BAT1704WH6327XTSA1 编号：C503474

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

这些射频肖特基二极管是硅基低势垒 N 型器件，片上集成了用于过压保护的保护环。其低势垒高度、小正向电压和低结电容特性，使 BAT17 - 04W 成为适用于高达 6 GHz 频率的混频器和检测器应用的理想选择。

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型号：BAR 64-03W E6327 编号：C533537

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：BB 640 E6327 编号：C533692

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

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型号：2EDL05N06PF 编号：C2676912

封装：SOP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是 600-V 半桥栅极驱动器系列。其薄膜-SOI 技术提供出色的耐用性和抗噪性。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在实现最小的驱动器交叉导通。浮动通道可用于驱动高端配置中工作电压高达 600 V 的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT。此外，离线钳位功能在 IC 未供电时，通过浮动栅极条件为寄生导通提供固有保护。

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型号：IDP15E65D2XKSA1 编号：C17490730

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压且温度稳定性好。应用：CCM PFC中的升压二极管

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型号：2ED2182S06FXUMA1 编号：C1850289

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2182(4)S06F(J)是一款半桥高压、高速功率MOSFET和IGBT驱动器，具备独立的高端和低端参考输出通道。该器件具有出色的耐用性和抗干扰能力，在VS引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 VDC 的负电压瞬态时，仍能维持逻辑操作。器件中不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

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型号：IDH08SG60C 编号：C2959813

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅-开关性能基准-无反向恢复 / 无正向恢复-与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。无铅引脚镀层；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。击穿电压在 20mA² 下测试。应用：SMPS 例如；CCM PFC。电机驱动

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型号：AIDK12S65C5 编号：C533135

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

第五代CoolSiC汽车肖特基二极管代表了碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。由于采用了紧凑的设计和基于薄晶圆的技术，该系列产品在所有负载条件下均显示出更高的效率，这得益于其热特性和低品质因数（Qc x Vf）。该产品系列旨在补充IGBT和CoolMOS产品组合，确保满足650V电压等级中最严格的应用要求。

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型号：2ED1322S12MXUMA1 编号：C20189641

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

控制 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件，在半桥配置中最大阻断电压为 +1200V。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供固有的保护，防止因浮动栅极条件导致的寄生导通。