英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IDW15E65D2 编号：C535940

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC针对目标应用的标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压且在温度范围内稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

数据手册

1+
￥8.8512 ￥13.83
10+
￥6.8796 ￥12.74
30+
￥5.3108 ￥12.07
90+
￥5.0028 ￥11.37
510+
￥4.8664 ￥11.06
990+
￥4.8048 ￥10.92

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型号：IDH06SG60C 编号：C3758214

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关性能基准。无反向恢复 / 无正向恢复。与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。应用：SMPS（例如CCM PFC）。电机驱动

1+
￥12.81
10+
￥12.11
30+
￥11.7
100+
￥11.28

有货

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型号：BAT1705WH6327XTSA1 编号：C91446

封装：SOT-323(SC-70)

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于甚高频/超高频范围的混频器应用；适用于高速开关应用；采用无铅（符合 RoHS 标准）封装。

数据手册

5+
￥0.66953 ￥1.4555
50+
￥0.416988 ￥1.1583
150+
￥0.268034 ￥1.0309
500+
￥0.226694 ￥0.8719
3000+
￥0.208286 ￥0.8011
6000+
￥0.197236 ￥0.7586

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型号：BAS4002ARPPE6327HTSA1 编号：C3589694

封装：SOT-143

品牌：Infineon(英飞凌)

用于极性无关、反极性保护和低损耗桥式整流的小型二极管四阵列，正向电压非常低，开关速度快。

5+
￥2.4551
50+
￥1.9564
150+
￥1.7428

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型号：IDW20C65D2 编号：C535943

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷 (Qrr)。低正向电压 (VF) 且在不同温度下保持稳定。应用：连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 中的升压二极管

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1+
￥9.4217 ￥13.27
10+
￥7.4603 ￥12.23
30+
￥5.9058 ￥11.58
90+
￥5.5641 ￥10.91
510+
￥5.4111 ￥10.61
990+
￥5.3448 ￥10.48

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型号：IKW40N65ES5 编号：C467846

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，为硬开关和软开关提供高速平滑开关装置。极低的VCEsat，标称电流下为1.35V。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源

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1+
￥10.37
10+
￥8.81
30+
￥7.35
90+
￥6.35

有货

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型号：IDH06G65C6 编号：C535863

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

第6代CoolSiC（G6）是英飞凌用于碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的创新G5技术在G6中通过引入进一步的改进得到增强，如新型肖特基金属系统。其结果是形成了一个在所有负载条件下效率都有所提高的产品系列，这得益于更低的品质因数 (Qc × VF)。650 V G6 CoolSiC肖特基二极管旨在补充600 V和650 V CoolMOST 7系列，满足该电压范围内最严格的应用要求。

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1+
￥10.99
10+
￥9.18
50+
￥7.89
100+
￥6.76

有货

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型号：IDW100E60 编号：C168739

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：600V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压。 175℃结工作温度。应用：焊接。电机驱动

数据手册

1+
￥17.04
10+
￥14.36
30+
￥12.68
90+
￥10.96
480+
￥10.19
960+
￥9.85

有货

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型号：BAS1603WE6327HTSA1 编号：C3040062

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于高速开关应用,无铅(符合RoHS标准)封装

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5+
￥0.6126
50+
￥0.5083
150+
￥0.4561

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型号：BAS5202VH6433XTMA1 编号：C3758354

封装：SC-79-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：中电流整流肖特基二极管。 200mA时正向电压低。高反向电压。无铅（符合RoHS标准）封装。符合AEC Q101标准

5+
￥0.6663
50+
￥0.6518
150+
￥0.6422
500+
￥0.60097 ￥0.6326

有货

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型号：BAS7005E6327HTSA1 编号：C3757438

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管。

5+
￥0.8132
50+
￥0.6432
150+
￥0.5582
500+
￥0.469775 ￥0.4945
3000+
￥0.40109 ￥0.4222
6000+
￥0.376865 ￥0.3967

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型号：BAS170WE6327 编号：C5359844

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

通用型二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频。

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5+
￥1.0451
50+
￥0.8435
150+
￥0.7571
500+
￥0.6493

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型号：BAT68E6327HTSA1 编号：C4468471

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于VHF/UHF范围内的混频器应用。适用于高速开关应用。无铅（符合RoHS标准）封装。应用：混频器应用。高速开关应用

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￥1.2375
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￥1.0722
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￥1.0014
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￥0.913
500+
￥0.8737
1000+
￥0.85

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型号：BAT1704WH6327XTSA1 编号：C503474

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

这些射频肖特基二极管是硅基低势垒 N 型器件，片上集成了用于过压保护的保护环。其低势垒高度、小正向电压和低结电容特性，使 BAT17 - 04W 成为适用于高达 6 GHz 频率的混频器和检测器应用的理想选择。

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5+
￥1.3987
50+
￥1.0862
150+
￥0.9523

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型号：BAT6302VH6327XTSA1 编号：C2939951

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

低势垒二极管，适用于高达GHz频率的探测器；适用于高速应用；零偏置检测二极管；无铅（符合RoHS标准）封装

数据手册

5+
￥2.0682
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￥1.6395
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￥1.4558
500+
￥1.2266
3000+
￥1.1245
6000+
￥1.0633

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型号：BAS3007ARPPE6327 编号：C6430958

封装：SOT-143

品牌：Infineon(英飞凌)

小二极管四阵列，用于极性独立、反极性保护和低损耗桥式整流，典型正向电压非常低，为0.5V（@0.7A，每个二极管），开关速度快，采用无铅（符合RoHS标准）封装，符合AEC Q101标准。

1+
￥2.97
10+
￥2.32
30+
￥2.03
100+
￥1.68

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型号：BAR6405WH6327XTSA1 编号：C152641

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

该射频PIN二极管专为需要承受大射频电压的低失真开关而设计，适用于高达3 GHz的频率。其标称50μm的I区宽度与典型1.55μs的载流子寿命相结合，使二极管具有低正向电阻和低失真特性。

5+
￥3.97
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￥3.3
150+
￥2.97
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￥0.8712 ￥2.64
2500+
￥0.8052 ￥2.44
5000+
￥0.7689 ￥2.33

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型号：IDV30E65D2 编号：C535936

封装：TO-220AC

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压且温度稳定性好。应用：连续导通模式（CCM）功率因数校正（PFC）中的升压二极管

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1+
￥6.3954 ￥9.69
10+
￥5.3088 ￥9.48
50+
￥4.2964 ￥9.34
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￥4.232 ￥9.2

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型号：IDW40E65D1 编号：C535956

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650V发射极控制技术。关键参数的温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

数据手册

1+
￥11.6608 ￥18.22
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￥8.4078 ￥15.57
30+
￥6.1204 ￥13.91
90+
￥5.3724 ￥12.21
510+
￥5.038 ￥11.45
990+
￥4.8928 ￥11.12

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型号：IDW75D65D1 编号：C535963

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

数据手册

1+
￥23.51
10+
￥20.16
30+
￥18.17

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型号：IDWD10G200C5XKSA1 编号：C35575405

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：反向重复峰值电压（VRRM）：2000V。正向电流（IF）：10A。正向电压（VF）：1.5V。无反向恢复电流/无正向恢复。高浪涌电流能力。温度无关的开关特性。应用：串式三相逆变器。电动汽车充电

1+
￥71.78
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￥68.19
30+
￥61.96

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型号：FF600R12KE7 编号：C44038342

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性: -VCES = 1200V。 -ICnom = 600A / ICRM = 1200A。 -TRENCHSTOP IGBT7 VCE,sat 具有正温度系数。机械特性: -4 kV AC 1 分钟绝缘。 -高爬电和电气间隙距离。 -高功率密度。应用：伺服驱动器。太阳能应用

1+
￥696.44
30+
￥660

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型号：BAS7005WH6327XTSA1 编号：C3028866

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：通用型二极管,用于高速开关。电路保护。电压钳位。高电平检测和混频。无铅(符合RoHS标准)封装。根据AEC Q101标准认证

数据手册

10+
￥0.4763
100+
￥0.3827
300+
￥0.3359

有货

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型号：BAT 24-02LS E6327 编号：C533637

封装：0201

品牌：Infineon(英飞凌)

这是一款硅低势垒N型器件，片上集成保护环用于过压保护。其低势垒高度、小正向电压和低结电容，使其成为频率高达24 GHz的混频器和探测器功能的合适选择。

数据手册

1+
￥5.28
10+
￥5.17
30+
￥5.1
100+
￥5.03

有货

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型号：IDP40E65D2 编号：C535931

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压，且随温度变化稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

数据手册

1+
￥10.53
10+
￥8.75
50+
￥7.77
100+
￥6.66

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型号：2ED21084S06JXUMA1 编号：C3655642

封装：SOIC-14

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2108 (4) S06F (J) 是一款高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 驱动器，具有独立的高端和低端参考输出通道。它具备出色的耐用性和抗噪能力，在 VS 引脚（VCC = 15 V）承受高达 -11 V 的负瞬态电压时，仍能维持工作逻辑。该器件不存在任何寄生晶闸管结构，因此在所有温度和电压条件下都不会发生寄生闩锁现象

1+
￥10.95
10+
￥9.3
30+
￥8.26

有货

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型号：IDW30E60 编号：C535950

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC标准，适用于目标应用。 600V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压。应用：工作范围高达30kHz的PFC应用开关二极管

数据手册

1+
￥11.2384 ￥17.56
10+
￥8.1054 ￥15.01
30+
￥5.9004 ￥13.41
90+
￥5.1832 ￥11.78
510+
￥4.8576 ￥11.04
990+
￥4.7168 ￥10.72

有货

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型号：IDW30C65D1 编号：C535948

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。采用650V发射极控制技术。关键参数具有温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快速恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

数据手册

1+
￥12.3136 ￥19.24
10+
￥8.8776 ￥16.44
30+
￥6.4636 ￥14.69
90+
￥5.676 ￥12.9
510+
￥5.3196 ￥12.09
990+
￥5.1656 ￥11.74

有货

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型号：IDK05G120C5XTMA1 编号：C3758347

封装：TO-263-2

品牌：Infineon(英飞凌)

系统效率优于硅二极管。可实现更高频率/更高功率密度解决方案。由于减少了散热器需求和更小的磁性元件，节省了系统尺寸和成本。降低电磁干扰。在整个负载范围内实现最高效率。在浪涌事件期间实现稳健的二极管操作。高可靠性

1+
￥22.78
10+
￥19.56
30+
￥17.65

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型号：IDK10G65C5XTMA2 编号：C3759094

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

ThinQ!TM 第五代代表碳化硅肖特基势垒二极管的前沿技术。英飞凌专有的扩散焊接工艺，已经在第三代中引入，现在与新的、更紧凑的设计和薄晶圆技术相结合。结果是一个新的产品系列，在所有负载条件下都显示出更高的效率，这得益于改进的热特性和更低的品质因数（Qc x Vf）。新的 ThinQ!TM 第五代旨在补充 650V CoolMOS 系列：这确保满足该电压范围内最严格的应用要求。

1+
￥41.47
30+
￥41.46
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