英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：BAS4006E6327 编号：C513283

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测与混频的通用型二极管，采用无铅（符合 RoHS 标准）封装，符合 AEC Q101 标准。

数据手册

5+
￥0.8229
50+
￥0.6463
150+
￥0.5579
500+
￥0.4917

有货

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型号：BAT6804E6327HTSA1 编号：C672353

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于VHF/UHF范围内的混频器应用。适用于高速开关应用。无铅（符合RoHS标准）封装。应用：混频器应用。高速开关应用

1+
￥2.46
10+
￥1.93
30+
￥1.7
100+
￥1.42
500+
￥1.23

有货

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型号：IDP08E65D2 编号：C535907

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。 650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压，且随温度变化稳定。应用：CCM PFC中的升压二极管

数据手册

1+
￥6.2416 ￥7.52
10+
￥4.4968 ￥6.16
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￥3.4083 ￥5.41
100+
￥2.8791 ￥4.57
500+
￥2.6397 ￥4.19
1000+
￥2.5326 ￥4.02

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型号：IDWD10G200C5XKSA1 编号：C35575405

封装：TO-247-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：反向重复峰值电压（VRRM）：2000V。正向电流（IF）：10A。正向电压（VF）：1.5V。无反向恢复电流/无正向恢复。高浪涌电流能力。温度无关的开关特性。应用：串式三相逆变器。电动汽车充电

1+
￥71.78
10+
￥68.19
30+
￥61.96

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型号：TDB6HK180N16RR 编号：C3613923

封装：插件,107.5x45mm

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：2.5 kV AC 1min 绝缘测试。 Al₂O₃ 基板，低热阻。高功率密度。高机械强度。绝缘底板。紧凑设计。应用：有源整流器。半控 B6 桥

1+
￥565
30+
￥545

有货

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型号：BAS7005E6327HTSA1 编号：C3757438

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

硅肖特基二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频的通用二极管。

5+
￥0.8132
50+
￥0.6432
150+
￥0.5582
500+
￥0.469775 ￥0.4945
3000+
￥0.40109 ￥0.4222
6000+
￥0.376865 ￥0.3967

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型号：IDV15E65D2 编号：C535934

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气隔离的FullPAK，便于高效组装。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压。应用：CCM PFC中的升压二极管

数据手册

1+
￥5.1759 ￥7.29
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￥3.6539 ￥5.99
50+
￥2.6928 ￥5.28
100+
￥2.2797 ￥4.47
500+
￥2.0961 ￥4.11
1000+
￥2.0145 ￥3.95

有货

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型号：IDW20C65D2 编号：C535943

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。650V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷 (Qrr)。低正向电压 (VF) 且在不同温度下保持稳定。应用：连续导通模式 (CCM) 功率因数校正 (PFC) 中的升压二极管

数据手册

1+
￥10.3506 ￥13.27
10+
￥8.3164 ￥12.23
30+
￥6.7164 ￥11.58
90+
￥6.3278 ￥10.91
510+
￥6.1538 ￥10.61
990+
￥6.0784 ￥10.48

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型号：IDH06SG60C 编号：C3758214

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关性能基准。无反向恢复 / 无正向恢复。与温度无关的开关特性。高浪涌电流能力。应用：SMPS（例如CCM PFC）。电机驱动

1+
￥12.81
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￥12.11
30+
￥11.7
100+
￥11.28

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型号：IDH04SG60C 编号：C5361092

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：革命性的半导体材料。碳化硅。开关行为基准。无反向恢复/无正向恢复。与温度无关的开关行为。高浪涌电流能力。应用：SMPS（如CCM PFC）。电机驱动器

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1+
￥15.26
10+
￥12.47
50+
￥10.72
100+
￥8.93

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型号：FF600R12KE7 编号：C44038342

封装：螺栓安装

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：电气特性: -VCES = 1200V。 -ICnom = 600A / ICRM = 1200A。 -TRENCHSTOP IGBT7 VCE,sat 具有正温度系数。机械特性: -4 kV AC 1 分钟绝缘。 -高爬电和电气间隙距离。 -高功率密度。应用：伺服驱动器。太阳能应用

1+
￥696.44
30+
￥660

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型号：BAS170WE6327 编号：C5359844

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

通用型二极管，用于高速开关、电路保护、电压钳位、高电平检测和混频。

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5+
￥0.9848
50+
￥0.7832
150+
￥0.6968
500+
￥0.5889

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型号：6EDL04I06NT 编号：C533112

封装：SO-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

6ED系列第二代器件是一款全桥驱动器，用于控制三相系统中的MOS晶体管或IGBT等功率器件，最大阻断电压为+600 V。基于所采用的SOI技术，该器件在瞬态电压下具有出色的鲁棒性。器件中不存在寄生晶闸管结构

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1+
￥10.4
10+
￥8.42
30+
￥7.18
100+
￥5.52

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型号：IKW40N65ES5 编号：C467846

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，为硬开关和软开关提供高速平滑开关装置。极低的VCEsat，标称电流下为1.35V。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源

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1+
￥10.77
10+
￥9.27
30+
￥7.85
90+
￥6.88

有货

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型号：IDW30C65D1 编号：C535948

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：符合JEDEC目标应用标准。采用650V发射极控制技术。关键参数具有温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快速恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

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1+
￥13.6604 ￥19.24
10+
￥10.0284 ￥16.44
30+
￥7.4919 ￥14.69
90+
￥6.579 ￥12.9
510+
￥6.1659 ￥12.09
990+
￥5.9874 ￥11.74

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型号：IDH10G65C6 编号：C535873

封装：TO-220-2

品牌：Infineon(英飞凌)

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1+
￥16.2
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￥13.77
50+
￥11.77
100+
￥10.21
500+
￥9.51
1000+
￥9.2

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型号：IKW50N65ES5 编号：C454257

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat，在额定电流下为1.35V。可直接替代上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：谐振转换器。不间断电源

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1+
￥17.41
10+
￥14.6
30+
￥12.83
90+
￥11.03

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型号：BAS7005WH6327XTSA1 编号：C3028866

封装：SOT-323

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：通用型二极管,用于高速开关。电路保护。电压钳位。高电平检测和混频。无铅(符合RoHS标准)封装。根据AEC Q101标准认证

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10+
￥0.486
100+
￥0.3924
300+
￥0.3456

有货

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型号：BAS1603WE6327HTSA1 编号：C3040062

封装：SOD-323

品牌：Infineon(英飞凌)

适用于高速开关应用,无铅(符合RoHS标准)封装

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5+
￥0.5056
50+
￥0.4013
150+
￥0.3491

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型号：BAR6402VH6327 编号：C115495

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

低插损天线开关射频pin二极管

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5+
￥0.9551
50+
￥0.7785
150+
￥0.6902
500+
￥0.624

有货

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型号：BAR6405WH6327XTSA1 编号：C152641

封装：SOT-323-3

品牌：Infineon(英飞凌)

该射频PIN二极管专为需要承受大射频电压的低失真开关而设计，适用于高达3 GHz的频率。其标称50μm的I区宽度与典型1.55μs的载流子寿命相结合，使二极管具有低正向电阻和低失真特性。

100+
￥0.6075
1000+
￥0.585
3000+
￥0.5625
6000+
￥0.5175
10000+
￥0.504

我要订货

型号：BAT6302VH6327XTSA1 编号：C2939951

封装：SC-79

品牌：Infineon(英飞凌)

低势垒二极管，适用于高达GHz频率的探测器；适用于高速应用；零偏置检测二极管；无铅（符合RoHS标准）封装

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5+
￥2.212
50+
￥1.7535
150+
￥1.557

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型号：BAS3007ARPPE6327 编号：C6430958

封装：SOT-143

品牌：Infineon(英飞凌)

小二极管四阵列，用于极性独立、反极性保护和低损耗桥式整流，典型正向电压非常低，为0.5V（@0.7A，每个二极管），开关速度快，采用无铅（符合RoHS标准）封装，符合AEC Q101标准。

1+
￥3.04
10+
￥2.41
30+
￥2.14
100+
￥1.81

有货

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型号：IDW40E65D1 编号：C535956

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：650V发射极控制技术。关键参数的温度稳定性。低正向电压 (Vr)。超快恢复。低反向恢复电荷 (Qrr)。低反向恢复电流 (Irm)。应用：AC/DC转换器。 PFC级中的升压二极管

数据手册

1+
￥12.9788 ￥18.28
10+
￥9.5343 ￥15.63
30+
￥7.1247 ￥13.97
90+
￥6.2577 ￥12.27
510+
￥5.8701 ￥11.51
990+
￥5.6967 ￥11.17

有货

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型号：IDW100E60 编号：C168739

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：600V发射极控制技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压。 175℃结工作温度。应用：焊接。电机驱动

数据手册

1+
￥16.68
10+
￥14.05
30+
￥12.41
90+
￥10.73
480+
￥9.97
960+
￥9.64

有货

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型号：IDP30E120 编号：C85755

封装：TO-220AC-2

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：1200 V二极管技术。快速恢复。软开关。低反向恢复电荷。低正向电压。易于并联。无铅引脚电镀，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证

数据手册

1+
￥19.9
10+
￥17.14
50+
￥14.06

有货

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型号：BAR6404E6327HTSA1 编号：C5557742

封装：SOT-23

品牌：Infineon(英飞凌)

该射频PIN二极管专为需要承受大射频电压的低失真开关而设计，适用于高达3 GHz的频率。其标称50μm的I区宽度与典型1.55μs的载流子寿命相结合，使二极管具有低正向电阻和低失真特性。

5+
￥0.8179
50+
￥0.6441
150+
￥0.5572
500+
￥0.492

有货

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型号：BAT 15-02LS E6433 编号：C533622

封装：TSSLP-2-1

品牌：Infineon(英飞凌)

这是一款硅低势垒N型器件，片上集成保护环用于过压保护。其低势垒高度、低正向电压和低结电容特性，使其适合用于频率高达12 GHz应用中的混频器和探测器。

数据手册

1+
￥6.35
10+
￥5.22
30+
￥4.65
100+
￥4.09

有货

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型号：2ED2304S06F 编号：C533055

封装：DSO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

2ED2304S06F 是一款 650 V 半桥栅极驱动器。其英飞凌薄膜 SOI 技术具备出色的耐用性和抗噪能力。施密特触发器逻辑输入与低至 3.3 V 的标准 CMOS 或 LSTTL 逻辑兼容。输出驱动器具有高脉冲电流缓冲级，旨在通过内置互锁逻辑实现最小的驱动器交叉导通，防止直通现象。浮动通道可用于驱动高端配置下的 N 沟道功率 MOSFET 或 IGBT，最高工作电压可达 650 V。

1+
￥7.84
10+
￥6.58
30+
￥5.89
100+
￥4.89

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型号：BAT 24-02LS E6327 编号：C533637

封装：0201

品牌：Infineon(英飞凌)

这是一款硅低势垒N型器件，片上集成保护环用于过压保护。其低势垒高度、小正向电压和低结电容，使其成为频率高达24 GHz的混频器和探测器功能的合适选择。

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1+
￥8.69
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￥7.32
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