英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPP65R099CFD7AAKSA1 编号：C3278792

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS移相全桥、LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥25.48
10+
￥24.85
30+
￥24.43

有货

立即购买

型号：2ED1323S12PXUMA1 编号：C20189642

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

控制半桥配置中最大阻断电压为 +1200V 的 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，有力支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供了针对浮动栅极条件下寄生导通的固有保护。

1+
￥27.31
10+
￥26.61
30+
￥26.15

有货

立即购买

型号：IPW65R099CFD7AXKSA1 编号：C6211009

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

650V CoolMOS CFD7A提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥和LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥28.89
10+
￥28.15
30+
￥27.66

有货

立即购买

型号：IRF100S201 编号：C459928

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥29.26
10+
￥25.73
30+
￥23.63

有货

立即购买

型号：IKW50N120CH7XKSA1 编号：C20191519

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 50 A。最大结温 Tvjmax = 175°C。同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25°C 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

1+
￥39.58
10+
￥38.59
30+
￥37.94

有货

立即购买

型号：IPZA60R037CM8XKSA1 编号：C26619405

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第8代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥41.57
10+
￥40.51
30+
￥39.8

有货

立即购买

型号：IKZA40N120CS7XKSA1 编号：C20191533

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 2.0 V（TVj = 175℃ 时）。针对硬开关拓扑进行优化（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）。短路耐受时间为 8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥42.65
10+
￥41.6
30+
￥40.89

有货

立即购买

型号：SPW35N60CFD 编号：C539325

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。本征快速恢复体二极管。极低的反向恢复电荷。超低栅极电荷。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。周期性雪崩额定值。符合JEDEC标准的工业级应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准

数据手册

单价：
￥47.88 / 个

有货

立即购买

型号：IPBE65R075CFD7AATMA1 编号：C3279276

封装：TO-263-7-3-10

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS移相全桥、LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥54.75
10+
￥53.5
30+
￥52.67

有货

立即购买

型号：IKY100N120CH7XKSA1 编号：C20191525

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

1+
￥83.58
10+
￥79.49
30+
￥72.4

有货

立即购买

型号：IPDQ60R016CM8XTMA1 编号：C28760716

封装：PG-HDSOP-22

品牌：Infineon(英飞凌)

第八代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥88.16
10+
￥83.72
30+
￥76.02

有货

立即购买

型号：IPW60R024P7XKSA1 编号：C3278951

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者，它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥92.27
10+
￥87.72
30+
￥79.83

有货

立即购买

型号：IKQB160N75CP2AKSA1 编号：C20191517

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 750 V。 IC = 160 A。低饱和电压 VCEsat = 1.4 V。低开关损耗。短路耐受时间 3 μs。 IGBT 与全电流、软快速恢复二极管共封装。应用：CAV 动力总成控制模块。通用驱动器 (GPD)

1+
￥121.34
10+
￥117.73

有货

立即购买

型号：IKD04N60RF 编号：C536167

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

IGBT 带有集成二极管，其封装具有节省空间的优势。适用于高达 30kHz 的硬开关应用。

数据手册

1+
￥4.9
10+
￥4.79
30+
￥4.71

有货

立即购买

型号：IR3899AMTRPBF 编号：C3191589

封装：PQFN-24(4x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3899A是一款易于使用的全集成直流-直流降压调节器。内置PWM控制器和MOSFET,以及集成的启动二极管,使其成为小型化解决方案,提供高效能的电源管理。具备强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）操作,以及过压、欠压保护和热关断功能。

1+
￥5.33
10+
￥5.2
30+
￥5.11

有货

立即购买

型号：ESD259-B1-W0201 E6327 编号：C535199

封装：0201

品牌：Infineon(英飞凌)

低钳位电压双向ESD/瞬态保护二极管TVS（瞬态电压抑制器）双向，16 V，4.2 pF，0201封装，符合RoHS标准且无卤

数据手册

1+
￥5.57
10+
￥4.52
30+
￥3.99

有货

立即购买

型号：IRFB7740PBF 编号：C537875

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥6.77
10+
￥5.58
50+
￥4.93
100+
￥4.19

有货

立即购买

型号：IPB65R660CFDA 编号：C536645

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。650V CoolMOS CFDA系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管

数据手册

1+
￥7.44
10+
￥7.25
30+
￥7.13

有货

立即购买

型号：IRLR3636TRLPBF 编号：C538172

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩SOA特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

数据手册

1+
￥7.46
10+
￥7.29
30+
￥7.18

有货

立即购买

型号：IRFS4020TRLPBF 编号：C538015

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

数据手册

1+
￥7.5
10+
￥7.32
30+
￥7.19

有货

立即购买

型号：IPL60R185P7 编号：C537030

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且更凉爽。

数据手册

1+
￥7.64
10+
￥7.45
30+
￥7.33

有货

立即购买

型号：IPB60R280P7ATMA1 编号：C3289212

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列是 CoolMOS P6 系列的继任者。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥8.14
10+
￥7.94
30+
￥7.8

有货

立即购买

型号：IRFSL3306PBF 编号：C538044

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥9.38
10+
￥7.77
50+
￥6.89

有货

立即购买

型号：IPA60R160P7 编号：C536355

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥14.24
10+
￥11.98
50+
￥10.57

有货

立即购买

型号：ICE2QR2280G-1 编号：C535756

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

该产品源于CoolSET™-Q1，唯一区别是具有较低的Vcc关断阈值。CoolSET™-Q1是第一代准谐振控制器和CoolMOS™集成功率IC。在准谐振模式下操作MOSFET开关，开关电源有望实现更低的EMI、更高的效率和更低的次级二极管电压应力。基于BiCMOS技术，CoolSET™-Q1系列具有较宽的IC电源工作范围（高达25V）和较低的功耗。它还具有许多优点，如在非常低的负载下实现准谐振操作，与其他传统解决方案相比提高了更高的平均系统效率，通过主动突发模式操作在待机模式下实现超低功耗，同时输出电压纹波小且可控等。

数据手册

1+
￥15
10+
￥12.64
30+
￥11.16

有货

立即购买

型号：IRFP7537PBF 编号：C537941

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具有完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥16.08
10+
￥13.48
25+
￥11.85

有货

立即购买

型号：IKB15N65EH5 编号：C536145

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷（QG）。IGBT与全额定电流的RAPID 1快速反并联二极管共封装。最高结温175℃。无铅镀铅，符合RoHS标准。应用：能源发电。太阳能串式逆变器

数据手册

1+
￥16.54
10+
￥16.16
30+
￥15.91

有货

立即购买

型号：IRFS7734TRL7PP 编号：C538037

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥16.72
10+
￥16.33
30+
￥16.07

有货

立即购买

型号：IPB95R310PFD7ATMA1 编号：C19725715

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，使其能够在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。

1+
￥18.08
10+
￥17.68
30+
￥17.42

有货

立即购买

型号：IPDQ65R125CFD7AXTMA1 编号：C23040359

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥22.93
10+
￥22.43
30+
￥22.09

有货

立即购买

海量现货

闪电发货

严控渠道

降低成本

提示

提示

成功提示

失败提示

提示