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1个N沟道耐压:30V 电流:82A

型号：BSZ0503NSIATMA1 编号：C3279318

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥5.1
10+
￥4.98
30+
￥4.9

有货

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双向ESD 16V截止

型号：ESD259-B1-W0201 E6327 编号：C535199

封装：0201

品牌：Infineon(英飞凌)

低钳位电压双向ESD/瞬态保护二极管TVS（瞬态电压抑制器）双向，16 V，4.2 pF，0201封装，符合RoHS标准且无卤

数据手册

1+
￥5.57
10+
￥4.52
30+
￥3.99

有货

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降压型 9A 4.3V~17V

型号：IR3899AMTRPBF 编号：C3191589

封装：PQFN-24(4x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3899A是一款易于使用的全集成直流-直流降压调节器。内置PWM控制器和MOSFET,以及集成的启动二极管,使其成为小型化解决方案,提供高效能的电源管理。具备强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）操作,以及过压、欠压保护和热关断功能。

1+
￥5.84
10+
￥5.7
30+
￥5.62

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:6A

型号：IPB65R660CFDA 编号：C536645

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是用于高压功率MOSFET的一项革命性技术，它是根据超结（SJ）原理设计的。650V CoolMOS CFDA系列将领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新相结合。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优势，同时还提供极快速且耐用的体二极管

数据手册

1+
￥7.25
10+
￥7.06
30+
￥6.94

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:18A

型号：IRFS4020TRLPBF 编号：C538015

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的处理技术，以实现每个硅面积的低导通电阻。此外，栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻经过优化，以改善D类音频放大器的关键性能因素，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）。该MOSFET的其他特性包括175℃的工作结温和重复雪崩能力。这些特性使这款MOSFET成为D类音频放大器应用中高效、坚固且可靠的器件。

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1+
￥7.31
10+
￥7.13
30+
￥7.01

有货

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650V 53A

型号：IPL60R185P7 编号：C537030

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且更凉爽。

数据手册

1+
￥7.52
10+
￥7.33
30+
￥7.2

有货

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1个N沟道耐压:75V 电流:87A

型号：IRFB7740PBF 编号：C537875

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥7.77
10+
￥6.58
50+
￥5.93
100+
￥5.19

有货

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650V 10.5V~25V

型号：ICE2QR4765G 编号：C535759

封装：DSO-12

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSET™ Q1系列（ICE2QRxx65G）是第一代准谐振集成电源IC。它针对离线开关模式电源应用进行了优化，如液晶显示器、可读写DVD（DVD R/W）、组合式DVD（DVD Combo）、蓝光DVD、机顶盒等。通过使MOSFET开关工作在准谐振模式，开关模式电源（SMPS）有望实现更低的电磁干扰（EMI）、更高的效率以及降低次级二极管上的电压应力

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1+
￥7.77
10+
￥6.51
30+
￥5.82

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:99A

型号：IRLR3636TRLPBF 编号：C538172

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩SOA特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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1+
￥7.9
10+
￥7.73
30+
￥7.61

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:160A

型号：IRFSL3306PBF 编号：C538044

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥9.38
10+
￥7.77
50+
￥6.89

有货

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1个N沟道耐压:150V 电流:33A

型号：IRFS4615TRLPBF 编号：C538023

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥10.7
10+
￥9.11
30+
￥8.12

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:20A

型号：IPA60R160P7 编号：C536355

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

1+
￥14.24
10+
￥11.98
50+
￥10.57

有货

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650V 85A

型号：IKWH50N65WR6 编号：C5359102

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。IC = 50 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

1+
￥14.54
10+
￥13.49
30+
￥12.86
90+
￥12.23

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:172A

型号：IRFP7537PBF 编号：C537941

封装：TO-247

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具有完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥16.08
10+
￥13.48
25+
￥11.85

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HEXFET功率MOSFET

型号：IRFS7734TRL7PP 编号：C538037

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥16.72
10+
￥16.33
30+
￥16.07

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1个N沟道耐压:40V 电流:343A

型号：IRLS3034TRLPBF 编号：C538185

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整表征的电容和雪崩SOA。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。 SMPS中的高效同步整流

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1+
￥16.77
10+
￥16.42
30+
￥15.43

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650V 55A

型号：IKP30N65H5 编号：C536198

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。 IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥21.68
10+
￥18.7
50+
￥16.93

有货

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670V 105A

型号：IKWH50N67PR7XKSA1 编号：C42433313

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 670 V。 IC = 50 A。引脚间爬电距离 >4.8 mm。引脚间电气间隙距离 >3.4 mm。针对PFC应用优化的单片二极管。改善的EMI特性，具有较低的dv/dt。应用：家用空调/商用空调。家用暖通空调/商用暖通空调

1+
￥22.73
10+
￥19.26
30+
￥17.2

有货

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650V 24A

型号：IPDQ65R125CFD7AXTMA1 编号：C23040359

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥22.93
10+
￥22.43
30+
￥22.09

有货

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650V 80A

型号：IKW50N65WR5 编号：C536220

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片二极管，针对零电流开关（ZCS）应用进行了优化。TRENCHSTOP™ 5技术应用提供：高坚固性，温度稳定性能。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）和低E(max)。由于VCEsat的正温度系数，具有易于并联开关的能力。低电磁干扰（EMI）。电气参数对温度的依赖性低。应用：焊接。功率因数校正（PFC）

数据手册

1+
￥23.6
10+
￥20.25
30+
￥18.26

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汽车级650V CoolMOS CFD7A MOSFET,电流:13A,耐压:650V

型号：IPW65R115CFD7AXKSA1 编号：C3289083

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥24.73
10+
￥24.11
30+
￥23.7

有货

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650V,电流:15A,耐压:650V

型号：IPP65R099CFD7AAKSA1 编号：C3278792

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS移相全桥、LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥24.84
10+
￥24.21
30+
￥23.79

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降压型 20A 4.25V~16V

型号：TDA21520AUMA1 编号：C3655488

封装：IQFN-25

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型DC - DC转换器；用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器；TDA21520集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，它与控制和同步MOSFET共同封装，还有一个有源二极管结构，该结构能实现类似于肖特基二极管的低Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比，实现了卓越的电流感测精度。保护功能包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV和自举欠压保护。TDA21520还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21520包含一个改进的高速MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET，频率高达1.5 MHz。使用传统电流感测方法（如DCR感测和Rdson感测）的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson电流感测不依赖于电感器，但MOSFET的rdson存在温度系数。此外，很难对高端MOSFET实现rdson电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21520中先进的电流镜感测，消除了所有这些局限性，同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像，该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分，因此具有固有的温度补偿，无需额外的电路。对两个MOSFET进行实际电流感测可确保系统始终处于监控状态。

1+
￥24.98
10+
￥19.33
30+
￥15.89

有货

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1个N沟道耐压:200V 电流:19A

型号：IRF6785MTRPBF 编号：C537802

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，还对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）

数据手册

1+
￥26.7
10+
￥26.12
30+
￥25.73

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:13A

型号：IPL60R285P7 编号：C537035

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换相的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且更凉爽。

数据手册

1+
￥28.21
30+
￥26.88

有货

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650V CoolMOSTM CFD7A超结功率器件

型号：IPDQ65R080CFD7A 编号：C48922638

封装：HDSOP-22

品牌：Infineon(英飞凌)

650V CoolMOS CFD7A集成了快速体二极管，可用于PFC以及诸如ZVS移相全桥和LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥30.17
10+
￥29.41
30+
￥28.9

有货

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高压三相栅极驱动IC

型号：IRS2336DSTRPBF 编号：C538332

封装：SOIC-28-300mil

品牌：Infineon(英飞凌)

IRS2336xD 是高压、高速功率 MOSFET 和 IGBT 栅极驱动器，具备三个高端和三个低端参考输出通道，适用于三相应用。该集成电路设计用于搭配低成本自举电源；自举二极管功能已集成到该器件中，以减少元件数量和 PCB 尺寸。专有 HVIC 和抗闩锁 CMOS 技术已应用于坚固的单片结构中

数据手册

1+
￥35.02
10+
￥30.09
30+
￥27.15

有货

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950V CoolMOS PFD7 SJ功率器件

型号：IPA95R130PFD7XKSA1 编号：C20191553

封装：TO-220FULLPACK

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新的标杆。该技术旨在通过结合一流的性能和最先进的易用性，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，使其能够在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。

1+
￥35.89
10+
￥35.11
50+
￥34.59

有货

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高速低饱和电压650 V TRENCHSTOP IGBT7技术

型号：IKZA40N65EH7XKSA1 编号：C20191534

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 40 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥38.06
10+
￥32.79
30+
￥29.57

有货

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650V 80A

型号：IKWH50N65EH7XKSA1 编号：C20191523

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 50 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥42.22
10+
￥36.6
30+
￥33.17

有货

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