英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IKQ120N120CS7XKSA1 编号：C20191010

封装：TO-247-3

特性：VCE = 1200 V-IC = 120 A-IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压：在 Tvj = 175℃ 时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。宽范围的 dv/dt 可控性。完整的产品系列和 PSpice 模型。应用：工业驱动器。工业电源

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￥84.89
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￥80.7
30+
￥73.45

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型号：PVT322ASPBF 编号：C538623

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVT322A系列光电继电器是一种双极常开固态继电器，可以在许多应用中替代机电继电器。它利用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新型结构的集成电路光伏发电机驱动。输出开关由一个GaAlAs发光二极管（LED）发出的光辐射控制，该LED与光伏发电机光学隔离。PVT322A系列继电器采用8引脚模塑DIP封装，具有通孔或表面贴装（鸥翼型）端子。它可提供标准塑料运输管或卷带封装形式。

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￥87.5824 ￥101.84
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￥75.0652 ￥98.77
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￥65.1882 ￥98.77

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型号：ISZ040N03L5ISATMA1 编号：C3289326

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：为高性能降压转换器优化的同步场效应管。集成单片肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5V。优异的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤素

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￥2.89
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￥2.31
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￥2.06

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型号：IPD60R600P7S E8228 编号：C536834

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

7th generation platform是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。

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￥4.14
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￥3.32
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￥2.91

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型号：IRF1018EPBF 编号：C495795

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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￥6.21
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￥5.13
50+
￥4.54

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型号：IRF7907TRPBF 编号：C168886

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：4.5V VGS时极低的RDS(on)。低栅极电荷。完全表征的雪崩电压和电流。最大栅极额定值20V VGS。改进的体二极管反向恢复。 100%测试RG。应用：笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点 (POL) 转换器用双SO-8 MOSFET

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￥7.46
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￥6.23
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￥5.56

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型号：IKWH20N65WR6 编号：C5359099

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650V。IC = 20A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

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￥10.07
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￥9.39
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￥8.99
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￥8.58

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型号：IRFB7546PBF 编号：C537873

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥10.29
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￥7.67
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￥6.02

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型号：IPD60R180CM8XTMA1 编号：C26319077

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOs TM 8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOs TM CM8 系列是 CoolMOs TM 7 的继任者，它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管 (CFD)，具有出色的抗硬换向能力和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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￥12.15
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￥10.42
30+
￥9.34

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型号：IPB60R360P7 编号：C536628

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、更紧凑且更凉爽。

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1+
￥12.26
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￥10.42
30+
￥9.27
100+
￥8.1

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型号：IPA80R750P7 编号：C536428

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,t，降低 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

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￥12.9
10+
￥10.82
50+
￥9.52
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￥8.19

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型号：2EDL8034G3CXTMA1 编号：C6798612

封装：PG-VSON-10-4

品牌：Infineon(英飞凌)

设计用于半桥配置中驱动高端和低端 MOSFET。浮动高端驱动器能够驱动工作电压高达 120V 自举电压的高端 MOSFET。版本 4 提供完整的 4A 电流能力，而版本 3 提供 3A。高端偏置电压使用集成自举二极管通过自举技术生成。驱动器的输入与 TTL 逻辑兼容，能够承受从 -10V 到 20V 的输入共模摆幅。独立输入允许独立控制高端和低端域。高端和低端电源上的欠压锁定 (UVLO) 在电源不足的情况下强制相应输出为低电平。有 SON-8 引脚 4mm×4mm、SON-10 引脚 4mm×4mm 和 SON-10 引脚 3mm×3mm 封装。

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￥13.06
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￥10.97
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型号：TLE9371VSJXTMA1 编号：C6285354

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

高速CAN收发器，用于汽车和工业应用的高速控制器局域网 (CAN)。它旨在满足ISO 11898-2 (2016) 物理层规范以及SAE J1939和SAE J2284的要求。它采用无卤且符合RoHS标准的PG-DSO-8封装。作为物理总线层和高速CAN之间的接口，它可保护微控制器免受网络中产生的干扰。具有很高的ESD鲁棒性和优化的RF抗扰度，无需额外的保护设备（如抑制二极管或共模扼流圈）即可用于汽车应用。当未供电时，发射器关闭，对高速CAN的所有其他节点呈现最低负载

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￥13.28
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￥11.17
30+
￥9.85

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型号：IPP60R120P7 编号：C537199

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥14.34
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￥13.98
50+
￥13.74

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型号：IHW20N65R5 编号：C536120

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。TRENCHSTOP™ 技术提供：非常紧密的参数分布。高耐用性和稳定的温度特性。非常低的 VCEsat 和低 Eoff。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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￥16.8665 ￥27.65
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￥13.7955 ￥27.05
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￥10.9265 ￥26.65
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￥10.7625 ￥26.25

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型号：IKA15N65H5 编号：C536140

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用 TRENCHSTOPTM 5 技术的高速 5 IGBT，与 RAPID 1 快速软恢复反并联二极管共封装。

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￥17.3
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￥14.95
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￥13.48

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型号：IRFB7530PBF 编号：C537869

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥17.47
10+
￥14.82
50+
￥13.16

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型号：IPB95R310PFD7ATMA1 编号：C19725715

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS P7系列相比，PFD7提供了一个集成的超快体二极管，使其能够在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。

1+
￥18.08
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￥17.68
30+
￥17.42

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型号：IPA95R310PFD7XKSA1 编号：C20191554

封装：TO-220-3-313

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS™ PFD7系列为超结（SJ）技术树立了新标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比，PFD7提供了集成的超快体二极管，可用于谐振拓扑，其反向恢复电荷（Qrr）为市场最低

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￥18.47
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￥15.49
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￥13.63

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型号：IHW25N140R5LXKSA1 编号：C20191003

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V，IC = 25A。强大的单片体二极管，正向电压低，仅适用于软换相。非常紧密的参数分布。高坚固性，温度稳定性能。极低的VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。应用：电磁炉。微波炉

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￥19.13
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￥16.43
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￥14.82

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型号：IR3556MTRPBF 编号：C537671

封装：PQFN-30(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

集成 PowIRstage® 封装，包含一个同步降压栅极驱动器 IC，该 IC 与控制和同步 MOSFET 以及一个肖特基二极管集成在一起，以进一步提高效率。该封装针对 PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET 控制时序以及遵循布局指南时最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的配对组合可在较低输出电压下实现更高的效率，满足尖端 CPU、GPU、ASIC 和 DDR 内存设计的需求。

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1+
￥19.3191 ￥27.21
10+
￥16.226 ￥26.6
30+
￥13.362 ￥26.2
100+
￥13.158 ￥25.8

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型号：IPL60R085P7AUMA1 编号：C3289358

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥28.31
10+
￥23.99
30+
￥21.42

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型号：IKB40N65ES5 编号：C536153

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术。用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）：在标称电流下为1.35V。 650V击穿电压。低栅极电荷（Qg）。 IGBT与全额定电流的RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：能源发电。太阳能串式逆变器

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1+
￥28.33
10+
￥24.05
30+
￥21.51

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型号：TDA387400000AUMA1 编号：C7121323

封装：QFN-36(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA38740/725是一款易于使用、高度集成且高效的直流-直流稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMoSTM FET使TDA38740/725成为一种占位面积小的解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用了快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速瞬态响应

1+
￥39.48
10+
￥33.72
30+
￥30.2

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型号：PVD1352NSPBF 编号：C538591

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开的固态继电器，用于模拟信号的通用开关，可替代机电继电器。利用HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管的辐射控制，与光伏发生器进行光隔离。克服了传统机电继电器和簧片继电器的局限性，具有长寿命、快速操作速度、低启动功率、无弹跳操作、低热失调电压和微型封装等固态优势

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单价：
￥46.89 / 个

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型号：PVG612APBF 编号：C538597

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

PVG612A系列光伏继电器是一种单极常开固态继电器，可以在许多应用中替代机电继电器。它采用国际整流器公司的专有HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新型结构的集成电路光伏发电机驱动。输出开关由一个GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该LED与光伏发电机光学隔离。这些装置在工作寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场的不敏感性和坚固性方面超过了机电继电器的性能能力。紧凑型PVG612A特别适用于从12到48伏交流或直流电源的高电流隔离切换。PVG612A系列继电器采用6引脚模塑DIP封装，提供通孔或表面贴装（鸥翼型）端子。它们可提供标准塑料运输管或卷带包装。

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单价：
￥69.62 / 个

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型号：IKQ120N120CH7XKSA1 编号：C20191009

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 120 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

1+
￥73.63
10+
￥62.68
30+
￥56

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型号：IKY120N65EH7XKSA1 编号：C20191527

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 120 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥74.4
10+
￥70.76
30+
￥64.45

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型号：IKQ100N120CS7XKSA1 编号：C20191008

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 100 A，IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 175℃时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑进行优化（2-L逆变器、3-L NPC T型等）。短路耐受时间8 μs。宽范围的dv/dt可控性。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥84.99
10+
￥80.77
30+
￥73.45

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型号：IPW60R016CM8XKSA1 编号：C28143621

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第8代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥90.02
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￥85.49
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