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首页 > 热门关键词 > 英飞凌二极管
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特性:高速S5技术。 用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。 极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat):在标称电流下为1.35V。 650V击穿电压。 低栅极电荷(Qg)。 IGBT与全额定电流的RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用:能源发电。 太阳能串式逆变器
数据手册
  • 1+

    ¥28.67
  • 10+

    ¥24.39
  • 30+

    ¥21.85
  • 有货
  • 特性:VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 最高结温 Tvjmax = 175℃。 同类最佳的高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压:在Tvj = 25℃时,VCEsat = 1.7 V。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥29.25
    • 10+

      ¥25.01
    • 25+

      ¥22.49
  • 有货
  • 最新的950V CoolMOS PFD7系列在超结(SJ)技术方面树立了新的标杆。该技术旨在通过结合一流的性能和最先进的易用性,满足照明和工业开关电源(SMPS)应用的需求。与CoolMOS P7系列相比,PFD7提供了集成的超快体二极管,可在具有市场最低反向恢复电荷(Qrr)的谐振拓扑中使用。
    • 1+

      ¥29.61
    • 10+

      ¥28.85
    • 30+

      ¥28.35
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    • 1+

      ¥31.6692 ¥41.67
    • 10+

      ¥26.9016 ¥40.76
    • 30+

      ¥22.484 ¥40.15
    • 100+

      ¥22.148 ¥39.55
  • 有货
  • 特性:低Rdson降低损耗。 低栅极电荷提高开关性能。 改善二极管恢复性能,提高开关和电磁干扰性能。 30V栅极电压额定值提高了鲁棒性。 完全表征雪崩安全工作区。应用:运动控制应用。 开关电源中的高效同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥34.6032 ¥48.06
    • 10+

      ¥29.1462 ¥47.01
    • 30+

      ¥24.0812 ¥46.31
    • 100+

      ¥23.7172 ¥45.61
  • 有货
  • 最新的950V CoolMOS PFD7系列为超结(SJ)技术树立了新的标杆。该技术旨在通过结合一流的性能和最先进的易用性,满足照明和工业开关电源(SMPS)应用的需求。与CoolMOS P7系列相比,PFD7提供了一个集成的超快体二极管,使其能够在具有市场最低反向恢复电荷(Qrr)的谐振拓扑中使用。
    • 1+

      ¥35.89
    • 10+

      ¥35.11
    • 50+

      ¥34.59
  • 有货
  • 特性:高速软开关IGBT6技术,在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联。 低电磁干扰。 低栅极电荷Qg。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。 最高结温175℃。应用:工业不间断电源。 充电器
    • 1+

      ¥41.06
    • 10+

      ¥35.06
    • 30+

      ¥31.41
  • 有货
  • 是单极、常开固态继电器,可在许多应用中取代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关,由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些产品在使用寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场的不敏感性和坚固性方面超过了机电继电器的性能。紧凑的产品特别适用于 12 至 48 伏交流或直流电源的高电流隔离开关。采用 6 引脚、模制 DIP 封装,有通孔或表面贴装(鸥翼式)端子。有标准塑料运输管或卷带包装。
    数据手册
    • 1+

      ¥47.9481 ¥69.49
    • 10+

      ¥41.5311 ¥60.19
    • 30+

      ¥37.6257 ¥54.53
    • 100+

      ¥34.3482 ¥49.78
  • 有货
  • 特性:短路耐受时间:在Tvj = 175℃时为5μs。 VCE(sat)具有正温度系数。 低电磁干扰。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175℃。 2500VRMS电气隔离,50/60Hz,t = 1min。应用:空调功率因数校正。 通用驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥49.5305 ¥83.95
    • 10+

      ¥35.6916 ¥72.84
    • 30+

      ¥25.7634 ¥66.06
    • 100+

      ¥23.5482 ¥60.38
  • 有货
  • 特性:极低的开关损耗。 无阈值导通特性。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压,便于简单的栅极驱动。 完全可控的dV/dt。 坚固的体二极管,适用于硬换向。应用:能源生产。 太阳能串式逆变器和太阳能优化器
    数据手册
    • 1+

      ¥54.43
    • 10+

      ¥46.38
    • 25+

      ¥41.47
  • 有货
  • PVI系列光伏隔离器在接收到直流输入信号时会产生一个电气隔离的直流电压。它能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。其输出采用了一种新型结构的单片集成电路光伏发生器。输出由GaAlAs发光二极管(LED)的辐射控制,该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离。
    数据手册
    • 1+

      ¥55.34
    • 10+

      ¥43.5712 ¥47.36
    • 30+

      ¥33.9972 ¥41.46
    • 100+

      ¥30.6516 ¥37.38
  • 有货
  • 是单极、常开固态继电器,可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关,由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。适用于工业控制和电信外围设备应用。采用 6 引脚模制 DIP 封装,有通孔或表面贴装(鸥翼式)引脚可选,可采用标准塑料运输管或卷带包装。
    数据手册
    • 1+

      ¥67.3436 ¥88.61
    • 10+

      ¥55.8756 ¥84.66
    • 30+

      ¥43.568 ¥77.8
    • 100+

      ¥40.2248 ¥71.83
  • 有货
  • PVA33系列交流继电器(PVA)是一种单极常开固态继电器,可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关,由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管(LED)的辐射控制,该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离。PVA33系列克服了传统机电继电器和干簧继电器的局限性,具备固态继电器的诸多优势,如长寿命、快速操作速度、低吸合功率、无触点抖动、低热失调电压和小型封装等。这些优势使得该系列产品在许多应用领域(如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集)能够实现产品改进和设计创新。PVA33能够切换从热电偶电平到300V峰值交流或直流极性的模拟信号。可轻松控制高达射频范围的信号频率,且可实现高达500Hz的开关速率。极小的热生成失调电压可提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装,有通孔或表面贴装(“鸥翼式”)引脚可供选择,采用塑料运输管包装。
    数据手册
    • 1+

      ¥74.003 ¥86.05
    • 10+

      ¥62.4796 ¥82.21
    • 30+

      ¥49.8696 ¥75.56
    • 100+

      ¥46.035 ¥69.75
  • 有货
  • 特性:VCE = 1200 V。 IC = 100 A。 最大结温 Tv(jmax) = 175℃。 同类最佳的高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25℃)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 EV充电
    • 1+

      ¥74.18
    • 10+

      ¥70.44
    • 30+

      ¥63.96
  • 有货
  • 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥75.83
    • 10+

      ¥72.09
    • 30+

      ¥65.61
  • 有货
  • 该光伏继电器是双极常开固态继电器,可在许多应用中替代机电继电器。它采用HEXFET功率MOSFET作为输出开关,由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管(LED)的辐射控制。该继电器采用8引脚模制DIP封装,有通孔或表面贴装(鸥翼式)引脚。可提供标准塑料运输管或卷带包装。
    数据手册
    • 1+

      ¥76.4992 ¥119.53
    • 10+

      ¥64.5462 ¥119.53
    • 30+

      ¥52.5932 ¥119.53
  • 有货
  • PVAZ172N光继电器是一种单极常开固态继电器,可以替代用于直流和交流负载通用切换的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关,由一种新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管(LED)发出的辐射控制,该LED与光伏发生器光学隔离。这些装置克服了机电继电器和簧片继电器的局限性,提供了固态技术的优点,如高灵敏度、小型化、无触点反弹、长使用寿命、对外部磁场不敏感、抗震抗振以及固有高可靠性。它们非常适合于切换大电流或低电平信号而不会产生失真或注入电气噪声。这些继电器封装在8引脚塑封DIP封装中,并提供通孔或表面贴装(“鸥翼”)引脚版本,以塑料运输管形式供应。
    数据手册
    • 1+

      ¥78.2666 ¥87.94
    • 10+

      ¥69.4726 ¥87.94
    • 30+

      ¥60.6786 ¥87.94
  • 有货
  • PVAZ172N光继电器是一种单极常开固态继电器,可以替代用于直流和交流负载通用切换的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关,由一种新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管(LED)发出的辐射控制,该LED与光伏发生器光学隔离。这些装置克服了机电继电器和簧片继电器的局限性,提供了固态技术的优点,如高灵敏度、小型化、无触点反弹、长使用寿命、对外部磁场不敏感、抗震抗振以及固有高可靠性。它们非常适合于切换大电流或低电平信号而不会产生失真或注入电气噪声。这些继电器封装在8引脚塑封DIP封装中,并提供通孔或表面贴装(“鸥翼”)引脚版本,以塑料运输管形式供应。
    数据手册
    • 1+

      ¥90.2592 ¥141.03
    • 10+

      ¥76.1562 ¥141.03
    • 30+

      ¥62.0532 ¥141.03
  • 有货
  • PVT322A系列光电继电器是一种双极常开固态继电器,可以在许多应用中替代机电继电器。它利用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关,并由一种新型结构的集成电路光伏发电机驱动。输出开关由一个GaAlAs发光二极管(LED)发出的光辐射控制,该LED与光伏发电机光学隔离。PVT322A系列继电器采用8引脚模塑DIP封装,具有通孔或表面贴装(鸥翼型)端子。它可提供标准塑料运输管或卷带封装形式。
    数据手册
    • 1+

      ¥94.7112 ¥101.84
    • 10+

      ¥81.9791 ¥98.77
    • 12+

      ¥72.1021 ¥98.77
  • 有货
  • 特性:在Tvj = 25℃时,VDSS = 2000V。 在Tc = 25℃时,IDCC = 34A。 在VGS = 18V、Tvj = 25℃时,RDSS(on) = 75mΩ。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 适用于硬换向的稳健体二极管。应用:串式逆变器。 太阳能功率优化器
    • 1+

      ¥116.16
    • 30+

      ¥110
  • 有货
  • 特性:为高性能降压转换器优化的同步场效应管。 集成单片肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on),VGS = 4.5V。 优异的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤素
    • 1+

      ¥2.69
    • 10+

      ¥2.11
    • 30+

      ¥1.86
  • 有货
  • 特性:优化的同步场效应管,适用于高性能降压转换器。 集成单片肖特基类二极管。 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥4.04
    • 10+

      ¥3.25
    • 30+

      ¥2.86
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 经过100%雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥7.28
    • 10+

      ¥7.09
    • 30+

      ¥6.97
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥9.15
    • 10+

      ¥7.62
    • 30+

      ¥6.77
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类似肖特基二极管。 极低导通电阻RDS(on),在VGS = 4.5V时。 100%雪崩测试。 N沟道。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准,无卤素
    数据手册
    • 1+

      ¥9.6
    • 10+

      ¥9.36
    • 30+

      ¥9.21
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。 完全表征的电容和雪崩 SOA。 增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。 无铅,符合 RoHS 标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥10.29
    • 10+

      ¥7.67
    • 30+

      ¥6.02
  • 有货
  • 特性:VCE = 650 V。 IC = 30 A。 引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。 引脚到引脚间隙距离 > 3.4 mm。 为PFC和焊接应用优化的单片二极管。 稳定的温度特性。应用:PFC。 焊接
    • 1+

      ¥10.58
    • 10+

      ¥9.86
    • 30+

      ¥9.43
    • 90+

      ¥9
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行优化。 单片集成类肖特基二极管。 在VGS = 4.5V时具有极低的导通电阻RDS(on)。 100%经过雪崩测试。 N沟道。 根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品
    • 1+

      ¥11.19
    • 10+

      ¥9.42
    • 30+

      ¥8.31
  • 有货
  • 特性:VCE = 650 V。IC = 40 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用:PFC。焊接
    • 1+

      ¥11.99
    • 10+

      ¥11.15
    • 30+

      ¥10.65
    • 90+

      ¥10.14
  • 有货
  • 高速CAN收发器,用于汽车和工业应用的高速控制器局域网 (CAN)。它旨在满足ISO 11898-2 (2016) 物理层规范以及SAE J1939和SAE J2284的要求。它采用无卤且符合RoHS标准的PG-DSO-8封装。作为物理总线层和高速CAN之间的接口,它可保护微控制器免受网络中产生的干扰。具有很高的ESD鲁棒性和优化的RF抗扰度,无需额外的保护设备(如抑制二极管或共模扼流圈)即可用于汽车应用。当未供电时,发射器关闭,对高速CAN的所有其他节点呈现最低负载
    • 1+

      ¥13.07
    • 10+

      ¥10.97
    • 30+

      ¥9.65
  • 有货
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