英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IPB65R075CFD7AATMA1 编号：C3289232

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS移相全桥和LLC等谐振开关拓扑。

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￥44.2
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￥43.09
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￥42.34

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型号：IKW50N120CS7XKSA1 编号：C3191676

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。IC = 50 A。IGBT 与全电流、软恢复且低 Qrr 的二极管共封装。低饱和电压：在 Tvj = 175°C 时，VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）进行了优化。短路耐受时间为 8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

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￥56.74
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￥49.3
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￥44.77

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型号：IKQ150N65EH7XKSA1 编号：C20191012

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 150 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

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￥74.59
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￥71.07
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￥64.97

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型号：IPZA60R037P7 编号：C537521

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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￥75.83
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￥72.09
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￥65.61

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型号：BSZ0910LSATMA1 编号：C17387216

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对充电器和适配器进行优化（如USB-PD、无线充电）。集成单片肖特基式二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。卓越的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

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￥1.75
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￥1.7
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￥1.67

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型号：IRF1018ESTRLPBF 编号：C459934

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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￥3.06
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￥2.99
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￥2.95

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型号：IPAN60R600P7SXKSA1 编号：C3288921

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑且更凉爽。

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￥3.69
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￥3.6
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￥3.54

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型号：IPA60R600P7 编号：C536387

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑且更凉爽。

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￥6.03
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￥5.91
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￥5.83

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型号：TLS203B0EJ V50 编号：C540248

封装：DSO-8-EP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低噪声：低至42 μVₚ₋ₚ（带宽10 Hz至100 kHz）。300 mA电流能力。低静态电流：30 μA。宽输入电压范围：最高20 V。内部电路工作电压低至2.3 V。输出电压精度：2.5%（全温度和负载范围内）。低压差电压：290 mV。极低关断电流：< 1 μA。无需保护二极管。固定输出电压：5.0 V。输出电容≥3.3 μF时稳定。与铝、钽或陶瓷输出电容兼容。反极性保护。无反向电流。过流和过温保护。PG-DSO-8外露焊盘和PG-TSON-10外露焊盘封装。适用于汽车电子作为后置稳压器。绿色产品（符合RoHS标准）。AEC认证

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￥6.63
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￥6.46
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￥6.35

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型号：IPAN60R180CM8XKSA1 编号：C28858717

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势、为所有产品实施快速体二极管 (CFD)，对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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￥7.95
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￥7.75
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￥7.61

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型号：IRF60DM206 编号：C537775

封装：DirectFET

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥10.43
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￥10.17
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￥10

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型号：BSC0500NSIATMA1 编号：C7220840

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。经过100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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￥10.64
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￥8.91
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￥7.83
100+
￥6.71

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型号：IPD60R600P7ATMA1 编号：C3289116

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥10.97
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￥9.18
30+
￥8.19

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型号：IPA65R660CFD 编号：C536412

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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￥11.58
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￥9.81
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￥8.71

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型号：IR3823AMTRPBFAUMA1 编号：C3191585

封装：PQFN-19(3.5x3.5)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3823A是一款易于使用的、完全集成的直流-直流降压调节器。其板载PWM控制器和MOSFET以及集成的自举二极管使其成为小型解决方案,提供高效能和快速控制响应。该芯片具有内部低dropout电压调节器,支持单电源操作,具备过电压和欠电压保护及热关断功能。

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￥9.93
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￥8.82

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型号：IKW75N65EH5 编号：C454259

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可插拔替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与全额定RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：不间断电源。太阳能转换器

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240+
￥8.97
960+
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2400+
￥7.8645

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型号：IHW30N140R5LXKSA1 编号：C20191005

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V-IC = 30A。强大的单片体二极管，正向电压低，仅适用于软换相。非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定特性。极低的VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。应用：电磁炉。微波炉

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￥15.1
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￥14.71
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￥14.45

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型号：IPLK80R2K0P7ATMA1 编号：C3288829

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eus：降低了 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5V。集成齐纳二极管静电放电保护。完全优化的产品组合。应用：推荐用于低功率充电器和适配器的硬开关和软开关反激拓扑

1+
￥20
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￥17.09
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￥15.27

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型号：TDA38827AUMA1 编号：C3191588

封装：IQFN-22

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA38827是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMoS FET使TDA38827成为一种占位面积小的解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用了快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速的控制响应

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￥20.25
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￥19.78
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￥19.46

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型号：TDA38820AUMA1 编号：C3191590

封装：PQFN-29(4x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA38820是一款易于使用的完全集成的直流-直流降压调节器。内置PWM控制器和OptiMOSTM FETs,以及集成的自举二极管,使TDA38820成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它使用快速恒定导通时间（CoT）控制方案,简化了设计工作并实现了快速控制响应。该器件还具备重要的保护功能,如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断,确保系统在故障条件下的安全运行。

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￥20.81
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￥20.33
30+
￥20

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型号：IPAW60R280P7SXKSA1 编号：C3289033

封装：TO-220-FP

品牌：Infineon(英飞凌)

7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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￥21.22
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￥18.12
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￥15.59

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型号：IPD80R900P7 编号：C536892

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,in，降低了 Ωg、Ciss 和 Coss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。产品组合经过全面优化。应用：推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

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1+
￥21.61
10+
￥18.44
30+
￥16.56

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型号：TLD5045EJ 编号：C539648

封装：SOIC-8-EP-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款高度集成的智能LED降压控制器，具有内置保护功能。该设备的主要功能是通过调节恒定的LED电流，从高于LED正向电压的电压源高效驱动单个或多个串联的LED。恒流调节特别有利于LED颜色准确性和长LED寿命。内置的续流二极管和带电流检测的开关晶体管需要更少的外部组件，节省了系统成本

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1+
￥25.14
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￥21.66
30+
￥19.59

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型号：TDA387250000AUMA1 编号：C5955844

封装：QFN-36(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款易于使用、完全集成且高效的直流-直流调节器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS FET使该调节器成为小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速瞬态响应。是一款多功能调节器，可在宽输入和输出电压范围内工作，提供从400kHz到2MHz（步长为200kHz，不包括1600kHz）的可编程开关频率，并提供八种独特的可选电流限制

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￥25.49
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￥24.84
30+
￥24.41

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型号：2ED1323S12PXUMA1 编号：C20189642

封装：PG-DSO-20-U03

品牌：Infineon(英飞凌)

控制半桥配置中最大阻断电压为 +1200V 的 IGBT 或 SiC MOSFET 功率器件。基于 SOI 技术，在瞬态电压下具有出色的耐用性，器件中不存在寄生晶闸管结构，设计在工作温度和电压范围内对寄生闩锁具有很强的抵抗力。两个独立的驱动器输出在低端使用两个不同的 CMOS 或 LSTTL 兼容信号进行控制，低至 3.3V 逻辑。该器件包括一个具有滞后特性的欠压检测单元。具有对称的欠压锁定电平，有力支持集成的超快自举二极管。此外，离线栅极钳位功能在 IC 未通过 VCC 供电时，为晶体管提供了针对浮动栅极条件下寄生导通的固有保护。

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￥27.31
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￥26.61
30+
￥26.15

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型号：IRLR3636TRPBF 编号：C3277891

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。在4.5V VGS时具有非常低的RDS(ON)。在4.5V VGS时具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩SOA特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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￥27.94
10+
￥24.1
30+
￥21.81

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型号：IPW65R420CFD 编号：C537499

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高坚固性的结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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1+
￥28.63
30+
￥28.62

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型号：IRFS7730TRLPBF 编号：C538036

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。全面表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥35.82
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￥30.53
30+
￥27.39

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型号：IKZ75N65ES5 编号：C536231

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat），标称电流下为1.42V。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压为650V。低栅极电荷QG。 IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：工业不间断电源（UPS）。工业开关电源（SMPS）

数据手册

1+
￥37.53
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￥36.59
30+
￥35.97

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型号：IRLS4030TRLPBF 编号：C538188

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行了优化。在4.5V的VGS下具有非常低的RDS(ON)。在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩SOA特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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