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首页 > 热门关键词 > 英飞凌二极管
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提供集成快速体二极管,可用于PFC和ZVS相移全桥、LLC等谐振开关拓扑。
  • 1+

    ¥24.73
  • 10+

    ¥24.11
  • 30+

    ¥23.7
  • 有货
  • 是一款高度集成的智能LED降压控制器,具有内置保护功能。该设备的主要功能是通过调节恒定的LED电流,从高于LED正向电压的电压源高效驱动单个或多个串联的LED。恒流调节特别有利于LED颜色准确性和长LED寿命。内置的续流二极管和带电流检测的开关晶体管需要更少的外部组件,节省了系统成本
    数据手册
    • 1+

      ¥25.14
    • 10+

      ¥21.66
    • 30+

      ¥19.59
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFDA系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且稳健的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的稳健性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥31.1
    • 10+

      ¥30.39
    • 30+

      ¥29.91
  • 有货
  • 650V CoolMOS CFD7A集成了快速体二极管,可用于PFC以及诸如ZVS移相全桥和LLC等谐振开关拓扑。
    • 1+

      ¥32.11
    • 10+

      ¥31.35
    • 30+

      ¥30.84
  • 有货
  • 特性:VCE = 1200 V-IC = 8 A-IGBT 与全电流、软恢复和低 Qrr 二极管共封装。 低饱和电压 VCE(sat) = 2.0 V(Tvj = 175℃ 时)。 针对硬开关拓扑进行优化(2-L 逆变器、3-L NPC T 型等)。 短路耐受时间 8 μs。 宽范围的 dv/dt 可控性。应用:工业驱动器。 工业电源
    • 1+

      ¥32.86
    • 10+

      ¥28.21
    • 30+

      ¥24.16
  • 有货
  • 特性:VCE = 650 V。 IC = 40 A。 低开关损耗。 极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 平滑的开关特性。应用:工业不间断电源。 电动汽车充电
    • 1+

      ¥36.13
    • 10+

      ¥30.85
    • 30+

      ¥27.64
  • 有货
  • 特性:双N沟道。 为高性能降压转换器优化。 逻辑电平(额定4.5V)。 100%雪崩测试。 根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准为无卤产品。 集成单片肖特基二极管
    • 1+

      ¥36.48
    • 10+

      ¥31.46
    • 30+

      ¥28.48
  • 有货
  • CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。
    • 单价:

      ¥54.39 / 个
  • 有货
  • 特性:VCE = 1200V。 IC = 75A。 最高结温 Tvjmax = 175℃。 同类最佳的高速IGBT与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7V(Tvj = 25℃时)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 电动汽车充电
    • 单价:

      ¥56.52 / 个
  • 有货
  • PVA30系列交流继电器(PVA)是单极常开固态继电器,用于替代通用模拟信号切换的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关,并由一种新颖结构的集成光电池发电机驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管(LED)发出的辐射控制,该LED与光电池发电机光学隔离。PVA30系列结合了非常低的固态输出电容、非常高的关断电阻和非常快的响应时间。这些光电继电器专为在高性能仪器系统中精确切换低电平信号而设计。PVA30系列克服了传统机电继电器和簧片继电器的局限性,提供了固态继电器的优势,如长寿命、快速操作速度、低启动功率、无反弹操作、低热偏移电压和小型封装。这些优势允许在许多应用中改进产品和设计创新,如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集。PVA30可以切换从热电偶电平到300伏峰值交流或直流极性的模拟信号。信号频率可以轻松控制到射频范围,并且可实现高达1.7千赫兹的切换速率。极小的热生成偏移电压允许提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装,提供通孔或表面贴装(“鸥翼”)引线,在塑料运输管中供货。
    数据手册
    • 1+

      ¥71.98
    • 10+

      ¥69.46
  • 有货
  • 特性:针对充电器和适配器进行优化(如USB-PD、无线充电)。 集成单片肖特基式二极管。 极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。 卓越的热阻。 N沟道。 无铅引脚镀层,符合RoHS标准。 根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥1.75
    • 10+

      ¥1.7
    • 30+

      ¥1.67
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥3.06
    • 10+

      ¥2.99
    • 30+

      ¥2.95
  • 有货
  • 第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点,具有易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑且更凉爽。
    • 1+

      ¥3.69
    • 10+

      ¥3.6
    • 30+

      ¥3.54
  • 有货
  • CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑且更凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥6.03
    • 10+

      ¥5.91
    • 30+

      ¥5.83
  • 有货
  • 特性:低噪声:低至42 μVₚ₋ₚ(带宽10 Hz至100 kHz)。300 mA电流能力。低静态电流:30 μA。宽输入电压范围:最高20 V。内部电路工作电压低至2.3 V。输出电压精度:2.5%(全温度和负载范围内)。低压差电压:290 mV。极低关断电流:< 1 μA。无需保护二极管。固定输出电压:5.0 V。输出电容≥3.3 μF时稳定。与铝、钽或陶瓷输出电容兼容。反极性保护。无反向电流。过流和过温保护。PG-DSO-8外露焊盘和PG-TSON-10外露焊盘封装。适用于汽车电子作为后置稳压器。绿色产品(符合RoHS标准)。AEC认证
    数据手册
    • 1+

      ¥6.63
    • 10+

      ¥6.46
    • 30+

      ¥6.35
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥10.43
    • 10+

      ¥10.17
    • 30+

      ¥10
  • 有货
  • IR3823A是一款易于使用的、完全集成的直流-直流降压调节器。其板载PWM控制器和MOSFET以及集成的自举二极管使其成为小型解决方案,提供高效能和快速控制响应。该芯片具有内部低dropout电压调节器,支持单电源操作,具备过电压和欠电压保护及热关断功能。
    • 1+

      ¥11.16
    • 10+

      ¥9.39
    • 30+

      ¥8.28
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥11.58
    • 10+

      ¥9.81
    • 50+

      ¥8.71
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP技术。 极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat)。 低电磁干扰(EMI)。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175℃。 通过JEDEC认证,适用于目标应用。应用:不间断电源。 焊接转换器
    数据手册
    • 1+

      ¥13.23
    • 10+

      ¥12.91
    • 30+

      ¥12.05
  • 有货
  • 高频、薄型DC - DC转换器;用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器;TDA21535集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC,它与控制和同步MOSFET以及一个有源二极管结构共同封装,该有源二极管结构可实现类似于肖特基二极管的低Vsd,且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时,该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比,可实现卓越的电流感测精度。保护功能包括IC温度报告和过温保护功能(带热关断的OTP)、逐周期过流保护(OCP)、控制MOSFET短路检测(HSS - 高端短路检测)、VDRV和自举欠压保护。TDA21535还具有自举电容“刷新”功能,以防止自举电容过度放电。高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应,允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化,同时保持行业领先的效率。TDA21535包含一个改进的高速MOSFET驱动器,该驱动器经过优化,可在高达1.5 MHz的频率下驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET。使用传统电流感测方法(如DCR感测和Rdson感测)的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感,需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面,Rdson电流感测不依赖于电感器,但MOSFET的rdson存在温度系数。此外,很难对高端MOSFET实施rdson电流感测,因此用模拟电流代替,而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21535中的先进电流镜感测,消除了所有这些局限性,同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像,该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分,因此具有固有的温度补偿,无需额外的电路。两个MOSFET上的真实电流感测确保了系统。
    • 1+

      ¥14.95
    • 10+

      ¥14.57
    • 30+

      ¥14.32
  • 有货
  • CoolMOS 7th generation platform 是用于高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点,具有易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。
    • 1+

      ¥15.16
    • 10+

      ¥14.84
    • 30+

      ¥14.62
  • 有货
  • 特性:针对逻辑电平驱动进行优化。 在4.5V VGS时具有极低的RDS(ON)。 在4.5V VGS时具有出色的R*Q。 改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 具备完整表征的电容和雪崩SOA。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用:DC电机驱动。 SMPS中的高效同步整流
    数据手册
    • 1+

      ¥16.77
    • 10+

      ¥16.42
    • 30+

      ¥15.43
  • 有货
  • TDA38827是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMoS FET使TDA38827成为一种占位面积小的解决方案,可实现高效的功率传输。此外,它采用了快速恒定导通时间(COT)控制方案,简化了设计工作并实现了快速的控制响应
    • 1+

      ¥19.06
    • 10+

      ¥18.58
    • 30+

      ¥18.27
  • 有货
  • 特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * Eus:降低了 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V,且 VGS(th) 变化最小,为 ±0.5V。集成齐纳二极管静电放电保护。完全优化的产品组合。应用:推荐用于低功率充电器和适配器的硬开关和软开关反激拓扑
    • 1+

      ¥20
    • 10+

      ¥17.09
    • 30+

      ¥15.27
  • 有货
  • TDA38820是一款易于使用的完全集成的直流-直流降压调节器。内置PWM控制器和OptiMOSTM FETs,以及集成的自举二极管,使TDA38820成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它使用快速恒定导通时间(CoT)控制方案,简化了设计工作并实现了快速控制响应。该器件还具备重要的保护功能,如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断,确保系统在故障条件下的安全运行。
    • 1+

      ¥20.81
    • 10+

      ¥20.33
    • 30+

      ¥20
  • 有货
  • 特性:TRENCHSTOP™技术提供极低的集电极-发射极饱和电压(VCEsat)。 低电磁干扰(EMI)。 非常软、快速恢复的反并联二极管。 最高结温175℃。 符合JEDEC标准,适用于目标应用。 无铅引脚镀层;符合RoHS标准。应用:不间断电源。 焊接转换器
    数据手册
    • 单价:

      ¥21.12 / 个
  • 有货
  • 特性:强大的单片反向导通二极管,正向电压低。 TRENCHSTOP™技术提供: 非常紧密的参数分布。 高耐用性和稳定的温度特性。 极低的VCEsat和低Eoff。 由于VCEsat的正温度系数,易于并联开关。 低电磁干扰。应用:感应烹饪。 逆变微波炉
    数据手册
    • 1+

      ¥21.2
    • 10+

      ¥18.02
    • 30+

      ¥16.13
  • 有货
  • 特性:同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,in,降低了 Ωg、Ciss 和 Coss。 同类最佳的 DPAK RDS(on)。 同类最佳的 VGS(th) 为 3V,且 VGS(th) 变化最小,为 ±0.5V。 集成齐纳二极管 ESD 保护。 完全符合 JEDEC 工业应用标准。 产品组合经过全面优化。应用:推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。 适用于消费应用和太阳能的 PFC 级
    数据手册
    • 1+

      ¥21.61
    • 10+

      ¥18.44
    • 30+

      ¥16.56
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。 低栅极电荷Qg。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。 最高结温175°C。 无铅镀铅,符合RoHS标准。应用:能源发电-太阳能串式逆变器-太阳能微型逆变器。 工业电源-工业开关电源-工业不间断电源
    • 1+

      ¥22.57
    • 10+

      ¥21.99
    • 30+

      ¥21.61
  • 有货
  • 高速、低饱和电压650 V TRENCHSTOP IGBT7技术,与软、快速恢复发射极控制7二极管共封装。
    • 1+

      ¥23.33
    • 10+

      ¥22.75
    • 30+

      ¥22.36
  • 有货
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