英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：ISC037N03L5ISATMA1 编号：C3278718

封装：TDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：优化的同步场效应管，适用于高性能降压转换器。集成单片肖特基类二极管。在VGS = 4.5 V时具有极低的导通电阻RDS(on)。卓越的热阻。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥4.04
10+
￥3.25
30+
￥2.86

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型号：BSZ0902NSIATMA1 编号：C3279316

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：为高性能降压转换器优化的同步场效应管。集成单片肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @Vgs = 4.5V。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥5.38
10+
￥4.36
30+
￥3.86
100+
￥3.35

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型号：IRFSL7440PBF 编号：C481264

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，不含铅、溴和卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥6.81
10+
￥5.69
50+
￥5.08

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型号：IRFU7440PBF 编号：C538068

封装：IPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强了体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅，符合RoHS标准，不含铅、溴和卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥7.36
10+
￥6.07
30+
￥5.36
75+
￥4.56

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型号：IPA60R600P7SXKSA1 编号：C3289017

封装：TO-220-FP

品牌：Infineon(英飞凌)

7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更低温。

1+
￥7.52
10+
￥6.24
50+
￥5.54

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型号：IPB60R280P7ATMA1 编号：C3289212

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。600V CoolMOS P7 系列是 CoolMOS P6 系列的继任者。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥8.32
10+
￥8.12
30+
￥7.98

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型号：IRFH7545TRPBF 编号：C537896

封装：PQFN-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥9.4
10+
￥7.89
30+
￥7.06

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型号：BSZ011NE2LS5I 编号：C534639

封装：TSDSON-8(3.3x3.3)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类似肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，在VGS = 4.5V时。 100%雪崩测试。 N沟道。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准，无卤素

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1+
￥9.6
10+
￥9.36
30+
￥9.21

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型号：IKWH30N65WR6 编号：C5359100

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 30 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚间隙距离 > 3.4 mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

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￥10.58
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￥9.86
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￥9.43
90+
￥9

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型号：IKWH40N65WR6 编号：C5359101

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。IC = 40 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。针对PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

1+
￥11.99
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￥11.15
30+
￥10.65
90+
￥10.14

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型号：ICE2QR2280Z 编号：C5361080

封装：DIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSET®- Q1系列是第一代准谐振集成电源IC，针对离线开关模式电源应用进行了优化，如LCD显示器、DVD读写器、DVD组合机、蓝光DVD、机顶盒等。使MOSFET开关在准谐振模式下工作，预计SMPS的EMI更低、效率更高，并且次级二极管上的电压应力更低。基于BiCMOS技术，CoolSET®- Q1系列的IC电源具有较宽的工作范围（高达25V）和较低的功耗。它还具有许多优点，如在非常低的负载下仍能进行准谐振操作，提高了系统的平均效率；有源突发模式操作，可在待机模式下实现超低功耗，且输出电压纹波小且可控。

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1+
￥13.66
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￥11.84
50+
￥10.7

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型号：IGW30N60H3FKSA1 编号：C2997917

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP技术。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）。低电磁干扰（EMI）。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。通过JEDEC认证，适用于目标应用。应用：不间断电源。焊接转换器

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1+
￥14.02
10+
￥13.7
30+
￥12.84

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型号：IR3555MTRPBF 编号：C537670

封装：PQFN-30(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

集成 PowIRstage® 封装，包含一个同步降压栅极驱动器 IC，该 IC 与控制和同步 MOSFET 以及一个肖特基二极管集成在一起，以进一步提高效率。该封装针对 PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET 控制时序以及遵循布局指南时最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的配对组合可在较低输出电压下实现更高的效率，满足尖端 CPU、GPU、ASIC 和 DDR 内存设计的需求。

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1+
￥16.93
10+
￥14.37
30+
￥12.76

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型号：IPA60R099P7XKSA1 编号：C672156

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。

1+
￥18.06
10+
￥17.67
30+
￥17.41

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型号：IKW50N60DTP 编号：C3191650

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™ 技术提供极低的 VCEsat。低关断损耗。短尾电流。低电磁干扰。非常柔软、快速恢复的反并联二极管。最高结温 175℃。应用：驱动器。太阳能逆变器

1+
￥18.75
10+
￥15.83
30+
￥13.42

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型号：IR3550MTRPBF 编号：C537667

封装：PQFN-32(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3550集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器，与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET共同封装。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合，可在前沿CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率

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1+
￥20.2
10+
￥19.7
30+
￥19.37

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型号：IHW40N65R5 编号：C536131

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。 TRENCHSTOP™技术提供: 非常紧密的参数分布。高耐用性和稳定的温度特性。极低的VCEsat和低Eoff。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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1+
￥21.2
10+
￥18.02
30+
￥16.13

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型号：IPB65R190CFDA 编号：C536642

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOs TM 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS TM CFDA 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时还提供超快且可靠的体二极管

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1+
￥22.46
10+
￥19.11
30+
￥17.12

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型号：IKWH40N65EH7XKSA1 编号：C20191522

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速、低饱和电压650 V TRENCHSTOP IGBT7技术，与软、快速恢复发射极控制7二极管共封装。

1+
￥23.04
10+
￥22.46
30+
￥22.07

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型号：IPW65R099CFD7AXKSA1 编号：C6211009

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

650V CoolMOS CFD7A提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS相移全桥和LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥28.89
10+
￥28.15
30+
￥27.66

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型号：PVT422S-TPBF 编号：C538638

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVT422系列光伏继电器是一款双刀常开固态继电器，在许多应用中可替代机电继电器。它采用国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由结构新颖的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由砷化镓铝发光二极管（LED）发出的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离

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单价：
￥34.14 / 个

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型号：IRL60B216 编号：C538132

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行优化。改进了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。具备完整的电容和雪崩 SOA 特性。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥34.55
10+
￥29.57
30+
￥26.61

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型号：IPW60R099P7XKSA1 编号：C3278923

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

单价：
￥54.39 / 个

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型号：SPW35N60CFD 编号：C539325

封装：TO-247AC-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：新的革命性高压技术。本征快速恢复体二极管。极低的反向恢复电荷。超低栅极电荷。极高的dv/dt额定值。高脉冲电流能力。周期性雪崩额定值。符合JEDEC标准的工业级应用。无铅引脚镀层，符合RoHS标准

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1+
￥55.08
10+
￥55.07

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型号：IKW50N60TFKSA1 编号：C2997922

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温：175℃。短路耐受时间：5μs。专为变频器和不间断电源设计。适用于600V应用的TRENCHSTOP和场截止技术，提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和温度稳定性。 -非常高的开关速度。集电极-发射极饱和电压VCE(sat)具有正温度系数。低电磁干扰。低栅极电荷。非常软且快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。符合JEDEC目标应用标准。无铅引脚镀层，符合RoHS标准

1+
￥58.82
10+
￥51.64
30+
￥47.26
100+
￥33.1284 ￥43.59

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型号：IPDQ60R016CM8XTMA1 编号：C28760716

封装：PG-HDSOP-22

品牌：Infineon(英飞凌)

第八代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥88.16
10+
￥83.72
30+
￥76.02

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型号：IPDQ60R007CM8XTMA1 编号：C28143577

封装：HDSOP-22

品牌：Infineon(英飞凌)

第8代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥129.91
10+
￥125.37

有货

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型号：IKCM20L60GDXKMA1 编号：C3615444

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会，以提高可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备EMI安全控制和过载保护。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。