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800V CoolMOS P7功率器件

型号：IPA80R750P7 编号：C536428

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,t，降低 Ωg、Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，最小的 VGS(th) 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。完全优化的产品组合。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

数据手册

1+
￥13.9
10+
￥11.82
50+
￥10.52
100+
￥9.18

有货

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60A集成PowlRstage

型号：IR3555MTRPBF 编号：C537670

封装：PQFN-30(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

集成 PowIRstage® 封装，包含一个同步降压栅极驱动器 IC，该 IC 与控制和同步 MOSFET 以及一个肖特基二极管集成在一起，以进一步提高效率。该封装针对 PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET 控制时序以及遵循布局指南时最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的配对组合可在较低输出电压下实现更高的效率，满足尖端 CPU、GPU、ASIC 和 DDR 内存设计的需求。

数据手册

1+
￥16.23
10+
￥13.67
30+
￥12.07

有货

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1个N沟道耐压:100V 电流:43A

型号：IRFI4410ZPBF 编号：C537918

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥17.32
10+
￥14.7
30+
￥13.06

有货

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670V 88A

型号：IKWH40N67PR7XKSA1 编号：C42433327

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 670V。 IC = 40A。引脚到引脚爬电距离 >4.8mm。引脚到引脚间隙距离 >3.4mm。为PFC应用优化的单片二极管。具有较低dv/dt的改善EMI性能。应用：家用空调/商用空调。家用暖通空调/商用暖通空调

1+
￥17.76
10+
￥15.05
30+
￥13.44

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:240A

型号：IRFS3006TRL7PP 编号：C538002

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥17.92
10+
￥15.21
30+
￥13.51

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:30A

型号：IPW60R060P7 编号：C454258

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS 第 7 代平台是高压功率 MOSFET 的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点，具有出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

数据手册

240+
￥9.68
480+
￥9.592
720+
￥9.504

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1个N沟道耐压:600V 电流:10A

型号：IPL60R365P7AUMA1 编号：C3279342

封装：VSON-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和优异的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

1+
￥18.7
10+
￥15.98
30+
￥14.28
100+
￥12.54
500+
￥11.75
1000+
￥11.41

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650V 20A

型号：IHW20N65R5 编号：C536120

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片反向导通二极管，正向电压低。TRENCHSTOP™ 技术提供：非常紧密的参数分布。高耐用性和稳定的温度特性。非常低的 VCEsat 和低 Eoff。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥18.802 ￥27.65
10+
￥15.689 ￥27.05
30+
￥12.792 ￥26.65
100+
￥12.6 ￥26.25

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1个N沟道耐压:600V 电流:12A

型号：IPAW60R280P7SXKSA1 编号：C3289033

封装：TO-220-FP

品牌：Infineon(英飞凌)

7 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术,根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥21.22
10+
￥18.12
45+
￥15.59

有货

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50A 集成式 PowlRstage

型号：IR3556MTRPBF 编号：C537671

封装：PQFN-30(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

集成 PowIRstage® 封装，包含一个同步降压栅极驱动器 IC，该 IC 与控制和同步 MOSFET 以及一个肖特基二极管集成在一起，以进一步提高效率。该封装针对 PCB 布局、传热、驱动器/MOSFET 控制时序以及遵循布局指南时最小化开关节点振铃进行了优化。栅极驱动器和 MOSFET 的配对组合可在较低输出电压下实现更高的效率，满足尖端 CPU、GPU、ASIC 和 DDR 内存设计的需求。

数据手册

1+
￥21.4959 ￥27.21
10+
￥18.354 ￥26.6
30+
￥15.458 ￥26.2
100+
￥15.222 ￥25.8

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耐压:650V 电流:17.5A

型号：IPB65R190CFDA 编号：C536642

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOs TM 是一项用于高压功率 MOSFET 的革命性技术，它依据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS TM CFDA 系列融合了领先的 SJ MOSFET 供应商的经验与一流的创新技术。由此产生的器件具备快速开关 SJ MOSFET 的所有优势，同时还提供超快且可靠的体二极管

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1+
￥22.46
10+
￥19.11
30+
￥17.12

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670V 105A

型号：IKWH50N67PR7XKSA1 编号：C42433313

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 670 V。 IC = 50 A。引脚间爬电距离 >4.8 mm。引脚间电气间隙距离 >3.4 mm。针对PFC应用优化的单片二极管。改善的EMI特性，具有较低的dv/dt。应用：家用空调/商用空调。家用暖通空调/商用暖通空调

1+
￥22.73
10+
￥19.26
30+
￥17.2

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650V 35A

型号：IKW30N65H5 编号：C536214

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。应用：太阳能转换器。不间断电源

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1+
￥31.77
10+
￥27.4
30+
￥24.8

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVT412LS-TPBF 编号：C538633

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专用的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为全球电信应用而设计。PVT412L采用有源限流电路，在提供过压保护时，能够满足FCC第68部分和其他监管机构的电流浪涌要求。PVT412未采用限流电路，具有较低的导通电阻。系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（“鸥翼”）端子。它有标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册

1+
￥36.2703 ￥41.69
10+
￥31.3852 ￥40.76
30+
￥26.9005 ￥40.15
100+
￥26.4851 ￥39.53

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650V,电流:20A,耐压:650V

型号：IPB65R075CFD7AATMA1 编号：C3289232

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

提供集成快速体二极管，可用于PFC和ZVS移相全桥和LLC等谐振开关拓扑。

1+
￥45.34
10+
￥44.22
30+
￥43.48

有货

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1 Form A(SPSTNO) 负载AC,DC

型号：PVG612PBF 编号：C538600

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。在使用寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场不敏感和坚固性方面超过了机电继电器的性能。特别适用于 12 至 48 伏交流或直流电源的高电流隔离开关。采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）端子。有标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册

1+
￥71.07
10+
￥60.69
30+
￥54.36

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N沟道 600V 135A

型号：IPP60R016CM8XKSA1 编号：C26312899

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗，使开关应用更加高效。

1+
￥73.16
10+
￥70.98

有货

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IMT40R011M2HXTMA1

型号：IMT40R011M2HXTMA1 编号：C32609547

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。换向能力强的快速体二极管，Qfr 低。RDS(on) 对温度的依赖性低。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。推荐栅极驱动电压为 0V 至 18V。.XT 互连技术，具备一流的热性能。应用：开关电源。太阳能光伏逆变器

1+
￥115.35
10+
￥109.53
30+
￥99.45

有货

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1.2kV 150A

型号：IKQ75N120CT2 编号：C536208

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的VCE(sat)，标称电流下为1.75V。在Tv = 175℃时，短路耐受时间为10μs。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。低EMI。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：通用驱动器（GPD）。伺服驱动器

数据手册

1+
￥137.16
10+
￥130.87
30+
￥119.96

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:82A

型号：BSZ0503NSIATMA1 编号：C3279318

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on)，VGS = 4.5 V时。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅镀铅，符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥5.1
10+
￥4.98
30+
￥4.9

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:102A

型号：BSZ0902NSIATMA1 编号：C3279316

封装：TSDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：为高性能降压转换器优化的同步场效应管。集成单片肖特基二极管。极低导通电阻 RDS(on) @Vgs = 4.5V。 100%雪崩测试。卓越的热阻。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥5.38
10+
￥4.36
30+
￥3.86
100+
￥3.35

有货

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1个N沟道耐压:800V 电流:7A

型号：IPP80R750P7XKSA1 编号：C3288938

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：同类最佳的品质因数 RDS(on) * EGS,in，降低了 Ωg * Ciss 和 Ciss。同类最佳的 DPAK RDS(on)。同类最佳的 VGS(th) 为 3V，且 VGS(th) 变化最小，为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。完全符合 JEDEC 工业应用标准。产品组合经过全面优化。应用：适用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、音频、辅助电源和工业电源的硬开关和软开关反激式拓扑。适用于消费应用和太阳能的 PFC 级

1+
￥7.68
10+
￥7.51
30+
￥7.4

有货

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600V CoolMOs CM8功率晶体管

型号：IPAN60R180CM8XKSA1 编号：C28858717

封装：TO-220FP

品牌：Infineon(英飞凌)

8 代平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结 (SJ) 原理设计。结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势、为所有产品实施快速体二极管 (CFD)，对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥7.95
10+
￥7.75
50+
￥7.61

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:338A

型号：IRFS7530TRL7PP 编号：C445669

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

10+
￥6.21
100+
￥5.98
200+
￥5.52
1000+
￥5.29
2000+
￥5.06

我要订货

650V 85A

型号：IKWH50N65WR6 编号：C5359102

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。IC = 50 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

1+
￥14.54
10+
￥13.49
30+
￥12.86
90+
￥12.23

有货

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1.4kV 80A

型号：IHW30N140R5LXKSA1 编号：C20191005

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V-IC = 30A。强大的单片体二极管，正向电压低，仅适用于软换相。非常紧密的参数分布。高鲁棒性，温度稳定特性。极低的VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。应用：电磁炉。微波炉

1+
￥15.59
10+
￥15.21
30+
￥14.95

有货

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650V 14A

型号：IKA15N65H5 编号：C536140

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用 TRENCHSTOPTM 5 技术的高速 5 IGBT，与 RAPID 1 快速软恢复反并联二极管共封装。

数据手册

1+
￥17.3
10+
￥14.95
50+
￥13.48

有货

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1个N沟道耐压:650V 电流:20A

型号：IPA60R099P7XKSA1 编号：C672156

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。

1+
￥18.06
10+
￥17.67
30+
￥17.41

有货

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1.1kV 60A

型号：IHW30N110R3 编号：C536122

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥18.22
10+
￥17.77
30+
￥17.46

有货

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600V 80A

型号：IKW50N60DTP 编号：C3191650

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™ 技术提供极低的 VCEsat。低关断损耗。短尾电流。低电磁干扰。非常柔软、快速恢复的反并联二极管。最高结温 175℃。应用：驱动器。太阳能逆变器

1+
￥19.02
10+
￥16.1
30+
￥13.69

有货

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