英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-263-3

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点与出色的易用性，如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

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￥38.74
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￥37.78
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￥37.14

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型号：PVT412LS-TPBF 编号：C538633

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专用的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管 (LED) 的辐射控制。这些固态继电器专为全球电信应用而设计。PVT412L采用有源限流电路，在提供过压保护时，能够满足FCC第68部分和其他监管机构的电流浪涌要求。PVT412未采用限流电路，具有较低的导通电阻。系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（“鸥翼”）端子。它有标准塑料运输管或卷带包装。

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￥41.69
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￥40.76
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￥40.15

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型号：IKZA75N65EH7XKSA1 编号：C20191538

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 75 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业UPS。电动汽车充电

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￥42.05
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￥40.98
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￥40.27

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型号：IPTG210N25NM3FDATMA1 编号：C3278563

封装：HSOG-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。具有低反向恢复电荷Qrr的快速二极管(FD)。工作温度达175℃。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61248-2-21标准，无卤素。针对硬换向耐用性进行了优化

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￥49.74
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￥42.33
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￥37.82

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型号：IKW40N65F5F 编号：C3171406

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

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￥50.16
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￥42.79
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￥38.29

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型号：PVT412APBF 编号：C538628

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。适用于工业控制和电信外围设备应用。采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚可选，可采用标准塑料运输管或卷带包装。

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单价：
￥51.09 / 个

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型号：IMBG120R060M1HXTMA1 编号：C3279261

封装：TO-263-7-12

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换流的强健体二极管。应用：驱动器。基础设施-充电器

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￥52.24
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￥44.42
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￥39.65

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型号：PVT412AS-TPBF 编号：C538630

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专有的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制。这些固态继电器专为工业控制和电信外围应用而设计。该系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（鸥翼）端子。它可提供标准塑料运输管或卷带包装。

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单价：
￥52.91 / 个

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型号：PVU414S-TPBF 编号：C538641

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVU414系列光伏继电器是一款单极常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用国际整流器公司（International Rectifier）专有的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现光隔离

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￥54.61
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￥53.25
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￥52.35

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型号：IMT40R015M2HXTMA1 编号：C30845525

封装：TOLL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。换向稳健的快速体二极管，低Qfr。低RDS(on)温度依赖性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V。推荐栅极驱动电压0 V至18 V。 .XT互连技术，实现一流的热性能。应用：开关电源。太阳能光伏逆变器

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￥71.12
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￥68.64

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型号：PVA3055NSPBF 编号：C538582

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVA30系列交流继电器（PVA）是单极常开固态继电器，用于替代通用模拟信号切换的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新颖结构的集成光电池发电机驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该LED与光电池发电机光学隔离。PVA30系列结合了非常低的固态输出电容、非常高的关断电阻和非常快的响应时间。这些光电继电器专为在高性能仪器系统中精确切换低电平信号而设计。PVA30系列克服了传统机电继电器和簧片继电器的局限性，提供了固态继电器的优势，如长寿命、快速操作速度、低启动功率、无反弹操作、低热偏移电压和小型封装。这些优势允许在许多应用中改进产品和设计创新，如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集。PVA30可以切换从热电偶电平到300伏峰值交流或直流极性的模拟信号。信号频率可以轻松控制到射频范围，并且可实现高达1.7千赫兹的切换速率。极小的热生成偏移电压允许提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，提供通孔或表面贴装（“鸥翼”）引线，在塑料运输管中供货。

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1+
￥73.04
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￥70.53

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型号：IPB117N20NFDATMA1 编号：C3279215

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qm。针对硬换向耐用性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

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￥77.04
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￥66.84
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￥60.62

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型号：IMBG120R030M1HXTMA1 编号：C3289294

封装：TO-263-7-12

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换流的坚固体二极管。应用：驱动器。基础设施-充电器

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￥82.12
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￥78.04
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￥70.97

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型号：IPP410N30N 编号：C537174

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。具有降低 Qfr 的快速二极管。针对硬换向耐用性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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单价：
￥89.19 / 个

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型号：PVT322PBF 编号：C538625

封装：DIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是双极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。采用HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼）端子。有标准塑料运输管或卷带包装。

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1+
￥92.11
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￥89.66

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型号：IMT40R011M2HXTMA1 编号：C32609547

封装：HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。换向能力强的快速体二极管，Qfr 低。RDS(on) 对温度的依赖性低。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。推荐栅极驱动电压为 0V 至 18V。.XT 互连技术，具备一流的热性能。应用：开关电源。太阳能光伏逆变器

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￥115.35
10+
￥109.53
30+
￥99.45

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型号：IMBG40R011M2HXTMA1 编号：C32954118

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。换向稳健的快速体二极管，具有低Qfr。低RDS(on)温度依赖性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。推荐栅极驱动电压0V至18V。 .XT互连技术，实现一流的热性能。应用：开关电源。太阳能光伏逆变器

1+
￥122.77
10+
￥119.12

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型号：IKQ75N120CT2 编号：C536208

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：非常低的VCE(sat)，标称电流下为1.75V。在Tv = 175℃时，短路耐受时间为10μs。由于VCE(sat)具有正温度系数，易于并联。低EMI。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：通用驱动器（GPD）。伺服驱动器

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￥137.16
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￥130.87
30+
￥119.96

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型号：BSC0502NSI 编号：C534343

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行了优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准为无卤产品

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1+
￥15.57
10+
￥15.24
30+
￥15.02

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型号：IKB15N65EH5 编号：C536145

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷（QG）。IGBT与全额定电流的RAPID 1快速反并联二极管共封装。最高结温175℃。无铅镀铅，符合RoHS标准。应用：能源发电。太阳能串式逆变器

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1+
￥16.54
10+
￥16.16
30+
￥15.91

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型号：IKP40N65F5XKSA1 编号：C42433227

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

1+
￥17.13
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￥16.72
30+
￥16.44

有货

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型号：IHW30N110R3 编号：C536122

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定。低VCEsat。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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1+
￥17.91
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￥17.46
30+
￥17.16

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型号：IRFB3407ZPBF 编号：C192835

封装：TO-220

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：电池管理。高速功率开关

数据手册

1+
￥19.31
10+
￥14.59
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￥11.79

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型号：IGP30N65F5 编号：C536078

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷QG。在升压转换器中与碳化硅肖特基二极管完美匹配。最高结温175℃。符合JEDEC目标应用标准。应用：太阳能转换器。不间断电源

数据手册

1+
￥19.34
10+
￥18.91
30+
￥18.62

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型号：TLE49452L 编号：C3716282

封装：SSO-3

品牌：Infineon(英飞凌)

电路包括霍尔发生器、放大器和施密特触发器在一个芯片上。内部参考为组件提供电源电压。垂直于芯片表面的磁场在霍尔探头处感应出电压。该电压被放大并切换一个具有集电极开路输出的施密特触发器。集成了一个防止反向电源的保护二极管。输出受到保护，免受电气干扰。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。当电流减小时，IC的输出关闭（释放点）。当在指定方向施加正磁场且超过开启磁感应强度 $B_{\mathrm{OP}}$ 时，霍尔效应IC的输出将导通（工作点）。除非超过关闭磁感应强度 $B_{\mathrm{RP}}$ 的反向磁场，否则输出状态不会改变。在这种情况下，输出将关闭（释放点）。

1+
￥20.35
10+
￥17.28
30+
￥15.45

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型号：IHW40N140R5LXKSA1 编号：C20191006

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V。IC = 40A。强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。参数分布非常紧密。高耐用性，温度稳定性好。极低的VCEsat。应用：电磁炉。微波炉

1+
￥21.71
10+
￥21.24
30+
￥20.92

有货

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型号：IGW50N60H3 编号：C536104

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP™技术提供极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat）。低电磁干扰（EMI）。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。符合JEDEC标准，适用于目标应用。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。应用：不间断电源。焊接转换器

数据手册

单价：
￥22.53 / 个

有货

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型号：BSC0501NSI 编号：C534342

封装：TDSON-8(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5 V。 100%雪崩测试。 N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行认证。无铅引脚镀层；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

数据手册

1+
￥22.71
10+
￥19.66
30+
￥17.86

有货

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型号：IKB30N65EH5ATMA1 编号：C42434071

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷Qg。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。最高结温175°C。无铅镀铅，符合RoHS标准。应用：能源发电-太阳能串式逆变器-太阳能微型逆变器。工业电源-工业开关电源-工业不间断电源

1+
￥23.37
10+
￥22.79
30+
￥22.41

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型号：IPA65R190CFDXKSA1 编号：C3288993

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快速且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与最高的坚固性相结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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￥23.73
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