英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

封装：TO-263-3

特性：高速H5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。 650V击穿电压。低栅极电荷Qg。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。最高结温175°C。无铅镀铅，符合RoHS标准。应用：能源发电-太阳能串式逆变器-太阳能微型逆变器。工业电源-工业开关电源-工业不间断电源

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￥22.57
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￥21.99
30+
￥21.61

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型号：IKWH40N65EH7XKSA1 编号：C20191522

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

高速、低饱和电压650 V TRENCHSTOP IGBT7技术，与软、快速恢复发射极控制7二极管共封装。

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￥23.33
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￥22.75
30+
￥22.36

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型号：TDA387250000AUMA1 编号：C5955844

封装：QFN-36(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款易于使用、完全集成且高效的直流-直流调节器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS FET使该调节器成为小尺寸解决方案，可提供高效的电力传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速瞬态响应。是一款多功能调节器，可在宽输入和输出电压范围内工作，提供从400kHz到2MHz（步长为200kHz，不包括1600kHz）的可编程开关频率，并提供八种独特的可选电流限制

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￥25.49
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￥24.84
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￥24.41

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型号：IPL60R285P7 编号：C537035

封装：VSON-4-EP(8.1x8.1)

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换相的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且更凉爽。

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￥28.21
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￥26.88

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型号：IPW65R420CFD 编号：C537499

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验和高级创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高坚固性的结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

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￥28.63
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￥28.62

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型号：IKWH30N65WR5XKSA1 编号：C3171061

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 30 A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8 mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4 mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

单价：
￥31.27 / 个

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型号：PVT422S-TPBF 编号：C538638

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVT422系列光伏继电器是一款双刀常开固态继电器，在许多应用中可替代机电继电器。它采用国际整流器公司（International Rectifier）的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由结构新颖的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由砷化镓铝发光二极管（LED）发出的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离

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单价：
￥32.13 / 个

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型号：IPA60R180P7 编号：C536359

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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￥33.11
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￥28.39
30+
￥25.52

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型号：IRFS7730TRLPBF 编号：C538036

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。全面表征了电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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￥35.82
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￥30.53
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￥27.39

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型号：IR3899AMTRPBF 编号：C3093680

封装：PQFN-17(4x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

是一款易于使用的全集成式直流-直流降压调节器。板载PWM控制器和集成自举二极管的MOSFET使该调节器占用空间小，可提供高效的功率传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并提供快速的控制响应。具有内部低压差稳压器，允许单电源供电。是一款多功能调节器，提供600 kHz至2 MHz的可编程开关频率、两种可选电流限制、强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）操作。还具备重要的保护功能，如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

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￥35.99
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￥31.15
30+
￥28.21

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型号：IKZ75N65ES5 编号：C536231

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速S5技术，适用于硬开关和软开关的高速平滑开关器件。极低的集电极-发射极饱和电压（VCEsat），标称电流下为1.42V。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压为650V。低栅极电荷QG。 IGBT与全额定RAPID 1快速反并联二极管共封装。应用：工业不间断电源（UPS）。工业开关电源（SMPS）

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￥37.53
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￥36.59
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￥35.97

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型号：IRLS4030TRLPBF 编号：C538188

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对逻辑电平驱动进行了优化。在4.5V的VGS下具有非常低的RDS(ON)。在4.5V的VGS下具有出色的R*Q。改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。具备完整的电容和雪崩SOA特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用：DC电机驱动。开关电源中的高效同步整流

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单价：
￥38.61 / 个

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型号：IPB60R120P7ATMA1 编号：C6279866

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点与出色的易用性，如极低的振铃倾向、体二极管在硬换相时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。

1+
￥38.74
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￥37.78
30+
￥37.14

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型号：TDA21520AUMA1 编号：C3655488

封装：IQFN-25

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型DC - DC转换器；用于DDR内存阵列和低电流电压轨的电压调节器；TDA21520集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器IC，它与控制和同步MOSFET共同封装，还有一个有源二极管结构，该结构能实现类似于肖特基二极管的低Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对PCB布局、热传递、驱动器/MOSFET控制时序和最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和MOSFET组合可在较低输出电压下实现更高效率。内部MOSFET感测与同类最佳的基于控制器的电感DCR感测方法相比，实现了卓越的电流感测精度。保护功能包括IC温度报告和过温保护功能（带热关断的OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制MOSFET短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV和自举欠压保护。TDA21520还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达1.5 MHz的开关频率运行可实现高性能瞬态响应，允许输出电感器以及输入和输出电容器小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21520包含一个改进的高速MOSFET驱动器，该驱动器经过优化，可驱动一对共同封装的高端和低端OptiMOS MOSFET，频率高达1.5 MHz。使用传统电流感测方法（如DCR感测和Rdson感测）的DC - DC控制器通常存在局限性。DCR电流感测对电感器的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson电流感测不依赖于电感器，但MOSFET的rdson存在温度系数。此外，很难对高端MOSFET实现rdson电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过MOSFET进行感测。通过TDA21520中先进的电流镜感测，消除了所有这些局限性，同时实现了卓越的精度。高端和低端MOSFET上的电流都在一个感测MOSFET上镜像，该感测MOSFET是主MOSFET器件的一部分，因此具有固有的温度补偿，无需额外的电路。对两个MOSFET进行实际电流感测可确保系统始终处于监控状态。

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￥42.04
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￥36.4
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￥32.96

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型号：IKZA75N65EH7XKSA1 编号：C20191538

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 75 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业UPS。电动汽车充电

1+
￥42.76
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￥41.69
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￥40.98

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型号：IPTG210N25NM3FDATMA1 编号：C3278563

封装：HSOG-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N沟道，正常电平。极低导通电阻RDS(on)。具有低反向恢复电荷Qrr的快速二极管(FD)。工作温度达175℃。无铅引脚镀层，符合RoHS标准。根据IEC61248-2-21标准，无卤素。针对硬换向耐用性进行了优化

1+
￥49.74
10+
￥42.33
30+
￥37.82

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型号：PVA1354NSPBF 编号：C538575

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。利用HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该二极管与光伏发生器进行光隔离。克服了传统机电继电器和簧片继电器的局限性，具有长寿命、快速运行速度、低吸合功率、无弹跳运行、低热失调电压和微型封装等固态优势。可切换从热电偶电平到100V峰值交流或直流极性的模拟信号，能轻松控制进入射频范围的信号频率，可实现高达450Hz的开关速率，极小的热产生失调电压可提高测量精度。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（“鸥翼”）引脚，采用塑料运输管包装。

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1+
￥49.81
10+
￥48.54
30+
￥47.69

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型号：IKW40N65F5F 编号：C3171406

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速F5技术，在硬开关和谐振拓扑中具有一流的效率。650V击穿电压。低Qg。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。根据JEDEC标准针对目标应用进行了认证。应用：太阳能转换器。不间断电源

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￥50.16
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￥42.79
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￥38.29

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型号：PVT412APBF 编号：C538628

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。适用于工业控制和电信外围设备应用。采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚可选，可采用标准塑料运输管或卷带包装。

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单价：
￥51.09 / 个

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型号：PVT412AS-TPBF 编号：C538630

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

光伏继电器是单极常开固态继电器，可在许多应用中取代机电继电器。它采用专有的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制。这些固态继电器专为工业控制和电信外围应用而设计。该系列继电器采用6引脚模制DIP封装，具有通孔或表面贴装（鸥翼）端子。它可提供标准塑料运输管或卷带包装。

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单价：
￥52.91 / 个

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型号：PVU414S-TPBF 编号：C538641

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVU414系列光伏继电器是一款单极常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用国际整流器公司（International Rectifier）专有的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现光隔离

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1+
￥54.61
10+
￥53.25
30+
￥52.35

有货

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型号：IKQ75N120CS7XKSA1 编号：C20191015

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V，IC = 75 A，IGBT与全电流、软恢复且低Qrr的二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 175℃时，VCEsat = 2.0 V。针对硬开关拓扑进行优化（如2-L逆变器、3-L NPC T型等）。短路耐受时间为8 μs。具备宽范围的dv/dt可控性。完整的产品系列和PSpice模型。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥66.65
10+
￥64.4

有货

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型号：IMT40R015M2HXTMA1 编号：C30845525

封装：TOLL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。换向稳健的快速体二极管，低Qfr。低RDS(on)温度依赖性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5 V。推荐栅极驱动电压0 V至18 V。 .XT互连技术，实现一流的热性能。应用：开关电源。太阳能光伏逆变器

1+
￥71.12
10+
￥68.64

有货

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型号：IPB117N20NFDATMA1 编号：C3279215

封装：TO-263

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 沟道，正常电平。快速二极管 (FD)，降低 Qm。针对硬换向耐用性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。 175℃工作温度。无铅镀铅，符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 标准针对目标应用进行了认证。根据 IEC61249-2-21 标准无卤

1+
￥77.04
10+
￥66.84
30+
￥60.62

有货

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型号：IKY140N120CH7XKSA1 编号：C20191528

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 140 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

1+
￥81.32
10+
￥77.31
30+
￥70.36

有货

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型号：IPP410N30N 编号：C537174

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：N 通道，正常电平。具有降低 Qfr 的快速二极管。针对硬换向耐用性进行优化。极低的导通电阻 RDS(on)。175℃工作温度。无铅镀铅；符合 RoHS 标准。根据 JEDEC 针对目标应用进行认证。根据 IEC61249-2-21 标准为无卤产品

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单价：
￥89.19 / 个

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型号：PVT322PBF 编号：C538625

封装：DIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

是双极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。采用HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制。采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼）端子。有标准塑料运输管或卷带包装。

数据手册

1+
￥92.11
10+
￥89.66

有货

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型号：IKQB120N75CP2AKSA1 编号：C20191016

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用可回流焊接封装的短路耐受型750 V EDT2 IGBT，与软恢复快速恢复二极管共封装。

1+
￥110.91
10+
￥107.61

有货

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型号：IMBG40R011M2HXTMA1 编号：C32954118

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：适用于高频开关和同步整流。换向稳健的快速体二极管，具有低Qfr。低RDS(on)温度依赖性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。推荐栅极驱动电压0V至18V。 .XT互连技术，实现一流的热性能。应用：开关电源。太阳能光伏逆变器

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￥122.77
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￥119.12

有货

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型号：IKCM20L60GDXKMA1 编号：C3615444

封装：DIP-24

品牌：Infineon(英飞凌)

模块系列提供了集成各种功率和控制组件的机会，以提高可靠性，优化PCB尺寸和系统成本。它旨在控制变速驱动器中的三相交流电机和永磁电机，适用于空调、冰箱和洗衣机等应用。封装概念特别适用于需要良好热传导和电气隔离的功率应用，同时具备EMI安全控制和过载保护。TRENCHSTOP IGBT和反并联二极管与优化的SOI栅极驱动器相结合，以实现出色的电气性能。

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