英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRF7580MTRPBF 编号：C537819

封装：MG-WDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥17.1545 ￥31.19
10+
￥12.105 ￥26.9
30+
￥8.526 ￥24.36
100+
￥7.623 ￥21.78
500+
￥7.2065 ￥20.59
1000+
￥7.0175 ￥20.05

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型号：IHW20N140R5LXKSA1 编号：C20191002

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1400V，IC = 20A。强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换流设计。参数分布非常紧密。高耐用性，温度稳定性好。极低的VCEsat。由于VCEsat具有正温度系数，易于并联。应用：电磁炉。微波炉

1+
￥17.67
10+
￥14.88
30+
￥13.14

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型号：IRFI4110GPBF 编号：C537915

封装：TO-220F

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。全面表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥17.6843 ￥19.87
10+
￥15.3576 ￥19.44
50+
￥13.2135 ￥19.15
100+
￥13.0134 ￥18.86

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型号：IRFS4510TRLPBF 编号：C538022

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥18.6438 ￥27.02
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￥13.7529 ￥23.31
30+
￥10.339 ￥21.1
100+
￥9.2463 ￥18.87
500+
￥8.7416 ￥17.84
800+
￥8.5113 ￥17.37

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型号：IHW40N120R5 编号：C536127

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，低正向电压，专为软换流设计。 TRENCHSTOP™技术，具有以下特点：非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性好。低集电极-发射极饱和电压（VCEsat）。由于VCEsat的正温度系数，易于并联开关。低电磁干扰（EMI）。应用：感应烹饪。微波炉

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1+
￥20.63
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￥17.71
30+
￥15.98

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型号：IRFS3004TRLPBF 编号：C538001

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥20.805 ￥36.5
10+
￥17.155 ￥36.5
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￥13.505 ￥36.5

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型号：IRF135SA204 编号：C459937

封装：TO-263-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。无铅、符合RoHS标准、无卤。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥21.6723 ￥55.57
10+
￥13.9838 ￥48.22
30+
￥8.3087 ￥43.73
100+
￥7.5943 ￥39.97

有货

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型号：IHFW40N65R5S 编号：C536116

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP 5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压：650V。低栅极电荷QG。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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1+
￥23.028 ￥40.4
10+
￥18.988 ￥40.4
30+
￥14.948 ￥40.4

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型号：IPP60R060P7XKSA1 编号：C3288931

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

1+
￥24.23
10+
￥20.88
30+
￥18.89

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型号：TLF51801ELV 编号：C540216

封装：SSOP-14-EP-150mil

品牌：Infineon(英飞凌)

TLF51801ELV 是一款同步降压控制器,适用于汽车应用。该控制器支持外部功率MOSFET,最大输出电流可达10A。具有可调输出电压、±2%的输出电压容差、外部功率晶体管、集成自举二极管、PWM调节、非常低的掉电操作（最大占空比高于99%）、4.75V到45V的输入电压范围、100到700kHz的可调开关频率、PG-SSOP-14封装、同步输入、非常低的关断电流消耗（<2uA）、软启动功能、输入欠压锁定功能。

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1+
￥25.37
10+
￥21.84
30+
￥19.74
100+
￥12.8553 ￥17.61
500+
￥12.1399 ￥16.63
1000+
￥11.8187 ￥16.19

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型号：IRFS4310TRLPBF 编号：C2980619

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 坚固性。完全表征的电容和雪崩 SOA。增强的体二极管 dV/dt 和 dl/dt 能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

1+
￥28.7523 ￥41.67
10+
￥24.0484 ￥40.76
30+
￥19.6735 ￥40.15
100+
￥19.3795 ￥39.55

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型号：IMZ120R220M1H 编号：C536295

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。无阈值导通状态特性。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。 0V关断栅极电压，易于实现栅极驱动。完全可控的dV/dt。用于硬换相的坚固体二极管。应用：能源发电。 -太阳能串逆变器和太阳能优化器

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1+
￥28.86
10+
￥28.21
30+
￥27.78

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型号：IR1167ASTRPBF 编号：C537532

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR1167S是一款智能次级侧驱动IC，专为驱动隔离反激式转换器中用作同步整流器的N沟道功率MOSFET而设计。该IC可控制一个或多个并联的N沟道MOSFET，以模拟肖特基二极管整流器的行为。通过差分检测漏源电压来确定电流极性，并在接近零电流转换时控制功率开关的导通和关断

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1+
￥29.28
10+
￥25.2
30+
￥22.78
100+
￥13.6211 ￥20.33
500+
￥12.864 ￥19.2
1000+
￥12.5223 ￥18.69

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型号：IPB95R130PFD7ATMA1 编号：C20191567

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的950V CoolMOS PFD7系列在超结（SJ）技术方面树立了新的标杆。该技术旨在通过结合一流的性能和最先进的易用性，满足照明和工业开关电源（SMPS）应用的需求。与CoolMOS P7系列相比，PFD7提供了集成的超快体二极管，可在具有市场最低反向恢复电荷（Qrr）的谐振拓扑中使用。

1+
￥30.66
10+
￥29.9
30+
￥29.4

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型号：IRFS4321TRL7PP 编号：C538019

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：低Rdson降低损耗。低栅极电荷提高开关性能。改善二极管恢复性能，提高开关和电磁干扰性能。 30V栅极电压额定值提高了鲁棒性。完全表征雪崩安全工作区。应用：运动控制应用。开关电源中的高效同步整流

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1+
￥31.239 ￥48.06
10+
￥25.8555 ￥47.01
30+
￥20.8395 ￥46.31
100+
￥20.5245 ￥45.61

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型号：IKW40N120CS7XKSA1 编号：C3191658

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 40 A。 IGBT与全电流、软恢复和低Qrr二极管共封装。低饱和电压：在Tvj = 175°C时，VCE(sat) = 2.0 V。针对硬开关拓扑进行了优化（2-L逆变器、3-L NPC T型等）。短路耐受时间为8 μs。应用：工业驱动器。工业电源

1+
￥36.45
10+
￥31.83
30+
￥27.82

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型号：TDA21570AUMA1 编号：C3655211

封装：IQFN-39

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型 DC-DC 转换器；用于 CPU、GPU 和 DDR 内存阵列的电压调节器；电信受控和非受控应用。TDA21570 集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器 IC，它与控制和同步 MOSFET 共同封装，并带有一个有源二极管结构，该结构能实现与肖特基二极管相似的低 Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对 PCB 布局、热传递、驱动器/MOSFET 控制时序以及最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和 MOSFET 组合能够在前沿 CPU、GPU 和 DDR 内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率。与同类最佳的基于控制器的电感 DCR 感测方法相比，内部 MOSFET 感测实现了卓越的电流感测精度。保护功能包括 IC 温度报告和过温保护功能（带热关断的 OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制 MOSFET 短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV 和自举欠压保护。TDA21570 还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达 1.5 MHz 的开关频率操作可实现高性能瞬态响应，允许输出电感以及输入和输出电容小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21570 包含一个改进的高速 MOSFET 驱动器，该驱动器经过优化，可在高达 1.5 MHz 的频率下驱动一对共同封装的高端和低端 OptiMOS MOSFET。使用传统电流感测方法（如 DCR 感测和 Rdson 感测）的 DC-DC 控制器通常存在局限性。DCR 电流感测对电感的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson 电流感测不依赖于电感，但 MOSFET 的 rdson 存在温度系数。此外，很难对高端 MOSFET 实施 Rdson 电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过 MOSFET 进行感测。通过 TDA21570 中的先进电流镜感测，在实现卓越精度的同时消除了所有这些局限性。高端和低端 MOSFET 上的电流都在一个感测 MOSFET 上进行镜像。

1+
￥37.33
10+
￥32.07
30+
￥28.87

有货

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型号：IRFB4110GPBF 编号：C537859

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善栅极、雪崩和动态dv/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅。无卤。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥38.3
10+
￥32.94
30+
￥29.67

有货

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型号：IKWH75N65EH7XKSA1 编号：C20191524

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 75 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压 VCEsat。非常软且快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥40.35
10+
￥35.32
30+
￥32.25

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型号：IPZA60R037CM8XKSA1 编号：C26619405

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第8代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥42.81
10+
￥41.72
30+
￥40.99

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型号：IKFW60N60DH3E 编号：C536181

封装：TO-247-3-AI

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：短路耐受时间：在Tvj = 175℃时为5μs。 VCE(sat)具有正温度系数。低电磁干扰。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。 2500VRMS电气隔离，50/60Hz，t = 1min。应用：空调功率因数校正。通用驱动器

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1+
￥43.654 ￥83.95
10+
￥30.5928 ￥72.84
30+
￥21.1392 ￥66.06
100+
￥19.3216 ￥60.38

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型号：IKY40N120CS6 编号：C17514171

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：高速软开关IGBT6技术，在硬开关和谐振拓扑中具有高效率。由于VCEsat的正温度系数，易于并联。低电磁干扰。低栅极电荷Qg。非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。最高结温175℃。应用：工业不间断电源。充电器

1+
￥44.77
10+
￥38.23
30+
￥34.24

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型号：PVI5080NSPBF 编号：C538610

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVI系列光伏隔离器在接收到直流输入信号时会产生一个电气隔离的直流电压。它能够直接驱动功率MOSFET或IGBT的栅极。其输出采用了一种新型结构的单片集成电路光伏发生器。输出由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离。

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1+
￥56.6675 ￥59.65
10+
￥43.9195 ￥51.67
30+
￥35.1075 ￥46.81
100+
￥32.0475 ￥42.73

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型号：IKW75N120CH7XKSA1 编号：C20191520

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 75 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃ 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

1+
￥58.29
10+
￥49.47
30+
￥44.1

有货

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型号：PVT412ASPBF 编号：C538629

封装：SMD-6P

品牌：Infineon(英飞凌)

是单极、常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用专有 HEXFET 功率 MOSFET 作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的 GaAlAs 发光二极管 (LED) 的辐射控制。适用于工业控制和电信外围设备应用。采用 6 引脚模制 DIP 封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚可选，可采用标准塑料运输管或卷带包装。

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1+
￥61.1409 ￥88.61
10+
￥49.9494 ￥84.66
30+
￥38.122 ￥77.8
100+
￥35.1967 ￥71.83

有货

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型号：PVA3324NPBF 编号：C538583

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVA33系列交流继电器（PVA）是一种单极常开固态继电器，可替代用于模拟信号通用开关的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制，该发光二极管与光伏发生器实现了光隔离。PVA33系列克服了传统机电继电器和干簧继电器的局限性，具备固态继电器的诸多优势，如长寿命、快速操作速度、低吸合功率、无触点抖动、低热失调电压和小型封装等。这些优势使得该系列产品在许多应用领域（如过程控制、多路复用、自动测试设备和数据采集）能够实现产品改进和设计创新。PVA33能够切换从热电偶电平到300V峰值交流或直流极性的模拟信号。可轻松控制高达射频范围的信号频率，且可实现高达500Hz的开关速率。极小的热生成失调电压可提高测量精度。这些继电器采用8引脚模塑DIP封装，有通孔或表面贴装（“鸥翼式”）引脚可供选择，采用塑料运输管包装。

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1+
￥67.6
10+
￥61.3444 ￥65.26
12+
￥54.8184 ￥65.26

有货

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型号：PVT322APBF 编号：C538622

封装：DIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

该光伏继电器是双极常开固态继电器，可在许多应用中替代机电继电器。它采用HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由与光伏发生器光隔离的GaAlAs发光二极管（LED）的辐射控制。该继电器采用8引脚模制DIP封装，有通孔或表面贴装（鸥翼式）引脚。可提供标准塑料运输管或卷带包装。

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1+
￥68.1321 ￥119.53
10+
￥56.1791 ￥119.53
30+
￥44.2261 ￥119.53

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型号：PVAZ172NSPBF 编号：C538588

封装：SMD-8P

品牌：Infineon(英飞凌)

PVAZ172N光继电器是一种单极常开固态继电器，可以替代用于直流和交流负载通用切换的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关，由一种新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该LED与光伏发生器光学隔离。这些装置克服了机电继电器和簧片继电器的局限性，提供了固态技术的优点，如高灵敏度、小型化、无触点反弹、长使用寿命、对外部磁场不敏感、抗震抗振以及固有高可靠性。它们非常适合于切换大电流或低电平信号而不会产生失真或注入电气噪声。这些继电器封装在8引脚塑封DIP封装中，并提供通孔或表面贴装（“鸥翼”）引脚版本，以塑料运输管形式供应。

数据手册

1+
￥72.1108 ￥87.94
10+
￥63.3168 ￥87.94
30+
￥54.5228 ￥87.94

有货

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型号：IKY150N65EH7XKSA1 编号：C26014850

封装：TO-247-4

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 150 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业UPS。 EV充电

1+
￥76.47
10+
￥73.83

有货

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型号：IKY140N120CH7XKSA1 编号：C20191528

封装：-

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 140 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT，与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

1+
￥79.06
10+
￥75.16
30+
￥68.4

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