英飞凌二极管_厂家_价格_品牌_库存

型号：IRFSL3006PBF 编号：C538040

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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￥65.8191 ￥95.39
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￥37.9897 ￥77.53

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型号：IPW95R060PFD7XKSA1 编号：C20191634

封装：TO-247-3-41

品牌：Infineon(英飞凌)

最新的 950V CoolMOS PFD7 系列在超结 (SJ) 技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合，满足照明和工业开关电源应用的需求。与 CoolMOS P7 系列相比，PFD7 提供了一个集成的超快体二极管，可在谐振拓扑中使用，且具有市场上最低的反向恢复电荷 (Qrr)。

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￥73.09
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￥63.02

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型号：IKQ120N120CH7XKSA1 编号：C20191009

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 120 A。最高结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速IGBT，与全额定电流、低Qrr和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃时）。针对高速硬开关拓扑（2-L逆变器、3-L NPC T型等）的高效率进行了优化。应用：工业UPS。电动汽车充电

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￥75.49
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型号：IMBG120R030M1HXTMA1 编号：C3289294

封装：TO-263-7-12

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的开关损耗。短路耐受时间3μs。完全可控的dV/dt。基准栅极阈值电压，VGS(th) = 4.5V。抗寄生导通能力强，可施加0V关断栅极电压。用于硬换流的坚固体二极管。应用：驱动器。基础设施-充电器

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型号：PVG612APBF 编号：C538597

封装：DIP-6

品牌：Infineon(英飞凌)

PVG612A系列光伏继电器是一种单极常开固态继电器，可以在许多应用中替代机电继电器。它采用国际整流器公司的专有HEXFET功率MOSFET作为输出开关，并由一种新型结构的集成电路光伏发电机驱动。输出开关由一个GaAlAs发光二极管（LED）发出的辐射控制，该LED与光伏发电机光学隔离。这些装置在工作寿命、灵敏度、导通电阻稳定性、小型化、对磁场的不敏感性和坚固性方面超过了机电继电器的性能能力。紧凑型PVG612A特别适用于从12到48伏交流或直流电源的高电流隔离切换。PVG612A系列继电器采用6引脚模塑DIP封装，提供通孔或表面贴装（鸥翼型）端子。它们可提供标准塑料运输管或卷带包装。

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型号：IPT60R016CM8XTMA1 编号：C23569857

封装：PG-HSOF-8

品牌：Infineon(英飞凌)

第八代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者，它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的ESD能力。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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型号：IPW60R016CM8XKSA1 编号：C28143621

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第8代CoolMOS平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列是CoolMOS 7的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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型号：IKQ140N120CH7XKSA1 编号：C19631201

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 140 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换相高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃ 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。 EV 充电

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型号：IPDQ60R007CM8XTMA1 编号：C28143577

封装：HDSOP-22

品牌：Infineon(英飞凌)

第8代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），具有出色的抗硬换向能力和出色的ESD性能。此外，CM8极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

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型号：IPD60R280P7S 编号：C536813

封装：TO-252-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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型号：IRFB7734PBF 编号：C537874

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IPD60R600P7S E8228 编号：C536834

封装：TO-252-2(DPAK)

品牌：Infineon(英飞凌)

7th generation platform是用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更凉爽。

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型号：IR3537MTRPBF 编号：C537661

封装：DFN-10-EP(3x3)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3537/CHL8510 是一款高效率栅极驱动器，可以切换同步降压转换器中的高侧和低侧 N 沟道外部 MOSFET。它旨在与国际整流子的数字 PWM 控制器一起使用，为当今先进的计算应用提供完整的电压调节器 (VR) 解决方案。IR3537/CHL8510 低侧驱动器能够快速切换具有低 RDS(on) 和大输入电容的大型 MOSFET，用于高效率设计。IR3537/CHL8510 具有对外部 MOSFET 中高侧和低侧栅极驱动电压从 4.5V 到 13.2V 的独立控制。这使得能够优化外部 MOSFET 中的开关和导通损耗。当与 IR 专有的可变栅极驱动 (VGD) 技术一起使用时，在整个负载范围内可以观察到效率的显著提高。IR3537/CHL8510 可以配置为从独特的 IR 快速主动三电平 (ATL) PWM 信号或通用的三态 PWM 模式驱动高侧和低侧开关。IR ATL 模式允许控制器在不到 30ns 的时间内禁用高侧和低侧 FET，而无需专用禁用引脚。这提高了 VR 瞬态性能，尤其是在负载释放期间。集成的自举二极管减少了外部元件数量。IR3537/CHL8510 还具有自适应非重叠控制，用于防止直通保护。这可以防止高侧和低侧 MOSFET 的交叉传导，并最大程度地减少体二极管导通时间，从而提供一流的效率。

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￥4.2 ￥5
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型号：IRF1018EPBF 编号：C495795

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dv/dt 耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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￥6.05
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型号：IRFU7440PBF 编号：C538068

封装：IPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。完全表征的电容和雪崩SOA。增强了体二极管dV/dt和dl/dt能力。无铅，符合RoHS标准，不含铅、溴和卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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型号：IKP15N65F5 编号：C536191

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

采用TRENCHSTOP™ 5技术的高速5代快速绝缘栅双极晶体管（FAST IGBT），与RAPID 1型快速软恢复反并联二极管共封装。

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型号：IKWH20N65WR6 编号：C5359099

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650V。IC = 20A。引脚到引脚爬电距离 > 4.8mm。引脚到引脚电气间隙距离 > 3.4mm。为PFC和焊接应用优化的单片二极管。稳定的温度特性。应用：PFC。焊接

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型号：ICE2QR2280Z 编号：C5361080

封装：DIP-8

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolSET®- Q1系列是第一代准谐振集成电源IC，针对离线开关模式电源应用进行了优化，如LCD显示器、DVD读写器、DVD组合机、蓝光DVD、机顶盒等。使MOSFET开关在准谐振模式下工作，预计SMPS的EMI更低、效率更高，并且次级二极管上的电压应力更低。基于BiCMOS技术，CoolSET®- Q1系列的IC电源具有较宽的工作范围（高达25V）和较低的功耗。它还具有许多优点，如在非常低的负载下仍能进行准谐振操作，提高了系统的平均效率；有源突发模式操作，可在待机模式下实现超低功耗，且输出电压纹波小且可控。

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