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价格(含税)

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1.2kV 92A

型号：IKW75N120CH7XKSA1 编号：C20191520

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 1200 V。 IC = 75 A。最大结温 Tvjmax = 175℃。同类最佳的高速 IGBT 与全额定电流、低 Qrr 和软换向高速二极管共封装。低饱和电压 VCEsat = 1.7 V（Tvj = 25℃ 时）。针对高速硬开关拓扑（2-L 逆变器、3-L NPC T 型等）的高效率进行了优化。应用：工业 UPS。电动汽车充电

1+
￥59.62
10+
￥50.8
30+
￥45.42

有货

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1个N沟道耐压:40V 电流:56A

型号：IRF40R207 编号：C3007638

封装：TO-252

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征了电容和雪崩 SOA。增强了体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅。符合 RoHS 标准，无卤素。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥3.95
10+
￥3.24
30+
￥2.88
100+
￥2.53

有货

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600V CoolMOs CM8功率晶体管

型号：IPD60R600CM8XTMA1 编号：C26319078

封装：DPAK

品牌：Infineon(英飞凌)

8 代 CoolMOS 平台是高压功率 MOSFET 的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS CM8 系列是 CoolMOS 7 的继任者，它结合了快速开关 SJ MOSFET 的优点和出色的易用性，如低振铃趋势，为所有产品实施了快速体二极管（CFD），对硬换向具有出色的鲁棒性和出色的 ESD 能力。此外，CM8 极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效。

1+
￥5.58
10+
￥4.44
30+
￥3.87
100+
￥3.31

有货

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1个N沟道耐压:30V 电流:123A

型号：BSZ0501NSIATMA1 编号：C3289324

封装：TSDSON-8FL

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：针对高性能降压转换器进行了优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。100%雪崩测试。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。无铅镀铅；符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤

1+
￥5.61
10+
￥4.49
30+
￥3.92

有货

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2个N沟道耐压:30V 电流:11A

型号：IRF7907TRPBF 编号：C168886

封装：SO-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：4.5V VGS时极低的RDS(on)。低栅极电荷。完全表征的雪崩电压和电流。最大栅极额定值20V VGS。改进的体二极管反向恢复。 100%测试RG。应用：笔记本电脑、服务器、显卡、游戏机和机顶盒中的负载点 (POL) 转换器用双SO-8 MOSFET

数据手册

1+
￥7.46
10+
￥6.23
30+
￥5.56

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:6A

型号：IPA60R600P7SXKSA1 编号：C3289017

封装：TO-220-FP

品牌：Infineon(英飞凌)

7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列结合了快速开关SJ MOSFET的优点，具有易用性，如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更高效、更紧凑、更低温。

1+
￥7.52
10+
￥6.24
50+
￥5.54

有货

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耐压:200V 电流:25A

型号：IRFB4620PBF 编号：C537865

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥9.77
10+
￥8.15
30+
￥7.26

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:147A

型号：IRFH7085TRPBF 编号：C520643

封装：PQFN(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 鲁棒性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：半桥和全桥拓扑。同步整流应用

数据手册

1+
￥10.07
10+
￥8.56
30+
￥7.73
100+
￥5.364 ￥5.96
500+
￥4.986 ￥5.54
1000+
￥4.815 ￥5.35

有货

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1.2kV 30A

型号：IHW15N120R3 编号：C350814

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：强大的单片体二极管，正向电压低，专为软换相设计。TRENCHSTOP™ 技术应用提供:非常紧密的参数分布。高耐用性，温度稳定性能。低 VCEsat。由于 VCEsat 具有正温度系数，易于并联开关。低 EMI。应用：感应烹饪。逆变微波炉

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15+
￥21.617532
100+
￥18.65042
1000+
￥17.166864

我要订货

1个N沟道耐压:150V 电流:33A

型号：IRFS4615TRLPBF 编号：C538023

封装：D2PAK

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

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1+
￥10.83
10+
￥9.25
30+
￥8.26

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600V CoolMOS P7功率晶体管

型号：IPB60R360P7 编号：C536628

封装：TO-263-3

品牌：Infineon(英飞凌)

第七代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。600V CoolMOS P7系列是CoolMOS P6系列的继任者。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、更紧凑且更凉爽。

数据手册

1+
￥11.57
10+
￥9.74
30+
￥8.59
100+
￥7.41

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1个N沟道耐压:100V 电流:97A

型号：IRFSL4410ZPBF 编号：C538048

封装：TO-262-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。完全表征了电容和雪崩SOA。增强了体二极管dV/dt和dI/dt能力。无铅。符合RoHS标准，无卤素。应用：开关电源中的高效同步整流。不间断电源

数据手册

1+
￥12.3648 ￥17.92
10+
￥10.3427 ￥17.53
30+
￥8.4574 ￥17.26
100+
￥8.33 ￥17

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1个N沟道耐压:60V 电流:114A

型号：IRF7580MTRPBF 编号：C537819

封装：MG-WDSON-8

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的耐用性。具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。增强了体二极管的dv/dt和di/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥14.0355 ￥31.19
10+
￥9.415 ￥26.9
30+
￥6.09 ￥24.36
100+
￥5.445 ￥21.78
500+
￥5.1475 ￥20.59
1000+
￥5.0125 ￥20.05

有货

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1个N沟道耐压:600V 电流:16A

型号：IPP60R120P7 编号：C537199

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS第7代平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃倾向、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥14.34
10+
￥13.98
50+
￥13.74

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950V 14A

型号：IPA95R450P7 编号：C536434

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：一流的品质因数 RDS(on)*Eoss；降低 Qg、Ciss 和 Coss。一流的 V(GS)th 为 3V，最小的 V(GS)th 变化为 ±0.5V。集成齐纳二极管 ESD 保护。一流的 CoolMOS 质量和可靠性。完全优化的产品组合。应用：推荐用于 LED 照明、低功率充电器和适配器、智能电表、辅助电源和工业电源的反激式拓扑。也适用于消费和太阳能应用中的 PFC 级

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1+
￥15.04
10+
￥12.64
50+
￥11.13
100+
￥9.6
500+
￥8.9
1000+
￥8.6

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1个N沟道耐压:60V 电流:295A

型号：IRFB7530PBF 编号：C537869

封装：TO-220AB

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改进的栅极、雪崩和动态 dV/dt 耐用性。全面表征的电容和雪崩安全工作区。增强的体二极管 dV/dt 和 dI/dt 能力。无铅，符合 RoHS 标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

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1+
￥17.2
10+
￥14.55
50+
￥12.89

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1个N沟道耐压:200V 电流:19A

型号：IRF6785MTRPBF 编号：C537802

封装：MG-WDSON-5

品牌：Infineon(英飞凌)

这款数字音频MOSFET专为D类音频放大器应用而设计。该MOSFET采用最新的加工技术，以实现单位硅面积的低导通电阻。此外，还对栅极电荷、体二极管反向恢复和内部栅极电阻进行了优化，以改善D类音频放大器的关键性能指标，如效率、总谐波失真（THD）和电磁干扰（EMI）

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1+
￥18.423 ￥26.7
10+
￥15.4108 ￥26.12
30+
￥12.6077 ￥25.73
100+
￥12.4215 ￥25.35

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1个N沟道耐压:600V 电流:20A

型号：IPP60R099P7XKSA1 编号：C672383

封装：TO-220-3

品牌：Infineon(英飞凌)

7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性，例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色耐用性和出色的ESD能力。此外，极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和凉爽。

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1+
￥18.59
30+
￥17.62

有货

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次级侧高速同步整流（SR）控制器

型号：IR1167ASTRPBF 编号：C537532

封装：SOIC-8

品牌：Infineon(英飞凌)

IR1167S是一款智能次级侧驱动IC，专为驱动隔离反激式转换器中用作同步整流器的N沟道功率MOSFET而设计。该IC可控制一个或多个并联的N沟道MOSFET，以模拟肖特基二极管整流器的行为。通过差分检测漏源电压来确定电流极性，并在接近零电流转换时控制功率开关的导通和关断

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1+
￥19.6176 ￥29.28
10+
￥16.884 ￥25.2
30+
￥15.2626 ￥22.78
100+
￥13.6211 ￥20.33
500+
￥12.864 ￥19.2
1000+
￥12.5223 ￥18.69

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60A集成PowlRstage

型号：IR3550MTRPBF 编号：C537667

封装：PQFN-32(6x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3550集成PowIRstage®是一款同步降压栅极驱动器，与一个控制MOSFET和一个集成肖特基二极管的同步MOSFET共同封装。它在内部针对PCB布局、热传递和驱动器/MOSFET时序进行了优化。定制设计的栅极驱动器和MOSFET组合，可在前沿CPU、GPU和DDR内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率

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1+
￥19.85
10+
￥19.35
30+
￥19.02
100+
￥18.69

有货

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TRENCHSTOP 5 先进隔离型反向导通 IGBT

型号：IHFW40N65R5S 编号：C536116

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：TRENCHSTOP 5技术，在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。可即插即用替换上一代IGBT。击穿电压：650V。低栅极电荷QG。非常软、快速恢复的反并联二极管。最高结温175℃。应用：感应烹饪。逆变微波炉

数据手册

1+
￥25.856 ￥40.4
10+
￥21.816 ￥40.4
30+
￥17.776 ￥40.4

有货

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1个N沟道耐压:60V 电流:240A

型号：IRFS7534TRL7PP 编号：C538032

封装：D2PAK-7

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。无铅，符合RoHS标准。应用：有刷电机驱动应用。无刷直流电机驱动应用

数据手册

1+
￥26.2614 ￥38.06
10+
￥19.3697 ￥32.83
30+
￥14.5628 ￥29.72
100+
￥13.0193 ￥26.57
500+
￥12.3088 ￥25.12
800+
￥11.9903 ￥24.47

有货

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降压型 70A 4.25V~16V

型号：TDA21570AUMA1 编号：C3655211

封装：IQFN-39

品牌：Infineon(英飞凌)

高频、薄型 DC-DC 转换器；用于 CPU、GPU 和 DDR 内存阵列的电压调节器；电信受控和非受控应用。TDA21570 集成功率级包含一个低静态电流同步降压栅极驱动器 IC，它与控制和同步 MOSFET 共同封装，并带有一个有源二极管结构，该结构能实现与肖特基二极管相似的低 Vsd，且反向恢复电荷极少。当遵循布局指南时，该封装针对 PCB 布局、热传递、驱动器/MOSFET 控制时序以及最小化开关节点振铃进行了优化。配对的栅极驱动器和 MOSFET 组合能够在前沿 CPU、GPU 和 DDR 内存设计所需的较低输出电压下实现更高效率。与同类最佳的基于控制器的电感 DCR 感测方法相比，内部 MOSFET 感测实现了卓越的电流感测精度。保护功能包括 IC 温度报告和过温保护功能（带热关断的 OTP）、逐周期过流保护（OCP）、控制 MOSFET 短路检测（HSS - 高端短路检测）、VDRV 和自举欠压保护。TDA21570 还具有自举电容“刷新”功能，以防止自举电容过度放电。高达 1.5 MHz 的开关频率操作可实现高性能瞬态响应，允许输出电感以及输入和输出电容小型化，同时保持行业领先的效率。TDA21570 包含一个改进的高速 MOSFET 驱动器，该驱动器经过优化，可在高达 1.5 MHz 的频率下驱动一对共同封装的高端和低端 OptiMOS MOSFET。使用传统电流感测方法（如 DCR 感测和 Rdson 感测）的 DC-DC 控制器通常存在局限性。DCR 电流感测对电感的温度变化敏感，需要使用热电偶在外部或在功率级内部进行温度补偿。另一方面，Rdson 电流感测不依赖于电感，但 MOSFET 的 rdson 存在温度系数。此外，很难对高端 MOSFET 实施 Rdson 电流感测，因此用模拟电流代替，而低端电流则通过 MOSFET 进行感测。通过 TDA21570 中的先进电流镜感测，在实现卓越精度的同时消除了所有这些局限性。高端和低端 MOSFET 上的电流都在一个感测 MOSFET 上进行镜像。

1+
￥35.78
10+
￥30.52
30+
￥27.31

有货

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降压型 30A 2V~17V

型号：IR3887MTRPBF 编号：C537724

封装：IQFN-29-EP(4x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3887是一款易于使用的全集成式直流-直流降压稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMOS™ FET使IR3887成为一种占位面积小的解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速控制响应。IR3887具有内部低压差稳压器，允许单电源供电运行。它也可以使用外部偏置电源运行，将工作输入电压（PVin）范围从2.0 V扩展到17 V。IR3887是一款多功能稳压器，提供600 kHz至2 MHz的可编程开关频率、四种可选电流限制、四种可选软启动时间、强制连续导通模式（FCCM）和二极管仿真模式（DEM）运行。它还具备重要的保护功能，如预偏置启动、热补偿电流限制、过压和欠压保护以及热关断功能，可在故障条件下提供所需的系统级安全保障。

数据手册

1+
￥36.0912 ￥49.44
10+
￥31.1472 ￥49.44
30+
￥26.2032 ￥49.44

有货

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降压型 40A 3V~17V

型号：TDA387400000AUMA1 编号：C7121323

封装：QFN-36(5x6)

品牌：Infineon(英飞凌)

TDA38740/725是一款易于使用、高度集成且高效的直流-直流稳压器。板载PWM控制器和集成自举二极管的OptiMoSTM FET使TDA38740/725成为一种占位面积小的解决方案，可实现高效的功率传输。此外，它采用了快速恒定导通时间（COT）控制方案，简化了设计工作并实现了快速瞬态响应

1+
￥39.48
10+
￥33.72
30+
￥30.2

有货

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耐压:700V 电流:31.2A

型号：IPA65R110CFD 编号：C536396

封装：TO-220FP-3

品牌：Infineon(英飞凌)

CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术，根据超结（SJ）原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点，同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性的结合，使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。

数据手册

1+
￥39.5584 ￥61.81
10+
￥33.3774 ￥61.81
30+
￥27.1964 ￥61.81

有货

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650V 80A

型号：IKWH50N65EH7XKSA1 编号：C20191523

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：VCE = 650 V。 IC = 50 A。低开关损耗。极低的集电极-发射极饱和电压VCEsat。非常软、快速恢复的反并联二极管。平滑的开关特性。应用：工业不间断电源。电动汽车充电

1+
￥39.87
10+
￥34.25
30+
￥30.82

有货

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降压型 3.3V

型号：IR3570BMTRPBF 编号：C537675

封装：QFN-40-EP(5x5)

品牌：Infineon(英飞凌)

IR3564B/70B是一款双环数字多相降压控制器，专为CPU电压调节设计，完全符合AMD SVI1 & SVI2 Rev 1.06和Intel VR12 Rev 1.5 PWM规范以及VR12.5 Rev 1.3 PWM规范。IR3564B/70B包含了IR的效率塑形技术，在整个负载范围内以最低成本提供卓越的效率。IR的动态相位控制根据负载电流增加或减少活动相位，并可以配置为自动或通过命令进入单相操作和二极管仿真模式。基于专有的非线性数字PWM算法，IR独特的自适应瞬态算法（ATA）最小化了输出大容量电容，而多次可编程（MTP）存储节省了引脚并实现了小封装尺寸。使用IR数字电源设计中心（DPDC）图形用户界面可以轻松定义设备配置和故障参数，并将其存储在片上MTP中。IR3564B/70B提供了广泛的过压保护（OVP）、欠压保护（UVP）、过流保护（OCP）和过温保护（OTP）故障保护功能，并包括基于热敏电阻的温度感应与VRHOT信号。IR3564B/70B包含了许多特性，如寄存器诊断以加快设计周期和平台差异化，简化了VRD设计，并通过“设置即忘”方法实现最快的上市时间（TTM）。

数据手册

1+
￥43.1272 ￥58.28
10+
￥35.7056 ￥55.79
30+
￥29.3112 ￥54.28
100+
￥28.62 ￥53

有货

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600V 80A

型号：IKW50N60TFKSA1 编号：C2997922

封装：TO-247-3

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的集电极-发射极饱和电压VCE(sat)：1.5V（典型值）。最高结温：175℃。短路耐受时间：5μs。专为变频器和不间断电源设计。适用于600V应用的TRENCHSTOP和场截止技术，提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性和温度稳定性。 -非常高的开关速度。集电极-发射极饱和电压VCE(sat)具有正温度系数。低电磁干扰。低栅极电荷。非常软且快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。符合JEDEC目标应用标准。无铅引脚镀层，符合RoHS标准

1+
￥44.7032 ￥58.82
10+
￥39.2464 ￥51.64
30+
￥35.9176 ￥47.26
100+
￥33.1284 ￥43.59

有货

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600V 80A

型号：IKFW75N60ET 编号：C536183

封装：TO-247-3-AI

品牌：Infineon(英飞凌)

特性：极低的集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）。短路耐受时间：在结温（Tvj）为175℃时为5μs。集电极-发射极饱和电压（VCE(sat)）具有正温度系数。低电磁干扰（EMI）。非常软且快速恢复的反并联二极管。最高结温为175℃。应用：通用驱动器（GPD）。伺服驱动器

数据手册

1+
￥47.0336 ￥73.49
10+
￥39.6846 ￥73.49
30+
￥32.3356 ￥73.49

有货

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