您好,请登录 免费注册
手机立创
  • 微信小程序

    找料更方便

  • 立创APP

    体验更友好

  • 立创公众号

    售前咨询,优惠活动

消息(0)
我的订单
联系客服
  • 4000800709

    点击QQ咨询

  • 0755-83865666

    0755-83865666

    拨打电话咨询

帮助中心
供应商合作
嘉立创产业服务群

温馨提示

您上传的BOM清单格式不准确,当前支持上传xls、xlsx、csv、JPG、PNG、JPEG格式,请检查后重新上传

BOM正在分析中...
首页 > 热门关键词 > 英飞凌二极管
综合排序 价格 销量
-
符合条件商品:共209365
图片
关键参数
描述
价格(含税)
库存
操作
特性:VCE = 670V。 IC = 40A。 引脚到引脚爬电距离 >4.8mm。 引脚到引脚间隙距离 >3.4mm。 为PFC应用优化的单片二极管。 具有较低dv/dt的改善EMI性能。应用:家用空调/商用空调。 家用暖通空调/商用暖通空调
  • 1+

    ¥18.21
  • 10+

    ¥15.52
  • 30+

    ¥13.84
  • 有货
  • IR3888是一款易于使用的全集成直流-直流降压调节器。其内置的PWM控制器和OptiMOSTM FET以及集成的自举二极管使其成为小型解决方案,提供高效的电源传输。此外,它采用快速恒定导通时间(CoT)控制方案,简化了设计并实现了快速控制响应。
    数据手册
    • 1+

      ¥19.12
    • 10+

      ¥18.11
    • 30+

      ¥17.51
    • 100+

      ¥16.91
  • 有货
  • 特性:新型革命性高压技术。 TO 220封装中具有极低的导通电阻RDS(on)。 超低栅极电荷。 具备周期性雪崩额定值。 极高的dv/dt额定值。 高峰值电流能力。 内置快速恢复体二极管。 极低的反向恢复电荷。 无铅镀铅;符合RoHS标准;无卤模塑料。 符合JEDEC工业级应用标准
    数据手册
    • 1+

      ¥22.15
    • 10+

      ¥19.29
    • 50+

      ¥17.5
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的耐用性。 具备完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥23.5972 ¥38.06
    • 10+

      ¥17.0716 ¥32.83
    • 30+

      ¥12.4824 ¥29.72
    • 100+

      ¥11.1594 ¥26.57
    • 500+

      ¥10.5504 ¥25.12
    • 800+

      ¥10.2774 ¥24.47
  • 有货
  • 第7代CoolMOS平台是高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点,具有出色的易用性,如极低的振铃趋势、体二极管对硬换向的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑和低温。
    • 1+

      ¥24.32
    • 10+

      ¥20.69
    • 30+

      ¥18.53
  • 有货
  • IR3840W是一款高效、易于使用的集成降压调节器,支持1.5V至16V的宽输入电压范围和0.7V至0.9*Vin的宽输出电压范围。它具有连续12A负载能力,内置自举二极管,可编程开关频率高达1.5MHz,具备多种保护功能,适用于服务器、网络通信、存储和计算等应用。
    数据手册
    • 1+

      ¥27.1032 ¥29.46
    • 10+

      ¥23.616 ¥28.8
    • 30+

      ¥20.4264 ¥28.37
    • 100+

      ¥20.1096 ¥27.93
  • 有货
  • 第七代平台是高压功率MOSFET的一项革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。它结合了快速开关SJ MOSFET的优点和出色的易用性,例如极低的振铃趋势、体二极管在硬换向时的出色鲁棒性和出色的ESD能力。此外,极低的开关和传导损耗使开关应用更加高效、紧凑且温度更低。
    数据手册
    • 1+

      ¥29.5176 ¥52.71
    • 10+

      ¥24.2466 ¥52.71
    • 30+

      ¥18.9756 ¥52.71
  • 有货
  • 特性:高速H3技术提供: 硬开关和谐振拓扑中的高效率。 在Tv = 175℃时,具有10μs的短路耐受时间。 由于VcEsat的正温度系数,易于并联。 低电磁干扰。 低栅极电荷Qg。 非常软、快速恢复的全电流反并联二极管。应用:工业UPS。 充电器
    数据手册
    • 1+

      ¥34.31
    • 10+

      ¥29.1
    • 30+

      ¥25.92
  • 有货
  • CoolMOS是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。650V CoolMOS CFD2系列结合了领先的SJ MOSFET供应商的经验与一流的创新。由此产生的器件具备快速开关SJ MOSFET的所有优点,同时提供极快且坚固的体二极管。极低的开关、换向和传导损耗与高稳健性的结合,使谐振开关应用更加可靠、高效、轻便和凉爽。
    数据手册
    • 1+

      ¥35.2317 ¥61.81
    • 10+

      ¥29.0507 ¥61.81
    • 30+

      ¥22.8697 ¥61.81
  • 有货
  • 最新的950V系列在超结(SJ)技术中树立了新的标杆。该技术旨在通过将一流的性能与最先进的易用性相结合,满足照明和工业开关电源(SMPS)应用的需求。与CoolMOS™ P7系列相比,PFD7提供了一个集成的超快体二极管,使其能够在具有市场最低反向恢复电荷(Qrr)的谐振拓扑中使用。
    • 1+

      ¥37.72
    • 10+

      ¥32.57
    • 30+

      ¥29.43
  • 有货
  • IR3564B/70B是一款双环数字多相降压控制器,专为CPU电压调节设计,完全符合AMD SVI1 & SVI2 Rev 1.06和Intel VR12 Rev 1.5 PWM规范以及VR12.5 Rev 1.3 PWM规范。IR3564B/70B包含了IR的效率塑形技术,在整个负载范围内以最低成本提供卓越的效率。IR的动态相位控制根据负载电流增加或减少活动相位,并可以配置为自动或通过命令进入单相操作和二极管仿真模式。基于专有的非线性数字PWM算法,IR独特的自适应瞬态算法(ATA)最小化了输出大容量电容,而多次可编程(MTP)存储节省了引脚并实现了小封装尺寸。使用IR数字电源设计中心(DPDC)图形用户界面可以轻松定义设备配置和故障参数,并将其存储在片上MTP中。IR3564B/70B提供了广泛的过压保护(OVP)、欠压保护(UVP)、过流保护(OCP)和过温保护(OTP)故障保护功能,并包括基于热敏电阻的温度感应与VRHOT信号。IR3564B/70B包含了许多特性,如寄存器诊断以加快设计周期和平台差异化,简化了VRD设计,并通过“设置即忘”方法实现最快的上市时间(TTM)。
    数据手册
    • 1+

      ¥37.882 ¥58.28
    • 10+

      ¥30.6845 ¥55.79
    • 30+

      ¥24.426 ¥54.28
    • 100+

      ¥23.85 ¥53
  • 有货
  • 特性:极低的集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))。 短路耐受时间:在结温(Tvj)为175℃时为5μs。 集电极-发射极饱和电压(VCE(sat))具有正温度系数。 低电磁干扰(EMI)。 非常软且快速恢复的反并联二极管。 最高结温为175℃。应用:通用驱动器(GPD)。 伺服驱动器
    数据手册
    • 1+

      ¥41.8893 ¥73.49
    • 10+

      ¥34.5403 ¥73.49
    • 30+

      ¥27.1913 ¥73.49
  • 有货
  • 是一种用于高压功率MOSFET的革命性技术,根据超结(SJ)原理设计。最新的CFD7是CFD2系列的继任者,是为软开关应用(如移相全桥(ZVS)和LLC)量身定制的优化平台。由于降低了栅极电荷 (Qg)、具有一流的反向恢复电荷 (Qrr) 和改进的关断性能,CFD7在谐振拓扑中提供了最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分,该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向鲁棒性相结合,且在设计过程中易于实现。
    • 1+

      ¥47.46
    • 10+

      ¥40.5
    • 30+

      ¥36.26
  • 有货
  • 最新的650V产品扩展了CFD7系列的电压等级,是650V CFD2的继任者。由于其改进的开关性能和出色的热性能,该产品在谐振开关拓扑(如LLC和移相全桥 (ZVS))中具有最高效率。作为快速体二极管产品组合的一部分,该新产品系列将快速开关技术的所有优势与卓越的硬换向稳健性融为一体。该技术满足最高的效率和可靠性标准,并且支持高功率密度解决方案。
    • 1+

      ¥50.64
    • 10+

      ¥43.72
    • 50+

      ¥39.5
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt坚固性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥59.1418 ¥95.39
    • 10+

      ¥47.4136 ¥91.18
    • 30+

      ¥35.2338 ¥83.89
    • 100+

      ¥32.5626 ¥77.53
  • 有货
  • 特性:VCE = 1200 V。 IC = 100 A。 最大结温 Tv(jmax) = 175℃。 同类最佳的高速IGBT,与全额定电流、低Qrr和软换相高速二极管共封装。 低饱和电压 VCEsat = 1.7 V(Tvj = 25℃)。 针对高速硬开关拓扑(2-L逆变器、3-L NPC T型等)的高效率进行了优化。应用:工业UPS。 EV充电
    • 1+

      ¥70.98
    • 10+

      ¥67.4
    • 30+

      ¥61.2
  • 有货
  • PVAZ172N光继电器是一种单极常开固态继电器,可以替代用于直流和交流负载通用切换的机电继电器。它采用国际整流器公司的HEXFET功率MOSFET作为输出开关,由一种新型结构的集成电路光伏发生器驱动。输出开关由GaAlAs发光二极管(LED)发出的辐射控制,该LED与光伏发生器光学隔离。这些装置克服了机电继电器和簧片继电器的局限性,提供了固态技术的优点,如高灵敏度、小型化、无触点反弹、长使用寿命、对外部磁场不敏感、抗震抗振以及固有高可靠性。它们非常适合于切换大电流或低电平信号而不会产生失真或注入电气噪声。这些继电器封装在8引脚塑封DIP封装中,并提供通孔或表面贴装(“鸥翼”)引脚版本,以塑料运输管形式供应。
    数据手册
    • 1+

      ¥80.3871 ¥141.03
    • 10+

      ¥66.2841 ¥141.03
    • 30+

      ¥52.1811 ¥141.03
  • 有货
  • 特性:- VDSS = 2000 V 在 TVj = 25℃时。IDCC = 26 A 在 Tc = 25℃时。RDS(on) = 100 mΩ 在 VGS = 18 V,TVj = 25℃时。极低的开关损耗。基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5 V。用于硬换相的坚固体二极管。应用:串式逆变器。 太阳能功率优化器
    • 1+

      ¥115.73
    • 10+

      ¥110.07
    • 30+

      ¥100.25
  • 有货
  • 特性:在Tvj = 25℃时,VDSS = 2000V。 在Tc = 25℃时,IDCC = 34A。 在VGS = 18V、Tvj = 25℃时,RDSS(on) = 75mΩ。 极低的开关损耗。 基准栅极阈值电压,VGS(th) = 4.5V。 适用于硬换向的稳健体二极管。应用:串式逆变器。 太阳能功率优化器
    • 1+

      ¥131.92
    • 10+

      ¥125.46
    • 30+

      ¥114.27
  • 有货
  • 特性:针对高性能降压转换器进行了优化。单片集成类肖特基二极管。极低导通电阻RDS(on) @ VGS = 4.5V。100%雪崩测试。N沟道。根据JEDEC标准针对目标应用进行了合格认证。无铅镀铅;符合RoHS标准。根据IEC61249-2-21标准无卤
    • 1+

      ¥6.26
    • 10+

      ¥5.13
    • 30+

      ¥4.57
  • 有货
  • 采用TRENCHSTOP™ 5技术的高速5代快速绝缘栅双极晶体管(FAST IGBT),与RAPID 1型快速软恢复反并联二极管共封装。
    数据手册
    • 1+

      ¥7.536 ¥12.56
    • 10+

      ¥6.145 ¥12.29
    • 50+

      ¥4.844 ¥12.11
    • 100+

      ¥4.772 ¥11.93
  • 有货
  • 特性:高速F5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供一流的效率。650V击穿电压。低栅极电荷QG。IGBT与RAPID 1快速软反并联二极管共封装。最高结温175℃。符合JEDEC针对目标应用的标准。应用:太阳能转换器。不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥7.85
    • 10+

      ¥6.98
    • 50+

      ¥6.43
    • 100+

      ¥5.87
  • 有货
  • 采用节省空间封装的集成二极管绝缘栅双极晶体管(IGBT)。
    数据手册
    • 1+

      ¥9.698 ¥18.65
    • 10+

      ¥6.6948 ¥15.94
    • 30+

      ¥4.5568 ¥14.24
    • 100+

      ¥4.0032 ¥12.51
    • 500+

      ¥3.7504 ¥11.72
    • 1000+

      ¥3.6416 ¥11.38
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dV/dt的坚固性。 全面表征了电容和雪崩安全工作区。 增强了体二极管的dV/dt和dl/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥10.54
    • 10+

      ¥8.84
    • 50+

      ¥7.92
    • 100+

      ¥6.87
    • 500+

      ¥6.4
    • 1000+

      ¥6.19
  • 有货
  • 特性:极低的VCE(sat):1.5V(典型值)。 最高结温:175℃。 短路耐受时间:5μs。 专为变频器和不间断电源设计。 适用于600V应用的TRENCHSTOP™和场截止技术,提供: -非常紧密的参数分布。 -高耐用性,温度稳定性能。 -非常高的开关速度。 VCE(sat)具有正温度系数。 低电磁干扰。 无铅镀铅;符合RoHS标准。 非常软、快速恢复的反并联发射极控制HE二极管。 根据JEDEC针对目标应用进行了资格认证
    数据手册
    • 1+

      ¥10.54
    • 10+

      ¥8.91
    • 50+

      ¥7.62
  • 有货
  • 特性:改进的栅极、雪崩和动态dV/dt耐用性。 完全表征的电容和雪崩安全工作区。 增强的体二极管dV/dt和dI/dt能力。 无铅,符合RoHS标准。应用:有刷电机驱动应用。 无刷直流电机驱动应用
    数据手册
    • 1+

      ¥10.6932 ¥18.76
    • 10+

      ¥7.5341 ¥16.03
    • 30+

      ¥5.3021 ¥14.33
    • 100+

      ¥4.6546 ¥12.58
    • 500+

      ¥4.3623 ¥11.79
    • 1000+

      ¥4.2365 ¥11.45
  • 有货
  • 该产品源于CoolSET™-Q1,唯一区别是具有较低的Vcc关断阈值。CoolSET™-Q1是第一代准谐振控制器和CoolMOS™集成功率IC。在准谐振模式下操作MOSFET开关,开关电源有望实现更低的EMI、更高的效率和更低的次级二极管电压应力。基于BiCMOS技术,CoolSET™-Q1系列具有较宽的IC电源工作范围(高达25V)和较低的功耗。它还具有许多优点,如在非常低的负载下实现准谐振操作,与其他传统解决方案相比提高了更高的平均系统效率,通过主动突发模式操作在待机模式下实现超低功耗,同时输出电压纹波小且可控等。
    数据手册
    • 1+

      ¥14.27
    • 10+

      ¥12.02
    • 30+

      ¥10.61
    • 100+

      ¥9.17
  • 有货
  • 特性:单片集成类肖特基二极管。 在 VGS = 4.5V 时具有极低的导通电阻 RDS(on)。 为快速开关优化电荷。 为感应导通耐用性优化 Qgd / Qgs。 100% 雪崩测试。 N 沟道。 无铅引脚镀层;符合 RoHS 标准。 根据 IEC61249-2-21 标准无卤
    • 1+

      ¥14.69
    • 10+

      ¥12.43
    • 30+

      ¥11.02
  • 有货
  • 特性:改善了栅极、雪崩和动态dv/dt的坚固性。 具备完整的电容和雪崩安全工作区特性。 增强了体二极管的dV/dt和dI/dt能力。应用:开关电源中的高效同步整流。 不间断电源
    数据手册
    • 1+

      ¥14.8143 ¥25.99
    • 10+

      ¥12.2153 ¥25.99
    • 30+

      ¥9.6163 ¥25.99
  • 有货
  • 特性:高速H5技术,在硬开关和谐振拓扑中提供同类最佳效率。 650V击穿电压。 低QG。 IGBT与全额定电流RAPID 1快速反并联二极管共封装。 最高结温175℃。 无铅镀铅,符合RoHS标准。应用:能源发电。 太阳能串式逆变器
    数据手册
    • 1+

      ¥16.0968 ¥28.24
    • 10+

      ¥13.2728 ¥28.24
    • 30+

      ¥10.4488 ¥28.24
  • 有货
  • 立创商城为您提供英飞凌二极管型号、厂家、价格、库存、PDF数据手册、图片等信息,为您购买英飞凌二极管提供详细信息
    您的浏览器版本过低(IE8及IE8以下的浏览器或者其他浏览器的兼容模式),存在严重安全漏洞,请切换浏览器为极速模式或者将IE浏览器升级到更高版本。【查看详情】
    推荐您下载并使用 立创商城APP 或者最新版 谷歌浏览器火狐浏览器360浏览器搜狗浏览器QQ浏览器 的极(高)速模式进行访问。
    © 深圳市立创电子商务有限公司 版权所有
    |

    提示

    您确定要删除此收货地址的吗?

    请填写订单取消原因

    提示

    您确定删除此收货地址吗?

    成功提示

    content

    失败提示

    content

    提示

    content